專利名稱：一種基于菊花鏈回路設(shè)計(jì)的定位失效凸點(diǎn)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝和通信技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種定位失效凸點(diǎn)的方法，可用于WLP (Wafer Level package，圓片級(jí)封裝)等凸點(diǎn)間距小的器件類型或其他具有焊點(diǎn)陣列結(jié)構(gòu)的器件。
背景技術(shù)：
在電子封裝器件焊點(diǎn)可靠性測(cè)試中，現(xiàn)有的技術(shù)是通過(guò)PCB (印刷電路板)電路設(shè)計(jì)使測(cè)試器件焊點(diǎn)形成單一菊花鏈回路。在可靠性試驗(yàn)中(如熱沖擊等)，測(cè)試系統(tǒng)接通菊花鏈兩端，監(jiān)控菊花鏈回路的電阻變化，以此來(lái)判斷器件焊點(diǎn)是否發(fā)生失效。這種測(cè)試方法不能準(zhǔn)確獲得器件發(fā)生失效的凸點(diǎn)位置，一個(gè)測(cè)試樣本只能得到一個(gè)數(shù)據(jù)。如果要得到更多的失效信息，則需要進(jìn)一步的失效分析手段，因此該方法試驗(yàn)成本高、周期長(zhǎng)?，F(xiàn)有的另一種技術(shù)是將試驗(yàn)器件和試驗(yàn)板分成幾個(gè)對(duì)稱的測(cè)試區(qū)域，在各個(gè)測(cè)試區(qū)域分別構(gòu)成菊花鏈回路，引出測(cè)試點(diǎn)。將測(cè)試系統(tǒng)與引出的測(cè)試點(diǎn)相連并完成測(cè)試，從而得到測(cè)試數(shù)據(jù)。這種技術(shù)相比之前的技術(shù)提高了測(cè)試效率，可以將失效焊點(diǎn)定位到區(qū)域，但仍存在許多不足，具體包括
1.對(duì)于關(guān)鍵凸點(diǎn)，即最外圈凸點(diǎn)的定位能力有限，無(wú)法精確定位到單個(gè)失效凸點(diǎn)，也不能實(shí)時(shí)測(cè)量封裝器件特定失效凸點(diǎn)的動(dòng)態(tài)變化過(guò)程，獲取關(guān)鍵凸點(diǎn)的失效信息有限。2.上述技術(shù)的部分測(cè)試點(diǎn)需從內(nèi)層凸點(diǎn)陣列引出，這對(duì)BGA (球柵陣列)等凸點(diǎn)間距大的封裝類型適用。但對(duì)于芯片尺寸在2 5mm的WLP或其他凸點(diǎn)間距較小的封裝類型， 測(cè)試點(diǎn)難以從內(nèi)層凸點(diǎn)陣列引出，上述技術(shù)的應(yīng)用受到限制。3.缺乏能應(yīng)用于不同凸點(diǎn)數(shù)量的、統(tǒng)一的菊花鏈設(shè)計(jì)準(zhǔn)則，方法不夠靈活。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種實(shí)時(shí)測(cè)量與定位失效凸點(diǎn)的方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中失效凸點(diǎn)定位精確度差、測(cè)試效率低、測(cè)試成本高、難于實(shí)時(shí)監(jiān)控封裝器件特定凸點(diǎn)的動(dòng)態(tài)失效變化過(guò)程等問(wèn)題。本發(fā)明提出的實(shí)時(shí)測(cè)量與定位失效凸點(diǎn)的方法，具體步驟如下
