專利名稱：半導(dǎo)體元件測(cè)試卡及其垂直式探針的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，特別涉及一種半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，其探針具有至少一波形彈簧，以便消減探針接觸待測(cè)元件時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力。
背景技術(shù)：
一般而言，晶片上的集成電路元件必須先行測(cè)試其電氣特性，以判定集成電路元件是否良好。良好的集成電路將被選出以進(jìn)行后續(xù)的封裝工藝，而不良品將被舍棄以避免增加額外的封裝成本。完成封裝的集成電路元件亦必須再進(jìn)行另一次電性測(cè)試以篩選出封裝不良品，進(jìn)而提升最終成品良率。傳統(tǒng)測(cè)試卡采用懸臂式探針及垂直式探針兩種。懸臂式探針通過(guò)一橫向懸臂提供探針針部在接觸一待測(cè)集成電路元件時(shí)適當(dāng)?shù)目v向位移，以避免探針針部施加于該待測(cè)集成電路元件的應(yīng)力過(guò)大。然而，由于懸臂式探針需要空間容納該橫向懸臂，而此空間將限制懸臂式探針以對(duì)應(yīng)高密度信號(hào)接點(diǎn)的待測(cè)集成電路元件的細(xì)間距排列，因此無(wú)法應(yīng)用于具有高密度信號(hào)接點(diǎn)的待測(cè)集成電路元件。垂直式探針雖可以對(duì)應(yīng)高密度信號(hào)接點(diǎn)的待測(cè)集成電路元件的細(xì)間距排列，并通過(guò)探針本身的彈性變形提供針尖在接觸待測(cè)集成電路元件所需的縱向位移。然而，當(dāng)探針本身的變形量過(guò)大時(shí)，相鄰探針將因彼此接觸而發(fā)生短路或相互碰撞。美國(guó)專利US 5，977，787揭示一種用以檢查集成電路元件的電氣特性的垂直式探針組件。US 5，977，787揭示的垂直式探針組件包含一屈曲探針(buckling beam)及用以固持該屈曲探針的上導(dǎo)引板及下導(dǎo)引板。該屈曲探針用以接觸待測(cè)集成電路元件的接墊而建立測(cè)試信號(hào)的傳遞通路，并通過(guò)本身的彎折(bend)而吸收接觸待測(cè)集成電路元件的接墊時(shí)所產(chǎn)生的應(yīng)力。為了固持該屈曲探針，該上導(dǎo)引板與下導(dǎo)引板中用以容納該屈曲探針的導(dǎo)通孔彼此相互偏移，并非呈鏡相對(duì)應(yīng)。此外，該屈曲探針持續(xù)性的彎折動(dòng)作易于造成金屬疲勞，縮短使用壽命。美國(guó)專利US 5，952，843揭示一種用以檢查集成電路元件的電氣特性的垂直式探針組件。US 5，952，843揭示的垂直式探針組件包含屈曲探針(bend beam)及用以固持該屈曲探針的上導(dǎo)引板及下導(dǎo)引板。該屈曲探針具有S型彎折部，用以吸收接觸待測(cè)集成電路元件的接墊時(shí)所產(chǎn)生的應(yīng)力。此外，用以固持該屈曲探針的上導(dǎo)引板與下導(dǎo)引板中用以容納該屈曲探針的導(dǎo)通孔可呈鏡相對(duì)應(yīng)設(shè)置，不需彼此相互偏移。美國(guó)專利US 4，027，935揭示一種探針，其采用金屬線材以鍛造的方式制作其可彎曲的彈性部位。惟，該彎曲的彈性部位仍需要容納空間，其限制該探針以對(duì)應(yīng)高密度信號(hào)接點(diǎn)的待測(cè)集成電路元件的細(xì)間距排列，因此無(wú)法應(yīng)用于具有高密度信號(hào)接點(diǎn)的待測(cè)半導(dǎo)體元件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，其探針具有至少一波形彈簧，以便消減探針接觸待測(cè)元件時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)カ。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，一半導(dǎo)體元件的垂直式探針包含一下接觸件及一上接觸 件；該下接觸件包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的第一波形彈簧，該下接觸件經(jīng)配置以接 觸一待測(cè)元件，該第一波形彈簧經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針接觸該待測(cè)元 件時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)カ；該上接觸件實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件之上，其中該上接觸件 的寬度大于該下接觸件的寬度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，一半導(dǎo)體元件的垂直式探針包含一下接觸件及一上接觸 件；該下接觸件包含一第一波形彈簧，該第一波形彈簧具有多個(gè)彈簧圈，該彈簧圈包含至少 一峰部及至少一谷部，相鄰的彈簧圈以波峰對(duì)波峰方式接觸，該下接觸件經(jīng)配置以接觸一 待測(cè)元件，該第一波形彈簧經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針接觸該待測(cè)元件時(shí) 產(chǎn)生的應(yīng)カ；該上接觸件實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件之上，其中該上接觸件的寬 度大于該下接觸件的寬度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體元件測(cè)試卡包含ー導(dǎo)引板，具有多個(gè)孔洞；一 電路板，設(shè)置于該導(dǎo)引板上，該電路板具有多個(gè)面向該導(dǎo)引板的接觸部；以及多根垂直式探 針，設(shè)置于該孔洞中，該垂直式探針包含一下接觸件，該下接觸件具有至少一波形彈簧，該 波形彈簧經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件，該波形彈簧經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探 針接觸該待測(cè)元件時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)カ。本發(fā)明的有益效果在干，本發(fā)明的垂直式探針通過(guò)波形彈簧的波高以實(shí)質(zhì)上無(wú)橫 向位移方式消減接觸所產(chǎn)生的應(yīng)力，以避免彼此接觸而發(fā)生短路或相互碰撞。