專利名稱：模擬發(fā)光二極管光源混光狀態(tài)的檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管(Light Emitting Diode ；以下簡稱“LED”)檢測方法，特別涉及一種模擬LED光源混光狀態(tài)的檢測方法，是利用軟件方面的改進(jìn)模擬多個(gè)LED 單元出光通過擴(kuò)散片后所展現(xiàn)的混光狀態(tài)。
背景技術(shù)：
隨著發(fā)光二極管(Light Emitting Diode ；以下簡稱“LED”)技術(shù)成熟發(fā)展且價(jià)格持續(xù)下降，以LED取代冷陰極管作為大尺寸面板的背光源的趨勢勢必逐漸成型。在實(shí)際應(yīng)用上，由于LED屬于點(diǎn)狀光源，作為背光源使用時(shí)常會以多個(gè)LED封裝為一長條狀的LED燈條(LED Light Bar)，并將多個(gè)LED燈條黏著于面板四周使用。目前，上述LED燈條在出貨前的檢驗(yàn)階段，為了模擬實(shí)際應(yīng)用在面板成品中的光線表現(xiàn)，會通過至少一擴(kuò)散片(Diffuser Film)使待測LED燈條的出光經(jīng)混光后分布成均勻的面光源，再利用一單點(diǎn)式光色度測量裝置進(jìn)行檢測。在檢測一待測LED燈條時(shí)，該待測 LED燈條上的多個(gè)不同區(qū)段會依序通電發(fā)亮，以供單點(diǎn)式光色度測量裝置在不同區(qū)段互不干擾的情況下，測量各區(qū)段的分別光強(qiáng)度與光色度值，以供比對而藉以查驗(yàn)該待測LED燈條是否為均勻發(fā)光的良品。進(jìn)一步解釋上述檢驗(yàn)流程，請參閱圖1與圖1A，其是本發(fā)明現(xiàn)有技術(shù)中LED燈條檢驗(yàn)方法的作動(dòng)示意圖。如圖，LED燈條100可區(qū)分為一區(qū)段A與一區(qū)段B，各區(qū)段中的LED 單元1是相互電性連結(jié)。實(shí)際進(jìn)行檢測時(shí)，是在LED燈條100上披覆一擴(kuò)散片200。首先通電點(diǎn)亮區(qū)段A的LED單元1，供單點(diǎn)式光色度測量裝置300對區(qū)段A的LED單元1通過擴(kuò)散片200的出光擷取一第一光強(qiáng)度與一第一色度值；接著，通電點(diǎn)亮區(qū)段B的LED單元1，并移動(dòng)單點(diǎn)式光色度測量裝置300擷取一第二光強(qiáng)度與一第二色度值。比對第一光強(qiáng)度、第一色度值、第二光強(qiáng)度與第二色度值是否在合格規(guī)范內(nèi)，即可判斷該LED燈條100是否表現(xiàn)符合標(biāo)準(zhǔn)。上述檢驗(yàn)作法的優(yōu)點(diǎn)是，無須對待測LED燈條上每一個(gè)LED分別檢測，即可確保整個(gè)LED燈條通過擴(kuò)散片的光線表現(xiàn)符合檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)。但是，為了因應(yīng)擴(kuò)散片的混光作用會造成不同LED燈條的出光相互干擾的問題，上述檢驗(yàn)作法變得必須以區(qū)段為單位逐步通電發(fā)亮進(jìn)行檢查，使檢驗(yàn)過程變得相當(dāng)耗時(shí)、效率不顯著。若欲同時(shí)檢測大量的待測LED燈條，勢必要克服多個(gè)待測LED燈條同時(shí)點(diǎn)亮后，其光線通過擴(kuò)散片后漫射而均勻混合，導(dǎo)致無法分別辨識檢驗(yàn)的問題。本發(fā)明提供一種具新穎性的模擬LED光源混光狀態(tài)的檢測方法，應(yīng)用于LED燈條的檢驗(yàn)時(shí)，可一次性檢測大量待測LED燈條，大幅提高檢驗(yàn)效率，達(dá)到縮短工藝的功效。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于在現(xiàn)有技術(shù)中，存在如上述LED燈條的檢驗(yàn)效率無法提升的難題，本發(fā)明的目的在于提供一種模擬LED光源混光狀態(tài)的檢測方法，可同時(shí)檢測多個(gè)LED燈條，并排除該多個(gè)LED燈條通過擴(kuò)散片出光后會互相混雜干擾影響檢驗(yàn)的問題，獲得各LED燈條的一正確的混光狀態(tài)光強(qiáng)度數(shù)據(jù)。本發(fā)明的模擬LED光源混光狀態(tài)的檢測方法為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，所采用的技術(shù)手段是通過至少一擴(kuò)散片對一 LED單元單獨(dú)擷取一擴(kuò)散光場場型。其中，所述的LED 單元為一最佳標(biāo)準(zhǔn)樣品(Golden Sample)。接著，將該擴(kuò)散光場場型正規(guī)化(Normalize)為一標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)散光場場型。對多個(gè)LED燈條所包含的多個(gè)LED單元共同擷取一共同檢測圖像，并檢測該共同檢測圖像中各LED單元的一坐標(biāo)以及對應(yīng)該坐標(biāo)的一光強(qiáng)度數(shù)據(jù)。根據(jù)該些坐標(biāo)與光強(qiáng)度數(shù)據(jù)，可將標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)散光場場型套用于各LED單元，計(jì)算出各LED單元的一光擴(kuò)散狀態(tài)模擬圖像。