專(zhuān)利名稱(chēng)：基于各向異性導(dǎo)熱襯底的熱式風(fēng)傳感器及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制備于一種各向異性導(dǎo)熱襯底結(jié)構(gòu)的熱式風(fēng)速風(fēng)向傳感器，尤其 涉及一種低功耗的可實(shí)現(xiàn)自封裝的風(fēng)速風(fēng)向傳感器及其制備方法。
背景技術(shù)：
在熱式風(fēng)速風(fēng)向傳感器的設(shè)計(jì)中，封裝一直以來(lái)是阻礙其發(fā)展的技術(shù)瓶頸。一方 面其封裝材料即要求具有良好的熱傳導(dǎo)性能，又要求對(duì)傳感器具有保護(hù)作用，并且設(shè)計(jì)中 還需要考慮到封裝材料對(duì)傳感器靈敏度、可靠性以及價(jià)格等方面的影響，這就限制了傳感 器自身封裝設(shè)計(jì)的自由度。另一方面，熱式流量傳感器要求傳感器的敏感部分暴露在測(cè)量 環(huán)境中，同時(shí)又要求處理電路與環(huán)境隔離，以免影響處理電路的性能，兩者對(duì)封裝的要求產(chǎn) 生了矛盾。以往報(bào)道的硅風(fēng)速風(fēng)向傳感器大都將硅片的敏感表面直接暴露在自然環(huán)境中，以 便能夠感知外界風(fēng)速變化。這樣一來(lái)，硅片很容易受到各種污染，導(dǎo)致其性能的不穩(wěn)定，甚 至損壞。如果采用熱導(dǎo)率較高的陶瓷基片，利用倒裝焊封裝或者導(dǎo)熱膠貼附的方式對(duì)傳感 器硅芯片進(jìn)行封裝，就能夠較好的避免上述的矛盾，但是封裝后傳感器產(chǎn)生的熱量絕大部 分以熱傳導(dǎo)的方式從硅基襯底耗散掉，僅有很小的一部分通過(guò)陶瓷與外界空氣進(jìn)行了熱交 換，大大降低輸出敏感信號(hào)的幅值，通過(guò)增大傳感器的功耗能夠提高敏感信號(hào)的幅值，但又 造成整個(gè)傳感器系統(tǒng)較大的功耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種制備在各向異性導(dǎo)熱襯底結(jié)構(gòu)上的能夠?qū)崿F(xiàn)自封裝的 基于各向異性導(dǎo)熱襯底的熱式風(fēng)傳感器及其制備方法，設(shè)計(jì)的傳感器結(jié)構(gòu)以及封裝形式有 利于在保證較大敏感信號(hào)幅值的同時(shí)，傳感器系統(tǒng)具有較低的功耗。本發(fā)明采用如下技術(shù)方案
一種基于各向異性導(dǎo)熱襯底的熱式風(fēng)傳感器，包括各向異性導(dǎo)熱襯底，所述各向異性 導(dǎo)熱襯底的襯底中圍繞中心對(duì)稱(chēng)鑲嵌有玻璃隔熱內(nèi)環(huán)和玻璃隔熱外環(huán)，并且，所述玻璃隔 熱內(nèi)環(huán)將向異性導(dǎo)熱襯底分割成各向異性導(dǎo)熱襯底的中心硅襯底及玻璃隔熱內(nèi)環(huán)和玻璃 隔熱外環(huán)之間的硅襯底，各向異性導(dǎo)熱襯底的中心硅襯底下表面圍繞中心對(duì)稱(chēng)設(shè)置有4個(gè) 加熱元件，玻璃隔熱內(nèi)環(huán)和玻璃隔熱外環(huán)之間的硅襯底下表面圍繞4個(gè)加熱元件四周設(shè)置 有4個(gè)熱傳感測(cè)溫元件，在各向異性導(dǎo)熱襯底的邊沿區(qū)域設(shè)置有電引出用焊盤(pán)，其中電引 出用焊盤(pán)由鉬金屬層和金層組成，4個(gè)加熱元件和4個(gè)熱傳感測(cè)溫元件通過(guò)各向異性導(dǎo)熱 襯底背面的金屬引線與電引出用焊盤(pán)相連。一種基于各向異性導(dǎo)熱襯底的熱式風(fēng)傳感器的制備方法如下 第一步，各向異性導(dǎo)熱襯底的制備