上文已相當(dāng)廣泛地概述本發(fā)明的技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)，以使下文的本發(fā)明詳細(xì)描述得 以獲得較佳了解。構(gòu)成本發(fā)明的權(quán)利要求標(biāo)的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)將描述于下文。本發(fā) 明所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解，可相當(dāng)容易地利用下文掲示的概念與特定實(shí)施例可作為 修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)或エ藝而實(shí)現(xiàn)與本發(fā)明相同的目的。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員亦 應(yīng)了解，這類等同建構(gòu)無(wú)法脫離后附的權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的精神和范圍。


圖1例示本發(fā)明第一實(shí)施例的垂直式探針；圖2例示本發(fā)明第二實(shí)施例的垂直式探針；圖3例示本發(fā)明第三實(shí)施例的垂直式探針；圖4例示本發(fā)明第四實(shí)施例的垂直式探針；圖5例示本發(fā)明第五實(shí)施例的垂直式探針；圖6例示本發(fā)明第六實(shí)施例的垂直式探針；圖7例示本發(fā)明第七實(shí)施例的垂直式探針；圖8例示本發(fā)明第八實(shí)施例的垂直式探針；圖9例示本發(fā)明第九實(shí)施例的垂直式探針；圖10例示本發(fā)明第十實(shí)施例的垂直式探針；圖11例示本發(fā)明第十一實(shí)施例的垂直式探針；圖12例示本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡；以及圖13例示本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡。
其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下IOA垂直式探針I(yè)OB垂直式探針I(yè)OC垂直式探針I(yè)OD垂直式探針I(yè)OE垂直式探針I(yè)OF垂直式探針I(yè)OG垂直式探針I(yè)OH垂直式探針11上接觸件13上接觸件15導(dǎo)引部17接觸部20下接觸件20A波高21波形彈簧23峰部25谷部27下開口30下接觸件30A波高33峰部35谷部37下開口39彈簧圈40上接觸件40A波高41波形彈簧43峰部45谷部50墊圈60上接觸件60A波高63 峰部65谷部69彈簧圈70待測(cè)元件71球狀物80待測(cè)元件
81接墊
90待測(cè)元件
91柱狀物
100A半導(dǎo)體元件測(cè)試卡
100B半導(dǎo)體元件測(cè)試卡
110電路板
120導(dǎo)引板
121孔洞
123垂直式探針
131接觸部
具體實(shí)施例方式圖1例示本發(fā)明第一實(shí)施例的垂直式探針10A。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該垂直式探針I(yè)OA包含一下接觸件20及一上接觸件11，該上接觸件11實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件20之上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件20具有一下開口 27，其經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件70的球狀物71，該上接觸件11的寬度大于該下接觸件20的寬度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件20包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的波形彈簧21。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各波形彈簧21由單一導(dǎo)電件構(gòu)成，具有多個(gè)峰部23及多個(gè)谷部25，該峰部23鄰接該谷部25。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該波形彈簧21在未壓縮狀態(tài)時(shí)具有一波高20A，即該峰部23與該谷部25的距離，該波高20A經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OA接觸該待測(cè)元件70時(shí)(處于壓縮狀態(tài))產(chǎn)生的應(yīng)力。圖2例示本發(fā)明第二實(shí)施例的垂直式探針10B。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該垂直式探針I(yè)OB包含一下接觸件30及一上接觸件11，該上接觸件11實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件30之上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件30具有一下開口 37，其經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件70的球狀物71，該上接觸件11的寬度大于該下接觸件30的寬度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件30包含一波形彈簧，其由單一導(dǎo)電件構(gòu)成且具有多個(gè)彈簧圈39，相鄰的彈簧圈39以波峰對(duì)波峰方式接觸。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該彈簧圈39包含連續(xù)波形，由多個(gè)峰部33及多個(gè)谷部35構(gòu)成，該峰部33鄰接該谷部35。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該波形彈簧30在未壓縮狀態(tài)時(shí)具有一波高30A，即該峰部33與該谷部35的距離，該波高30A經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OB接觸該待測(cè)元件 70時(shí)(處于壓縮狀態(tài))產(chǎn)生的應(yīng)力。圖3例示本發(fā)明第三實(shí)施例的垂直式探針10C。