專利名稱：一種氧傳感器芯片測(cè)試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種測(cè)試裝置，尤其涉及一種氧傳感器芯片測(cè)試裝置。
背景技術(shù)：
氧傳感器產(chǎn)品為汽車重要的監(jiān)測(cè)零件，其主要作用在于，在排氣管位置檢測(cè)尾 氣氧含量濃度，通過電噴ECU的閉環(huán)檢測(cè)，控制噴油器供油，使空然比始終接近理論值 14.7 1，使三元催化轉(zhuǎn)換器工作在最佳狀態(tài)，減少有害氣體排放，且達(dá)到行車時(shí)的省油目 的。所以，氧傳感器的性能是否良好對(duì)汽車的性能影響重大。目前全世界只有德國博士等外 國廠家可以生產(chǎn)氧傳感器及檢測(cè)生產(chǎn)出的氧傳感器的性能。國外產(chǎn)品生產(chǎn)處于壟斷地位， 其監(jiān)測(cè)手段及監(jiān)測(cè)方法也是保密的。氧傳感器的核心部件為其內(nèi)的芯片(即氧敏芯片)，通常情況下，只要芯片性能符 合要求，在組裝芯片外圍的零部件正確時(shí)，氧傳感器的性能就可以達(dá)標(biāo)，氧傳感器的性能包 括例如其電壓、對(duì)電信號(hào)的響應(yīng)速度、響應(yīng)峰值幅度、溫度響應(yīng)特性等。所以，檢測(cè)氧傳感器 芯片的性能就基本可以確定氧傳感器的性能是否合格。由于氧傳感器要求的工作環(huán)境比較 苛刻，其通常需要同時(shí)在一定的溫度及一定的氧差條件(即該芯片腔體內(nèi)的氧氣含量與芯 片外的氧氣含量不同)下才可以激活工作。目前，為了檢測(cè)汽車的氧傳感器是否合格，絕大 多數(shù)情況下是需要在發(fā)動(dòng)機(jī)臺(tái)架，或者昂貴的尾氣模擬環(huán)境中進(jìn)行，這樣發(fā)動(dòng)機(jī)臺(tái)架及尾 氣模擬系統(tǒng)均管路復(fù)雜、結(jié)構(gòu)龐大復(fù)雜、且費(fèi)用昂貴，其嚴(yán)重限制了氧傳感器功能測(cè)試系統(tǒng) 的使用，而且市面上的功能檢測(cè)系統(tǒng)，對(duì)于數(shù)據(jù)的處理往往針對(duì)特定環(huán)境下才能正常工作， 也嚴(yán)重限制了試驗(yàn)條件的獲得，并不利于研發(fā)及生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中測(cè)試氧傳感器性能的系統(tǒng) 結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本較高的缺陷，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本較低的氧傳感器芯片測(cè)試裝置。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種氧傳感器芯片測(cè)試裝 置，包括帶有窗口的箱體，箱體內(nèi)設(shè)置有固定氧傳感器芯片的固定件，還包括與箱體的窗口 相連的用于給氧傳感器芯片加熱的加熱裝置、與箱體窗口相連的使氧傳感器芯片形成內(nèi)外 氧差的氣體處理裝置、及與氧傳感器芯片電連接以測(cè)試氧傳感器芯片電性能的檢測(cè)儀。在上述氧傳感器芯片測(cè)試裝置中，所述氣體處理裝置包括向氧傳感器芯片周圍提 供惰性氣體的供氣裝置，所述供氣裝置位于箱體外且與箱體的窗口相連。在上述氧傳感器芯片測(cè)試裝置中，所述供氣裝置包括容納有惰性氣體的氣源、供 氣管及與供氣管相連的控制閥。在上述氧傳感器芯片測(cè)試裝置中，所述氣體處理裝置包括位于箱體外對(duì)箱體抽氣 的抽真空裝置、與抽真空裝置相連的管道、及封住所述窗口且位于管道上控制管路的開關(guān)。在上述氧傳感器芯片測(cè)試裝置中，所述抽真空裝置為真空泵。在上述氧傳感器芯片測(cè)試裝置中，所述加熱裝置包括相互連接的加熱電極及電
3源，且加熱電極與氧傳感器芯片接觸。 在上述氧傳感器芯片測(cè)試裝置中，所述檢測(cè)儀包括與氧傳感器芯片接觸以傳遞氧 傳感器芯片的電信號(hào)的信號(hào)電極。在上述氧傳感器芯片測(cè)試裝置中，所述檢測(cè)儀器包括與信號(hào)電極相連的儀表，儀 表包括示波器、溫控儀、或電流表。本實(shí)用新型提供的氧傳感器芯片測(cè)試裝置通過氣體處理裝置及加熱裝置直接使 芯片在一定的溫度及氧差環(huán)境下被激活工作，從而利用檢測(cè)儀直接測(cè)試氧傳感器芯片的性 能就可實(shí)現(xiàn)測(cè)試氧傳感器的性能，且操作過程中只需調(diào)節(jié)氣體處理裝置及加熱裝置即可， 所以本裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作簡(jiǎn)單、成本較低。

