專(zhuān)利名稱(chēng)：芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片參數(shù)信息領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體組件的制造過(guò)程中，晶圓制程是后續(xù)工藝的重要基礎(chǔ)。晶圓制程是在硅晶 圓上制作電子電路組件，制作完成之后，晶圓上形成一格格的晶粒(die)，接著晶圓測(cè)試步 驟針對(duì)晶粒作電性測(cè)試，將不合格的晶粒淘汰。隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，芯片已進(jìn)入超深 亞微米乃至納米時(shí)代，器件中的各種效應(yīng)變得越來(lái)越復(fù)雜，因而芯片的集約模型(Compact Model)也變得越來(lái)越龐大，需要提取的參數(shù)數(shù)目也相當(dāng)驚人。在采用傳統(tǒng)的芯片參數(shù)處理 方法時(shí)，首先將芯片參數(shù)的測(cè)量值保存在存儲(chǔ)模塊中，存儲(chǔ)模塊的數(shù)量與芯片的數(shù)量一一 對(duì)應(yīng)，每個(gè)存儲(chǔ)模塊記錄著每個(gè)芯片的參數(shù)測(cè)量值。人工手動(dòng)讀取每個(gè)存儲(chǔ)模塊中的測(cè)量 值，并且將所有讀取到的測(cè)量值導(dǎo)出，繪成圖形。所得到的圖形能夠通過(guò)某種工藝參數(shù)表示 晶圓中所有芯片的性能。然后分析圖形，對(duì)照標(biāo)準(zhǔn)值，找出圖形中不符合標(biāo)準(zhǔn)值的部分，進(jìn) 一步就能找出晶圓中不符合半導(dǎo)體性能要求的芯片。雖然通過(guò)分析繪成的圖形能很快找到晶圓中不符合半導(dǎo)體性能要求的芯片，程序 簡(jiǎn)單且準(zhǔn)確率高，但是隨著晶圓中包含芯片的數(shù)量越來(lái)越多，所需要讀取的存儲(chǔ)模塊的數(shù) 量也越來(lái)越多，通過(guò)人工手動(dòng)讀取存儲(chǔ)模塊中的測(cè)量值顯得非常繁瑣，不僅導(dǎo)致勞動(dòng)成本 成倍提高，而且大大增加了芯片參數(shù)測(cè)量值的提取周期，減慢了芯片開(kāi)發(fā)和工藝開(kāi)發(fā)的速度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法，以解決人工手動(dòng)讀取 大量芯片參數(shù)導(dǎo)致讀取周期延長(zhǎng)的問(wèn)題。根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法，包括提供一晶 圓，所述晶圓上包括η個(gè)芯片，其中，η為大于1的整數(shù)；分別定義所述η個(gè)芯片在晶圓中的 位置坐標(biāo)；分別測(cè)量i個(gè)芯片的性能參數(shù)，并將測(cè)量值記錄在存儲(chǔ)模塊中，其中，i為大于1 的整數(shù)，i ( n，并且，每個(gè)芯片對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)模塊，并根據(jù)芯片的位置坐標(biāo)命名相對(duì)應(yīng)的存 儲(chǔ)模塊的名稱(chēng)；分別讀取第1個(gè)至第i個(gè)存儲(chǔ)模塊中的所述測(cè)量值；將讀取的測(cè)量值導(dǎo)出， 并根據(jù)目標(biāo)值對(duì)所述測(cè)量值進(jìn)行分析，以找出晶圓上不符合規(guī)格的芯片。優(yōu)選地，將讀取的測(cè)量值導(dǎo)出生成圖表，并根據(jù)目標(biāo)值對(duì)所述測(cè)量值所在的圖表 進(jìn)行分析，以找出晶圓上不符合規(guī)格的芯片。優(yōu)選地，將讀取的測(cè)量值導(dǎo)出后導(dǎo)入一表格，并生成圖表。優(yōu)選地，所述表格為Excel表格。優(yōu)選地，將所述測(cè)量值按照所述芯片所在的位置坐標(biāo)(X，Y)導(dǎo)入所述Excel表格， 其中，X對(duì)應(yīng)所述Excel表格的行，Y對(duì)應(yīng)所述Excel表格的列。優(yōu)選地，在所述晶圓的表面建立X-Y直角坐標(biāo)系，定義所述芯片在所述晶圓中的位置坐標(biāo)(X，Y)。優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)模塊的名稱(chēng)為“X_Y. txt”。優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)模塊為文本文件。優(yōu)選地，讀取第1個(gè)至第i個(gè)存儲(chǔ)模塊中的所述測(cè)量值時(shí)，首先讀取第i個(gè)存儲(chǔ)模 塊，然后根據(jù)i = i-1的順序依次讀取其它存儲(chǔ)模塊，直至讀完所有的存儲(chǔ)模塊為止。