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該垂直式探針I(yè)OC包含一下接觸件20及一上接觸件13，該上接觸件13實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件20之上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件20具有一下開口 27，其經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件70的球狀物71，該上接觸件13的寬度大于該下接觸件20的寬度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件20包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的波形彈簧21。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各波形彈簧21由單一導(dǎo)電件構(gòu)成，具有多個(gè)峰部23及多個(gè)谷部25，該峰部23鄰接該谷部25。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該波形彈簧21在未壓縮狀態(tài)時(shí)具有一波高20A，即該峰部23與該谷部25的距離，該波高20A經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OC接觸該待測(cè)元件70時(shí)(處于壓縮狀態(tài))產(chǎn)生的應(yīng)力。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該上接觸件13包含一接觸部17及一導(dǎo)引部15，該接觸部17設(shè)置于該下接觸件20之上，該導(dǎo)引部17設(shè)置于該下接觸20件內(nèi)部的柱體且經(jīng)配置以導(dǎo)引該波形彈簧21 的運(yùn)作。圖4例示本發(fā)明第四實(shí)施例的垂直式探針10D。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該垂直式探針I(yè)OD包含一下接觸件30及一上接觸件13，該上接觸件13實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件30之上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件30具有一下開口 37，其經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件70的球狀物71，該上接觸件13的寬度大于該下接觸件30的寬度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件30包含一波形彈簧，其由單一導(dǎo)電件構(gòu)成且具有多個(gè)彈簧圈39，相鄰的彈簧圈39以波峰對(duì)波峰方式接觸。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該彈簧圈39包含連續(xù)波形，由多個(gè)峰部33及多個(gè)谷部35構(gòu)成，該峰部33鄰接該谷部35。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該波形彈簧30在未壓縮狀態(tài)時(shí)具有一波高30A，即該峰部33與該谷部35的距離，該波高30A經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OD接觸該待測(cè)元件 70時(shí)(處于壓縮狀態(tài))產(chǎn)生的應(yīng)力。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該上接觸件13包含一接觸部 17及一導(dǎo)引部15，該接觸部17設(shè)置于該下接觸件30之上，該導(dǎo)引部17設(shè)置于該下接觸件 30內(nèi)部的柱體且經(jīng)配置以導(dǎo)引該下接觸件30的波形彈簧的運(yùn)作。圖5例示本發(fā)明第五實(shí)施例的垂直式探針10E。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該垂直式探針I(yè)OE包含一下接觸件20、一上接觸件40以及一墊圈50，該上接觸件40實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件20之上，該墊圈50設(shè)置于該上接觸件40與該下接觸件20之間。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件20具有一下開口 27，其經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件70的球狀物71，該上接觸件40的寬度大于該下接觸件20的寬度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該上接觸件40包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的波形彈簧41。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各波形彈簧41由單一導(dǎo)電件構(gòu)成，具有多個(gè)峰部43及多個(gè)谷部45，該峰部43鄰接該谷部45。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該波形彈簧41在未壓縮狀態(tài)時(shí)具有一波高40A，即該峰部43與該谷部45的距離，該波高40A經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OE接觸該待測(cè)元件70時(shí)(處于壓縮狀態(tài))產(chǎn)生的應(yīng)力。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件20包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的波形彈簧21。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各波形彈簧21由單一導(dǎo)電件構(gòu)成，具有多個(gè)峰部23及多個(gè)谷部25，該峰部23鄰接該谷部25。