圖1是本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例中氧傳感器芯片測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下 結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施 例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。本實(shí)用新型主要通過測(cè)試氧傳感器芯片的性能以代替測(cè)試氧傳感器的性能，其通 過氣體處理裝置及加熱裝置實(shí)現(xiàn)氧傳感器芯片所需的激活工作環(huán)境，再進(jìn)行測(cè)試即可。參見圖1，本實(shí)用新型提供的氧傳感器芯片6測(cè)試裝置包括箱體1、設(shè)置于箱體1 內(nèi)的固定件2，箱體1上設(shè)置有窗口 11，固定件2用于固定氧傳感器芯片6。同時(shí)，箱體1窗 口處還連接有加熱裝置3，以給氧傳感器芯片6加熱使其達(dá)到激活所需要的工作溫度，箱體 1窗口處還連接有氣體處理裝置4，以使氧傳感器芯片6內(nèi)外形成氧差以激活工作，還包括 與氧傳感器芯片6電連接以測(cè)試氧傳感器芯片6電性能的檢測(cè)儀5。氣體處理裝置4可以為向氧傳感器周圍提供惰性氣體的供氣裝置。由于氧傳感器 芯片6均含有以內(nèi)腔，當(dāng)供氣裝置向上述芯片周圍提供惰性氣體時(shí)，由于惰性氣體密度大， 則芯片周圍被惰性氣體包圍，芯片外界與其內(nèi)腔就形成了氧差。供氣裝置位于箱體1外且 與箱體1的窗口相連，供氣裝置包括容納有惰性氣體的氣源、傳輸來自氣源的惰性氣體的 供氣管、及與供氣管相連的用于調(diào)節(jié)控制氣體的傳送時(shí)間及速度的控制閥。進(jìn)一步的，氣體處理裝置4還可以為使箱體1形成真空環(huán)境的裝置，優(yōu)選地，氣體 處理裝置4包括位于箱體1外對(duì)箱體1抽氣的抽真空裝置、與抽真空裝置相連的管道、及封 住箱體1的窗口且位于管道上控制管路的開關(guān)。優(yōu)選地，抽真空裝置為真空泵，所以，通過 開關(guān)密閉箱體1，真空泵從箱體1內(nèi)抽氣以使箱體1內(nèi)形成真空或近似于真空環(huán)境，則氧傳 感器芯片6外界與其內(nèi)腔就形成了氧差。進(jìn)一步的，加熱裝置3可以通過電加熱或酒精燈加熱或其它的若傳遞的方式使芯 片溫度提高。優(yōu)選地，加熱裝置3包括相互連接的加熱電極31及電源，加熱電極31與氧傳 感器芯片6接觸。檢測(cè)儀包括與氧傳感器芯片接觸以傳遞氧傳感器芯片的電信號(hào)的信號(hào)電 極及與信號(hào)電極相連的儀表。連通電源即可給芯片加熱。當(dāng)加熱裝置3及氣體處理裝置4 工作使該芯片被激活后，檢測(cè)儀5的信號(hào)電極51與芯片接觸，即可檢測(cè)芯片的電性能，檢測(cè)儀中的儀表包括示波器、溫控儀、或電流表。結(jié)合圖1所示實(shí)施例，本實(shí)用新型提供的裝置的結(jié)構(gòu)及工作原理描述如下箱體1內(nèi)設(shè)置有固定件2，固定件2固定氧傳感器芯片6，氧傳感器芯片6的內(nèi)腔 自然狀態(tài)下為開口的，即盲孔狀態(tài)，在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，其通過密封件61將內(nèi)腔封閉；氣體處理 裝置4與箱體上的窗口 11連接，加熱裝置3中的加熱電極31從氧傳感器芯片6的下面與 其接觸，則當(dāng)加熱裝置3中的電源通電時(shí)，其通過加熱電極給芯片加熱，通常該芯片需要在 350攝氏度下可以被激活；在本實(shí)施例中，氣體處理裝置為供氣裝置，其通過窗口向箱體內(nèi) 充入惰性氣體一段時(shí)間后，氧傳感器芯片的內(nèi)腔外與內(nèi)腔里面的氣體形成氧差，則氧傳感 器芯片被激活，檢測(cè)儀5的的信號(hào)電極51與氧傳感器芯片的上面相連，從而傳出電信號(hào)，則 檢測(cè)儀中的例如電壓表之類的儀器開始檢測(cè)芯片的性能，由于檢測(cè)儀中的儀表與現(xiàn)有技術(shù) 相同，在此不再贅述。