專利名稱：緊密的紅外光檢測器及用于生產(chǎn)其的方法與包括所述紅外光檢測器的紅外光檢測器系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有緊密設(shè)計的紅外光檢測器和一種具有所述紅外光檢測器的紅外光檢測系統(tǒng)。此外，本發(fā)明涉及一種用于生產(chǎn)所述紅外光檢測器的方法。
背景技術(shù)：
用于檢測熱輻射的紅外光檢測器具有，例如，采用薄膜結(jié)構(gòu)的熱釋電傳感器芯片， 所述芯片具有兩個電極層以及布置在所述電極層之間由熱電敏感型物質(zhì)構(gòu)成的熱電層。這種物質(zhì)為鐵電鋯鈦酸鉛(PZT)。電極層由鉬或吸收熱輻射的鉻鎳合金制成。使用氣體分離方法來應(yīng)用所述層。傳感器芯片安裝在薄膜膜片上，所述薄膜膜片采用二氧化硅和氮化硅的夾層結(jié)構(gòu)進(jìn)行制備。使用讀出電子設(shè)備讀出、放大、處理和/或轉(zhuǎn)發(fā)因傳感器芯片的熱輻射而產(chǎn)生的電信號。電信號產(chǎn)生的原因是，電荷經(jīng)由熱電層從一個電極層轉(zhuǎn)移到另一個電極層，從而可在電極層上利用差分電壓和/或電荷。例如，讀出電子設(shè)備的電子電路具有運算放大器或結(jié)型場效應(yīng)晶體管，所述讀出電子設(shè)備的電阻較高，例如，從IGQ到IOOGQ，以便用所述電信號產(chǎn)生合適的處理信號。因此，讀出電子設(shè)備通常具有電阻和電容器以及運算放大器， 在這種情況下，電阻，可能還有電阻器與運算放大器或結(jié)型場效應(yīng)晶體管安裝在一起，作為 (例如)印刷電路板上與紅外光檢測器分開的離散部件。將讀出電子設(shè)備電連接到紅外光檢測器，從而使讀出電子設(shè)備與紅外光檢測器相互作用。如果由運算放大器或結(jié)型場效應(yīng)晶體管、電阻和電容器構(gòu)成的紅外光檢測器以及讀出電子設(shè)備均即將作為(例如)電路板上的單獨部件進(jìn)行安裝，則對此已知布置的空間需求很高。在各部件必須要容納在一個空間有限的外殼中的情況下，這種高空間需求尤其不利。此外，紅外光檢測器和讀出電子設(shè)備各自必須在單獨的工作步驟(work step)中進(jìn)行安裝。紅外光檢測器和讀出電子設(shè)備經(jīng)由電纜連接和焊接而電連接在一起。因此，紅外光檢測器和讀出電子設(shè)備的組合較為復(fù)雜且成本高昂。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目標(biāo)是創(chuàng)造一種紅外光檢測器、一種生產(chǎn)所述紅外光檢測器的方法以及一種具有所述紅外光檢測器的紅外光檢測系統(tǒng)，在這種情況下，所述紅外光檢測系統(tǒng)節(jié)省空間且制造成本低廉。本發(fā)明的紅外光檢測器包括傳感器芯片，其具有由熱電敏感型物質(zhì)制成的薄膜元件；電絕緣體；采用薄層結(jié)構(gòu)的至少一個電子部件，其形成讀出電子設(shè)備的一部分；以及薄膜膜片，所述傳感器芯片和所述電子部件在所述薄膜膜片上以并排的方式一體安裝，從而使所述電子部件以導(dǎo)電方式耦接到所述薄膜元件，而且信號放大器可連接到所述電子部件，從而通過與所述電子部件的相互作用，可對所述傳感器芯片所發(fā)射的電信號進(jìn)行放大。 本發(fā)明的紅外光檢測系統(tǒng)包括所述紅外光檢測器及結(jié)型場效應(yīng)晶體管和/或用于信號放大器的運算放大器，借此將所述信號放大器連接到所述紅外光檢測器。因此，在本發(fā)明中，電子部件被直接集成到紅外檢測器上。對電子部件的集成可在制造紅外光檢測器的過程中直接實現(xiàn)，從而無需分開生產(chǎn)單獨的讀出電子設(shè)備。這樣，生產(chǎn)紅外光檢測器和紅外光檢測系統(tǒng)的成本較為低廉。此外，紅外光檢測系統(tǒng)的設(shè)計節(jié)省空間， 因為電子部件是一體設(shè)置在紅外光檢測器上的。