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該波形彈簧21在未壓縮狀態(tài)時(shí)具有一波高20A，即該峰部23與該谷部25的距離，該波高20A經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OE接觸該待測(cè)元件70時(shí)(處于壓縮狀態(tài))產(chǎn)生的應(yīng)力。圖6例示本發(fā)明第六實(shí)施例的垂直式探針10F。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該垂直式探針I(yè)OF包含一下接觸件30、一上接觸件40以及一墊圈50，該上接觸件40實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件30之上，該墊圈50設(shè)置于該上接觸件40與該下接觸件30之間。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件30具有一下開口 37，其經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件70的球狀物71，該上接觸件40的寬度大于該下接觸件30的寬度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該上接觸件40包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的波形彈簧41。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各波形彈簧41由單一導(dǎo)電件構(gòu)成，具有多個(gè)峰部43及多個(gè)谷部45，該峰部43鄰接該谷部45。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該波形彈簧41在未壓縮狀態(tài)時(shí)具有一波高40A，即該峰部43與該谷部45的距離，該波高40A經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OA接觸該待測(cè)元件70時(shí)(處于壓縮狀態(tài))產(chǎn)生的應(yīng)力。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件30包含一波形彈簧，其由單一導(dǎo)電件構(gòu)成且具有多個(gè)彈簧圈39，相鄰的彈簧圈39以波峰對(duì)波峰方式接觸。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該彈簧圈39包含連續(xù)波形，由多個(gè)峰部33及多個(gè)谷部35構(gòu)成，該峰部33鄰接該谷部35。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該波形彈簧30在未壓縮狀態(tài)時(shí)具有一波高30A，即該峰部33與該谷部35的距離，該波高30A經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OF接觸該待測(cè)元件 70時(shí)(處于壓縮狀態(tài))產(chǎn)生的應(yīng)力。圖7例示本發(fā)明第七實(shí)施例的垂直式探針10G。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該垂直式探針I(yè)OG包含一下接觸件20、一上接觸件60以及一墊圈50，該上接觸件60實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件20之上，該墊圈50設(shè)置于該上接觸件60與該下接觸件20之間。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件20具有一下開口 27，其經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件70的球狀物71，該上接觸件60的寬度大于該下接觸件20的寬度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該上接觸件60包含一波形彈簧，其由單一導(dǎo)電件構(gòu)成且具有多個(gè)彈簧圈69，相鄰的彈簧圈69以波峰對(duì)波峰方式接觸。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該彈簧圈69包含連續(xù)波形，由多個(gè)峰部63及多個(gè)谷部65構(gòu)成，該峰部33鄰接該谷部35。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該波形彈簧60在未壓縮狀態(tài)時(shí)具有一波高60A，即該峰部63與該谷部65的距離，該波高60A經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OG接觸該待測(cè)元件 70時(shí)(處于壓縮狀態(tài))產(chǎn)生的應(yīng)力。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件20包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的波形彈簧21。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各波形彈簧21由單一導(dǎo)電件構(gòu)成，具有多個(gè)峰部23及多個(gè)谷部25，該峰部23鄰接該谷部25。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該波形彈簧21在未壓縮狀態(tài)時(shí)具有一波高20A，即該峰部23與該谷部25的距離，該波高20A經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OG接觸該待測(cè)元件70時(shí)(處于壓縮狀態(tài))產(chǎn)生的應(yīng)力。圖8例示本發(fā)明第八實(shí)施例的垂直式探針10H。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該垂直式探針I(yè)OH包含一下接觸件30、一上接觸件60以及一墊圈50，該上接觸件60實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件30之上，該墊圈50設(shè)置于該上接觸件60與該下接觸件30之間。