專利名稱：磁場傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁場傳感器并且尤其涉及一種這樣的傳感器的校準(zhǔn)。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中公開了各種微機(jī)械的磁場傳感器，它們將電流與磁場之間的相互作用轉(zhuǎn)換為力。這樣，DE 198 27 056例如公開了一種微磁場傳感器，其中，電容式地通過梳形電極來檢測由洛倫茲力引起的傳感器結(jié)構(gòu)的運(yùn)動。在此，充分利用洛倫茲力，其方式是， 通過在(自由懸浮的)電導(dǎo)體中注入的電流和外部施加的磁場引起自由懸浮的結(jié)構(gòu)的橫向運(yùn)動。此外公開了以下微磁場傳感器，其充分利用在存在外部磁場的情況下在電流流經(jīng)的導(dǎo)體中出現(xiàn)的霍爾效應(yīng)。在此，由于存在外部磁場而使導(dǎo)體中的電子轉(zhuǎn)移，使得在導(dǎo)體的兩側(cè)之間形成電勢差，所述電勢差體現(xiàn)為霍爾測量效應(yīng)。適于微結(jié)構(gòu)技術(shù)的其他測量原理是磁通門傳感器、AMR傳感器或者GMR傳感器。然而，在這些以微結(jié)構(gòu)技術(shù)制造的傳感器中，由于公差或者也由于變化的環(huán)境條件——如溫度、氣壓等等形成傳感器偏移，所述傳感器偏移需要傳感器的調(diào)準(zhǔn)或校準(zhǔn)。在這樣的校準(zhǔn)范疇內(nèi)，在傳感器位置處例如施加預(yù)先確定的磁場并且由在施加和缺少磁場時不同的傳感器輸出值計算傳感器偏移。為此，DE 198 27 056公開了構(gòu)造為校準(zhǔn)電流回路的勵磁線圈，其設(shè)置在圍繞傳感器的襯底上。因此，勵磁線圈集成在微傳感器元件自身中。這種布置也稱作“片上線圈(Coil on Chip)”。因為勵磁線圈的幾何布置以及導(dǎo)體橫截面和電阻率是已知的，所以在預(yù)先給定的試驗電流下在傳感器位置處形成的磁場或者可以計算求得或者可以實驗求得。相對于例如為測試設(shè)備的一部分的外部線圈布置的優(yōu)點在于，不需要耗費(fèi)的測試設(shè)備以保證傳感器位置處的場的均勻性和時間穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的用于測量傳感器位置處的磁場的磁場傳感器具有-由電絕緣的材料制成的印刷電路板；-尤其被構(gòu)造為微系統(tǒng)的磁場傳感器元件，其設(shè)置在所述印刷電路板上并且通過電接觸部與設(shè)置在所述印刷電路板上的第一印制導(dǎo)線相連接；-至少一個第二印制導(dǎo)線，其用于產(chǎn)生試驗磁場，所述至少一個第二印制導(dǎo)線設(shè)置在所述印刷電路板上或者所述印刷電路板中并且在施加流過第二印制導(dǎo)線的校準(zhǔn)電流時在傳感器位置處產(chǎn)生預(yù)先確定的試驗磁場。在這種磁場傳感器中設(shè)有用于產(chǎn)生試驗磁場的印制導(dǎo)線，以調(diào)準(zhǔn)印刷電路板上的磁場傳感器。這能夠省去試驗設(shè)備中的勵磁線圈。此外，相對于勵磁線圈集成到微磁場傳感器元件中的布置具有如下優(yōu)點不必設(shè)置用于集成的勵磁線圈的芯片面積。因此，可以使集成開銷和(因此)成本較低。此外，在借助根據(jù)本發(fā)明的布置施加校準(zhǔn)電流時，熱負(fù)荷更低。此外與片上線圈布置相比，可以實現(xiàn)更高的電流和(由此)更大的磁場。