本發(fā)明還提供一種芯片參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)處理方法的系統(tǒng)，包括位置模塊，用于定義 芯片在晶圓中的位置坐標(biāo)；測(cè)量模塊，用于測(cè)量所述芯片的性能參數(shù)；存儲(chǔ)模塊，用于記錄 所述芯片的性能參數(shù)的測(cè)量值，并根據(jù)所述芯片在晶圓中的位置坐標(biāo)命名所述存儲(chǔ)模塊的 名稱(chēng)；讀取模塊，用于讀取并導(dǎo)出所述存儲(chǔ)模塊中的測(cè)量值。優(yōu)選地，所述測(cè)量模塊包括半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)量設(shè)備和探針臺(tái)，所述半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)量 設(shè)備通過(guò)所述探針臺(tái)與所述芯片連接。優(yōu)選地，所述探針臺(tái)包括多個(gè)探針，所述探針與所述晶圓上的芯片移動(dòng)接觸。優(yōu)選地，所述芯片參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)處理方法的系統(tǒng)還包括繪圖模塊，用于將讀取的 測(cè)量值生成圖表。優(yōu)選地，所述繪圖模塊用于將讀取的測(cè)量值導(dǎo)入一表格，并生成圖表。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法，根據(jù)芯片的位置 坐標(biāo)命名相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)模塊的名稱(chēng)，便于查找或讀取晶圓中某個(gè)位置芯片的參數(shù)測(cè)量值， 所述芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法大大縮短了芯片參數(shù)測(cè)量者的提取周期，加快了芯片開(kāi) 發(fā)和工藝開(kāi)發(fā)的速度。本發(fā)明提供的芯片參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)處理方法的系統(tǒng)，存儲(chǔ)模塊根據(jù)芯片在晶圓中的 位置坐標(biāo)命名存儲(chǔ)模塊的名稱(chēng)，并通過(guò)讀取模塊讀取所述存儲(chǔ)模塊中的測(cè)量值，由于是自 動(dòng)讀取存儲(chǔ)模塊中的測(cè)量值，因此避免了人工手動(dòng)提取測(cè)量值的繁瑣。最后采用繪圖模塊 將讀取的測(cè)量值導(dǎo)入一表格，并生成圖表，能夠快速有效地獲得晶圓某個(gè)性能參數(shù)的性能 曲線圖表。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法的流程示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的“0_0. txt”存儲(chǔ)模塊中保存的電壓測(cè)量值的排列方式 示意圖。圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)處理方法的系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利 要求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用 非精準(zhǔn)的比率，僅用于方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法，該方法根據(jù)芯 片的位置坐標(biāo)命名相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)模塊的名稱(chēng)，便于查找或讀取晶圓中某個(gè)位置芯片的參數(shù) 測(cè)量值，所述芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法大大縮短了芯片參數(shù)測(cè)量者的提取周期，加快了芯片開(kāi)發(fā)和工藝開(kāi)發(fā)的速度。請(qǐng)參考圖1，其為本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法的流程示意 圖，結(jié)合該圖1，該處理方法包括以下步驟S11、提供一晶圓，所述晶圓上包括η個(gè)芯片，其中，η為大于1的整數(shù)；S12、分別定義所述η個(gè)芯片在晶圓中的位置坐標(biāo)；S13、分別測(cè)量i個(gè)芯片的性能參數(shù)，并將測(cè)量值記錄在存儲(chǔ)模塊中，其中，i為大 于1的整數(shù)，i ( n，并且，每個(gè)芯片對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)模塊，并根據(jù)芯片的位置坐標(biāo)命名相對(duì)應(yīng) 的存儲(chǔ)模塊的名稱(chēng)；S14、分別讀取第1個(gè)至第i個(gè)存儲(chǔ)模塊中的所述測(cè)量值；S15、將讀取的測(cè)量值導(dǎo)出，并根據(jù)目標(biāo)值對(duì)所述測(cè)量值進(jìn)行分析，以找出晶圓上 不符合規(guī)格的芯片。