所以，本實(shí)用新型提供的氧傳感器芯片測(cè)試裝置直接使芯片形成內(nèi)外氧差并加 熱，不用采用龐大復(fù)雜的系統(tǒng)去模擬汽車尾氣或利用發(fā)動(dòng)機(jī)臺(tái)架，其可以直接通過氣體處 理裝置等裝置一起來測(cè)試氧傳感器芯片的性能，且測(cè)試裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作簡(jiǎn)單、成本較 低。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本 實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型 的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求一種氧傳感器芯片測(cè)試裝置，其特征在于，包括帶有窗口的箱體，箱體內(nèi)設(shè)置有固定氧傳感器芯片的固定件，還包括與箱體的窗口相連的用于給氧傳感器芯片加熱的加熱裝置、與箱體窗口相連的使氧傳感器芯片形成內(nèi)外氧差的氣體處理裝置、及與氧傳感器芯片電連接以測(cè)試氧傳感器芯片電性能的檢測(cè)儀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧傳感器芯片測(cè)試裝置，其特征在于，所述氣體處理裝置包 括向氧傳感器芯片周圍提供惰性氣體的供氣裝置，所述供氣裝置位于箱體外且與箱體的窗 口相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氧傳感器芯片測(cè)試裝置，其特征在于，所述供氣裝置包括容 納有惰性氣體的氣源、供氣管及與供氣管相連的控制閥。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧傳感器芯片測(cè)試裝置，其特征在于，所述氣體處理裝置包 括位于箱體外對(duì)箱體抽氣的抽真空裝置、與抽真空裝置相連的管道、及封住所述窗口且位 于管道上控制管路的開關(guān)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氧傳感器芯片測(cè)試裝置，其特征在于，所述抽真空裝置為真 空泵。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧傳感器芯片測(cè)試裝置，其特征在于，所述加熱裝置包括相 互連接的加熱電極及電源，且加熱電極與氧傳感器芯片接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧傳感器芯片測(cè)試裝置，其特征在于，所述檢測(cè)儀包括與氧 傳感器芯片接觸以傳遞氧傳感器芯片的電信號(hào)的信號(hào)電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氧傳感器芯片測(cè)試裝置，其特征在于，所述檢測(cè)儀器包括與 信號(hào)電極相連的儀表，儀表包括示波器、溫控儀、或電流表。專利摘要本實(shí)用新型提供了一種氧傳感器芯片測(cè)試裝置，包括帶有窗口的箱體，箱體內(nèi)設(shè)置有固定氧傳感器芯片的固定件，還包括與箱體的窗口相連的用于給氧傳感器芯片加熱的加熱裝置、與箱體窗口相連的使氧傳感器芯片形成內(nèi)外氧差的氣體處理裝置、及與氧傳感器芯片電連接以測(cè)試氧傳感器芯片電性能的檢測(cè)儀。本實(shí)用新型提供的氧傳感器芯片測(cè)試裝置具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作簡(jiǎn)單、成本較低的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G01R31/26GK201754174SQ201020249600
公開日2011年3月2日 申請(qǐng)日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者宮清, 張榮福, 李剛, 李志海 申請(qǐng)人:比亞迪股份有限公司