分別將該些光擴(kuò)散狀態(tài)模擬圖像加總，可計(jì)算出各LED燈條的一混光狀態(tài)光強(qiáng)度數(shù)據(jù)。在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，是利用一圖像擷取裝置擷取該共同檢測圖像。且所述各LED單元的一坐標(biāo)，是指各LED單元的一法線出光點(diǎn)的坐標(biāo)。在將標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)散光場場型套用于各LED單元時(shí)，是將各LED單元的該法線出光點(diǎn)的坐標(biāo)所對應(yīng)的光強(qiáng)度數(shù)據(jù)，代入該標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)散光場場型的一中心坐標(biāo)。 相較于現(xiàn)有技術(shù)中，LED燈條混光狀態(tài)的檢測方法相當(dāng)耗時(shí)而不具效率，本發(fā)明的模擬LED光源混光狀態(tài)的檢測方法，可配合面板成品的規(guī)格事先制出一適配的標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)散光場場型，在無擴(kuò)散片的狀況下同時(shí)對大量LED單元共同擷取一共同檢測圖像，再將標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)散光場場型套用于各LED單元，計(jì)算出各LED單元的一光擴(kuò)散狀態(tài)模擬圖像；如此一來，無需考慮LED燈條通過擴(kuò)散片出光后的均光作用，而可一次性檢測多個(gè)LED燈條與其所包含的LED單元，也可適用長直條以外各種形狀的LED燈條，除此之外，本發(fā)明的檢測方法能夠在一次的測量過程中就得到LED燈條的整體光強(qiáng)度分布數(shù)據(jù)(profile)，相較于現(xiàn)有技術(shù)必須對每一個(gè)LED單元所處位置逐一測量后才能得到LED燈條的整體光強(qiáng)度分布數(shù)據(jù)，測量過程也簡化許多。 以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。



混光狀態(tài)光強(qiáng)度數(shù)據(jù)13區(qū)段A區(qū)段B中心坐標(biāo)Xl
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述本發(fā)明是關(guān)于一種發(fā)光二極管(Light Emitting Diode ；以下簡稱“LED”)檢測方法，特別是指一種模擬LED光源混光狀態(tài)的檢測方法。以下茲列舉本發(fā)明的一較佳實(shí)施例以說明，然本領(lǐng)域技術(shù)人員均知此僅為舉例，而并非用以限定發(fā)明本身。有關(guān)此較佳實(shí)施例的內(nèi)容詳述如下。本發(fā)明的模擬LED光源混光狀態(tài)的檢測方法應(yīng)用于同時(shí)檢測多個(gè)LED單元。所述 LED單元可為LED芯片組件，并且以多個(gè)為一組，組合成多個(gè)LED燈條(LED light bar)。所述LED燈條應(yīng)用于平面顯示器面板的背光源，故須進(jìn)行光線混光狀態(tài)的檢測。請參閱圖2至圖2B。圖2為本發(fā)明中擴(kuò)散光場圖像的示意圖；圖2A為本發(fā)明中擴(kuò)散光場場型的一維示意圖；圖2B為本發(fā)明中標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)散光場場型的示意圖。本發(fā)明的模擬LED光源混光狀態(tài)的檢測方法的首先步驟，為通過至少一擴(kuò)散片 (Diffuser Film)對該多個(gè)LED單元中的至少一個(gè)單獨(dú)擷取一擴(kuò)散光場圖像11，以分析出一擴(kuò)散光場場型。較佳者，所述的至少一 LED單元為一最佳標(biāo)準(zhǔn)樣品(Golden Sample) 0或者，也可對該些LED單元中多個(gè)分別擷取一擴(kuò)散光場圖像。所擷取的該些擴(kuò)散光場圖像求取平均后也可分析出一符合需求的擴(kuò)散光場場型。如圖2A所示，擴(kuò)散光場場型具有一中心坐標(biāo)(該中心坐標(biāo)的X軸坐標(biāo)是標(biāo)示為 XI)。接著，如圖2B所示，將該擴(kuò)散光場場型正規(guī)化(Normalize)為一標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)散光場場型。請參閱如圖3所顯示的LED燈條的示意圖。本發(fā)明的LED光源混光狀態(tài)的檢測方法，是在獲得該標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)散光場場型之后，利用一圖像擷取裝置(未繪制)對該多個(gè)LED燈條 100所包含的多個(gè)LED單元1共同擷取一如圖3A所示的共同檢測圖像12。由共同檢測圖像12中，檢測各LED單元1的一坐標(biāo)以及對應(yīng)該坐標(biāo)的一光強(qiáng)度數(shù)據(jù)，以獲得如表一所顯示的LED單元的坐標(biāo)與光強(qiáng)度數(shù)據(jù)的表格圖。其中，該坐標(biāo)是指各 LED單元1的一法線出光點(diǎn)的坐標(biāo)，法線出光點(diǎn)通常為各LED單元1的最亮出光點(diǎn)。表一
權(quán)利要求