另外，在安裝紅外光檢測器的過程中，組裝時無需將電子部件作為與所述紅外光檢測器分開的單獨部分，這就意味著，組裝時對所述紅外光檢測器的處理較為簡單且成本低。例如，如果將本發(fā)明的紅外光檢測器用于紅外氣體傳感器，則應(yīng)了解，可使用常規(guī) T039或常規(guī)T05外殼來容納所述紅外光檢測器。如果將所述紅外氣體傳感器用于多氣體分析，則所述紅外氣體傳感器將具有(例如)四個傳感器芯片，每個芯片具有相關(guān)的讀出電子設(shè)備，由此，所述紅外氣體傳感器便具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。盡管如此，在根據(jù)本發(fā)明進(jìn)行配置的紅外氣體傳感器的情況中，具有相關(guān)電氣部件的傳感器芯片可有效且緊湊地布置在所述紅外氣體傳感器的外殼內(nèi)。優(yōu)選地，至少一個電子部件為電阻和/或具有介電薄膜元件的電容器。優(yōu)選用具有相同厚度的相同物質(zhì)生產(chǎn)熱電薄膜元件和介電薄膜元件?；蛘?，可優(yōu)選用與絕緣體相同的物質(zhì)，即金屬氧化物，尤其是氧化鋁生產(chǎn)所述介電薄膜元件，從而使所述絕緣體和所述介電薄膜元件具有相同的厚度。電阻優(yōu)選100ΜΩ到500GQ，而且電容器優(yōu)選從0. IpF到
IOOpFo電阻優(yōu)選采用薄膜結(jié)構(gòu)，S卩，通過沉積鈦薄膜進(jìn)行生產(chǎn)，從而鈦可用于制造熱電薄膜元件，因為PZT會從鉛、鋯和鈦這三個單獨的靶中沉積出來。由于在氧/氬環(huán)境中產(chǎn)生電阻，因此，含氧量優(yōu)選在30%到80%之間，而且膜厚度在20nm到200nm之間。電阻值優(yōu)選在0. IGΩ與IOOGQ之間。紅外光檢測器優(yōu)選具有應(yīng)用到薄膜膜片的底部傳導(dǎo)路徑(base conduction path)，其與傳感器以及電阻和電容器接觸，而且可連接到信號放大器。進(jìn)一步優(yōu)選地，紅外光檢測器具有介電薄膜元件，其一側(cè)應(yīng)用到底部傳導(dǎo)路徑的連接面部分中背對薄膜膜片并與其接觸的那個連接面部分；以及第一中間傳導(dǎo)路徑，其與背對所述一側(cè)的另一側(cè)接觸，這樣，電容器便可由薄膜結(jié)構(gòu)中的底部傳導(dǎo)路徑、介電薄膜元件和第一中間傳導(dǎo)路徑形成。 將電容器的電容定義為C = ε。ε義/山其中C為電容器的電容；A為垂直于薄膜膜片查看時，底部傳導(dǎo)路徑與第一中間傳導(dǎo)路徑的重疊區(qū)域的面積；d為介電薄膜元件的厚度；、為介電薄膜元件的相對介電常數(shù)；以及ε。為介電常數(shù)。例如，如果用Al2O3生產(chǎn)介電薄膜元件，其中重疊面積A為300 μ m2且厚度d為 200nm,則電容器的電容C為0. 25pF。紅外光檢測器優(yōu)選進(jìn)一步包括第二中間傳導(dǎo)路徑，以供電阻借助于與底部傳導(dǎo)路徑和第一中間傳導(dǎo)路徑的導(dǎo)電連接而并聯(lián)連接到電容器。電阻優(yōu)選由薄膜層形成。此外， 優(yōu)選地，紅外光檢測器具有底部電極(base electrode)，所述底部電極固定到薄膜膜片以接納熱電薄膜元件并與所述熱電薄膜元件以及底部傳導(dǎo)路徑接觸，從而使所述底部電極和所述底部傳導(dǎo)路徑在所述薄膜膜片的表面上延伸。另外，優(yōu)選地，紅外光檢測器包括頭部傳導(dǎo)路徑(head conduction path)，且傳感器芯片具有頭部電極(head electrode)，所述頭部電極設(shè)置在背對熱電薄膜元件的底部電極的那側(cè)并與所述熱電薄膜元件和所述頭部傳導(dǎo)路徑接觸。頭部傳導(dǎo)路徑經(jīng)由絕緣體而引出，所述絕緣體是由電絕緣金屬氧化物層，優(yōu)選氧化鋁層制成的，且被應(yīng)用到熱電薄膜元件的側(cè)面。