專利名稱：一種led芯片加速壽命試驗(yàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管芯片的可靠性測試裝置，尤其是一種LED芯片加速壽 命試驗(yàn)裝置。
背景技術(shù)：
隨著發(fā)光二極管(LED)制造工藝的迅猛發(fā)展，LED已在諸多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。由 于LED的能耗低、壽命長，并且隨著LED芯片的亮度的提高，LED燈具取代傳統(tǒng)光源進(jìn)入照明 領(lǐng)域是大勢所趨，因此對LED芯片的工作壽命測試，對于LED的應(yīng)用產(chǎn)品意義十分重大；LED 芯片超長的工作壽命不可能通過正常應(yīng)力對LED芯片壽命進(jìn)行預(yù)測，即利用高應(yīng)力下的壽 命特征去外推正常應(yīng)力下的壽命。目前由于芯片是裸露的，在試驗(yàn)過程中，環(huán)境的化學(xué)、物 理作用會(huì)影響試驗(yàn)結(jié)果，而采用封裝后試驗(yàn)，又不能完全體現(xiàn)芯片在正常應(yīng)力下的壽命，故 不能推算芯片壽命。目前學(xué)術(shù)界也有采用氮?dú)庾鳛長ED芯片壽命測試的試驗(yàn)介質(zhì)，其缺點(diǎn) 是①對空氣的氧分子難以完全徹底隔離；②試驗(yàn)成本高；③實(shí)驗(yàn)熱應(yīng)力控制精度相對較 低。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述LED芯片壽命測試所存在的問題，本實(shí)用新型旨在提出一種LED芯片 加速壽命試驗(yàn)裝置。本實(shí)用新型解決上述問題采用的技術(shù)方案是一種LED芯片加速壽命試驗(yàn)裝置， 其特征在于其包括一可灌裝試驗(yàn)環(huán)境液體的容器，容器中設(shè)有可監(jiān)測液體溫度的溫度傳 感器，可用于控制液體加熱溫度的溫度控制器連接溫度傳感器；一老化架容置于容器中，老 化架上設(shè)有若干與電源排線電連接的試驗(yàn)工位；可用于固定并電連接LED芯片的試驗(yàn)基板 與試驗(yàn)工位插接電聯(lián)，老化架及LED芯片浸沒于試驗(yàn)環(huán)境液體的液面下。通過把裸露的LED芯片在試驗(yàn)環(huán)境液體中通電點(diǎn)亮，并對液體進(jìn)行溫度控制，即 可在試驗(yàn)中測試LED芯片受到的熱、電和機(jī)械應(yīng)力，這種試驗(yàn)的優(yōu)點(diǎn)如下①將試驗(yàn)LED芯 片浸入液體，提供穩(wěn)定的試驗(yàn)環(huán)境，避免裸露的LED芯片在試驗(yàn)過程中，受到自然環(huán)境中的 化學(xué)、物理作用影響而造成試驗(yàn)結(jié)果偏差；②采用液體作為試驗(yàn)介質(zhì)，使試驗(yàn)LED芯片樣品 在試驗(yàn)過程中所受到的熱、電和機(jī)械應(yīng)力與裸露的LED芯片狀態(tài)相近；且化學(xué)環(huán)境中與封 裝后的LED芯片的試驗(yàn)狀態(tài)相近；③因LED芯片與液體全面接觸，產(chǎn)生全方位的熱交換，既 有液體分子之間的導(dǎo)熱交換作用，又有液體本身的熱對流交換作用，提高了試驗(yàn)熱應(yīng)力的 控制精度；④裸露的LED芯片在試驗(yàn)液體中測試，避免其在測試中受損。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型試驗(yàn)基板上固定電連接有LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1.容器；2.試驗(yàn)環(huán)境液體；3.溫度傳感器；4.溫度控制器；5.老化架；6.電源排線電；7.試驗(yàn)工位；8.試驗(yàn)基板；9. LED芯片。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和 實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。如圖1所示的一種LED芯片9加速壽命試驗(yàn)裝置，包括一可灌裝試驗(yàn)環(huán)境液體2 的容器1，容器1中固定有可監(jiān)測液體2溫度的溫度傳感器3，可用于控制液體2加熱溫度 的溫度控制器4連接溫度傳感器3 ；—老化架5放置于容器1中，老化架5上設(shè)有若干與電 源排線6電連接的試驗(yàn)工位7 ；如圖2所示，LED芯片9裸露焊接固定于試驗(yàn)基板8上，然 后進(jìn)行LED芯片9芯片樣品光電參數(shù)的初始檢測，再把固定前述連接有LED芯片9的試驗(yàn) 基板8與老化架5上的試驗(yàn)工位7插合電聯(lián)接，試驗(yàn)環(huán)境液體2灌裝入容器1中，使老化架 5及帶LED芯片9的試驗(yàn)基板8完全浸沒于試驗(yàn)環(huán)境液體2的液面下，LED芯片9與液體2 全面接觸，按試驗(yàn)條件設(shè)定介質(zhì)液體2溫度和恒流通電，試驗(yàn)中測試LED芯片9受到的熱、 電和機(jī)械應(yīng)力，到達(dá)老化試驗(yàn)時(shí)間后，斷電后從容器1中取出老化架5，從老化架5上拔出試 試驗(yàn)基板8，作非破壞性清洗作業(yè)去除LED芯片9上殘留的試驗(yàn)環(huán)境液體2，即可進(jìn)行老化 試驗(yàn)的終止檢測而完成老化試驗(yàn)過程。
權(quán)利要求1. 一種LED芯片加速壽命試驗(yàn)裝置，其特征在于其包括一灌裝試驗(yàn)環(huán)境液體的容器，容器中設(shè)有可監(jiān)測液體溫度的溫度傳感器，可用于控制 液體加熱溫度的溫度控制器連接溫度傳感器；一老化架容置于容器中，老化架上設(shè)有若干與電源排線電連接的試驗(yàn)工位； 可用于固定并電連接LED芯片的試驗(yàn)基板與試驗(yàn)工位插接電聯(lián)，老化架及LED芯片浸 沒于試驗(yàn)環(huán)境液體的液面下。
專利摘要一種LED芯片加速壽命試驗(yàn)裝置，其包括一灌裝試驗(yàn)環(huán)境液體的容器，容器中設(shè)有可監(jiān)測液體溫度的溫度傳感器，可用于控制液體加熱溫度的溫度控制器連接溫度傳感器；老化架容置于容器中，老化架上設(shè)有若干與電源排線電連接的試驗(yàn)工位；可用于固定并電連接LED芯片的試驗(yàn)基板與試驗(yàn)工位插接電聯(lián)，老化架及LED芯片浸沒于試驗(yàn)環(huán)境液體的液面下；通過把裸露的LED芯片在試驗(yàn)環(huán)境液體中通電點(diǎn)亮，并對液體進(jìn)行溫度控制，即可進(jìn)行LED芯片的老化試驗(yàn)；與傳統(tǒng)的LED芯片的老化試驗(yàn)相比，本實(shí)用新型的老化實(shí)驗(yàn)效率更高，其老化測試結(jié)果與實(shí)際封裝后的LED芯片的老化測試結(jié)果更為接近。
文檔編號G01R31/28GK201859199SQ20102060833
公開日2011年6月8日 申請日期2010年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月16日
發(fā)明者梁奮, 蔡偉智 申請人:廈門市三安光電科技有限公司