專利名稱：將憶阻器裝置用于mri rf 線圈的制作方法
將憶阻器裝置用于MRI RF線圈本申請涉及磁共振成像。本申請尤其適于與用于磁共振掃描器中射頻線圈的板上電路相結(jié)合。磁共振成像(MRI)和波譜(MRS)系統(tǒng)常常用于檢查和治療患者。通過這樣的系統(tǒng)，待檢查的身體組織的核自旋被靜態(tài)主磁場Btl對準(zhǔn)并由在射頻帶中振蕩的橫向磁場B1激勵。在成像中，將弛豫信號暴露于梯度磁場以定位所得的共振。接收弛豫信號以便通過已知的方式形成單維或多維圖像。在波譜中，關(guān)于組織的成分的信息承載于共振信號的頻率分量中。普遍使用的兩種類型的MR系統(tǒng)包括“開放型” MR系統(tǒng)(直立系統(tǒng))和“膛型”系統(tǒng)。在前者中，將患者引入到位于由C形單元連接的兩個磁極之間的檢查區(qū)域中。在檢查或治療期間實際上可以從所有側(cè)面接近患者。后者包括圓柱形檢查空間(軸向系統(tǒng))，患者被引入其中。
RF線圈系統(tǒng)提供RF信號的發(fā)射和共振信號的接收。除了永久構(gòu)建到成像設(shè)備中的RF線圈系統(tǒng)之外，還可以在待檢查的特定區(qū)域周圍或其中靈活地布置專用線圈。專用線圈被設(shè)計成優(yōu)化信噪比(SNR)，尤其是在需要均勻激勵和高靈敏度探測的狀況下。此外，可以由多通道天線布置實現(xiàn)和生成RF信號的特殊序列、更高的場強、高的翻轉(zhuǎn)角或?qū)崟r序列，并可以加快多維激勵。在磁共振流程的發(fā)射階段期間，發(fā)射RF信號比被激勵的核所生成的共振信號大若干數(shù)量級。為了保持患者的安全性并保護(hù)靈敏的接收器電路連同線圈，已知使用半導(dǎo)體開關(guān)，尤其是PIN 二極管，結(jié)合電路來保護(hù)接收器設(shè)備。例如，通過經(jīng)由PIN 二極管將LC電路耦合到接收線圈來實現(xiàn)對接收線圈的去耦或失諧，以改變其共振頻率并阻斷發(fā)射信號在線圈中感生電流。省略涉及在前置放大器的輸入處致使短路的PIN 二極管的前置放大器為前置放大器電路提供了額外保護(hù)。PIN二極管還用于線圈選擇和開關(guān)電路中，例如包括PIN二極管矩陣的多路復(fù)用器中，其中，控制信號將激活/去活選定的要與MR系統(tǒng)連接的線圈元件。由于其速度、緊湊性和非磁性封裝的原因，通常將PIN 二極管用于許多開關(guān)電路實施方式。遺憾的是，隨著技術(shù)的進(jìn)步，RF陣列中的場強和線圈元件數(shù)量兩者都在增加。這樣導(dǎo)致線圈陣列內(nèi)部更大數(shù)量的失諧電路。由于每個失諧電路都需要一定量的偏置電流以便正常工作，所以驅(qū)動失諧電路的功率總量也增大。因此，希望找到需要較少驅(qū)動功率的失諧電路的解決方案。本申請?zhí)峁┝丝朔松鲜鰡栴}和其他問題的新的改進(jìn)型開關(guān)電路。根據(jù)一個方面，射頻線圈組件包括射頻線圈和多個記憶電阻元件。每個記憶電阻元件在去除控制信號之后保持選定的電阻狀態(tài)。根據(jù)另一方面，一種磁共振成像方法包括發(fā)射射頻信號以感生共振信號并接收共振信號。記憶電阻元件的電阻狀態(tài)被設(shè)置成在RF信號的發(fā)射期間使RF線圈失諧，在RF信號的發(fā)射期間使通往前置放大器的輸入端短路，將多個輸出之一有選擇性耦合到下游處理，以及存儲信息。
一個優(yōu)點在于提高了患者和設(shè)備的安全性。另一優(yōu)點在于改善了信噪比(SNR)。另一優(yōu)點在于簡化了系統(tǒng)復(fù)雜性。另一優(yōu)點降低了成本。另一優(yōu)點在于功耗更低。另一優(yōu)點在于有效利用了空間。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀和理解以下詳細(xì)描述之后，將認(rèn)識到本發(fā)明的其他優(yōu)點。
本發(fā)明可以采用各種部件和部件布置，以及各種步驟和步驟安排的形式。附圖僅用于圖示說明優(yōu)選實施例，而不應(yīng)解釋為其對本發(fā)明構(gòu)成限制。圖I是磁共振成像系統(tǒng)的示意圖；以及圖2是采用憶阻器裝置的MR線圈的示意圖。參考