優(yōu)選用鉬制成底部電極、底部傳導(dǎo)路徑和頭部傳導(dǎo)路徑，而用金制成中間傳導(dǎo)路徑。底部連接元件優(yōu)選連接到所述底部傳導(dǎo)路徑，中間連接元件優(yōu)選連接到所述中間連接元件，且頭部連接元件優(yōu)選連接到所述頭部傳導(dǎo)路徑，這樣便可在所述底部連接元件和所述頭部連接元件之間利用傳感器芯片的差分電壓和/或電荷。電阻的優(yōu)選額定值為 100MΩ到500GQ，而電容器的優(yōu)選額定值為0. IpF到100pF。用于生產(chǎn)所述紅外光檢測器的方法包括以下步驟制備薄膜膜片；將熱電敏感型物質(zhì)沉積在所述薄膜膜片上，以便形成熱電敏感型物質(zhì)的薄膜；從所述薄膜中去除多余的物質(zhì)，從而一起形成熱電薄膜元件和介電薄膜元件。優(yōu)選地，進(jìn)一步還有以下步驟將金屬沉積在所述薄膜膜片上，以形成金屬層，隨后將所述熱電敏感型物質(zhì)沉積在所述金屬層上， 以形成熱電敏感型物質(zhì)的薄膜；從所述金屬層和所述薄膜中去除多余的物質(zhì)，這樣便可在底部傳導(dǎo)路徑上一起形成介電薄膜元件及其底部電極以及底部傳導(dǎo)路徑和介電薄膜元件。 所述熱電薄膜元件和所述介電薄膜元件優(yōu)選具有相同的厚度。因此，采用本發(fā)明的方法可同時形成所述熱電薄膜元件以及所述介電薄膜元件， 并且將它們布置在所述底部傳導(dǎo)路徑的連接面部分。這樣，根據(jù)本發(fā)明，用于制造本發(fā)明的紅外光檢測器的方法高效且成本低。此外，優(yōu)選地，所述方法包括步以下步驟將金屬沉積在所述介電薄膜元件上，以形成電容器，而且沉積在所述薄膜膜片上，以形成第二中間傳導(dǎo)路徑。用于生產(chǎn)所述紅外光檢測器的其他方法包括以下步驟制備薄膜膜片；將金屬沉積在所述薄膜膜片上，以形成金屬層；將熱電敏感形物質(zhì)沉積在所述金屬層上，以形成熱電敏感型物質(zhì)的薄膜；從所述薄膜和所述金屬層中去除多余的物質(zhì)，從而使熱電薄膜元件及其底部電極與底部傳導(dǎo)路徑一起形成，由此，所述熱電薄膜元件的所述底部電極具有橫向突出部；在設(shè)有頭部傳導(dǎo)路徑的位置，沉積金屬氧化物層，以在所述底部電極的所述突出部上形成電絕緣體，而且在所述底部傳導(dǎo)路徑上形成介電薄膜元件，這樣所述介電薄膜元件便可與所述絕緣體一起形成。在此情況下，優(yōu)選所述絕緣體和所述介電薄膜元件的厚度相等。作為進(jìn)一步優(yōu)選的步驟，所述方法包括將金屬沉積在所述介電薄膜元件上，以形成電容器，而且沉積在所述薄膜膜片上，以形成中間傳導(dǎo)路徑。此外，同時優(yōu)選地，沉積所述金屬，以便產(chǎn)生頭部傳導(dǎo)路徑。因此，采用本發(fā)明的其他方法，可同時形成所述絕緣體和所述介電薄膜元件。這樣，根據(jù)本發(fā)明，用于制造本發(fā)明的紅外光檢測器的方法高效且成本低。優(yōu)選地，本發(fā)明的方法中所使用的熱電薄膜元件和介電薄膜元件具有相同的厚度。在應(yīng)用本發(fā)明的其他方法時優(yōu)選地，所形成的電絕緣體和介電薄膜元件具有相同的厚度。


在下文中，結(jié)合所附示意圖說明本發(fā)明的紅外光檢測器和本發(fā)明的紅外光檢測系統(tǒng)的一項優(yōu)選實施例。在附圖中圖1所示為本發(fā)明的紅外光檢測系統(tǒng)的實施例的電路示意圖；以及圖2為本發(fā)明的紅外光檢測器的實施例的平面圖。
附圖標(biāo)記說明1紅外光檢測器2薄膜膜片3支撐框架4傳感器芯片5熱電薄膜元件6底部電極7頭部電極8底部傳導(dǎo)路徑9頭部傳導(dǎo)路徑10底部連接元件11頭部連接元件12第一中間傳導(dǎo)路徑13第二中間傳導(dǎo)路徑14第二接頭15第一接頭16中間連接元件17電阻器18電容器19介電薄膜元件20第一中間傳導(dǎo)路徑的縱向端部21底部傳導(dǎo)路徑的連接面部分22運算放大器23反相輸入端24非反相輸入端25輸出端26入射光27絕緣體