步驟1 為了精確定位失效凸點(diǎn)的位置，并使失效焊點(diǎn)判定算法具有通用性，對(duì)于N X N的凸點(diǎn)陣列，根據(jù)是否測(cè)試內(nèi)部凸點(diǎn)的可靠性，引入α、β、Υ三種菊花鏈回路單元，并在各個(gè)回路中引出測(cè)試點(diǎn)。步驟2 通過(guò)編程控制數(shù)據(jù)采集器動(dòng)態(tài)監(jiān)控各個(gè)菊花鏈單元內(nèi)部的電阻值的變化，用接通特定菊花鏈的不同回路形成的阻值判據(jù)來(lái)定位失效凸點(diǎn)。定位算法采用基于α、 β、Y三種菊花鏈回路單元的判定算法。步驟3 在封裝器件可靠性測(cè)試的過(guò)程中實(shí)時(shí)輸出各特定回路單元測(cè)試信息，獲得失效凸點(diǎn)的位置和失效時(shí)刻。下面對(duì)各個(gè)步驟作進(jìn)一步具體說(shuō)明在步驟1中，關(guān)于α、β、Y三種菊花鏈回路單元的介紹如下 (1) α類型菊花鏈回路單元，包括A、B、C三個(gè)凸點(diǎn)，三個(gè)凸點(diǎn)之間的電連接通過(guò)凸點(diǎn)與測(cè)試芯片之間的焊盤的連接實(shí)現(xiàn)，A、B、C三個(gè)凸點(diǎn)分別引出測(cè)試端X1、X2、X3，這三個(gè)測(cè)試引出端分別從凸點(diǎn)與PCB之間的焊盤引出。al，bl，cl分別是A、B、C三個(gè)凸點(diǎn)位于測(cè)試芯片上的鏈接點(diǎn)，al、bl、cl依次相連。a 2，b2, c2分別是A、B、C三個(gè)凸點(diǎn)在PCB上的鏈接點(diǎn)。連接側(cè)視圖如圖1所示，其中，單線箭頭表示連線，雙線箭頭表示引出端。(2) β類型菊花鏈回路單元，包括A、B、C、D四個(gè)凸點(diǎn)，四個(gè)凸點(diǎn)之間的電連接通過(guò)凸點(diǎn)與測(cè)試芯片之間的焊盤的連接實(shí)現(xiàn)，A、B、C、D四個(gè)凸點(diǎn)分別引出測(cè)試端X1、X2、X3、 X4，這四個(gè)測(cè)試引出端分別從凸點(diǎn)與PCB之間的焊盤引出。al,bl,cl,dl分別是A、B、C、D 四個(gè)凸點(diǎn)位于測(cè)試芯片上的鏈接點(diǎn)，al、bl、cl、dl依次相連，a2、b2、c2、d2分別是A、B、 C、D四個(gè)凸點(diǎn)在PCB上的鏈接點(diǎn)。連接側(cè)視圖如圖2所示，其中，單線箭頭表示連線，雙線箭頭表示引出端。(3)y類型菊花鏈回路單元，包括A、B、C、D、E五個(gè)凸點(diǎn)，五個(gè)凸點(diǎn)之間的電連接通過(guò)凸點(diǎn)與測(cè)試芯片之間的焊盤的連接實(shí)現(xiàn)，A、B、C、D、E五個(gè)凸點(diǎn)分別引出測(cè)試端XI、X2、 X3、X4、X5，這五個(gè)測(cè)試引出端從凸點(diǎn)與PCB之間的焊盤引出。al,bl,cl,dl,el分別是A、 B、C、D、E五個(gè)凸點(diǎn)位于測(cè)試芯片上的鏈接點(diǎn)，al、bl、cl、dl、el依次相連，a2, b2, c2，d2， e2分別是A、B、C、D、E五個(gè)凸點(diǎn)在PCB上的鏈接點(diǎn)。連接側(cè)視圖如圖3所示，其中，單線箭頭表示連線，雙線箭頭表示引出端。圖1 3中的al el表示芯片上的鏈接點(diǎn)，a2 e2表示PCB上的鏈接點(diǎn)。從 a2 e2接出引出端& &。al bl、bl cl、cl dl、dl el之間進(jìn)行菊花鏈的鏈接。在熱可靠性測(cè)試中，由于外圈凸點(diǎn)熱應(yīng)力大，器件凸點(diǎn)的失效位置通常先出現(xiàn)在外圈，因此外圈凸點(diǎn)的定位比較關(guān)鍵。針對(duì)不同數(shù)量的凸點(diǎn)陣列，為了定位特定的外圈失效凸點(diǎn)，菊花鏈的設(shè)計(jì)僅包括α、β、Y三種類型。該設(shè)計(jì)的最大的優(yōu)點(diǎn)是可以利用前述三種簡(jiǎn)單通用算法的組合適應(yīng)于不同數(shù)量的凸點(diǎn)陣列，一方面減小了判定實(shí)現(xiàn)的難度，另一方面增強(qiáng)了菊花鏈的設(shè)計(jì)的靈活性。