第二印制導(dǎo)線可以例如環(huán)狀地圍繞磁場傳感器元件。因此，在施加校準(zhǔn)電流時，在傳感器位置處產(chǎn)生基本上與磁場傳感器元件的傳感器表面垂直的試驗磁場。此外，也可以在印刷電路板(的相同側(cè)面)上在磁場傳感器元件的相對置的兩側(cè)上分別設(shè)置一個第二印制導(dǎo)線，其中，所述兩個第二印制導(dǎo)線彼此平行地設(shè)置。這具有如下優(yōu)點在相應(yīng)激勵時，可以產(chǎn)生與傳感器表面垂直的試驗磁場和與傳感器表面相切的試驗磁場。有利的是，兩個平行的印制導(dǎo)線在沿著磁場傳感器元件的、印制導(dǎo)線所在側(cè)的棱邊的方向上的延展分別比其在磁場傳感器元件的與所述棱邊垂直地設(shè)置的側(cè)棱邊的方向上的延展大至少五倍、優(yōu)選至少十倍。因此，在傳感器處產(chǎn)生相對較大的試驗磁場。也可以設(shè)有兩對各兩個平行的印制導(dǎo)線，以產(chǎn)生試驗磁場，其中，兩個印制導(dǎo)線對從上面看彼此成直角地、但彼此電絕緣地設(shè)置。借助這種布置，在相應(yīng)激勵時，可以在所有三個空間方向上產(chǎn)生試驗磁場。在此，兩對印制導(dǎo)線可以設(shè)置在印刷電路板的不同金屬層上，以便使它們彼此電絕緣。此外，提供了如以上描述的磁場傳感器與試驗設(shè)備的組合，其中，試驗設(shè)備可與磁場傳感器操作性地連接并且被構(gòu)造用于在所述至少一個第二印制導(dǎo)線上施加預(yù)先確定的校準(zhǔn)電流。所述布置的優(yōu)點在于，試驗設(shè)備不必配備勵磁線圈以產(chǎn)生試驗磁場并且因此可以被簡化。


圖1示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的磁場傳感器的立體視圖。圖2示出根據(jù)本發(fā)明的磁場傳感器與試驗設(shè)備的組合的框圖。圖3示意性地示出根據(jù)第一實施例的校準(zhǔn)電流以及由其在傳感位置處引起的試驗磁場。圖4示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的磁場傳感器的立體視圖。圖5A是示意性示出根據(jù)第二實施例的第一變型方案的校準(zhǔn)電流以及由其在傳感器位置處引起的試驗磁場的立體視圖。圖5B是示意性示出根據(jù)第二實施例的第一變型方案的校準(zhǔn)電流以及由其在傳感器位置處引起的試驗磁場的截面圖。圖6A是示意性示出根據(jù)第二實施例的第二變型方案的校準(zhǔn)電流以及由其在傳感器位置處引起的試驗磁場的立體視圖。圖6B是示意性示出根據(jù)第二實施例的第二變型方案的校準(zhǔn)電流以及由其在傳感器位置處引起的試驗磁場的截面圖。
具體實施例方式圖1示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的磁場傳感器10的立體視圖。磁場傳感器10 包括傳感器元件1，所述傳感器元件1固定、例如粘接在印刷電路板2上。傳感器元件1被構(gòu)造為微系統(tǒng)，即用于產(chǎn)生傳感器信號的傳感器結(jié)構(gòu)單片地設(shè)置在例如由硅制成的半導(dǎo)體芯片上，所述傳感器信號相應(yīng)于待測量的磁場的大小。傳感器元件1在本實施例中被構(gòu)造為霍爾傳感器，并且產(chǎn)生相應(yīng)于傳感器位置處的磁場的ζ分量的模擬信號。所述模擬信號被低通濾波并且由模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成數(shù)字的傳感器信號。 在當(dāng)前的示例中，通過集成到傳感器元件1中的數(shù)據(jù)處理單元實施模擬信號的所述進(jìn)一步處理。然而同樣可能的是，在印刷電路板2上設(shè)有單獨(dú)的模塊——例如ASIC，用于所述數(shù)據(jù)處理。印刷電路板2(也稱作“PCB”)由電絕緣的材料(例如纖維增強(qiáng)的塑料)制成。印刷電路板2具有至少兩個金屬層，所述至少兩個金屬層例如設(shè)在印刷電路板2的上側(cè)和下側(cè)上。在這些金屬層中設(shè)置有印制導(dǎo)線，所述印制導(dǎo)線例如由薄的銅層刻蝕出。