具體實施例方式如從圖1和圖2中可見，紅外光檢測器1具有薄膜膜片2，以供支撐框架3跨越。 傳感器芯片4安裝在薄膜膜片2上，而且由熱電薄膜元件5、底部電極6和頭部電極7形成， 其中熱電薄膜元件5被布置成底部電極6與頭部電極7之間的層結(jié)構(gòu)。底部電極6安裝在薄膜膜片2上，因此，熱電薄膜元件5和頭部電極7與底部電極6在薄膜膜片2上連接。熱電薄膜元件5及其底部電極6和頭部電極7大約布置在薄膜膜片2上的支撐框架3的中心。
此外，底部傳導(dǎo)路徑8安裝在薄膜膜片2上，以導(dǎo)電方式連接到底部電極6且在薄膜膜片2的支撐框架3的方向上從底部電極6延伸。通過類似方式，頭部傳導(dǎo)路徑9設(shè)于傳感器芯片4上，以導(dǎo)電方式電連接到頭部電極7且同樣朝支撐框架3延伸，由此，頭部傳導(dǎo)路徑9與底部傳導(dǎo)路徑8成直角。底部電極6從熱電薄膜元件5橫向突出，形成突出部，從而可將氧化鋁層沉積在底部電極6的突出部上，以形成電絕緣體27。頭部傳導(dǎo)路徑9經(jīng)由絕緣體27而引出，絕緣體27被應(yīng)用到熱電薄膜元件5的側(cè)面。頭部傳導(dǎo)路徑9與底部電極6電絕緣可在絕緣體27的幫助下實現(xiàn)，這樣便可防止底部電極6與頭部傳導(dǎo)路徑9之間發(fā)生短路。底部連接元件10安裝在支撐框架3上，以供底部傳導(dǎo)路徑8延伸到所述支撐框架并接觸底部傳導(dǎo)路徑8。此外，頭部連接元件11安裝在支撐框架3上，以供頭部傳導(dǎo)路徑9延伸到所述支撐框架并與頭部傳導(dǎo)路徑9接觸。底部傳導(dǎo)路徑8具有連接面部分21，其被布置成背對薄膜膜片2且相對于底部傳導(dǎo)路徑8的縱向定位在中心。介電薄膜元件19沉積在底部傳導(dǎo)路徑8的連接面部分21上， 而且通過底部傳導(dǎo)路徑8接觸連接面部分21。第一中間傳導(dǎo)路徑12的縱向端部20安裝在介電薄膜元件19上，即，在介電薄膜元件19背對底部傳導(dǎo)路徑8的連接面部分21的那側(cè)上，而且接觸介電薄膜元件19。第一中間傳導(dǎo)路徑12的縱向端部20與底部傳導(dǎo)路徑8的連接面部分21之間的重疊面在薄膜膜片2的法線方向上的大小為300 μ m2。電容器18的電容為0. 25pF，該電容器由第一中間傳導(dǎo)路徑12的縱向端部22、介電薄膜元件19和底部傳導(dǎo)路徑8的連接面部分21形成。第一中間傳導(dǎo)路徑I2從其縱向端部20朝支撐框架3和中間連接元件16延伸，中間連接元件16附接到第一中間傳導(dǎo)路徑12而且與第一中間傳導(dǎo)路徑12接觸。第一導(dǎo)體接頭15設(shè)于中間連接元件16與第一中間傳導(dǎo)路徑12的縱向端部20之間，而且接觸第二中間傳導(dǎo)路徑13。第二中間傳導(dǎo)路徑13最終在第二導(dǎo)體接頭14處終止，從而與底部傳導(dǎo)路徑8在底部傳導(dǎo)路徑8的連接面部分21與底部電極6之間形成第二中間傳導(dǎo)路徑13。 電阻器17設(shè)于第二中間傳導(dǎo)路徑13中，因此并聯(lián)連接到電容器18。傳感器芯片4的入射熱輻射沈會使熱電薄膜元件5中發(fā)生電荷移位，從而在底部電極6與頭部電極7之間形成差分電壓或電荷。差分電壓的強度或電荷數(shù)是入射熱輻射沈的測量結(jié)果，這樣，差分電壓便可作為信號以供分析?？墒褂眠\算放大器22對信號強度進(jìn)行合意的放大，運算放大器22具有反相輸入端23、非反相輸入端M和輸出端25。圖1所示為具有紅外光檢測器1和運算放大器22的紅外光檢測系統(tǒng)的電路圖。運算放大器22經(jīng)由其反相輸入端23以導(dǎo)電方式連接到底部連接元件10 ；經(jīng)由其非反相輸入端M連接到頭部連接元件11 ；以及經(jīng)由其輸出端25連接到中間連接元件16。