若要對(duì)內(nèi)部凸點(diǎn)的可靠性進(jìn)行測(cè)試，為引出測(cè)試連接點(diǎn)，可將外圈的菊花鏈的設(shè)計(jì)加以修改，如β退化為α，Y退化為β，即可引出內(nèi)部凸點(diǎn)的測(cè)試點(diǎn)。以4 Χ 4變化到1」12之間的8種凸點(diǎn)陣列為例，其凸點(diǎn)布置形式如表1所示。對(duì)于Nx N的凸點(diǎn)陣列(Ν>6)，如果僅測(cè)試外部凸點(diǎn)，共有4 (N_l)個(gè)測(cè)試點(diǎn)，如果要增加內(nèi)部凸點(diǎn)的測(cè)試，共有4Ν-6個(gè)測(cè)試點(diǎn)。對(duì)于前者，4(N-I)是4的倍數(shù)，可以由N-I個(gè) β單元組成；對(duì)于后者，當(dāng)Ν>6時(shí)，4Ν-6=4(Ν-3)+6，可以由Ν_3個(gè)β單元和2個(gè)α單元組成。從測(cè)試的凸點(diǎn)數(shù)來(lái)看，α、β、Υ三種類型分別測(cè)試3、4、5個(gè)凸點(diǎn)，所以2β = α + γ， 即2個(gè)β單元可轉(zhuǎn)換為一個(gè)α單元和一個(gè)Y單元的集合。綜上所述，對(duì)于N Χ N的凸點(diǎn)陣列(Ν>6)，無(wú)論是否增加內(nèi)部凸點(diǎn)的測(cè)試，外圈凸點(diǎn)的菊花鏈的設(shè)計(jì)都可以由α、β、γ 三種單元組合而成，連接形式為Χ α +Y β +Z γ (X、Y、Z為0或正整數(shù))。在步驟2中，關(guān)于α、β、Y三種菊花鏈單元的判定算法如下
在器件進(jìn)行可靠性試驗(yàn)前，分別測(cè)量各個(gè)測(cè)試模塊的電流值i；, J2, J3......In ,以凸點(diǎn)
電阻值增加7%為失效判據(jù)，對(duì)應(yīng)的WO/JCIOO+T) , IOOi2/￠100+7^……100/,/(100+乃為各模塊的電流閾值。T 一般取20，根據(jù)具體測(cè)試器件類型而定。對(duì)于模塊內(nèi)部凸點(diǎn)間的電流閾值的確定方法與上述相同。菊花鏈回路電流高于閾值標(biāo)記為1，表示沒(méi)有失效，低于閾值標(biāo)記為0，表示失效發(fā)生。XnXffl表示接通Xn和Xm回路，其中Xn，Xffl分別表示第n，m個(gè)連線引出點(diǎn)。通過(guò)其電流閾值判定法形成標(biāo)記值。例如，XnXm=O表示回路有凸點(diǎn)發(fā)生失效；XnXm=I表示回路凸點(diǎn)不發(fā)生失效。(1) α類型菊花鏈單元
回路內(nèi)部按數(shù)據(jù)采集的頻率進(jìn)行α類型回路算法(算法結(jié)構(gòu)如圖4所示)的掃描。具體過(guò)程如下
掃描XJ2，若&)(2=1，表明A和B完好；若X1X2=O^lJ A和B中至少有一個(gè)失效。對(duì)于X1X2=I的情況，進(jìn)一步掃描若)(2)(3=1，表明C完好；若)(2)(3=0，則可判定C 失效。對(duì)于X1X2=O的情況，再掃描W和W若X1X^ X2X3中任意一組為1，則該組的兩個(gè)焊點(diǎn)均完好；若X1X3^X2X3都為0，可判定最多僅有一個(gè)焊點(diǎn)不失效。(2) β類型菊花鏈單元
回路內(nèi)部按數(shù)據(jù)采集的頻率進(jìn)行β類型回路算法(算法結(jié)構(gòu)如圖5所示)的掃描。具體過(guò)程如下