下面將結(jié)合圖2所示的晶圓結(jié)構(gòu)示意圖對(duì)本發(fā)明提出的芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處 理方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可 以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì) 于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。參照?qǐng)D2，并結(jié)合步驟S11和步驟S12，首先，在晶圓200的表面建立X-Y直角坐標(biāo) 系，選定晶圓200表面的任意一個(gè)芯片的中心作為原點(diǎn)坐標(biāo)(0，0)，其余的芯片以其中心在 設(shè)定的X-Y直角坐標(biāo)系中的位置定義位置坐標(biāo)(X，Y)。在本實(shí)施例中，將原點(diǎn)坐標(biāo)設(shè)定在 第一芯片201的中心，第一芯片201在晶圓200中的位置坐標(biāo)為(0，0)；第二芯片202的中 心在該坐標(biāo)系中的坐標(biāo)為(1，0)，即第二芯片202在晶圓200中的位置坐標(biāo)為(1，0)；同理， 以此類(lèi)推，定義第七芯片203在晶圓200中的位置坐標(biāo)，第七芯片203的中心在該坐標(biāo)系中 的坐標(biāo)為(1，1)，即第七芯片203在晶圓200中的位置坐標(biāo)為(1，1)。然后，結(jié)合步驟S13，分別測(cè)量晶圓200中芯片的性能參數(shù)，可以單次測(cè)量芯片的 性能參數(shù)，也可以多次測(cè)量芯片的性能參數(shù)，并將測(cè)量值記錄在存儲(chǔ)模塊中，每個(gè)芯片對(duì)應(yīng) 一個(gè)存儲(chǔ)模塊，以芯片所在晶圓200中的位置坐標(biāo)命名存儲(chǔ)模塊的名稱(chēng)，測(cè)量芯片的數(shù)量i 等于或者小于芯片在晶圓中以位置坐標(biāo)定義的數(shù)量n，在本實(shí)施例中，測(cè)量芯片的數(shù)量i等 于芯片在晶圓中以位置坐標(biāo)定義的數(shù)量η。在本實(shí)施例中所述存儲(chǔ)模塊為文本文件，相應(yīng)的 名稱(chēng)為“X_Y. txt”，例如，第一芯片201在晶圓200中的位置坐標(biāo)為(0，0)，則第一芯片201 所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)模塊的名稱(chēng)為“0_0. txt”;第二芯片202在晶圓200中的位置坐標(biāo)為(1，0)，則 第二芯片202所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)模塊的名稱(chēng)為“1_0. txt” ；以此類(lèi)推，第七芯片203在晶圓200 中的位置坐標(biāo)為(1，1)，則第七芯片203所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)模塊的名稱(chēng)為“1_1. txt”。在本實(shí)施例中，芯片的性能參數(shù)選定為電壓，每一個(gè)芯片對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)模塊里保存 著對(duì)同一個(gè)芯片多次測(cè)量得到的電壓測(cè)量值，并且，晶圓200中每一個(gè)芯片的測(cè)量值的排 列方式為矩陣形式，并且晶圓200中每一個(gè)芯片對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)模塊中所存儲(chǔ)的測(cè)量值的排列 方式都相同。參照?qǐng)D3，其為“0_0. txt”存儲(chǔ)模塊中保存的電壓測(cè)量值的排列方式示意圖。 所述的“0_0. txt”存儲(chǔ)模塊中保存的電壓測(cè)量值是由第一芯片201測(cè)得的，在本實(shí)施例中 排列的方式為6行4列，一共M個(gè)數(shù)據(jù)，代表對(duì)第一芯片201的電壓值進(jìn)行了 M次測(cè)量， 并且把對(duì)應(yīng)的M個(gè)數(shù)據(jù)按照6行4列的方式排列。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，芯片性能參數(shù)不僅僅局限為選定的電壓，還可以是其它例如為電流、電容等芯片性能參數(shù)。另外還可以同時(shí)測(cè)量同一個(gè)芯片兩個(gè)或兩個(gè) 以上的性能參數(shù)，并放在對(duì)應(yīng)的一個(gè)存儲(chǔ)模塊中。接著，讀取i個(gè)存儲(chǔ)模塊，存儲(chǔ)模塊的數(shù)量與晶圓200中芯片的數(shù)量對(duì)應(yīng)，即芯片 的數(shù)量也為i。