因此，頭部電極7與底部電極6之間的差分電壓施加在反相輸入端23與非反相輸入端M之間，由此將電容器18和電阻17并聯(lián)連接，以在反相輸入端23與輸出端25之間起反饋作用。由底部傳導(dǎo)路徑8的連接面部分21、介電薄膜元件19和第一中間傳導(dǎo)路徑11的縱向端部20所形成的電容器18、采用薄膜方式布置在薄膜膜片2上的電阻17，以及中間傳導(dǎo)路徑12和13 —體安裝在薄膜膜片2上，且因此成為紅外光檢測器1的整體部件。運算放大器22的連接23到25被連接到紅外光檢測器的對應(yīng)連接元件10、11和16，且因此形成與紅外光檢測器1分開的單獨部件，因此，紅外光檢測器1同樣是單獨部件。因此，紅外光檢測器1的設(shè)計節(jié)省空間且制造成本低廉。在生產(chǎn)紅外光檢測器1時，應(yīng)執(zhí)行以下步驟制備薄膜膜片2 ；將金屬層沉積在薄膜膜片2上；將熱電敏感型物質(zhì)沉積在所述金屬層上；從所述熱電敏感型物質(zhì)和所述金屬層中去除多余的物質(zhì)，從而一起形成底部電極6和底部傳導(dǎo)路徑8以及熱電薄膜元件5和介電薄膜元件19 ；在設(shè)有頭部傳導(dǎo)路徑9的位置，沉積金屬氧化物層，以在底部電極6的突
8出部上形成電絕緣體27 ；將金屬沉積在介電薄膜元件19上，以形成第一中間傳導(dǎo)路徑12， 而且沉積在薄膜膜片2上，以形成第二中間傳導(dǎo)路徑13和安裝在絕緣體27上的頭部傳導(dǎo)路徑9。最終，通過將金屬沉積在介電薄膜元件5上而生產(chǎn)出頭部電極7。
或者，可執(zhí)行以下步驟來生產(chǎn)紅外光檢測器1 用底部電極6、底部傳導(dǎo)路徑8和熱電薄膜元件5來制備薄膜膜片2，借此熱電薄膜元件5的底部電極6突出，形成突出部；在設(shè)有頭部傳導(dǎo)路徑9的位置，沉積金屬氧化物層，以在底部電極6的突出部上形成電絕緣體 27，而且在底部傳導(dǎo)路徑8上形成介電薄膜元件19，這樣，介電薄膜元件19便與絕緣體27 一起形成；將金屬沉積在絕緣體27上，以形成頭部傳導(dǎo)路徑9，以及沉積在介電薄膜元件19 上，以形成第一中間傳導(dǎo)路徑12，而且沉積在薄膜膜片2上，以形成第二中間傳導(dǎo)路徑13。 最終，通過將金屬沉積在介電薄膜元件5上而生產(chǎn)出頭部電極7。
權(quán)利要求
1.一種紅外光檢測器，所述紅外光檢測器具有傳感器芯片G)，其具有由熱電敏感型物質(zhì)制成的薄膜元件(5)；電絕緣體(XT)；采用薄膜結(jié)構(gòu)的至少一個電子部件(17、18)，其形成讀出電子設(shè)備的一部分；以及薄膜膜片O)，用以與所述傳感器芯片(4)和所述電子部件(17、18)形成整體，從而使所述電子部件(17、18)以導(dǎo)電方式與所述薄膜元件(5)耦接， 同時信號放大器02)可連接到所述電子部件(17、18)，由此通過與所述電子部件(17、18) 協(xié)作，對所述傳感器芯片(4)所發(fā)射的電信號進(jìn)行放大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外光檢測器，其中至少一個電子部件為電阻器(17)和/或具有介電薄膜元件(19)的電容器(18)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的紅外光檢測器，其中用具有相同厚度的相同物質(zhì)生產(chǎn)所述熱電薄膜元件( 和所述介電薄膜元件(19)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的紅外光檢測器，用所述絕緣體(27)的物質(zhì)，即金屬氧化物，尤其是氧化鋁生產(chǎn)所述介電薄膜元件(19)，其中所述絕緣體(XT)和所述介電薄膜元件(19) 具有相同的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2到4中任一權(quán)利要求所述的紅外光檢測器，其中所述電阻(17)的額定值在IOOM Ω到500GQ，而且所述電容器(18)在0. IpF到100pF。