掃描X1X2，若XJ2=I，表明A和B均完好；若XJ2=O，可判定A和B中至少有一個(gè)失效。對(duì)于的情況，進(jìn)一步掃描W和W 若)(2)(3=1，表明C完好；若)(2)(3=0，則判定C失效。若XA=I，表明D完好；若ΧΛ=0，可判定D失效。對(duì)于X1X2=O的情況，進(jìn)一步掃描X3X4 ①若)(3)(4=1，表明C和D完好；據(jù)此再進(jìn)一步掃描)( * ，若AX3=I，可判定A完好，B失效；若^C1X3=O,則判定A失效。若)(2X3=1，表明B完好，A失效；若)(2X3=0，可判定B失效。②若X3X4=O,可推斷C和D中至少有一個(gè)失效。 分別測(cè)量AX4，X1X3，X2X3,1 ，如果有任何一組結(jié)果為1，說(shuō)明該組的兩個(gè)焊點(diǎn)均完好，其余兩個(gè)焊點(diǎn)失效；如果所有結(jié)果都為0，可推斷最多僅有一個(gè)焊點(diǎn)不失效。(3) Y類型菊花鏈單元
回路內(nèi)部按數(shù)據(jù)采集的頻率進(jìn)行Y類型回路算法(如圖6所示)的掃描。具體過(guò)程如
下
首先使用β類型的算法判定焊點(diǎn)的失效情況，如果能定位完好的焊點(diǎn)，則測(cè)量完好焊點(diǎn)與E焊點(diǎn)形成的回路。若回路值為1，可判定E不失效；若回路值為0，則斷定E失效。如果采用β類型的算法不能定位完好焊點(diǎn)，則分別測(cè)量XJ5，X2X5, X3X5，W。如果有任意一組值為1，可斷定E完好，該組對(duì)應(yīng)的另一個(gè)焊點(diǎn)不失效；若&)(5、)(2)(5、Χ3Χ5、Χ4Χ5中有任意一組測(cè)試值為0，可推斷最多只有一個(gè)焊點(diǎn)未失效。從上述算法可知α類型單元能精確定位單個(gè)失效焊點(diǎn)；β類型單元能精確定位單個(gè)或兩個(gè)失效焊點(diǎn)；Y類型單元能夠精確定位1 3個(gè)失效焊點(diǎn)。定位焊點(diǎn)的能力 Υ>β>α,但算法復(fù)雜度Y > β > α。在步驟3中，如果發(fā)現(xiàn)菊花鏈的內(nèi)部存在失效凸點(diǎn)，則立即輸出失效凸點(diǎn)的位置和失效時(shí)刻，這可以通過(guò)編程實(shí)現(xiàn)。由于凸點(diǎn)可靠性的試驗(yàn)的時(shí)間有些很長(zhǎng)，如熱循環(huán)試驗(yàn)的周期一般為一個(gè)月以上，通過(guò)程序?qū)崟r(shí)采集數(shù)據(jù)并輸出失效凸點(diǎn)的位置和失效時(shí)刻，無(wú)疑提高了測(cè)試效率。


圖1為α類型菊花鏈單元結(jié)構(gòu)圖示。圖2為β類型菊花鏈單元結(jié)構(gòu)圖示。圖3為Y類型菊花鏈單元結(jié)構(gòu)圖示。圖4為α類型回路算法圖示。圖5為β類型回路算法圖示。圖6為Y類型回路算法(m為已知的未失效焊點(diǎn))圖示。圖7為10 χ 10 WLP器件外圈凸點(diǎn)的菊花鏈設(shè)計(jì)組合圖示。圖8為10 χ 10 WLP器件外圈凸點(diǎn)的菊花鏈設(shè)計(jì)組合圖示(考慮內(nèi)圈凸點(diǎn))。圖9. 10 χ 10 WLP器件芯片上的菊花鏈設(shè)計(jì)圖示。圖10為10 v 10 WLP器件PCB上的菊花鏈設(shè)計(jì)圖示。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明以10 χ 10 WLCSP 器件(Wafer Level Chip Size Package)為例說(shuō)明 步驟1 如果只測(cè)試外圈凸點(diǎn)的可靠性，外圈凸點(diǎn)的菊花鏈的設(shè)計(jì)組合為4 γ+4β，如