在圖1中用虛線示出了印刷電路板2的下側(cè)上從外部實際上看不到的印制導(dǎo)線以及敷鍍通孔。在傳感器元件1上例如設(shè)有四個接觸部3，這四個接觸部通過鍵合引線4與印刷電路板1的上側(cè)(第一金屬層)上的鍵合區(qū)5連接。在當(dāng)前的示例中，鍵合區(qū)5通過敷鍍通孔與第一印制導(dǎo)線6連接，所述第一印制導(dǎo)線設(shè)在印刷電路板2的下側(cè)(第二金屬層)上， 并且鍵合區(qū)5與印刷電路板1的外邊緣上的LGA連接端子7a連接。此外，在印刷電路板2的第一金屬層中設(shè)有第二印制導(dǎo)線8，其環(huán)狀地圍繞傳感器元件1。第二印制導(dǎo)線8通過敷鍍通孔與第二金屬層上印刷電路板1的邊緣處的LGA連接端子7b連接。第二印制導(dǎo)線8用于在傳感器調(diào)準(zhǔn)范疇內(nèi)施加試驗場，如以下仍更詳細(xì)地描述的那樣。磁場傳感器10可以借助絕緣材料注塑包封(umspritzen)并且被容納在塑料殼體或類似物中(未詳細(xì)示出)。隨后，它可以通過LGA(Land Grid Array 接點柵格陣列)上的LGA連接端子7a和7b與控制裝置或者激勵與分析電子裝置連接。通過LGA連接端子7a中的兩個進(jìn)行傳感器元件1的激勵。通過兩個其余的LGA 連接端子7a來量取由傳感器元件1產(chǎn)生的數(shù)字信號。然而已表明恰好在霍爾傳感器的情況下產(chǎn)生可以相應(yīng)于直至幾毫特斯拉的傳感器偏移。如果傳感器偏移過大，則傳感器10可能是不可用的并且應(yīng)被分揀出。在第一實施例的第一變型方案中，在所謂的最終測量(Endmessen)中，即在制造傳感器10之后，在借助第二印制導(dǎo)線8產(chǎn)生試驗場的情況下確定傳感器偏移以及傳感器靈敏度。為此，使用試驗設(shè)備20，如其示意性地在圖2中示出的那樣。所述試驗設(shè)備20包括控制裝置21、存儲器22和信令裝置23。信令裝置23例如可以被構(gòu)造為光學(xué)的和/或聲學(xué)的顯示裝置。此外，試驗設(shè)備包括具有多個接觸部的放置區(qū)(未詳細(xì)示出)，所述多個接觸部相應(yīng)于傳感器10的印刷電路板2上的連接端子7a、7b。通過將傳感器10放置在放置區(qū)上，試驗設(shè)備20可以與傳感器10操作性地連接。在將傳感器10放置在所述放置區(qū)上之后，控制裝置21 (通過驅(qū)動器電路等等)引起預(yù)先確定的、例如0. 01至IOOOmA的校準(zhǔn)電流，所述校準(zhǔn)電流在第一電流流動方向上流過環(huán)狀地圍繞傳感器元件1的第二印制導(dǎo)線8。所述校準(zhǔn)電流I在傳感器位置處在ζ方向上引起確定的試驗磁場H。這示意性地在圖3中示出。因為傳感器的幾何形狀——即印制導(dǎo)線的幾何形狀及其相對于傳感器位置的相對布置如同校準(zhǔn)電流的大小那樣是已知的，所以試驗磁場的大小也是已知的。替代地，也可以通過借助單獨(dú)的磁力計的校準(zhǔn)測量來確定試驗磁場。隨后借助傳感器元件1測量試驗磁場。為此，由控制裝置21通過LGA連接端子來激勵傳感器元件1，并且讀取瞬時(數(shù)字)傳感器信號，并且將相應(yīng)的值存儲在存儲器22 中。接著，控制裝置21引起大小相同但符號相反的、預(yù)先確定的校準(zhǔn)電流，又讀取得到的傳感器信號并且將相應(yīng)的值存儲在存儲器22中?，F(xiàn)在控制裝置21由所存儲的值確定偏移以及傳感器靈敏度。例如，如果試驗磁場為+50 μ T或-50 μ T并且所讀取的相應(yīng)(數(shù)字)傳感器信號為201sb或-221sb(lsb = least significant bit 最低有效位)，則可以推斷出Ilsb的偏移。