專利名稱：全cmos精確電流采樣電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及H橋功率驅(qū)動器集成電路，同時涉及電流采樣電路。
背景技術(shù)：
由于直流電機的廣泛應(yīng)用，推出了一批功能齊全，使用簡單的直流電機驅(qū)動器，它們包括有半橋、雙半橋、四半橋、單H橋、雙H橋等。在H橋功率驅(qū)動電路中，需要準(zhǔn)確、高效地檢測功率開關(guān)管的電流值，所以電流檢測方法的設(shè)計有很重要的意義，同時電流采樣技術(shù)對于功率器件和負(fù)載的過流保護(hù)也極其重要。功率電路中常用的電流采樣方法有電阻采樣、磁采樣、SENSEFET采樣等，SENSEFET采樣電流方法如

圖1所示。圖中Kelvin線表示考慮了電路中的電流流過金屬線造成的電壓差的影響。通常SENSEFET的柵寬遠(yuǎn)小于MainFET的柵寬，希望Isense與IOUT的比例關(guān)系由功率管功率管sense MOS和DMOS的W/L之比決定，按1/N的比例采樣。工作在飽和區(qū)的 MOS管漏極電流為，以N管為例
權(quán)利要求
1.全CMOS精確電流采樣電路，包括功率管(MNl)和采樣管(MN2)，功率管(MNl)的漏極和采樣管(M^)的漏極連接電源電壓VDD，柵極接第一輸入電壓(VDCl)，其特征在于，還包括第一運放(Al)、第二運放(A2)和MOS管(MN3)，功率管(MNl)的源極接第一運放(Al)的負(fù)極和MOS管(MN3)的漏極，采樣管(MN2)的源極接第一運放(Al)的正極，第一運放(Al) 的輸出端接第二運放的正極，基準(zhǔn)源(VREF)連接第二運放m的負(fù)極，第二運放(A2)的輸出端接MOS管(MN3)的柵極，MOS管(MN3)的源極接地。
2.如權(quán)利要求1所述的全CMOS精確電流采樣電路，其特征在于，所述功率管(MN1)、采樣管(MN2)和MOS管(MN3)皆為NMOS管。
全文摘要
全CMOS精確電流采樣電路，涉及電子技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括功率管和采樣管，功率管的漏極和采樣管的漏極連接電源電壓VDD，柵極接第一輸入電壓，還包括第一運放、第二運放和MOS管，功率管的源極接第一運放的負(fù)極和MOS管的漏極，采樣管的源極接第一運放的正極，第一運放的輸出端接第二運放的正極，基準(zhǔn)源連接第二運放的負(fù)極，第二運放的輸出端接MOS管的柵極，MOS管的源極接地。本發(fā)明通過兩級運放的增益和負(fù)反饋技術(shù)，提高了傳統(tǒng)電流采樣電路的采樣精度。
文檔編號G01R19/00GK102156211SQ20101059894
公開日2011年8月17日 申請日期2010年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月21日
發(fā)明者于廷江, 吳瓊樂, 方健, 李文昌, 楊毓俊, 柏文斌, 王澤華, 管超, 陳呂赟, 黎俐 申請人:成都成電硅?？萍脊煞萦邢薰?br>