圖1，磁共振(MR)成像系統(tǒng)10包括主磁體12，其生成通過檢查區(qū)域14的時域均勻的Btl場。主磁體可以是環(huán)形或膛型磁體、C形開放磁體、其他設(shè)計的開放磁體等。與主磁體相鄰設(shè)置的梯度磁場線圈16用于沿著相對于Btl磁場的選定軸生成磁場梯度，以對磁共振信號進(jìn)行空間編碼，從而產(chǎn)生磁化擾相場梯度等。磁場梯度線圈16可以包括被配置成在三個正交方向上，典型地在縱向或z、橫向或X以及垂直或y方向上，產(chǎn)生磁場梯度的線圈段。與檢查區(qū)域相鄰設(shè)置射頻(RF)線圈組件18，諸如全身射頻線圈。RF線圈組件生成射頻脈沖，用于在受檢者的偶極子中激勵磁共振。射頻線圈組件18還用于探測源自成像區(qū)域的磁共振信號。任選地，作為全身RF線圈18的補充或替代，提供了局部、表面或體內(nèi)RF線圈18'，用于更為靈敏的局部化空間編碼、磁共振信號的激勵和接收。為了采集受檢者的磁共振數(shù)據(jù)，將受檢者置于檢查區(qū)域14內(nèi)部，優(yōu)選在主磁場的等中心處或附近。掃描控制器20控制梯度控制器22，令梯度線圈在整個成像區(qū)域內(nèi)施加選定的磁場梯度脈沖，這可能適于選定的磁共振成像或波譜序列。掃描控制器20還控制RF發(fā)射器24，令RF線圈組件生成磁共振激勵和操縱B1脈沖。掃描控制器還控制連接到RF線圈組件的RF接收器26，以接收從那里生成的磁共振信號。掃描控制器20還包括或控制DC電壓源27，其供應(yīng)正或負(fù)DC控制電壓，以增大或減小接收線圈18、18'上記憶電阻元件(憶阻器)(圖I中未示出)的電阻，如下文更詳細(xì)所述。與DC電壓源27相連的是電阻單元28，其測量記憶電阻元件兩端的電阻。將來自接收器26的接收到的數(shù)據(jù)暫時存儲在數(shù)據(jù)緩存器29中并由磁共振數(shù)據(jù)處理器30處理。磁共振數(shù)據(jù)處理器能夠執(zhí)行現(xiàn)有技術(shù)中已知的各種功能，包括圖像重建(MRI)、磁共振波譜(MPS)、導(dǎo)管或介入式器械定位等。重建的磁共振圖像、波譜讀數(shù)、介入式器械位置信息和其他已處理的MR數(shù)據(jù)被存儲在存儲器中，諸如醫(yī)學(xué)設(shè)施的患者檔案中。圖形用戶接口或顯示裝置34包括用戶輸入裝置，醫(yī)生能夠使用該用戶輸入裝置控制掃描控制器20以選擇掃描序列和規(guī)程、顯示MR數(shù)據(jù)等。RF線圈組件18、18'包括若干專用發(fā)射線圈和接收線圈，每個線圈都分別連接到RF發(fā)射器24和RF接收器26。RF發(fā)射器包括多個通道，每個通道連接到至少一個發(fā)射線圈，其共同生成發(fā)射線圈中的共振激勵和操縱B1脈沖。同樣地，RF接收器包括多個通道，每個通道連接到至少一個接收線圈，其接收所生成的磁共振信號。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，還想到了單個發(fā)射線圈和接收線圈。理想地，發(fā)射線圈和接收線圈應(yīng)當(dāng)完全隔離；然而，在發(fā)射階段期間，在接收線圈中感生電流，其繼而生成與接收線圈本地附近的期望發(fā)射操縱&脈沖相對的RF場。此外，所感生的電流不僅可能損傷敏感的接收線圈，而且還可能對受檢者的安全造成威脅。參考圖2，RF線圈組件18、18'包括圖解示出的多個接收線圈4(^4(^…、40N。每個接收線圈包括串聯(lián)連接到失諧電路44的線圈段42。失諧電路在成像流程的發(fā)射階段期間將接收線圈去耦。該電路包括與線圈段串聯(lián)的記憶電阻元件或開關(guān)46或開關(guān)憶阻器。記憶電阻開關(guān)是一種根據(jù)通過其的控制信號提供可控電阻的基于憶阻器的開關(guān)，在去除控制信號之后記得電阻狀態(tài)。常規(guī)的失諧電路采用PIN 二極管開關(guān)；然而，PIN 二極管需要連續(xù)的控制信號，這可能導(dǎo)致沿著控制信號傳輸線的場失真，除非將其適當(dāng)屏蔽。因此，在更高功率的發(fā)射RF脈沖下，需要越來越高的控制信號以偏置PIN 二極管，從而確保線圈段保持去奉禹。