專利名稱：芯片鈉離子沾污失效分析實現(xiàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片鈉離子沾污失效分析實現(xiàn)方法，屬于芯片檢測分析領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
芯片為一種脈寬調(diào)制器芯片，在整機裝配調(diào)試過程中脈寬調(diào)制器出現(xiàn)失效。失效現(xiàn)象為啟動和關(guān)斷電壓發(fā)生變化，表現(xiàn)了參數(shù)漂移的特征，整機滿載輸出時輸出電壓偏低。 整機使用過程中有相同的失效現(xiàn)象，而且失效現(xiàn)象特征比較一致。通過現(xiàn)象分析可初步推斷出失效的原因為芯片生產(chǎn)過程中某個批次發(fā)生了鈉離子沾污了芯片表面事故，導致批次性的芯片的參數(shù)發(fā)生漂移。這樣對于鈉離子的檢測就至關(guān)重要了。因此，針對上述問題是本發(fā)明的研究目的。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種芯片鈉離子沾污失效分析實現(xiàn)方法，有利于對芯片沾污程度進行分析，了解芯片失效。本發(fā)明的特征在于一種芯片鈉離子沾污失效分析實現(xiàn)方法，包括次級離子質(zhì)譜儀，其特征在于，按如下步驟進行
a.Decap機將成品芯片的封裝去掉，露出芯片表面；
b.用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的離子圖譜；
c.用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的鈉離子分布d.結(jié)合離子圖譜和鈉離子分布圖對鈉離的沾污層度進行分析。本發(fā)明的優(yōu)點本發(fā)明利用次級離子質(zhì)譜儀檢測分析芯片鈉離子沾污情況，可有效了解芯片具體情況，防止由于鈉離子沾污造成芯片時效的事故發(fā)生。
圖1為本發(fā)明次級離子質(zhì)譜儀的結(jié)構(gòu)框圖。圖2本發(fā)明實施例結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式參考圖1和圖2，一種芯片鈉離子沾污失效分析實現(xiàn)方法，包括次級離子質(zhì)譜儀， 按如下步驟進行
a.Decap機將成品芯片的封裝去掉，露出芯片表面；
b.用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的離子圖譜；
c.用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的鈉離子分布d.結(jié)合離子圖譜和鈉離子分布圖對鈉離的沾污層度進行分析。上述次級離子質(zhì)譜儀將離子束的能量值設為10KV，離子束選擇銫離子束，設置的深度分辨率為lnm，橫向分辨率為lOOOnm，靈敏度>10_4，分析時間為5min。
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具體實施過程如下用Decap機將成品芯片的封裝去掉，露出芯片表面，然后用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的離子圖譜，用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的鈉離子分布圖，對鈉離的沾污層度進行分析。失效樣品的分析可以肯定，樣品芯片無過電燒毀。S IM S分析結(jié)果證明該樣品芯片有鈉離子沾污，并且芯片表面存在鈉離子聚集現(xiàn)象，樣品失效是由于樣品表面或鈍化層存在鈉離子沾污引起的。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種芯片鈉離子沾污失效分析實現(xiàn)方法，包括次級離子質(zhì)譜儀，其特征在于，按如下步驟進行a.Decap機將成品芯片的封裝去掉，露出芯片表面；b.用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的離子圖譜；c.用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的鈉離子分布圖；d.結(jié)合離子圖譜和鈉離子分布圖對鈉離的沾污層度進行分析。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片鈉離子沾污失效分析實現(xiàn)方法，其特征在于所述次級離子質(zhì)譜儀將離子束的能量值設為10KV，離子束選擇銫離子束，設置的深度分辨率為lnm， 橫向分辨率為lOOOnm，靈敏度>10_4，分析時間為5min。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種芯片鈉離子沾污失效分析實現(xiàn)方法，包括次級離子質(zhì)譜儀，其特征在于，按如下步驟進行a.Decap機將成品芯片的封裝去掉，露出芯片表面；b.用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的離子圖譜；c.用次級離子質(zhì)譜儀做出芯片表面的鈉離子分布圖；d.結(jié)合離子圖譜和鈉離子分布圖對鈉離的沾污層度進行分析。本發(fā)明利用次級離子質(zhì)譜儀檢測分析芯片鈉離子沾污情況，可有效了解芯片具體情況，防止由于鈉離子沾污造成芯片時效的事故發(fā)生。
文檔編號G01N27/62GK102169107SQ20111000805
公開日2011年8月31日 申請日期2011年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月15日
發(fā)明者林康生, 陳品霞 申請人:博嘉圣(福州)微電子科技有限公司