步驟1，在硅芯片正表面利用DRIE干法刻蝕工藝制備100微米左右的環(huán)形內(nèi)槽和環(huán)形 外槽；步驟2，將玻璃與硅芯片正表面在真空環(huán)境下進(jìn)行陽(yáng)極鍵合，對(duì)環(huán)形內(nèi)槽和環(huán)形外槽進(jìn) 行真空密封；
步驟3，將鍵合后玻璃與硅芯片在一個(gè)大氣壓下加熱至550°C -900°C溫度范圍內(nèi)，進(jìn)行 熱成型，環(huán)形內(nèi)槽和環(huán)形外槽內(nèi)外壓力差使軟化后的玻璃填充至環(huán)形內(nèi)槽和環(huán)形外槽中直 至填滿，冷卻，將上述結(jié)構(gòu)退火消除應(yīng)力；
步驟4，利用機(jī)械減薄工藝去除環(huán)形內(nèi)槽中和環(huán)形外槽中以外的其他玻璃； 步驟5，利用機(jī)械減薄工藝對(duì)硅芯片的襯底進(jìn)行減薄直至露出環(huán)形內(nèi)槽中和環(huán)形外槽 的玻璃為止，至此形成玻璃隔熱內(nèi)環(huán)和玻璃隔熱外環(huán)，完成各向異性導(dǎo)熱襯底的制備，此時(shí) 各向異性導(dǎo)熱襯底7的厚度在100微米左右； 第二步，加熱元件和熱傳感測(cè)溫元件的制備
步驟1，在制備好的各向異性導(dǎo)熱襯底上表面懸涂光刻膠并曝光進(jìn)行圖形化，露出制備 加熱元件、熱傳感測(cè)溫元件和電引出用焊盤(pán)的區(qū)域； 步驟2，利用濺射工藝建設(shè)金屬鉬層；
步驟3，利用剝離工藝去除光刻膠和多余的金屬鉬層，完成加熱元件、熱傳感測(cè)溫元件 和電引出用焊盤(pán)的下層鉬金屬的制備；
步驟4，懸涂光刻膠并曝光進(jìn)行圖形化，露出制備電引出用焊盤(pán)的區(qū)域； 步驟5，濺射金屬金層；
步驟6，利用剝離工藝去除光刻膠和多余的金屬金層，完成電引出用焊盤(pán)的上層金層的 制備；
第三步，劃片，完成傳感器的制作。
本發(fā)明是一種在設(shè)計(jì)的各向異性導(dǎo)熱襯底結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)自封裝的風(fēng)速風(fēng)向傳感器 及其制備的方案。傳感器芯片的各向異性導(dǎo)熱襯底的背面與外界環(huán)境中的風(fēng)相接觸，4個(gè)加 熱元件和4個(gè)熱傳感測(cè)溫元件利用剝離工藝制備于各向異性導(dǎo)熱襯底的正表面，加熱元件 產(chǎn)生的熱量通過(guò)各向異性導(dǎo)熱襯底中的硅基傳導(dǎo)至各向異性導(dǎo)熱襯底的背面與外界環(huán)境 進(jìn)行熱交換，當(dāng)外界環(huán)境有風(fēng)存在的時(shí)候，就會(huì)在各向異性導(dǎo)熱襯底的背面形成一個(gè)沿風(fēng) 向方向的溫度梯度分布，這個(gè)溫度分布場(chǎng)會(huì)通過(guò)各向異性導(dǎo)熱襯底中的硅基傳導(dǎo)至各向異 性導(dǎo)熱襯底的正表面，熱傳感測(cè)溫元件就能夠檢測(cè)到這個(gè)溫度場(chǎng)的變化，進(jìn)而得到風(fēng)速和 風(fēng)向的信息。在各向異性導(dǎo)熱襯底的制備過(guò)程中，利用玻璃鑲嵌工藝在硅襯底中制備玻璃 隔熱內(nèi)環(huán)和玻璃隔熱外環(huán)，一方面玻璃隔熱內(nèi)環(huán)和玻璃隔熱外環(huán)能夠阻隔芯片襯底的橫向 熱傳導(dǎo)效應(yīng)，另一方面玻璃隔熱內(nèi)環(huán)和玻璃隔熱外環(huán)也為硅襯底在減薄和芯片劃片過(guò)程中 提供了必要的機(jī)械支撐，保證了硅襯底在能夠減薄至100微米左右的狀態(tài)且在劃片過(guò)程中 使得芯片不發(fā)生破裂，有利于降低芯片的整體功耗和減小芯片的整體熱容量，縮短傳感器 的熱響應(yīng)時(shí)間。