對于傳感器靈敏度而言，相應(yīng)于兩個所讀取的值之間的差除以試驗磁場強(qiáng)度的差，從而在本示例中得到421sb/100y T 的傳感器靈敏度。如果由此求得的偏移和/或傳感器靈敏度大于預(yù)先確定的公差值，則控制裝置21向信令裝置23輸出一個狀態(tài)信號，所述信令裝置例如光學(xué)地或聲學(xué)地顯示傳感器元件10位于公差值以內(nèi)還是位于公差值以外并且因此是有缺陷的。如果控制裝置21已經(jīng)求得傳感器元件10沒有缺陷，則控制裝置21促使相應(yīng)于傳感器靈敏度的值存儲在傳感器元件1的存儲區(qū)中。也可以將傳感器偏移存儲在存儲器元件 1中，然而在此應(yīng)考慮傳感器偏移極大地取決于傳感器的使用位置處的環(huán)境條件。這樣， 使用位置處的金屬組件和電流流經(jīng)的導(dǎo)體可以導(dǎo)致干擾場，所述干擾場影響傳感器偏移。 恰好在霍爾傳感器的情況下也存在顯著的溫度相關(guān)性，所述溫度相關(guān)性使傳感器偏移的周期性調(diào)準(zhǔn)或者周期性確定顯得有意義。相反，傳感器靈敏度與使用位置處的環(huán)境條件相對無關(guān)，并且因此也可以有意義地在最終測量時存儲在傳感器元件1中，以便以后在使用位置處進(jìn)行參考。在第一變型方案中有利的是，可以借助不具有用于產(chǎn)生試驗磁場的線圈的試驗設(shè)備來實施最終測量。因此，試驗設(shè)備可以具有簡化的結(jié)構(gòu)。在第一實施方式的第二變型方案中，傳感器10安裝在其使用位置處(例如作為機(jī)動車中的轉(zhuǎn)向角度傳感器或類似物)。在此，傳感器10也通過LGA與傳感器控制裝置20’ 連接，所述傳感器控制裝置可以在印制導(dǎo)線8上施加試驗電流并且因此在相應(yīng)結(jié)構(gòu)方面相應(yīng)于根據(jù)第一變型方案的試驗設(shè)備(參見圖2)。傳感器控制裝置20’以針對第一變型方案描述的方式方法來確定傳感器偏移。所述傳感器偏移被存儲在存儲器22中并且被用于修正或校正由傳感器控制裝置20’輸出的傳感器信號。在第二變型方案中有利的是，可以在任何時間檢查以及在必要時再校準(zhǔn)傳感器10。圖4示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的磁場傳感器30的立體視圖。相應(yīng)于根據(jù)第一實施例的磁場傳感器10的特征標(biāo)有相同的附圖標(biāo)記并且未詳細(xì)闡述。根據(jù)第二實施例的磁場傳感器30與根據(jù)第一實施例的磁場傳感器10的不同在于第二印制導(dǎo)線9的布置。磁場傳感器30設(shè)有兩個平行的、直的印制導(dǎo)線9，所述印制導(dǎo)線9 設(shè)置在第一金屬層上。印制導(dǎo)線9通過敷鍍通孔與第二金屬層上的LGA連接端子9c連接。 印制導(dǎo)線9沿著傳感器元件1設(shè)置在傳感器元件1的兩側(cè)上。更準(zhǔn)確地，它們在一個方向上(χ方向)沿著圖4中的傳感器元件1的前棱邊和后棱邊延伸，更確切地說，分別延伸一在這些棱邊的方向上長于傳感器元件1的延展(例如至少兩倍長)的距離。此外，印制導(dǎo)線9在沿著所述棱邊(印制導(dǎo)線9設(shè)置在所述棱邊的一側(cè)上)的方向(χ方向)上的延展比其在與所述棱邊垂直設(shè)置的另一側(cè)棱邊(y方向)上的延展大得多(例如至少五倍或者優(yōu)選至少十倍)。即流過印制導(dǎo)線9的電流I的走向基本上在與傳感器位置相切的方向上。 因此實現(xiàn)了 流過印制導(dǎo)線9的電流I在傳感器位置處產(chǎn)生相對較大的磁場。這示意性地在圖5A和5B中示出，其中，圖5A示出傳感器元件1和印制導(dǎo)線9的示意性立體視圖，而圖 5B示出傳感器元件1和印制導(dǎo)線9的y-z平面的示意性橫截面圖。