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件30具有一下開口 37，其經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件70的球狀物71，該上接觸件60的寬度大于該下接觸件30的寬度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該上接觸件60包含一波形彈簧，其由單一導(dǎo)電件構(gòu)成且具有多個(gè)彈簧圈69，相鄰的彈簧圈69以波峰對(duì)波峰方式接觸。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該彈簧圈69包含連續(xù)波形，由多個(gè)峰部63及多個(gè)谷部65構(gòu)成，該峰部33鄰接該谷部35。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該波形彈簧60在未壓縮狀態(tài)時(shí)具有一波高60A，即該峰部63與該谷部65的距離，該波高60A經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OH接觸該待測(cè)元件 70時(shí)(處于壓縮狀態(tài))產(chǎn)生的應(yīng)力。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件30包含一波形彈簧，其由單一導(dǎo)電件構(gòu)成且具有多個(gè)彈簧圈39，相鄰的彈簧圈39以波峰對(duì)波峰方式接觸。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該彈簧圈39包含連續(xù)波形，由多個(gè)峰部33及多個(gè)谷部35構(gòu)成，該峰部33鄰接該谷部35。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該波形彈簧30在未壓縮狀態(tài)時(shí)具有一波高30A，即該峰部33與該谷部35的距離，該波高30A經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OH接觸該待測(cè)元件 70時(shí)(處于壓縮狀態(tài))產(chǎn)生的應(yīng)力。圖9例示本發(fā)明第九實(shí)施例的垂直式探針101。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該垂直式探針101包含一下接觸件20及一上接觸件11，該上接觸件11實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件20之上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該上接觸件11的寬度大于該下接觸件20的寬度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件20包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的波形彈簧 21以及一錐形件140。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各波形彈簧21由單一導(dǎo)電件構(gòu)成，具有多個(gè)峰部23及多個(gè)谷部25，該峰部23鄰接該谷部25。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該波形彈簧21在未壓縮狀態(tài)時(shí)具有一波高20A，即該峰部23與該谷部25的距離，該波高20A經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OA接觸該待測(cè)元件70時(shí)(處于壓縮狀態(tài))產(chǎn)生的應(yīng)力。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該錐形件140為具有一端部141的圓錐件，其經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件80的接墊81，其中該端部141可設(shè)計(jì)成一尖狀或平坦?fàn)?。圖10例示本發(fā)明第十實(shí)施例的垂直式探針10J。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該垂直式探針I(yè)OJ包含一下接觸件20及一上接觸件11，該上接觸件11實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件20之上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該上接觸件11的寬度大于該下接觸件20的寬度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件20包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的波形彈簧 21以及一柱狀件150。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各波形彈簧21由單一導(dǎo)電件構(gòu)成，具有多個(gè)峰部23及多個(gè)谷部25，該峰部23鄰接該谷部25。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該波形彈簧21在未壓縮狀態(tài)時(shí)具有一波高20A，即該峰部23與該谷部25的距離，該波高20A經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OA接觸該待測(cè)元件70時(shí)(處于壓縮狀態(tài))產(chǎn)生的應(yīng)力。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該柱狀件150為具有一端部151的圓柱，且該端部141經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件80的接墊81。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該端部151亦可設(shè)計(jì)成一凹狀，以接觸球狀物。圖11例示本發(fā)明第十一實(shí)施例的垂直式探針10K。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該垂直式探針I(yè)OK包含一下接觸件20及一上接觸件11，該上接觸件11實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件20之上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該上接觸件11的寬度大于該下接觸件20 的寬度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件20包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的波形彈簧21以及一柱狀件160。