結(jié)合步驟S14，自動(dòng)讀取第1個(gè)至第i個(gè)存儲(chǔ)模塊中的所述測(cè)量值，首先讀 取第i個(gè)存儲(chǔ)模塊，然后根據(jù)i = i-1的順序依次讀取存儲(chǔ)模塊，直至讀完所有的存儲(chǔ)模 塊為止。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在自動(dòng)讀取第1個(gè)至第i個(gè)存儲(chǔ)模塊中的所述 測(cè)量值時(shí)，不僅僅局限于前述的讀取方式，還可以采取其他的讀取方式，例如，首先讀取第χ 個(gè)存儲(chǔ)模塊U為大于等于0的整數(shù))，然后根據(jù)χ = x+1的順序依次讀取存儲(chǔ)模塊，直至讀 到χ= i為止。在本實(shí)施例中，要求讀取每個(gè)存儲(chǔ)模塊中第2行第3列的電壓測(cè)量值，參照 圖3，第一芯片201對(duì)應(yīng)的“0_0. txt”存儲(chǔ)模塊中的第2行第3列的電壓測(cè)量值為4v。該 自動(dòng)讀取存儲(chǔ)模塊的方法避免了手動(dòng)讀取存儲(chǔ)模塊的繁瑣，從而大大縮短了芯片參數(shù)測(cè)量 者的提取周期，加快了芯片開(kāi)發(fā)和工藝開(kāi)發(fā)的速度。讀取到的測(cè)量值的個(gè)數(shù)為i。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，根據(jù)對(duì)性能參數(shù)的實(shí)際需求，可以提取存儲(chǔ)模 塊中某一存儲(chǔ)位置保存的性能參數(shù)測(cè)量值，也可以先計(jì)算同一芯片多次所測(cè)量的平均值， 再一次讀取每個(gè)芯片的測(cè)量平均值。最后，結(jié)合步驟S15將讀取的測(cè)量值導(dǎo)入一表格，并生成圖表。在本實(shí)施例中，使 用COM接口打開(kāi)Excel表格，將所述測(cè)量值按照所述芯片所在的位置坐標(biāo)(X，Y)放入Excel 表格，其中，X對(duì)應(yīng)Excel表格的行，Y對(duì)應(yīng)Excel表格的列。第一芯片201對(duì)應(yīng)的位置坐 標(biāo)(0，0)，橫坐標(biāo)0對(duì)應(yīng)Excel表格的原始行，縱坐標(biāo)0對(duì)應(yīng)Excel表格的原始列，并將從 "0_0. txt”存儲(chǔ)模塊中讀取的電壓測(cè)量值4v導(dǎo)入Excel表格中原始行與原始列的位置；第 二芯片202對(duì)應(yīng)的位置坐標(biāo)(1，0)，橫坐標(biāo)1對(duì)應(yīng)Excel表格的第一行，縱坐標(biāo)0對(duì)應(yīng)Excel 表格的原始列，并將從“1_0. txt”存儲(chǔ)模塊中讀取的電壓測(cè)量值導(dǎo)入Excel表格中第一行 與原始列的位置；以此類(lèi)推，第七芯片203對(duì)應(yīng)的位置坐標(biāo)(1，1)，橫坐標(biāo)1對(duì)應(yīng)Excel表 格的第一行，縱坐標(biāo)1對(duì)應(yīng)Excel表格的第一列，并將從“1_1. txt”存儲(chǔ)模塊中讀取的電壓 測(cè)量值導(dǎo)入Excel表格中第一行與第一列的位置。將所有存儲(chǔ)模塊中讀取的電壓測(cè)量值全 部導(dǎo)入Excel表格后，生成所需要的晶圓200上全部芯片所對(duì)應(yīng)的性能參數(shù)的圖表。在本 實(shí)施例中，所述圖表表示所有芯片電壓的曲線圖。根據(jù)目標(biāo)值對(duì)所述圖表進(jìn)行分析，以找出晶圓200上不符合規(guī)格的芯片。所述目 標(biāo)值可以是經(jīng)驗(yàn)值，也可以是經(jīng)驗(yàn)值結(jié)合隨機(jī)抽樣的測(cè)量值的平均值所得。在本實(shí)施例中， 目標(biāo)值是3-4v的電壓值，“0_0. txt”存儲(chǔ)模塊中讀取的電壓測(cè)量值4v，沒(méi)有超出目標(biāo)值 3-4v的范圍，從電壓性能參數(shù)上來(lái)看，“0_0. txt”存儲(chǔ)模塊對(duì)應(yīng)的第一芯片201合格。上述采用的芯片參數(shù)的分析方法，通過(guò)所述芯片在晶圓200中的位置坐標(biāo)命名所 述存儲(chǔ)模塊名稱(chēng)，來(lái)自動(dòng)讀取存儲(chǔ)模塊中的測(cè)量值，所述芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法大 大縮短了芯片參數(shù)測(cè)量者的提取周期，加快了芯片開(kāi)發(fā)和工藝開(kāi)發(fā)的速度。由于是自動(dòng)讀 取存儲(chǔ)模塊中的測(cè)量值，因此避免了人工手動(dòng)提取測(cè)量值的繁瑣。