各向異性導(dǎo)熱襯底上表面的加熱元件和熱傳感測(cè)溫元件位置下方的硅襯底 之間鑲嵌的玻璃隔熱內(nèi)環(huán)，能夠阻隔加熱元件與熱傳感測(cè)溫元件下方的硅襯底之間的橫向 熱傳導(dǎo)，使得加熱元件產(chǎn)生的熱量絕大部分能夠傳導(dǎo)至各向異性導(dǎo)熱襯底背面并與外界環(huán) 境產(chǎn)生熱交換，以用于檢測(cè)外界環(huán)境風(fēng)速的大小和方向，玻璃隔熱內(nèi)環(huán)能夠增加加熱元件 產(chǎn)生的熱量在縱向方向的傳導(dǎo)總量，進(jìn)而能夠增大加熱元件與外界環(huán)境的熱交換總量，有 利于降低傳感器的總體功耗。各向異性導(dǎo)熱襯底上表面的熱傳感測(cè)溫元件下方的硅襯底和 芯片邊緣硅襯底之間鑲嵌有玻璃隔熱外環(huán)，用于阻隔熱傳感測(cè)溫元件下方的硅襯底中的熱量與芯片外部環(huán)境之間的熱傳導(dǎo)，進(jìn)而使得在各向異性導(dǎo)熱襯底背面形成的溫度分布場(chǎng)的 信號(hào)能夠通過(guò)熱傳感測(cè)溫元件下方的硅襯底將信號(hào)量絕大部分通過(guò)硅襯底的熱傳導(dǎo)效應(yīng) 傳導(dǎo)給熱傳感測(cè)溫元件，因此玻璃隔熱外環(huán)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)能夠使得傳感器在較低功耗的情況 下保持一個(gè)較大的信號(hào)量和信號(hào)靈敏度，并減小傳感器的熱響應(yīng)時(shí)間。本發(fā)明傳感器的結(jié) 構(gòu)適用于制備二維的風(fēng)速風(fēng)向傳感器。本發(fā) 明獲得如下效果
1.在各向異性導(dǎo)熱襯底的制備過(guò)程中，利用玻璃鑲嵌工藝在硅襯底中制備玻璃隔熱 內(nèi)環(huán)和玻璃隔熱外環(huán)，一方面玻璃隔熱內(nèi)環(huán)和玻璃隔熱外環(huán)能夠阻隔芯片襯底的橫向熱傳 導(dǎo)效應(yīng)，另一方面玻璃隔熱內(nèi)環(huán)和玻璃隔熱外環(huán)也為硅襯底在減薄和芯片劃片過(guò)程中提供 了必要的機(jī)械支撐，保證了硅襯底在能夠減薄至100微米左右的狀態(tài)且在劃片過(guò)程中使得 芯片不發(fā)生破裂，有利于降低芯片的整體功耗和減小芯片的整體熱容量，縮短傳感器的熱 響應(yīng)時(shí)間。2.各向異性導(dǎo)熱襯底上表面的加熱元件和熱傳感測(cè)溫元件位置下方的硅襯底之 間鑲嵌的玻璃隔熱內(nèi)環(huán)，能夠阻隔加熱元件與熱傳感測(cè)溫元件下方的硅襯底之間的橫向熱 傳導(dǎo)，使得加熱元件產(chǎn)生的熱量絕大部分能夠傳導(dǎo)至各向異性導(dǎo)熱襯底背面并與外界環(huán)境 產(chǎn)生熱交換，以用于檢測(cè)外界環(huán)境風(fēng)速的大小和方向，玻璃隔熱內(nèi)環(huán)能夠增加加熱元件產(chǎn) 生的熱量在縱向方向的傳導(dǎo)總量，進(jìn)而能夠增大加熱元件與外界環(huán)境的熱交換總量，有利 于降低傳感器的總體功耗。3.各向異性導(dǎo)熱襯底上表面的熱傳感測(cè)溫元件下方的硅襯底和芯片邊緣硅襯底 之間鑲嵌有玻璃隔熱外環(huán)，用于阻隔熱傳感測(cè)溫元件下方的硅襯底中的熱量與芯片外部環(huán) 境之間的熱傳導(dǎo)，進(jìn)而使得在各向異性導(dǎo)熱襯底背面形成的溫度分布場(chǎng)的信號(hào)能夠通過(guò)熱 傳感測(cè)溫元件下方的硅襯底將信號(hào)量絕大部分通過(guò)硅襯底的熱傳導(dǎo)效應(yīng)傳導(dǎo)給熱傳感測(cè) 溫元件，因此玻璃隔熱外環(huán)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)能夠使得傳感器在較低功耗的情況下保持一個(gè)較大 的信號(hào)量和信號(hào)靈敏度，并減小傳感器的熱響應(yīng)時(shí)間。