專利名稱：以測量電壓效應為基礎的芯片失效方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種芯片失效點的分析方法，特別涉及一種以測量電壓效應為基礎的芯片失效方法。
背景技術：
在電子元器件的研制階段，失效分析可糾正設計和研制中的錯誤，縮短研制周期； 在電子元器件的生產(chǎn)、測試和使用階段，失效分析可找出電子元器件的失效原因和引起電子元器件失效的責任方。根據(jù)失效分析結(jié)果，元器件生產(chǎn)廠改進元器件的設計和生產(chǎn)工藝， 元器件使用方改進電路板設計，改進元器件或整機的測試、試驗條件及程序，甚至以此為根據(jù)更換不合格的元器件供貨商。因而，失效分析對加快電子元器件的研制速度，提高元器件和整機的成品率和可靠性有重要意義。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種以測量電壓效應為基礎的芯片失效方法，該方法簡單易行，可準確定位失效芯片的故障點。本發(fā)明的技術方案在于一種以測量電壓效應為基礎的芯片失效方法，其特征在于按以下步驟進行
1)將芯片通過開蓋機，并將封裝的樹脂去掉，將裸晶外露；
2)將芯片放入到工作電路中，讓芯片處于工作狀態(tài)；
3)開啟掃描電子顯微鏡，將加速電場電壓調(diào)整至60KV；
4)將正常的芯片放入樣品室進行掃描，得到正常芯片的電壓襯度像；
5)將失效的芯片放入樣品室進行掃描，得到失效芯片的電壓襯度像；
6)利用掃描電子顯微鏡的圖像顯示和記錄系統(tǒng)對正常芯片的電壓襯度像和失效芯片的電壓襯度像進行比較，求出并顯示差像，即可根據(jù)差像確定芯片的失效位置。本發(fā)明的優(yōu)點在于該方法簡單易行，可準確定位失效芯片的故障點。


圖1為本發(fā)明的流程示意圖。圖2為本發(fā)明的正常芯片的電壓襯度像。圖3為本發(fā)明的失效芯片的電壓襯度像。圖4為本發(fā)明的所確定的失效位置。
具體實施例方式一種以測量電壓效應為基礎的芯片失效方法，其特征在于按以下步驟進行
1)將芯片通過開蓋機，并將封裝的樹脂去掉，將裸晶外露；
2)將芯片放入到工作電路中，讓芯片處于工作狀態(tài)；3)開啟掃描電子顯微鏡，將加速電場電壓調(diào)整至60KV；
4)將正常的芯片放入樣品室進行掃描，得到正常芯片的電壓襯度像；
5)將失效的芯片放入樣品室進行掃描，得到失效芯片的電壓襯度像；
6)利用掃描電子顯微鏡的圖像顯示和記錄系統(tǒng)對正常芯片的電壓襯度像和失效芯片的電壓襯度像進行比較，求出并顯示差像，即可根據(jù)差像確定芯片的失效位置。 本發(fā)明的工作原理如下電子束在處于工作狀態(tài)的被測芯片表面掃描，掃描電子顯微鏡的二次電子探頭接收到的二次電子的數(shù)量與芯片表面的電位分布有關，芯片的負電位區(qū)發(fā)出大量的二次電子，該區(qū)的二次電子像顯示為亮區(qū)；芯片的正電位區(qū)發(fā)出的二次電子受阻，該區(qū)的二次電子像顯示為暗區(qū)。利用掃描電子顯微鏡的圖像顯示和記錄系統(tǒng)，對好壞芯片的工作狀態(tài)電壓襯度像進行運算，求出它們的差像，根據(jù)差像的情況確定芯片的故障點。
權利要求
1. 一種以測量電壓效應為基礎的芯片失效方法，其特征在于按以下步驟進行1)將芯片通過開蓋機，并將封裝的樹脂去掉，將裸晶外露；2)將芯片放入到工作電路中，讓芯片處于工作狀態(tài)；3)開啟掃描電子顯微鏡，將加速電場電壓調(diào)整至60KV；4)將正常的芯片放入樣品室進行掃描，得到正常芯片的電壓襯度像；5)將失效的芯片放入樣品室進行掃描，得到失效芯片的電壓襯度像；6)利用掃描電子顯微鏡的圖像顯示和記錄系統(tǒng)對正常芯片的電壓襯度像和失效芯片的電壓襯度像進行比較，求出并顯示差像，即可根據(jù)差像確定芯片的失效位置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種以測量電壓效應為基礎的芯片失效方法，其特征在于按以下步驟進行1)將芯片通過開蓋機，并將封裝的樹脂去掉，將裸晶外露；2)將芯片放入到工作電路中，讓芯片處于工作狀態(tài)；3)開啟掃描電子顯微鏡，將加速電場電壓調(diào)整至60kV；4)將正常的芯片放入樣品室進行掃描，得到正常芯片的電壓襯度像；5)將失效的芯片放入樣品室進行掃描，得到失效芯片的電壓襯度像；6)利用掃描電子顯微鏡的圖像顯示和記錄系統(tǒng)對正常芯片的電壓襯度像和失效芯片的電壓襯度像進行比較，求出并顯示差像，即可根據(jù)差像確定芯片的失效位置，該方法簡單易行，可準確定位失效芯片的故障點。
文檔編號G01R31/307GK102183724SQ201110006309
公開日2011年9月14日 申請日期2011年1月13日 優(yōu)先權日2011年1月13日
發(fā)明者林康生, 陳品霞 申請人:博嘉圣(福州)微電子科技有限公司