在發(fā)射階段之前，掃描控制器20生成的控制信號主動偏置記憶電阻開關(guān)，在一個 實施例中，將其偏置到導(dǎo)電狀態(tài)，以將并聯(lián)共振阱(trap)48、平衡-不平衡變換器等操作性地耦合到對應(yīng)的線圈段。共振阱充當(dāng)大阻抗以基本阻斷線圈段中的電流。因此，將共振阱調(diào)諧到磁共振頻率或拉莫爾頻率。在多核磁共振系統(tǒng)中，可以采用超過一個失諧電路，其中，針對期望的核素，例如針對1HJ1PJ9F等調(diào)節(jié)每個共振阱。在另一實施例中，失諧電路44包括與線圈段串聯(lián)的單個記憶電阻開關(guān)，充當(dāng)大電阻以對接收線圈去耦。在這樣的布置中，失諧電路是固有帶寬的，不需要調(diào)諧，這在多核磁共振系統(tǒng)中這是有利的。此外，調(diào)諧共振阱具有相關(guān)聯(lián)的成本和可靠性因素。還應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，還想到了超過一個共振阱，以用于多核磁共振系統(tǒng)中。在另一實施例中，使用發(fā)射脈沖感生DC偏置電壓以在沒有控制信號的情況下將記憶電阻開關(guān)46偏置到高阻(或低阻)狀態(tài)?？梢酝ㄟ^向記憶電阻開關(guān)增加無源控制電路來實現(xiàn)這種布置。無源控制電路從RF信號自身生成必要的控制信號，例如參見共有的公開TO/2008/078270A1。這一文獻(xiàn)允許高電流而非低電流來查看將線圈段去耦的并聯(lián)共振電路。還應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，有源和無源去耦兩者都可以采用。繼續(xù)參考圖2，接收線圈402、…、40N包括匹配網(wǎng)絡(luò)50以將對應(yīng)線圈段42的特征阻抗與單通道RF前置放大器52匹配。匹配網(wǎng)絡(luò)可以是可調(diào)節(jié)的匹配網(wǎng)絡(luò)，允許調(diào)節(jié)匹配阻抗以適應(yīng)受檢者的尺寸，并因此補償接收線圈的變化的Q，即品質(zhì)因數(shù)。例如，更大的對象將使Q值降低，導(dǎo)致阻抗失配，從而影響圖像質(zhì)量。消隱(blanking)電路54并聯(lián)連接于線圈段42和前置放大器52之間。響應(yīng)于發(fā)射階段之前掃描控制器20生成的DC偏置信號，將消隱電路中包括的記憶電阻開關(guān)56偏置到導(dǎo)電狀態(tài)，使得前置放大器的輸入端短路。消隱電路54用于保護(hù)前置放大器52和其他下游電子線路，以免在成像序列的發(fā)射階段期間受到感生的過大RF電流影響。此外，消隱電路包括偏置電路58，用于監(jiān)測所感生的電流。如果探測到特定的最大功率水平，偏置電路生成控制信號以偏置記憶電阻開關(guān)，從而使前置放大器的輸入端短路。在一個實施例中，前置放大器52的輸出被連接到多通道(或多個單通道)多路復(fù)用器電路60，多路復(fù)用器的每個通道對應(yīng)于接收線圈40i、402、…、40n的輸出。多路復(fù)用器包括多個記憶電阻元件或開關(guān)62p622、…、62N，每個對應(yīng)于多路復(fù)用器的通道，繼而對應(yīng)于接收線圈。由掃描器控制器20提供的控制信號將記憶電阻開關(guān)之一或子集偏置到導(dǎo)電狀態(tài)以將一個或多個接收線圈耦合到下游處理。通過這種方式，接收線圈能夠具有比下游處理電路,例如比RF接收26更多的通道。接收線圈上的記憶電阻元件也可以執(zhí)行記憶功能。作為一個范例，線圈組件包括存儲器70，其包括多個記憶電阻元件72。在雙態(tài)實施例中，將每個元件偏置到高阻狀態(tài)或低阻狀態(tài)，以將信息，諸如線圈ID、特性、使用統(tǒng)計數(shù)據(jù)等存儲為二值I和O。因為可以將憶阻器設(shè)置成各種電阻，所以存儲器可以不是雙態(tài)存儲器，例如是基態(tài)(base)8、基態(tài)10、基態(tài)32等。