1.一種模擬發(fā)光二極管LED光源混光狀態(tài)的檢測方法，應(yīng)用于同時(shí)檢測多個(gè)LED單元， 并獲取各LED單元的一混光狀態(tài)模擬圖像，其特征在于，該模擬LED光源混光狀態(tài)的檢測方法包含下列步驟(a)通過至少一擴(kuò)散片對該些LED單元中的至少一個(gè)單獨(dú)擷取一擴(kuò)散光場場型；(b)將該擴(kuò)散光場場型正規(guī)化為一標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)散光場場型；(c)對該些LED單元共同擷取一共同檢測圖像；(d)檢測該共同檢測圖像中各LED單元的一坐標(biāo)與對應(yīng)該坐標(biāo)的一光強(qiáng)度數(shù)據(jù)；以及根據(jù)各LED單元的坐標(biāo)與所對應(yīng)的光強(qiáng)度數(shù)據(jù)，將該標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)散光場場型套用于各LED單元，以計(jì)算出各LED單元的上述光擴(kuò)散狀態(tài)模擬圖像。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模擬發(fā)光二極管光源混光狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，在該步驟(d)中，該坐標(biāo)是指各LED單元的一法線出光點(diǎn)的坐標(biāo)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模擬發(fā)光二極管光源混光狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，該步驟(e)還包含一步驟(el)，其是在將該標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)散光場場型套用于各LED單元時(shí)，將各LED 單元的該法線出光點(diǎn)的坐標(biāo)所對應(yīng)的光強(qiáng)度數(shù)據(jù)，代入該標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)散光場場型的一中心坐標(biāo)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模擬發(fā)光二極管光源混光狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，該 LED單元為一 LED芯片組件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模擬發(fā)光二極管光源混光狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，該些LED單元為組成多個(gè)LED燈條。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的模擬發(fā)光二極管光源混光狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，該步驟(e)還包含一步驟(e2)，其是通過各LED單元的光擴(kuò)散狀態(tài)模擬圖像，計(jì)算出各LED燈條的一混光狀態(tài)光強(qiáng)度數(shù)據(jù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模擬發(fā)光二極管光源混光狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，在該步驟(a)中，該些LED單元中的至少一個(gè)為一最佳標(biāo)準(zhǔn)樣品。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模擬發(fā)光二極管光源混光狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，該步驟(c)還包含一步驟(cl)，其是利用一圖像擷取裝置對該些LED單元擷取該共同檢測圖像。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的模擬發(fā)光二極管光源混光狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，該圖像擷取裝置于朝向該些LED單元的一側(cè)處還設(shè)置有至少一第一濾光片、至少一第二濾光片與至少一第三濾光片，且該第一濾光片、該第二濾光片以及該第三濾光片，分別對應(yīng)CIE 配色函數(shù)所規(guī)范的三刺激值。
全文摘要
一種模擬發(fā)光二極管LED光源混光狀態(tài)的檢測方法，在無擴(kuò)散片的狀態(tài)下對多個(gè)LED燈條所包含的多個(gè)LED單元共同擷取一共同檢測圖像；檢測共同檢測圖像中各LED單元的一坐標(biāo)與對應(yīng)該坐標(biāo)的一光強(qiáng)度數(shù)據(jù)；將一標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)散光場場型套用于各LED單元，以計(jì)算出各LED單元的一光擴(kuò)散狀態(tài)模擬圖像；通過該些光擴(kuò)散狀態(tài)模擬圖像，計(jì)算出各LED燈條的一混光狀態(tài)光強(qiáng)度數(shù)據(jù)。
文檔編號G01J1/00GK102564572SQ201010623958
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者李明翰, 楊欣泰, 翁義龍 申請人:致茂電子(蘇州)有限公司