圖7所示。在芯片上進(jìn)行封裝器件的全部菊花鏈連接。由于Y單元定位失效凸點(diǎn)的能力比β單元更強(qiáng)，所以在封裝器件的四個(gè)邊角位置(熱可靠性測(cè)試中凸點(diǎn)最可能失效的位置) 使用Y單元菊花鏈連接。如果要增加內(nèi)部凸點(diǎn)可靠性的測(cè)試，外圈凸點(diǎn)的菊花鏈的設(shè)計(jì)為4 Y +2 β +2 α。內(nèi)部凸點(diǎn)形成一個(gè)大的菊花鏈回路，并通過(guò)外圈2個(gè)凸點(diǎn)的PCB鏈接端引出測(cè)試點(diǎn)。由此， IOx 10 WLP器件可由9個(gè)菊花鏈單元組成，包括2個(gè)α菊花鏈單元、2個(gè)β菊花鏈單元、 4個(gè)Y菊花鏈單元、1個(gè)內(nèi)部凸點(diǎn)菊花鏈單元(包括66個(gè)凸點(diǎn))。100個(gè)凸點(diǎn)可通過(guò)位置分別標(biāo)記為An，A12，A13……Aicutlt5外圈凸點(diǎn)與PCB的連接處引出輸出端口。如圖8所示。芯片上的菊花鏈的連接不僅包括外圈α、β、Y三種單元，還包括內(nèi)部菊花鏈的連接，具體形式為間隔選取內(nèi)部菊花鏈的連接，比如內(nèi)部菊花鏈的連接為=A14 — A24 — A23— 42—A32+A42—A52，則芯片上的連接形式為A14 — A24，A23 — A22，H PCB上的菊花鏈的連接包括A24_A23，Am-A32，A42—A52的連接。外圈凸點(diǎn)的菊花鏈連接包括2個(gè)α菊花鏈單元、2個(gè)β菊花鏈單元、4個(gè)γ菊花鏈單元。芯片上和PCB上的菊花鏈的連接設(shè)計(jì)分別如圖9和圖10所示。步驟2 通過(guò)編程控制數(shù)據(jù)采集器動(dòng)態(tài)監(jiān)控各個(gè)菊花鏈單元內(nèi)部的電阻值。數(shù)據(jù)采集的頻率可以根據(jù)用戶需要自由控制。以熱沖擊測(cè)試為例，可在每個(gè)周期的升溫結(jié)束時(shí)刻、高溫保溫的結(jié)束時(shí)刻、降溫結(jié)束時(shí)刻、低溫保溫的結(jié)束時(shí)刻各采集一次數(shù)據(jù)。步驟3 假設(shè)在Tl時(shí)刻，α、β、Y菊花鏈單元按照上述算法未發(fā)生失效，內(nèi)部凸
點(diǎn)形成的菊花鏈的引出回路為1，說(shuō)明所有回路內(nèi)的凸點(diǎn)未發(fā)生失效。假設(shè)在Τ2時(shí)刻，巧單元掃描結(jié)果為“)(8Χ9=1與YJ3=1與X9X1Q=0”，輸出Amq凸點(diǎn)失效。假設(shè)在T3時(shí)亥ij，h單元掃描結(jié)果為“AXici=I與LY3=I與Χ8Χ9=0”，輸出A19凸點(diǎn)失效。在測(cè)試結(jié)束時(shí)，可以得到匯總的失效信息T2時(shí)刻Amci凸點(diǎn)失效，Τ3時(shí)刻A19凸點(diǎn)失效。
表1.不同凸點(diǎn)陣列對(duì)應(yīng)的菊花鏈的設(shè)計(jì)組合(供參考)
權(quán)利要求
1.一種基于菊花鏈回路設(shè)計(jì)的定位失效凸點(diǎn)的方法，其特征在于具體步驟如下步驟1 對(duì)于NX N的凸點(diǎn)陣列，根據(jù)是否測(cè)試內(nèi)部凸點(diǎn)的可靠性，引入α、β、Y三種菊花鏈回路單元，并在各個(gè)回路中引出測(cè)試點(diǎn)；步驟2 通過(guò)編程控制數(shù)據(jù)采集器動(dòng)態(tài)監(jiān)控各個(gè)菊花鏈單元內(nèi)部的電阻值的變化，用接通特定菊花鏈的不同回路形成的阻值判據(jù)來(lái)定位失效凸點(diǎn)，定位算法采用基于α、β、Υ 三種菊花鏈回路單元的判定算法；步驟3 在封裝器件可靠性測(cè)試的過(guò)程中實(shí)時(shí)輸出各特定回路單元測(cè)試信息，獲得失效凸點(diǎn)的位置和失效時(shí)刻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于菊花鏈回路設(shè)計(jì)的定位失效凸點(diǎn)的方法，其特征在于在步驟1中，所述α、β、Υ三種菊花鏈回路單元具體如下(1)α類型菊花鏈回路單元，包括Α、B、C三個(gè)凸點(diǎn)，三個(gè)凸點(diǎn)之間的電連接通過(guò)凸點(diǎn)與測(cè)試芯片之間的焊盤的連接實(shí)現(xiàn)；三個(gè)凸點(diǎn)分別引出測(cè)試端XI、Χ2、Χ3，這三個(gè)測(cè)試引出端分別從凸點(diǎn)與PCB之間的焊盤引出；設(shè)al，bl，cl分別是三個(gè)凸點(diǎn)位于測(cè)試芯片上的鏈接點(diǎn)，aUbUcl依次相連；a 