在更為復(fù)雜的實施例中，多路復(fù)用器60未將其連接到RF接收器26的接收線圈通道可以由多路復(fù)用器的記憶電阻開關(guān)的另一簇(bank)連接到存儲器70。接收通道信息被數(shù)字化并存儲在記憶電阻元件72的電阻狀態(tài)中，同時接收器對來自多路復(fù)用器60的其他共振信號通道進(jìn)行解調(diào)。然后，多路復(fù)用器將存儲器70中存儲的接收通道信號傳輸?shù)絉F 接收器26。繼續(xù)參考圖I，將從接收器26接收的數(shù)據(jù)暫時存儲在數(shù)據(jù)緩存器29中并由磁共振數(shù)據(jù)處理器30處理。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，還想到了包括多個執(zhí)行記憶功能的記憶電阻元件的數(shù)據(jù)緩存器。磁共振數(shù)據(jù)處理器能夠執(zhí)行現(xiàn)有技術(shù)中已知的各種功能，包括圖像重建(MRI)、磁共振波譜(MPS)、導(dǎo)管或介入式器械定位等。重建的磁共振圖像、波譜讀數(shù)、介入式器械位置信息和其他已處理的MR數(shù)據(jù)被存儲在存儲器中，例如醫(yī)學(xué)設(shè)施的患者檔案中。圖形用戶接口或顯示裝置34包括用戶輸入裝置，醫(yī)生能夠使用該用戶輸入裝置控制掃描控制器20以選擇掃描序列和規(guī)程、顯示MR數(shù)據(jù)等。已經(jīng)參考優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明。他人在閱讀和理解以上詳細(xì)描述之后可能想到修改和變更。應(yīng)當(dāng)將本發(fā)明解釋為包括所有這樣的修改和變更，只要它們在所附權(quán)利要求或其等價要件的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種用于在磁共振中使用的射頻(RF)線圈組件(18、18')，包括 射頻線圈(42);以及 多個記憶電阻元件(46、56、62、72)，其每個都在去除控制信號之后保持選定的電阻狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RF線圈組件(18、18’)，還包括 偏置電路(20、27)，其生成控制信號以將所述記憶電阻元件設(shè)置為多個電阻狀態(tài)之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求I和2中的任一項所述的RF線圈組件(18、18’)， 其中，所述記憶電阻元件(46、56、62、72)中的至少ー個是失諧電路(44)的部分，所述失諧電路將所述射頻線圈(42)在調(diào)諧到共振頻率的調(diào)諧狀態(tài)和失諧狀態(tài)之間切換。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的RF線圈組件(18、18’)，其中，所述失諧電路包括 與所述RF線圈串聯(lián)的記憶電阻元件(46)，由所述控制信號將所述記憶電阻元件的電阻在高阻和低阻狀態(tài)之間切換。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的RF線圈組件(18、18’)，其中，所述失諧電路(44)包括 共振阱(48)，由所述控制信號切換所述記憶電阻元件(46)以將所述共振阱與所述RF線圈(42)串聯(lián)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中的任一項所述的RF線圈組件(18、18’)，還包括 連接到所述RF線圈(42)和前置放大器(52)的消隱電路(54)，其包括所述記憶電阻元件(56)，所述記憶電阻元件(56)被配置成在被偏置到導(dǎo)電狀態(tài)時使連接到所述RF線圈的所述前置放大器的輸入端短路。