如從這些圖中可看到的那樣，如果電流在相同的方向(χ方向或-χ方向)上流過兩個印制導(dǎo)線9，則流過印制導(dǎo)線 9的電流I產(chǎn)生與傳感器元件1的表面相切地設(shè)置的磁場。與此相反，第二金屬層上的第一印制導(dǎo)線6雖然也在χ方向上具有一定的延展，但其在沿著所述棱邊(其設(shè)置在所述棱邊的一側(cè)上)的方向(X方向)上的延展比其在與所述棱邊垂直地設(shè)置的另一側(cè)棱邊的方向(y方向)上的延展小得多，即例如y方向上是X方向上的至少五倍或者優(yōu)選至少十倍。即流過第一印制導(dǎo)線6的電流的走向基本上在相對于傳感器位置徑向的方向上。因此實現(xiàn)流過第一印制導(dǎo)線6的電流在傳感器位置處僅僅產(chǎn)生相對較小的干擾磁場。借助在圖5A和5B中示出的電流，在傳感器30的傳感器元件10中可以產(chǎn)生基本上位于傳感器元件10的表面的平面(x-y平面)中的試驗磁場。然而，通過流過印制導(dǎo)線9 的反并聯(lián)的電流，也可以產(chǎn)生與傳感器元件10的表面垂直的方向(ζ方向)上的試驗磁場 H。在圖4中示出的印制導(dǎo)線布置具有如下優(yōu)點借助其可以在兩個彼此垂直的方向上產(chǎn)生試驗磁場。在此有利的是，試驗設(shè)備20或者傳感器控制裝置20’被如此構(gòu)造，使得所述試驗設(shè)備或者傳感器控制裝置選擇性地或者程序控制地依次地如此激勵第二印制導(dǎo)線9，使得相繼在傳感器位置處產(chǎn)生x-y平面中的試驗磁場和x-y方向上的試驗磁場，以及將相應(yīng)的測量值存儲在存儲器22中，以及通過以上描述的方式進(jìn)一步處理所述相應(yīng)的測量值。通過所述方式，借助簡單的導(dǎo)體布置可以在兩個空間方向上產(chǎn)生試驗磁場。此外，也可以彼此組合圖1和4中的第二印制導(dǎo)線9的布置，即在同一印刷電路板上或同一印刷電路板中不僅設(shè)有環(huán)狀的印制導(dǎo)線而且設(shè)有兩個平行的印制導(dǎo)線。在此優(yōu)選地，環(huán)狀的印制導(dǎo)線或者平行的印制導(dǎo)線設(shè)置在第一金屬層和第二金屬層之間的第三金屬層上。此外也可以在上部的第一金屬層上設(shè)置在圖4中示出的兩個平行的印制導(dǎo)線并且在第一金屬層和第二金屬層之間的第三金屬層上設(shè)置兩個另外的、平行的印制導(dǎo)線，所述兩個另外的、平行的印制導(dǎo)線(從上面看)與第一金屬層的平行的印制導(dǎo)線以約90度的角度交叉。借助這種布置，可以借助上部的第一金屬層的平行的印制導(dǎo)線在y方向和ζ方向上產(chǎn)生試驗磁場，而借助第三金屬層的平行的印制導(dǎo)線在χ方向(和ζ方向)上產(chǎn)生試驗磁場。在必要時，在此依次激勵也是有利的，以便相繼地在所有三個空間方向上產(chǎn)生試驗磁場。這在被設(shè)計用于測量三個空間方向上的磁場分量的磁場傳感器中是有利的。盡管以上借助優(yōu)選的實施例描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不限于此，而是可通過多種方式方法進(jìn)行修改。尤其是，以上描述的擴(kuò)展方案的不同特征可彼此組合。例如，也可以替代霍爾傳感器使用具有磁通門傳感器的傳感器元件或者具有如下傳感器的傳感器元件在所述傳感器中電容式地通過梳形電極來探測由洛倫茲力引起的傳感器結(jié)構(gòu)的運(yùn)動。也可以將用于產(chǎn)生試驗磁場的印制導(dǎo)線8或9設(shè)置在印刷電路板2的下側(cè)上，并且將與傳感器元件10相連接的印制導(dǎo)線6設(shè)置在印刷電路板2的上側(cè)上。
權(quán)利要求