傳統(tǒng)的熱式風(fēng)速風(fēng)向傳感器，加熱元件制作在硅基芯片表面，在降低硅基襯底熱 傳導(dǎo)方面，一種方法是在硅芯片背面與加熱元件對(duì)應(yīng)區(qū)域利用濕法腐蝕工藝制備隔熱空 腔，其缺點(diǎn)在于制備出的熱感應(yīng)薄膜過(guò)于脆弱，熱應(yīng)力對(duì)信號(hào)檢測(cè)的影響較大，并且無(wú)法實(shí) 現(xiàn)傳感器的封裝。另一種方法是在加熱元件下面制備多孔硅隔熱層，由于孔硅的制備工藝 一致性較差，因此提高了后端傳感器信號(hào)調(diào)理的難度。本發(fā)明提出的傳感器結(jié)構(gòu)，在硅襯底 中利用玻璃鑲嵌工藝制備玻璃隔熱內(nèi)環(huán)和玻璃隔熱外環(huán)結(jié)構(gòu)，能夠保證在對(duì)硅襯底進(jìn)行減 薄和芯片劃片的過(guò)程中提供必要的機(jī)械支撐，使芯片的各向異性襯底能夠通過(guò)減薄工藝達(dá) 到100微米左右的厚度，大大降低了傳感器的功耗，并保證傳感器具有良好的信號(hào)靈敏度 和較小的熱響應(yīng)時(shí)間；玻璃隔熱內(nèi)環(huán)位于加熱元件和熱傳感測(cè)溫元件下方的硅襯底之間， 玻璃隔熱外環(huán)位于熱傳感測(cè)溫元件下方硅襯底與芯片邊緣硅襯底之間，玻璃隔熱內(nèi)環(huán)和玻 璃隔熱外環(huán)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)一方面能夠使加熱元件產(chǎn)生的熱量最大效率的傳導(dǎo)至各向異性導(dǎo) 熱襯底背面與外界環(huán)境發(fā)生熱交換進(jìn)而檢測(cè)外界環(huán)境風(fēng)速的大小和風(fēng)向的信息，另一方面 使得各向異性導(dǎo)熱襯底背面形成的溫度分布場(chǎng)能夠有效地將溫度分布信號(hào)通過(guò)硅襯底傳 導(dǎo)至熱傳感測(cè)溫元件，最大效率的對(duì)溫度分布場(chǎng)進(jìn)行檢測(cè)，這樣的玻璃隔熱內(nèi)環(huán)和玻璃隔 熱外環(huán)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)能夠很有效的降低傳感器的功耗，并使得傳感器在較低功耗情況下具有較大的輸出信號(hào)和較小的熱響應(yīng)時(shí)間。


圖1為各向異性導(dǎo)熱襯底的制備流程。圖2為在各向異性導(dǎo)熱襯底上制備加熱元件和測(cè)溫元件的制備流程。圖3為制備完成的硅芯片的頂視圖。圖4最終劃片后的單片傳感器芯片。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1
一種基于各向異性導(dǎo)熱襯底的熱式風(fēng)傳感器的制備方法如下 第一步，各向異性導(dǎo)熱襯底的制備，如圖1所示
步驟1，在硅芯片1正表面利用DRIE干法刻蝕工藝制備100微米左右的環(huán)形內(nèi)槽2和 環(huán)形外槽3 ；
步驟2，將玻璃4與硅芯片1正表面在真空環(huán)境下進(jìn)行陽(yáng)極鍵合，對(duì)環(huán)形內(nèi)槽2和環(huán)形 外槽3進(jìn)行真空密封；