本發(fā)明還提供了芯片參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)處理方法的系統(tǒng)，存儲(chǔ)模塊根據(jù)芯片在晶圓中 的位置坐標(biāo)命名存儲(chǔ)模塊的名稱(chēng)，并通過(guò)讀取模塊讀取所述存儲(chǔ)模塊中的測(cè)量值，由于是 自動(dòng)讀取存儲(chǔ)模塊中的測(cè)量值，因此避免了人工手動(dòng)提取測(cè)量值的繁瑣。最后采用繪圖模 塊將讀取的測(cè)量值導(dǎo)入一表格，并生成圖表，能夠快速有效地獲得晶圓某個(gè)性能參數(shù)的性能曲線圖表。圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)處理方法的系統(tǒng)的示意圖。本發(fā)明提供的芯片參數(shù)分析系統(tǒng)400包括位置模塊401，用于定義芯片在晶圓200 中的位置坐標(biāo)；測(cè)量模塊402，用于測(cè)量所述芯片的性能參數(shù)；存儲(chǔ)模塊403，用于記錄所 述芯片的性能參數(shù)的測(cè)量值，并根據(jù)所述芯片在晶圓200中的位置坐標(biāo)命名所述存儲(chǔ)模塊 403的名稱(chēng)；讀取模塊404，用于讀取所述存儲(chǔ)模塊中的測(cè)量值；繪圖模塊405，用于將讀取 的測(cè)量值導(dǎo)入一表格，并生成圖表。在本實(shí)施例中，所述測(cè)量模塊402包括半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)量設(shè)備和探針臺(tái)，所述半導(dǎo) 體參數(shù)測(cè)量設(shè)備通過(guò)所述探針臺(tái)與所述芯片連接。進(jìn)一步地，所述探針臺(tái)包括多個(gè)探針，所述探針與所述晶圓200上的芯片移動(dòng)接 觸。通過(guò)探針臺(tái)的視頻功能找到芯片上的壓焊點(diǎn)，將探針扎在壓焊點(diǎn)上，由半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)量 設(shè)備進(jìn)行測(cè)量，測(cè)量完畢后，探針移動(dòng)到下一個(gè)需要測(cè)量的芯片上，半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)量設(shè)備再 進(jìn)行測(cè)量，直到所有的芯片測(cè)量完成。本發(fā)明提供的芯片參數(shù)分析系統(tǒng)400，能夠通過(guò)測(cè)量模塊402得到測(cè)量值，之后通 過(guò)存儲(chǔ)模塊403、讀取模塊404以及繪圖模塊405，快速有效地獲得晶圓200對(duì)應(yīng)某個(gè)性能 參數(shù)的性能曲線圖表。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神 和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之 內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法，包括提供一晶圓，所述晶圓上包括η個(gè)芯片，其中，η為大于1的整數(shù)；分別定義所述η個(gè)芯片在晶圓中的位置坐標(biāo)；分別測(cè)量i個(gè)芯片的性能參數(shù)，并將測(cè)量值記錄在存儲(chǔ)模塊中，其中，i為大于1的整 數(shù)，i ^ n，并且，每個(gè)芯片對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)模塊，并根據(jù)芯片的位置坐標(biāo)命名相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)模 塊的名稱(chēng)；分別讀取第1個(gè)至第i個(gè)存儲(chǔ)模塊中的所述測(cè)量值；將讀取的所述測(cè)量值導(dǎo)出，并根據(jù)目標(biāo)值對(duì)所述測(cè)量值進(jìn)行分析，以找出晶圓上不符 合規(guī)格的芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，將讀取的測(cè)量值 導(dǎo)出生成圖表，并根據(jù)目標(biāo)值對(duì)所述測(cè)量值所在的圖表進(jìn)行分析，以找出晶圓上不符合規(guī) 格的芯片。
3.如權(quán)利要求2所述的芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，將讀取的測(cè)量值 導(dǎo)出后導(dǎo)入一表格，并生成圖表。
4.如權(quán)利要求3所述的芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，所述表格為Excel 表格。
5.如權(quán)利要求4所述的芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，將所述測(cè)量值按 照所述芯片所在的位置坐標(biāo)(X，Y)導(dǎo)入所述Excel表格，其中，X對(duì)應(yīng)所述Excel表格的行， Y對(duì)應(yīng)所述Excel表格的列。