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各波形彈簧21由單一導(dǎo)電件構(gòu)成，具有多個(gè)峰部23及多個(gè)谷部25，該峰部23鄰接該谷部25。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該波形彈簧21在未壓縮狀態(tài)時(shí)具有一波高20A，即該峰部23與該谷部25的距離，該波高20A經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OA接觸該待測(cè)元件70時(shí)(處于壓縮狀態(tài))產(chǎn)生的應(yīng)力。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該柱狀件160為具有一凹部161的方柱，其經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件90的柱狀物91。圖9至圖11例示的垂直式探針101至IOK以圖1的垂直式探針I(yè)OA為例說(shuō)明，在該下接觸件20末端可配置該錐形件140或該柱狀件150、160，以便與待測(cè)元件的各種接點(diǎn) (terminal)形成電氣通路，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解圖2至圖8所示的垂直式探針I(yè)OB至 IOH亦可在末端配置該錐形件140或該柱狀件150、160。圖12例示本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡100A。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該半導(dǎo)體元件測(cè)試卡100A包含一導(dǎo)引板120、一電路板110以及多根垂直式探針10A。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該導(dǎo)引板120具有多個(gè)孔洞121，該電路板110設(shè)置于該導(dǎo)引板120之上且具有多個(gè)面向該導(dǎo)引板120的接觸部111，該垂直式探針123設(shè)置于該孔洞121之中， 該垂直式探針123包含至少一波形彈簧，其經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件70的球狀物71，該波形彈簧經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針123接觸該待測(cè)元件70時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力。圖13例示本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡100B。在本發(fā)明的一實(shí)施例中， 該半導(dǎo)體元件測(cè)試卡100B包含一導(dǎo)引板120、一電路板110以及多根垂直式探針I(yè)OA0在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該導(dǎo)引板120具有多個(gè)孔洞121，該電路板110設(shè)置于該導(dǎo)引板120 之上且具有多個(gè)面向該導(dǎo)引板120的接觸部131。再參考圖1，該垂直式探針I(yè)OA包含一下接觸件20及一上接觸件11，該上接觸件 11實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件20之上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該下接觸件20 具有一下開口 27，其經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件70的球狀物71。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該上接觸件11經(jīng)配置以接觸該電路板110以在該待測(cè)元件70與該電路板110之間形成一電氣通路。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該孔洞121的尺寸大于該下接觸件20的尺寸，該孔洞121 的尺寸小于該上接觸件110的尺寸，如此該垂直式探針I(yè)OA即可置于該孔洞121內(nèi)，無(wú)需附著于該電路板110的接觸部131，因而可以個(gè)別置換故障的垂直式探針10A。該垂直式探針I(yè)OA設(shè)置于該孔洞121之中，該垂直式探針I(yè)OA包含至少一波形彈簧，其經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件70的球狀物71，該波形彈簧經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針I(yè)OA接觸該待測(cè)元件70時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力。圖12例示的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡100A 以圖1的垂直式探針I(yè)OA為例說(shuō)明，所屬領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解圖2至圖11所示的垂直式探針I(yè)OB至IOK亦可取代該垂直式探針I(yè)OA而應(yīng)用于該半導(dǎo)體元件測(cè)試卡100A，以便與待測(cè)元件的各種接點(diǎn)(接墊、球狀物、柱狀物)形成電氣通路。公知的垂直式探針(例如POGO探針)使用冠狀針尖，其在接觸待測(cè)元件時(shí)損壞焊球。例如，四爪冠狀針尖在接觸待測(cè)元件時(shí)，垂直式探針產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)在焊球上形成四爪冠狀壓痕。相對(duì)地，本發(fā)明實(shí)施例揭示的垂直式探針使用波形彈簧作為下接觸件(即針尖)， 而波形彈簧與焊球具有較大的環(huán)狀接觸，可避免損壞焊球。此外，波形彈簧是波峰對(duì)波峰方式堆疊而形成數(shù)個(gè)電流通路，以避免電流行經(jīng)單一線圈時(shí)產(chǎn)生電感效應(yīng)而影響電氣量測(cè)結(jié)果。