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的RF線圈組件(18、18’)，其中，所述記憶電阻元件(56)并聯(lián)連接于所述RF線圈(42)和所述前置放大器(52)之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中的任一項所述的RF線圈組件(18、18’)，還包括 偏置電路(27)，其生成控制信號，以在所述射頻線圈處于發(fā)射模式時將所述記憶電阻元件(46、56)設(shè)置成第一電阻狀態(tài)，在所述射頻線圈處于接收模式時設(shè)置成第二電阻狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中的任一項所述的RF線圈組件(18、18’)，還包括 包括多個記憶電阻元件(6も、622、…、62n)的多路復(fù)用電路，其被配置成將選定的RF線圈(42)、所述RF線圈組件的輸出耦合到接收器(26)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中的任一項所述的RF線圈組件(18、18’)，還包括 利用多個所述記憶電阻開關(guān)(72)構(gòu)造的存儲器(70)，其被配置成存儲信息。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中的任一項所述的RF線圈組件(18、18’)，還包括如下中的至少ー項 利用所述記憶電阻元件(46)中的至少ー個配置的失諧電路(44)，以阻斷在所述射頻線圈(42)上感生的選定的RF頻率； 利用所述記憶電阻元件(56)中的至少ー個配置的消隱電路(54)，以有選擇地使前置放大器(52)的輸入端短路；以及 利用多個所述記憶電阻元件出2)配置的多路復(fù)用電路(60)，以有選擇地將所述RF線圈的選定的輸出耦合到下游處理電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11中的任一項所述的RF線圈組件(18、18’)，其中，所述記憶電阻元件(46、56、62、72)包括憶阻器，所述憶阻器被DC偏壓偏置到電阻狀態(tài)并在去除所述DC偏壓時保持所述電阻狀態(tài)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-12中的任一項所述的RF線圈組件(18、18’)，還包括 測量所述記憶電阻元件(46、56、62、72)中的至少ー個的電阻的単元(28)。
14.一種磁共振系統(tǒng)(10),包括 磁體(12)，其在檢查區(qū)域中生成靜態(tài)磁場； 至少ー個根據(jù)權(quán)利要求1-13中的任一項所述的RF線圈組件(18、18')，其被配置成從所述檢查區(qū)域采集磁共振數(shù)據(jù)； 發(fā)射器(24)，其連接到至少ー個RF線圈組件； RF接收器(26)，其與所述至少ー個RF線圈組件(18、18')連接；以及掃描控制器(20)，其被配置成控制RF發(fā)射器和RF接收器以及控制電路(27)，以生成所述控制信號，從而調(diào)節(jié)所述記憶電阻元件中的至少ー個的電阻狀態(tài)； 數(shù)據(jù)處理器(30)，其處理來自所述RF接收器(26)的共振數(shù)據(jù)，以產(chǎn)生磁共振成像數(shù)據(jù)或磁共振波譜數(shù)據(jù)之一；以及 顯示器(32)，其顯示共振信號處理的結(jié)果。
15.—種磁共振方法,包括 發(fā)射RF信號以在檢查區(qū)域(14)中感生共振信號； 接收所述共振信號；以及 將至少一個記憶電阻兀件(46、56、62、72)的電阻狀態(tài)設(shè)置成如下中的至少一種 使在所述RF信號的發(fā)射期間接收所述共振信號的RF線圈(42)失諧， 將在所述RF信號的發(fā)射期間放大所接收的共振信號的前置放大器(52)的輸入端短路， 將多個輸出之一有選擇地耦合到下游處理；以及 存儲信息。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，設(shè)置所述至少一個記憶電阻元件(46、45、62、72)的所述電阻狀態(tài)包括 向所述記憶電阻元件施加第一極性的偏置電壓以増大其電阻； 停止在第一選定的電阻下施加所述第一極性的偏置電壓，在停止施加所述偏置電壓之后，所述記憶電阻元件保持所述第一選定的電阻； 向所述記憶電阻元件施加第二極性的偏置電壓以減小其電阻；以及停止在第二選定的電阻下施加所述第二極性的偏置電壓，在停止施加所述偏置電壓之后，所述記憶電阻元件保持所述第二選定的電阻。