步驟3，將鍵合后玻璃4與硅芯片1在一個(gè)大氣壓下加熱至550°C -900°C溫度范圍內(nèi)， 進(jìn)行熱成型，環(huán)形內(nèi)槽2和環(huán)形外槽3內(nèi)外壓力差使軟化后的玻璃4填充至環(huán)形內(nèi)槽2和 環(huán)形外槽3中直至填滿，冷卻，將上述結(jié)構(gòu)退火消除應(yīng)力；
步驟4，利用機(jī)械減薄工藝去除環(huán)形內(nèi)槽2中和環(huán)形外槽3中以外的其他玻璃； 步驟5，利用機(jī)械減薄工藝對(duì)硅芯片1的襯底進(jìn)行減薄直至露出環(huán)形內(nèi)槽2中和環(huán)形外 槽3的玻璃為止，至此形成玻璃隔熱內(nèi)環(huán)5和玻璃隔熱外環(huán)6，完成各向異性導(dǎo)熱襯底7的 制備，此時(shí)各向異性導(dǎo)熱襯底7的厚度在100微米左右； 第二步，加熱元件和熱傳感測(cè)溫元件的制備，如圖2所示
步驟1，在制備好的各向異性導(dǎo)熱襯底7上表面懸涂光刻膠8并曝光進(jìn)行圖形化，露出 制備加熱元件10、熱傳感測(cè)溫元件11和電引出用焊盤(pán)15的區(qū)域； 步驟2，利用濺射工藝建設(shè)金屬鉬層9 ；
步驟3，利用剝離工藝去除光刻膠8和多余的金屬鉬層9，完成加熱元件10、熱傳感測(cè)溫 元件11和電引出用焊盤(pán)15的下層鉬金屬12的制備；
步驟4，懸涂光刻膠13并曝光進(jìn)行圖形化，露出制備電引出用焊盤(pán)15的區(qū)域； 步驟5，濺射金屬金層14;
步驟6，利用剝離工藝去除光刻膠13和多余的金屬金層14，完成電引出用焊盤(pán)15的上 層金層16的制備；
第三步，劃片，完成傳感器的制作，如圖4所示。傳統(tǒng)的熱式風(fēng)速風(fēng)向傳感器，一般直接利用倒裝焊倒裝或者導(dǎo)熱膠貼附的形式與 陶瓷芯片實(shí)現(xiàn)封裝。由于硅的熱導(dǎo)率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于陶瓷的熱導(dǎo)率，因此封裝后硅上加熱元件產(chǎn) 生的熱量絕大部分從硅襯底以熱傳導(dǎo)的方式耗散掉，僅僅只有少量的熱量通過(guò)陶瓷芯片與 空氣產(chǎn)生熱對(duì)流換熱，這樣一方面大大降低了傳感器的輸出信號(hào)，另一方面提高了傳感器 的工作功率，降低了傳感器的效能?；谶@個(gè)問(wèn)題，前人提出在硅襯底背面制作空腔或者在加熱元件下制作一層多孔硅用于降低硅襯底的熱傳導(dǎo)，這樣由于多孔硅的制備工藝一致性 很差，對(duì)后期傳感器的信號(hào)調(diào)理帶來(lái)了很大的難度。 本發(fā)明是一種在設(shè)計(jì)的各向異性導(dǎo)熱襯底結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)自封裝的風(fēng)速風(fēng)向傳感器 制備的方案。傳感器芯片的各向異性導(dǎo)熱襯底7的背面與外界環(huán)境中的風(fēng)相接觸，4個(gè)加 熱元件10和4個(gè)熱傳感測(cè)溫元件11利用剝離工藝制備于各向異性導(dǎo)熱襯底7的正表面， 于芯片中心呈四邊對(duì)稱(chēng)分布，加熱元件10產(chǎn)生的熱量通過(guò)各向異性導(dǎo)熱襯底7中的硅襯底 傳導(dǎo)至各向異性導(dǎo)熱襯底7的背面與外界環(huán)境進(jìn)行熱交換，當(dāng)外界環(huán)境有風(fēng)存在的時(shí)候， 就會(huì)在各向異性導(dǎo)熱襯底7的背面形成一個(gè)沿風(fēng)向方向的溫度梯度分布，這個(gè)溫度分布場(chǎng) 會(huì)通過(guò)各向異性導(dǎo)熱襯底7中的硅基傳導(dǎo)至各向異性導(dǎo)熱襯底7的正表面，熱傳感測(cè)溫元 件11就能夠檢測(cè)到這個(gè)溫度場(chǎng)的變化，進(jìn)而得到風(fēng)速和風(fēng)向的信息。