再者，相較于公知的懸臂式探針需要一橫向空間容納其橫向懸臂而無(wú)法應(yīng)用于具有高密度信號(hào)接點(diǎn)的待測(cè)半導(dǎo)體元件，本發(fā)明的垂直式探針不需該橫向空間，且可通過(guò)調(diào)整波形彈簧的剛性而提供可變的針壓，并可應(yīng)用于具有高密度且小間距信號(hào)接點(diǎn)的待測(cè)集成電路元件。此外，公知垂直式探針系通過(guò)探針本身的彈性變形提供針尖在接觸待測(cè)集成電路元件所需的縱向位移，惟當(dāng)探針本身的變形量過(guò)大或?qū)ξ徊粶?zhǔn)時(shí)，相鄰探針將因彼此接觸而發(fā)生短路或相互碰撞。相對(duì)地，本發(fā)明的垂直式探針通過(guò)波形彈簧的波高以實(shí)質(zhì)上無(wú)橫向位移方式消減接觸所產(chǎn)生的應(yīng)力，以避免彼此接觸而發(fā)生短路或相互碰撞。本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解，在不背離后附權(quán)利要求所界定的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)，本發(fā)明的教示及揭示可作種種的替換及修飾。例如，上文揭示的許多工藝可以不同的方法實(shí)施或以其它工藝予以取代，或者采用上述兩種方式的組合。 此外，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于上文揭示的特定實(shí)施例的工藝、機(jī)臺(tái)、制造、 物質(zhì)的成分、裝置、方法或步驟。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解，基于本發(fā)明教示及揭示工藝、機(jī)臺(tái)、制造、物質(zhì)的成份、裝置、方法或步驟，無(wú)論現(xiàn)在已存在或日后開發(fā)者，其與本發(fā)明實(shí)施例揭示者以實(shí)質(zhì)相同的方式執(zhí)行實(shí)質(zhì)相同的功能，而達(dá)到實(shí)質(zhì)相同的結(jié)果，亦可使用于本發(fā)明。因此，權(quán)利要求用以涵蓋此類工藝、機(jī)臺(tái)、制造、物質(zhì)的成分、裝置、方法或步驟。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體元件的垂直式探針，包含一下接觸件，包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的第一波形彈簧，該下接觸件經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件，該第一波形彈簧經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針接觸該待測(cè)元件時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力；以及一上接觸件，實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件之上，其中該上接觸件的寬度大于該下接觸件的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的垂直式探針，其特征在于，該下接觸件包含一下開口、一錐狀件或一柱狀件，經(jīng)配置以接觸該待測(cè)元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的垂直式探針，其特征在于，該上接觸件包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的第二波形彈簧，該第二波形彈簧的寬度大于該第一波形彈簧的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的垂直式探針，其特征在于，該上接觸件包含一第二波形彈簧，該第二波形彈簧具有多個(gè)彈簧圈，該彈簧圈包含至少一峰部及至少一谷部， 相鄰的彈簧圈以波峰對(duì)波峰方式接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的垂直式探針，其特征在于，該垂直式探針還包含一墊圈，該墊圈設(shè)置于該上接觸件與該下接觸件之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的垂直式探針，其特征在于，該上接觸件包含一接觸部及一導(dǎo)引部，該接觸部設(shè)置于該下接觸件之上，該導(dǎo)引部設(shè)置于該下接觸件內(nèi)部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的垂直式探針，其特征在于，該第一波形彈簧經(jīng)配置以實(shí)質(zhì)上無(wú)橫向位移方式消減該探針接觸該待測(cè)元件時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力。
8.一種半導(dǎo)體元件的垂直式探針，包含一下接觸件，包含一第一波形彈簧，該第一波形彈簧具有多個(gè)彈簧圈，該彈簧圈包含至少一峰部及至少一谷部，相鄰的彈簧圈以波峰對(duì)波峰方式接觸，該下接觸件經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件，該第一波形彈簧經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針接觸該待測(cè)元件時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力；以及一上接觸件，實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件之上，其中該上接觸件的寬度大于該下接觸件的寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的垂直式探針，其特征在于，該下接觸件包含一下開口、一錐狀件或一柱狀件，經(jīng)配置以接觸該待測(cè)元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的垂直式探針，其特征在于，該上接觸件包含一第二波形彈簧，該第二波形彈簧具有多個(gè)彈簧圈，該彈簧圈包含至少一峰部及至少一谷部， 相鄰的彈簧圈以波峰對(duì)波峰方式接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的垂直式探針，其特征在于，該上接觸件包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的第二波形彈簧。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的垂直式探針，其特征在于，該垂直式探針還包含一墊圈，該墊圈設(shè)置于該上接觸件與該下接觸件之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的垂直式探針，其特征在于，該上接觸件包含一接觸部及一導(dǎo)引部，該接觸部設(shè)置于該下接觸件之上，該導(dǎo)引部設(shè)置于該下接觸件內(nèi)部。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的垂直式探針，其特征在于，該第一波形彈簧經(jīng)配置以實(shí)質(zhì)上無(wú)橫向位移方式消減該探針接觸該待測(cè)元件時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力。