17.根據(jù)權(quán)利要求15和16中的任一項所述的方法，其中，所述至少一個電阻元件(46)是如下情況之一與所述RF線圈(42)串聯(lián)連接，并且將所述RF線圈與共振阱(56)連接，設(shè)置所述電阻狀態(tài)的步驟包括 在發(fā)射所述RF信號之前，向所述記憶電阻元件施加第一極性的偏置電壓，其將所述記憶電阻元件偏置到第一電阻狀態(tài)，并停止施加所述第一極性的偏置電壓，使得所述記憶電阻元件保持所述第一電阻狀態(tài)；以及 在接收所述共振信號之前，向所述記憶電阻元件施加第二極性的偏置電壓，以將所述記憶電阻元件偏置到第二電阻狀態(tài)，并停止施加所述第二極性的偏置電壓，使得所述記憶電阻元件保持所述第二電阻狀態(tài)。
18.根據(jù)權(quán)利要求15-17中的任一項所述的方法，其中，所述至少一個電阻元件(56)連接在與所述RF線圈(42)連接的前置放大器(52)的輸入端之間，設(shè)置所述電阻狀態(tài)的步驟包括 在發(fā)射所述RF信號之前，向所述記憶電阻元件施加第一極性的偏置電壓，其將所述記憶電阻元件偏置到高導(dǎo)電狀態(tài)，并停止施加所述第一極性的偏置電壓，使得所述記憶電阻元件保持所述高導(dǎo)電狀態(tài)；以及 在接收所述共振信號之前，向所述記憶電阻元件施加第二極性的偏置電壓，以將所述記憶電阻元件偏置到高電阻狀態(tài)，并停止施加所述第二極性的偏置電壓，使得所述記憶電阻元件保持所述高電阻狀態(tài)。
19.根據(jù)權(quán)利要求15-18中的任一項所述的方法，其中，由包括多個記憶電阻元件(6も、622、…、62n)的多路復(fù)用器將多個RF線圈(42)連接到RF接收器(26)，設(shè)置所述電阻狀態(tài)的步驟包括 向所述記憶電阻元件中的至少第一個施加第一極性的偏置電壓，其將所述記憶電阻元件偏置到高電阻狀態(tài)，并停止施加所述第一極性的偏置電壓，使得所述記憶電阻元件保持所述高電阻狀態(tài)；以及 向所述記憶電阻元件中的至少第二個施加第二極性的偏置電壓，以將所述記憶電阻元件偏置到高導(dǎo)電狀態(tài)，并停止施加所述第二極性的偏置電壓，使得所述記憶電阻元件保持所述高導(dǎo)電狀態(tài)。
20.根據(jù)權(quán)利要求15-19中的任一項所述的方法，其中，多個記憶電阻元件(72)包括在存儲器(70)中，設(shè)置所述電阻狀態(tài)的步驟包括 向所述記憶電阻元件施加第一極性的偏置電壓，其將所述記憶電阻元件偏置到高電阻狀態(tài)，并停止施加所述第一極性的偏置電壓，使得所述記憶電阻元件保持所述高電阻狀態(tài)；以及 向所述記憶電阻元件施加第二極性的偏置電壓，以將所述記憶電阻元件偏置到高導(dǎo)電狀態(tài)，并停止施加所述第二極性的偏置電壓，使得所述記憶電阻元件保持所述高導(dǎo)電狀態(tài)。
全文摘要
一種用于磁共振系統(tǒng)(10)中的射頻(RF)線圈組件(18、18′)包括射頻線圈(42)和多個記憶電阻元件(46、56、62、72)，每個記憶電阻元件都在去除控制信號之后保持在選定的電阻狀態(tài)。失諧電路(44)作為射頻線圈組件的一部分，包括在調(diào)諧和失諧狀態(tài)之間切換射頻線圈的記憶電阻元件(46)。連接在射頻線圈和前置放大器(52)之間的消隱電路(54)包括記憶電阻元件(56)以使前置放大器的輸入端短路。多路復(fù)用電路(60)包括多個記憶電阻元件(62)，以有選擇地將所述射頻線圈的選定輸出耦合到接收器(26)。偏置電路(27)生成控制信號以在磁共振系統(tǒng)的發(fā)射模式期間將記憶電阻元件(46、56)設(shè)置成第一電阻狀態(tài)，以及在接收模式期間設(shè)置成第二電阻狀態(tài)。
文檔編號G01R33/36GK102803981SQ201080032392
公開日2012年11月28日 申請日期2010年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月19日
發(fā)明者A·賴高斯基 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司