6.如權(quán)利要求1所述的芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，在所述晶圓的表 面建立X-Y直角坐標(biāo)系，定義所述芯片在所述晶圓中的位置坐標(biāo)(X，Y)。
7.如權(quán)利要求6所述的芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)模塊的 名稱(chēng)為 “X_Y. txt”。
8.如權(quán)利要求1所述的芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)模塊為 文本文件。
9.如權(quán)利要求1所述的芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，讀取第1個(gè)至第i 個(gè)存儲(chǔ)模塊中的所述測(cè)量值時(shí)，首先讀取第i個(gè)存儲(chǔ)模塊，然后根據(jù)i = i-1的順序依次讀 取其它存儲(chǔ)模塊，直至讀完所有的存儲(chǔ)模塊為止。
10.一種芯片參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)處理方法的系統(tǒng)，包括位置模塊，用于定義芯片在晶圓中的位置坐標(biāo)；測(cè)量模塊，用于測(cè)量所述芯片的性能參數(shù)；存儲(chǔ)模塊，用于記錄所述芯片的性能參數(shù)的測(cè)量值，并根據(jù)所述芯片在晶圓中的位置 坐標(biāo)命名所述存儲(chǔ)模塊的名稱(chēng)；讀取模塊，用于讀取并導(dǎo)出所述存儲(chǔ)模塊中的測(cè)量值。
11.如權(quán)利要求10所述的芯片參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)處理方法的系統(tǒng)，其特征在于，所述測(cè)量 模塊包括半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)量設(shè)備和探針臺(tái)，所述半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)量設(shè)備通過(guò)所述探針臺(tái)與所述 芯片連接。
12.如權(quán)利要求11所述的芯片參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)處理方法的系統(tǒng)，其特征在于，所述探針 臺(tái)包括多個(gè)探針，所述探針與所述晶圓上的芯片移動(dòng)接觸。
13.如權(quán)利要求10所述的芯片參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)處理方法的系統(tǒng)，其特征在于，還包括繪 圖模塊，用于將讀取的測(cè)量值生成圖表。
14.如權(quán)利要求13所述的芯片參數(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)處理方法的系統(tǒng)，其特征在于，所述繪圖 模塊用于將讀取的測(cè)量值導(dǎo)入一表格，并生成圖表。
全文摘要
本發(fā)明提供一種芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法，包括提供一晶圓，所述晶圓上包括n個(gè)芯片，其中，n為大于1的整數(shù)；分別定義所述n個(gè)芯片在晶圓中的位置坐標(biāo)；分別測(cè)量i個(gè)芯片的性能參數(shù)，并將測(cè)量值記錄在存儲(chǔ)模塊中，其中，i為大于1的整數(shù)，i≤n，并且，每個(gè)芯片對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)模塊，并根據(jù)芯片的位置坐標(biāo)命名相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)模塊的名稱(chēng)；分別讀取第1個(gè)至第i個(gè)存儲(chǔ)模塊中的所述測(cè)量值；將讀取的所述測(cè)量值導(dǎo)出，并根據(jù)目標(biāo)值對(duì)所述測(cè)量值進(jìn)行分析，以找出晶圓上不符合規(guī)格的芯片。本發(fā)明提供的芯片參數(shù)測(cè)試的數(shù)據(jù)處理方法，大大縮短了芯片參數(shù)測(cè)量者的提取周期，加快了芯片開(kāi)發(fā)和工藝開(kāi)發(fā)的速度。
文檔編號(hào)G01R31/26GK102135597SQ20101053524
公開(kāi)日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2010年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月8日
發(fā)明者馮程程, 葉紅波, 唐逸 申請(qǐng)人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司