專利名稱：納米光柵沉積特性三維分析方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用三維仿真技術(shù)實現(xiàn)納米光柵沉積特性的分析，即采用三維方法分 析納米光柵沉積條紋的半高寬、對比度。
背景技術(shù)：
對于納米光柵沉積制作過程的有關(guān)理論分析，國內(nèi)外相關(guān)研究小組已對不同中性 原子在激光駐波場作用下的沉積特性進行了一維和二維仿真分析，得到了一些對實際應用 具有重要意義的結(jié)果。但僅通過一維、二維仿真不能給出激光駐波場作用下中性原子沉積 納米光柵的全部信息，更不能反映納米光柵沉積制作過程中的三維本質(zhì)全貌。為能更深入 分析激光駐波場作用下中性原子的運動特性以及納米光柵沉積過程的基本特征，唯有通過 三維信息的獲取，利用三維仿真形式才能給出更詳細、更本質(zhì)、對實際應用更有指導意義的 結(jié)果，而該方面的工作國內(nèi)外相關(guān)研究小組還未進行，相關(guān)的研究結(jié)果更未見諸報道，所以 對納米光柵沉積特性的三維仿真研究是非常有意義和有實際應用價值的，也是該技術(shù)發(fā)展 中所必須面臨和急待解決的一項關(guān)鍵問題。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供納米光柵沉積特性三維分析方法，實現(xiàn)納米光柵特性的三維 特征分析，通過該種分析方法可更直觀、更本質(zhì)、更詳細的反映納米光柵的半高寬和對比度 特征。
本發(fā)明的技術(shù)方案是一種納米光柵沉積特性三維分析方法，包括如下步驟
(1)建立激光駐波場與中性原子相互作用的三維模型設(shè)激光駐波場作用下中性 原子偶極勢為U，中性原子的總能量為E。，m為原子質(zhì)量，則處于激光駐波場作用下中性原子 的運動方程可表示為
權(quán)利要求
1.一種納米光柵沉積特性三維分析方法，其特征是包括如下步驟(1)建立激光駐波場與中性原子相互作用的三維模型設(shè)激光駐波場作用下中性原子 偶極勢為U，中性原子的總能量為E。，m為原子質(zhì)量，則處于激光駐波場作用下中性原子的運 動方程可表示為
2.根據(jù)權(quán)利要求書1所述的方法，可以得到中性原子在激光駐波場作用下納米光柵沉 積條紋的半高寬和對比度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種納米光柵沉積特性三維分析方法，(1)建立激光駐波場與中性原子相互作用的三維模型；(2)利用數(shù)值方法，通過設(shè)定適當步長的四階Runge-Kutta算法，求解中性原子在三維空間的位置坐標，從而獲得激光駐波場作用下中性原子的三維運動軌跡和沉積過程仿真；(3)利用累計算法，實現(xiàn)中性原子在激光駐波場作用下的三維沉積過程仿真，獲得納米光柵三維沉積條紋的對比度與半高寬特性，實現(xiàn)最優(yōu)化的激光駐波場參數(shù)選擇，得到最細化的納米光柵沉積條紋三維仿真。該方法可用于分析沉積納米光柵的基本特性。與一維、二維分析方法相比，該發(fā)明所采用的三維分析方法更細致、更本質(zhì)、對實際應用更有指導意義。
文檔編號G01B11/02GK102033996SQ20101057879
公開日2011年4月27日 申請日期2010年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月8日
發(fā)明者張文濤, 朱保華, 熊顯名, 蔣曲博, 黃靜 申請人:桂林電子科技大學