2，b2, c2分別是三個(gè)凸點(diǎn)在PCB上的鏈接點(diǎn)；(2)β類型菊花鏈回路單元，包括A、B、C、D四個(gè)凸點(diǎn)，四個(gè)凸點(diǎn)之間的電連接通過(guò)凸點(diǎn)與測(cè)試芯片之間的焊盤的連接實(shí)現(xiàn)；四個(gè)凸點(diǎn)分別引出測(cè)試端X1、X2、X3、X4，這四個(gè)測(cè)試引出端分別從凸點(diǎn)與PCB之間的焊盤引出；設(shè)&1，131，(31，(11分別是4、8、(、0四個(gè)凸點(diǎn)位于測(cè)試芯片上的鏈接點(diǎn)，al、bl、cl、dl依次相連，a2、b2、c2、d2分別是四個(gè)凸點(diǎn)在PCB上的鏈接點(diǎn)；(3)γ類型菊花鏈回路單元，包括A、B、C、D、E五個(gè)凸點(diǎn)，五個(gè)凸點(diǎn)之間的電連接通過(guò)凸點(diǎn)與測(cè)試芯片之間的焊盤的連接實(shí)現(xiàn)；五個(gè)凸點(diǎn)分別引出測(cè)試端X1、X2、X3、X4J5，這五個(gè)測(cè)試引出端從凸點(diǎn)與PCB之間的焊盤引出；al，bl, cl, dl, el分別是五個(gè)凸點(diǎn)位于測(cè)試芯片上的鏈接點(diǎn)，al、bl、cl、dl、el依次相連，a2, b2, c2，d2，e2分別是五個(gè)凸點(diǎn)在PCB上的鏈接點(diǎn)；對(duì)于\ N的凸點(diǎn)陣列，外圈凸點(diǎn)的菊花鏈的設(shè)計(jì)都由α、β、Y三種單元組合而成， 連接形式為Χ α +Y β +Z γ，X、Y、Z為0或正整數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于菊花鏈回路設(shè)計(jì)的定位失效凸點(diǎn)的方法，其特征在于在步驟2中，所述α、β、γ三種菊花鏈單元的判定算法如下在器件進(jìn)行可靠性試驗(yàn)前，分別測(cè)量各個(gè)測(cè)試模塊的電流值J3……A ,以凸點(diǎn)電阻值增加7%為失效判據(jù)，對(duì)應(yīng)的WOi1ZiiOO+乃,IOOi2/(100+D……ioo/s/(ioo+rj為各模塊的電流閾值，對(duì)于模塊內(nèi)部凸點(diǎn)間的電流閾值的確定方法與上述相同；菊花鏈回路電流高于閾值標(biāo)記為1，表示沒(méi)有失效，低于閾值標(biāo)記為0，表示失效發(fā)生；XnXm表示接通Xn和Xm回路，其中xn，Xm分別表示第n，m個(gè)連線引出點(diǎn)；通過(guò)其電流閾值判定法形成標(biāo)記值=XnXm=O表示回路有凸點(diǎn)發(fā)生失效，XnXm=I表示回路凸點(diǎn)不發(fā)生失效；(1) α類型菊花鏈回路單元回路內(nèi)部按數(shù)據(jù)采集的頻率進(jìn)行α類型回路算法的掃描，具體過(guò)程如下掃描XJ2，若&)(2=1，表明A和B完好；若X1X2=O^lJ A和B中至少有一個(gè)失效；對(duì)于X1X2=I的情況，進(jìn)一步掃描W若)(2)(3=1，表明C完好；若)(2)(3=0，則可判定C失效；對(duì)于X1X2=O的情況，再掃描w和w若\\、X2X3中任意一組為1，則該組的兩個(gè)焊點(diǎn)均完好；若Xi)(3、)y(3都為0，可判定最多僅有一個(gè)焊點(diǎn)不失效；(2)β類型菊花鏈回路單元回路內(nèi)部按數(shù)據(jù)采集的頻率進(jìn)行β類型回路算法的掃描，具體過(guò)程如下掃描X1X2，若XA=I，表明A和B均完好；若XA=O，可判定A和B中至少有一個(gè)失效；對(duì)于X1X2=I的情況，進(jìn)一步掃描X2X3和X2X4 