1.磁場傳感器(10，30)，用于測量傳感器位置處的磁場，所述磁場傳感器具有 印刷電路板(2)，其由電絕緣的材料制成；磁場傳感器元件(1)，其設(shè)置在所述印刷電路板(2)上并且通過電接觸部(3，5)與設(shè)置在所述印刷電路板⑵上的第一印制導(dǎo)線(6)相連接；至少一個第二印制導(dǎo)線(8，9)，其用于產(chǎn)生試驗磁場(H)，所述至少一個第二印制導(dǎo)線設(shè)置在所述印刷電路板(2)上并且在施加流過所述第二印制導(dǎo)線的校準(zhǔn)電流(I)時在所述傳感器位置處產(chǎn)生預(yù)先確定的試驗磁場(H)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場傳感器(10，30)，其中，所述第二印制導(dǎo)線(8)環(huán)狀地圍繞所述磁場傳感器元件(1)，使得在施加校準(zhǔn)電流(I)時在所述傳感器位置處產(chǎn)生基本上與所述磁場傳感器元件(1)的傳感器表面垂直的試驗磁場。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁場傳感器(10，30)，其中，在所述印刷電路板(2)上在所述磁場傳感器元件(1)的相對置的兩側(cè)上分別設(shè)置一個第二印制導(dǎo)線(9)，并且這兩個第二印制導(dǎo)線(9)彼此平行地設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁場傳感器(10，30)，其中，兩個平行的印制導(dǎo)線(9)在沿著所述磁場傳感器元件(1)的、所述印制導(dǎo)線所在側(cè)上的側(cè)棱邊的方向上的延展分別比其在所述磁場傳感器元件(1)的與所述側(cè)棱邊垂直地設(shè)置的側(cè)棱邊的方向上的延展大至少五倍、優(yōu)選至少十倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的磁場傳感器(10，30)，其中，設(shè)有兩對兩個平行的、各產(chǎn)生一試驗磁場(H)的印制導(dǎo)線(9)，其中，這兩個印制導(dǎo)線對從上面看彼此成直角地、但彼此電絕緣地設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁場傳感器(10，30)，其中，所述兩對印制導(dǎo)線(9)設(shè)置在所述印刷電路板(2)的不同的金屬層上。
7.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的磁場傳感器(10，30)， 其中，所述磁場傳感器元件(1)被構(gòu)造為微系統(tǒng)。
8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的磁場傳感器(10，30)與試驗設(shè)備(20，20’)的組I=I，其中，所述試驗設(shè)備(20，20’)能夠與所述磁場傳感器(10，30)操作性地連接并且被設(shè)置用于在所述至少一個第二印制導(dǎo)線(8，9)上施加預(yù)先確定的校準(zhǔn)電流(I)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種磁場傳感器，用于測量傳感器位置處的磁場，所述磁場傳感器具有印刷電路板，其由電絕緣的材料制成；磁場傳感器元件，其設(shè)置在所述印刷電路板上并且通過電接觸部(3，5)與設(shè)置在所述印刷電路板上的第一印制導(dǎo)線相連接；至少一個第二印制導(dǎo)線，其用于產(chǎn)生試驗磁場，所述至少一個第二印制導(dǎo)線設(shè)置在所述印刷電路板上并且在施加校準(zhǔn)電流時在所述傳感器位置處產(chǎn)生預(yù)先確定的試驗磁場。
文檔編號G01R33/00GK102483443SQ201080038236
公開日2012年5月30日 申請日期2010年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月28日
發(fā)明者G·拉梅爾, S·魏斯 申請人:羅伯特·博世有限公司