在各向異性導(dǎo)熱襯底 7上表面的加熱元件10和熱傳感測(cè)溫元件11的位置下方硅襯底之間鑲嵌有玻璃隔熱內(nèi)環(huán) 5和玻璃隔熱外環(huán)6，用于阻隔加熱元件10與熱傳感測(cè)溫元件11下方硅襯底之間的橫向熱 傳導(dǎo)，增強(qiáng)加熱元件10產(chǎn)生的熱量在縱向方向的傳導(dǎo)總量，那么這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)能夠增大 加熱元件10產(chǎn)生的熱量與外界環(huán)境的熱交換總量，并阻隔芯片中的熱量與芯片外界環(huán)境 之間的熱傳導(dǎo)，進(jìn)而可以使傳感器能夠在較低功耗下獲得較大靈敏度的信號(hào)，并保持較低 的熱響應(yīng)時(shí)間。實(shí)施例2
一種基于各向異性導(dǎo)熱襯底結(jié)構(gòu)的熱式風(fēng)速風(fēng)向傳感器，包括各向異性導(dǎo)熱襯底7，所 述各向異性導(dǎo)熱襯底7襯底中圍繞中心對(duì)稱(chēng)鑲嵌有玻璃隔熱內(nèi)環(huán)5和玻璃隔熱外環(huán)6，并 且，所述玻璃隔熱內(nèi)環(huán)5將向異性導(dǎo)熱襯底7分割成各向異性導(dǎo)熱襯底7的中心硅襯底及 玻璃隔熱內(nèi)環(huán)5和玻璃隔熱外環(huán)6之間的硅襯底，各向異性導(dǎo)熱襯底7的中心硅襯底下表 面圍繞中心對(duì)稱(chēng)設(shè)置有4個(gè)加熱元件10，玻璃隔熱內(nèi)環(huán)5和玻璃隔熱外環(huán)6之間的硅襯底 下表面圍繞4個(gè)加熱元件10四周設(shè)置有4個(gè)熱傳感測(cè)溫元件11，在各向異性導(dǎo)熱襯底7的 邊沿區(qū)域設(shè)置有電引出用焊盤(pán)15，其中電引出用焊盤(pán)15由鉬金屬層12和金層16組成，4 個(gè)加熱元件10和4個(gè)熱傳感測(cè)溫元件11通過(guò)各向異性導(dǎo)熱襯底7背面的金屬引線與電引 出用焊盤(pán)15相連。
權(quán)利要求
1.一種基于各向異性導(dǎo)熱襯底的熱式風(fēng)傳感器，其特征在于，包括各向異性導(dǎo)熱襯底 (7)，所述各向異性導(dǎo)熱襯底(7)襯底中圍繞中心對(duì)稱(chēng)鑲嵌有玻璃隔熱內(nèi)環(huán)(5)和玻璃隔熱 外環(huán)(6)，并且，所述玻璃隔熱內(nèi)環(huán)(5)將向異性導(dǎo)熱襯底(7)分割成各向異性導(dǎo)熱襯底(7) 的中心硅襯底及玻璃隔熱內(nèi)環(huán)(5)和玻璃隔熱外環(huán)(6)之間的硅襯底，各向異性導(dǎo)熱襯底 (7)的中心硅襯底下表面圍繞中心對(duì)稱(chēng)設(shè)置有4個(gè)加熱元件(10)，玻璃隔熱內(nèi)環(huán)(5)和玻璃 隔熱外環(huán)(6)之間的硅襯底下表面圍繞4個(gè)加熱元件(10)四周設(shè)置有4個(gè)熱傳感測(cè)溫元 件(11)，在各向異性導(dǎo)熱襯底(7)的邊沿區(qū)域設(shè)置有電引出用焊盤(pán)(15)，其中電引出用焊 盤(pán)(15)由鉬金屬層(12)和金層(16)組成，4個(gè)加熱元件(10)和4個(gè)熱傳感測(cè)溫元件(11) 通過(guò)各向異性導(dǎo)熱襯底(7)背面的金屬引線與電引出用焊盤(pán)(15)相連。