若ΧΑ=1，表明C完好；若X2X3=O,則判定 C失效；若XA=I，表明D完好；若ΧΛ=0，可判定D失效；對(duì)于X1X2=O的情況，進(jìn)一步掃描w ①若)(3)(4=1，表明C和D完好；據(jù)此再進(jìn)一步掃描 X1X3和X2X3'若XiX3=I，可判定A完好，B失效；若X1X3=O,則判定A失效；若X2X3=I，表明B完好，A失效；若X2X3=O,可判定B失效；②若X3X4=O,可推斷C和D中至少有一個(gè)失效；分別測(cè)量X1X4，X1X3，X2X3, ，如果有任何一組結(jié)果為1，說(shuō)明該組的兩個(gè)焊點(diǎn)均完好，其余兩個(gè)焊點(diǎn)失效；如果所有結(jié)果都為0，可推斷最多僅有一個(gè)焊點(diǎn)不失效；(3)γ類型菊花鏈回路單元回路內(nèi)部按數(shù)據(jù)采集的頻率進(jìn)行Y類型回路算法的掃描，具體過(guò)程如下首先使用β類型的算法判定焊點(diǎn)的失效情況，如果能定位完好的焊點(diǎn)，則測(cè)量完好焊點(diǎn)與E焊點(diǎn)形成的回路；若回路值為1，可判定E不失效；若回路值為0，則斷定E失效；如果采用β類型的算法不能定位完好焊點(diǎn)，則分別測(cè)量1 , ，XJ5，X4X5 ；如果有任意一組值為1，可斷定E完好，該組對(duì)應(yīng)的另一個(gè)焊點(diǎn)不失效；若X1Xpiy^X3XpX4X5中有任意一組測(cè)試值為0，可推斷最多只有一個(gè)焊點(diǎn)未失效。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于菊花鏈回路設(shè)計(jì)的定位失效凸點(diǎn)的方法，其特征在于在步驟3中，如果發(fā)現(xiàn)菊花鏈的內(nèi)部存在失效凸點(diǎn)，則立即輸出失效凸點(diǎn)的位置和失效時(shí)刻。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于菊花鏈回路設(shè)計(jì)的定位失效凸點(diǎn)的方法，其特征在于不同凸點(diǎn)陣列對(duì)應(yīng)的菊花鏈的設(shè)計(jì)組合如下
全文摘要
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝和通信技術(shù)領(lǐng)域，具體基于菊花鏈菊花鏈回路設(shè)計(jì)的定位失效凸點(diǎn)的方法。本發(fā)明主要針對(duì)圓片級(jí)封裝等小間距凸點(diǎn)的封裝類型，提出一種菊花鏈的設(shè)計(jì)及測(cè)試策略，包括如下步驟在N×N凸點(diǎn)陣列中引入α、β、γ三種菊花鏈回路單元，并分別引出測(cè)試點(diǎn)；動(dòng)態(tài)監(jiān)控各個(gè)菊花鏈單元內(nèi)部的電阻值的變化，以菊花鏈的不同回路形成的阻值判據(jù)來(lái)定位失效凸點(diǎn)；定位算法基于α、β、γ三種單元的判定算法；在器件可靠性測(cè)試過(guò)程中實(shí)時(shí)輸出失效凸點(diǎn)的位置和失效時(shí)刻。本發(fā)明提高了凸點(diǎn)可靠性測(cè)試的智能化和精確定位能力，提升了測(cè)試分析效率；可獲得豐富的測(cè)試信息，有效地降低了成本。
文檔編號(hào)G01N27/00GK102183548SQ201110063368
公開日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2011年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月16日
發(fā)明者洪榮華, 王珺 申請(qǐng)人:復(fù)旦大學(xué)