6.一種紅外光檢測系統(tǒng)，其具有根據(jù)權(quán)利要求1到5中任一權(quán)利要求所述的紅外光檢測器，以及結(jié)型場效應(yīng)晶體管和/或用于信號放大器0 的運算放大器(22)，其中所述信號放大器0 連接到所述紅外光檢測器(1)。
7.一種用于生產(chǎn)根據(jù)權(quán)利要求1到5中任一權(quán)利要求所述的紅外光檢測器的方法，其包括以下步驟制備薄膜膜片(2)；將熱電敏感型物質(zhì)沉積在所述薄膜膜片( 上，以形成所述熱電敏感型物質(zhì)的薄膜；從所述薄膜中去除多余的物質(zhì)，從而一起形成熱電薄膜元件( 和介電薄膜元件 (19)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其包括以下步驟將金屬沉積在所述薄膜膜片(2)上， 以形成金屬層(6、8)；去除所述多余的物質(zhì)，這樣，便可在底部傳導(dǎo)路徑(8)上一起形成所述熱電薄膜元件 (5)及其底部電極(6)以及所述底部傳導(dǎo)路徑(8)和所述介電薄膜元件(19)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其中所述熱電薄膜元件( 和所述介電薄膜元件 (19)具有相同的厚度且由相同的物質(zhì)制成。
10.一種用于生產(chǎn)根據(jù)權(quán)利要求1到5中任一權(quán)利要求所述的紅外光檢測器的方法，其包括以下步驟制備薄膜膜片O)；將金屬沉積在所述薄膜膜片( 上，以形成金屬層；將熱電敏感型物質(zhì)沉積在所述金屬層上，以形成所述熱電敏感型物質(zhì)的薄膜；從所述薄膜和所述金屬層中去除多余的物質(zhì)，從而一起形成熱電薄膜元件( 及其底部電極(6)以及底部傳導(dǎo)路徑(8)，其中所述熱電薄膜元件(5)的所述底部電極(6)具有橫向突出部；在設(shè)有頭部傳導(dǎo)路徑(9)的位置，沉積金屬氧化物層，以在所述底部電極(6)的所述突出部上形成電絕緣體(27)，而且在所述底部傳導(dǎo)路徑(8)上形成所述介電薄膜元件(19)， 這樣，所述介電薄膜元件(19)便與所述絕緣體(XT) 一起形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述絕緣體(XT)與所述介電薄膜元件(19)的厚度相等且由相同物質(zhì)制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求7到11中任一權(quán)利要求所述的方法，其包括以下步驟將金屬沉積在所述介電薄膜元件(19)上，以形成電容器(18)，而且沉積在所述薄膜膜片上，以形成中間傳導(dǎo)路徑(13)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種紅外光檢測器，所述紅外光檢測器具有傳感器芯片(4)，其包括由熱電敏感型材料制成的薄膜元件(5)；電絕緣體(27)；具有薄膜設(shè)計的至少一個電子部件(17、18)，其形成讀出電子設(shè)備單元的一部分；以及薄膜膜片(2)，所述傳感器芯片(4)和所述電子部件(17、18)以并排的方式一體安裝在所述薄膜膜片上，從而使所述電子部件(17、18)以導(dǎo)電方式耦接到所述薄膜元件(5)。信號放大器(22)可連接到所述電子部件(17、18)，通過所述信號放大器與所述電子部件(17、18)協(xié)作，可對所述傳感器芯片(4)所發(fā)射的電信號進(jìn)行放大。
文檔編號G01J5/20GK102549402SQ201080042863
公開日2012年7月4日 申請日期2010年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月11日
發(fā)明者卡斯頓·吉伯樂, 堤姆·察伯藍(lán), 尼爾·康威 申請人:派洛斯有限公司