2.—種權(quán)利要求1所述的基于各向異性導(dǎo)熱襯底的熱式風(fēng)傳感器的制備方法，其特征 在于第一步，各向異性導(dǎo)熱襯底的制備步驟1，在硅芯片(1)正表面利用DRIE干法刻蝕工藝制備100微米左右的環(huán)形內(nèi)槽(2 ) 和環(huán)形外槽(3);步驟2，將玻璃(4)與硅芯片(1)正表面在真空環(huán)境下進(jìn)行陽(yáng)極鍵合，對(duì)環(huán)形內(nèi)槽(2)和 環(huán)形外槽(3)進(jìn)行真空密封；步驟3，將鍵合后玻璃(4)與硅芯片(1)在一個(gè)大氣壓下加熱至550°C -900°C溫度范圍 內(nèi)，進(jìn)行熱成型，環(huán)形內(nèi)槽(2)和環(huán)形外槽(3)內(nèi)外壓力差使軟化后的玻璃(4)填充至環(huán)形 內(nèi)槽(2)和環(huán)形外槽(3)中直至填滿，冷卻，將上述結(jié)構(gòu)退火消除應(yīng)力；步驟4，利用機(jī)械減薄工藝去除環(huán)形內(nèi)槽(2)中和環(huán)形外槽(3)中以外的其他玻璃； 步驟5，利用機(jī)械減薄工藝對(duì)硅芯片(1)的襯底進(jìn)行減薄直至露出環(huán)形內(nèi)槽(2)中和環(huán) 形外槽(3)的玻璃為止，至此形成玻璃隔熱內(nèi)環(huán)(5)和玻璃隔熱外環(huán)(6)，完成各向異性導(dǎo) 熱襯底(7)的制備，此時(shí)各向異性導(dǎo)熱襯底(7)的厚度在100微米左右； 第二步，加熱元件和熱傳感測(cè)溫元件的制備步驟1，在制備好的各向異性導(dǎo)熱襯底(7)上表面懸涂光刻膠(8)并曝光進(jìn)行圖形化， 露出制備加熱元件(10)、熱傳感測(cè)溫元件(11)和電引出用焊盤(pán)(15)的區(qū)域； 步驟2，利用濺射工藝建設(shè)金屬鉬層(9)；步驟3，利用剝離工藝去除光刻膠(8)和多余的金屬鉬層(9)，完成加熱元件(10)、熱傳 感測(cè)溫元件(11)和電引出用焊盤(pán)(15)的下層鉬金屬(12)的制備；步驟4，懸涂光刻膠(13)并曝光進(jìn)行圖形化，露出制備電引出用焊盤(pán)(15)的區(qū)域； 步驟5，濺射金屬金層(14);步驟6，利用剝離工藝去除光刻膠(13)和多余的金屬金層(14)，完成電引出用焊盤(pán) (15)的上層金層(16)的制備;第三步，劃片，完成傳感器的制作。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種基于各向異性導(dǎo)熱襯底的熱式風(fēng)傳感器，傳感器芯片包含各向異性導(dǎo)熱襯底，在各向異性導(dǎo)熱襯底上表面于中心對(duì)稱(chēng)分布有4個(gè)加熱元件，4個(gè)加熱元件四周對(duì)稱(chēng)分布有4個(gè)熱傳感測(cè)溫元件，各向異性導(dǎo)熱襯底背面與外界環(huán)境進(jìn)行接觸，對(duì)風(fēng)速和風(fēng)向進(jìn)行檢測(cè)，在各向異性導(dǎo)熱襯底中加熱元件和熱傳感測(cè)溫元件下方硅襯底之間鑲嵌有玻璃隔熱內(nèi)環(huán)，在熱傳感測(cè)溫元件下方硅襯底和芯片邊緣硅襯底之間鑲嵌有玻璃隔熱外環(huán)，這兩個(gè)玻璃隔熱環(huán)一方面能夠保證各向異性襯底利用減薄工藝減薄至100微米左右厚度，另一方面能夠降低傳感器的總功耗，使得傳感器在較低功耗下保持較大的信號(hào)靈敏度和較小的熱響應(yīng)時(shí)間。
文檔編號(hào)G01P13/02GK102147421SQ201110008119
公開(kāi)日2011年8月10日 申請(qǐng)日期2011年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月17日
發(fā)明者秦明, 董自強(qiáng), 黃慶安 申請(qǐng)人:東南大學(xué)