15.一種半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，包含一導(dǎo)引板，具有多個(gè)孔洞；一電路板，設(shè)置于該導(dǎo)引板上，該電路板具有多個(gè)面向該導(dǎo)引板的接觸部；以及多根垂直式探針，設(shè)置于該孔洞中，該垂直式探針包含一下接觸件，該下接觸件具有至少一波形彈簧，該波形彈簧經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件，該波形彈簧經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針接觸該待測(cè)元件時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，其特征在于，該波形彈簧包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的第一波形彈簧，該垂直式探針還包含一上接觸件，實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件之上，其中該上接觸件的寬度大于該下接觸件的寬度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，其特征在于，該下接觸件包含一下開口、一錐狀件或一柱狀件，經(jīng)配置以接觸該待測(cè)元件。
18.根據(jù)權(quán)利要求比所述的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，其特征在于，該上接觸件包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的第二波形彈簧，該第二波形彈簧的寬度大于該第一波形彈簧的寬度。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，其特征在于，該上接觸件包含一第二波形彈簧，該第二波形彈簧具有多個(gè)彈簧圈，該彈簧圈包含至少一峰部及至少一谷部，相鄰的彈簧圈以波峰對(duì)波峰方式接觸。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，其特征在于，該垂直式探針還包含一墊圈，該墊圈設(shè)置于該上接觸件與該下接觸件之間。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，其特征在于，該上接觸件包含一接觸部及一導(dǎo)引部，該接觸部設(shè)置于該下接觸件之上，該導(dǎo)引部設(shè)置于該下接觸件內(nèi)部。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，其特征在于，該波形彈簧包含一第一波形彈簧，該第一波形彈簧具有多個(gè)彈簧圈，該彈簧圈包含至少一峰部及至少一谷部，相鄰的彈簧圈以波峰對(duì)波峰方式接觸；該垂直式探針還包含一上接觸件，實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件之上，其中該上接觸件的寬度大于該下接觸件的寬度。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，其特征在于，該下接觸件包含一下開口、一錐狀件或一柱狀件，經(jīng)配置以接觸該待測(cè)元件。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，其特征在于，該上接觸件包含一第二波形彈簧，該第二波形彈簧具有多個(gè)彈簧圈，該彈簧圈包含至少一峰部及至少一谷部，相鄰的彈簧圈以波峰對(duì)波峰方式接觸。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，其特征在于，該上接觸件包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的第二波形彈簧。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，其特征在于，該垂直式探針還包含一墊圈，該墊圈設(shè)置于該上接觸件與該下接觸件之間。
27.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，其特征在于，該上接觸件包含一接觸部及一導(dǎo)引部，該接觸部設(shè)置于該下接觸件之上，該導(dǎo)引部設(shè)置于該下接觸件內(nèi)部。
28.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件測(cè)試卡，其特征在于，該波形彈簧經(jīng)配置以實(shí)質(zhì)上無(wú)橫向位移方式消減該探針接觸該待測(cè)元件時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體元件測(cè)試卡及其垂直式探針，該垂直式探針包含一下接觸件及一上接觸件；該下接觸件包含多個(gè)以波峰對(duì)波峰方式堆疊的第一波形彈簧，該下接觸件經(jīng)配置以接觸一待測(cè)元件，該第一波形彈簧經(jīng)配置以提供一縱向位移，借以消減該探針接觸該待測(cè)元件時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力；該上接觸件實(shí)質(zhì)上以直線方式堆疊于該下接觸件之上，其中該上接觸件的寬度大于該下接觸件的寬度。本發(fā)明可以避免彼此接觸而發(fā)生短路或相互碰撞。
文檔編號(hào)G01R1/067GK102375081SQ20101057125
公開日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月23日
發(fā)明者劉俊良, 陳治坤 申請(qǐng)人:思達(dá)科技股份有限公司