專利名稱：發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管驅(qū)動技術(shù)，且特別涉及一種具有保護功能的發(fā)光二極
管驅(qū)動裝置。
背景技術(shù)：
圖I顯示為傳統(tǒng)發(fā)光二極管(light emitting diode, LED)驅(qū)動裝置10的示意圖。請參照圖1，發(fā)光二極管驅(qū)動裝置10適于驅(qū)動由多個發(fā)光二極管(LED)L串接在一起的發(fā)光二極管串(LED string) 101，且其包括有控制晶片(control chip) 103、外掛電路(extensioncircuit) 105、功率開關(guān)(power switch)Q,以及電阻(resistor)Rcs0 其中，控 制晶片103會反應(yīng)于節(jié)點(node)N2上的電壓Vcs而產(chǎn)生驅(qū)動信號(driving 8丨8]^1)\^來切換功率開關(guān)Q，從而使得發(fā)光二極管串101得以運行在定電流(constant current)之下而發(fā)光。另外，外掛電路105由齊納二極管(Zener diode)ZD、電阻R、電容C，以及比較器(comparator)CMP所組成。而且,在發(fā)光二極管驅(qū)動裝置10的啟動期間(activationphase)，齊納二極管ZD、電阻R與電容C用以檢測節(jié)點NI上的電壓VD，藉以產(chǎn)生檢測電壓Vslpo其中，檢測電壓Vsuj在直流電壓Vbus大于齊納二極管ZD的電壓值(Vz)時，其值等于流經(jīng)齊納二極管ZD的電流(Iz)乘上電阻R的阻值，亦即VSLP = Iz*R。與此同時，一旦比較器CMP比較出檢測電壓Vsij高于預(yù)設(shè)電壓(predeterminedvoltage) Vset時，亦即發(fā)光二極管串101中有部分或全部的發(fā)光二級體L已發(fā)生短路(short)，則比較器CMP就會輸出錯誤信號(fault signal) FS給控制晶片103，藉以使得控制晶片103停止產(chǎn)生驅(qū)動信號Vpw，從而保護控制晶片103與功率開關(guān)Q免于受高電(直流電壓vBUS)的影響而損壞。然而，傳統(tǒng)發(fā)光二極管驅(qū)動裝置10的架構(gòu)存在著以下幾點的問題I、通常在某些情況下(例如發(fā)光二極管串101中全部的發(fā)光二級體L已發(fā)生短路，或者功率開關(guān)Q在發(fā)光二極管驅(qū)動裝置10的關(guān)閉期間而關(guān)閉時)，節(jié)點NI的電壓Vd會很高(一般為好幾百伏特)，所以必須利用齊納二極管ZD來擋住高壓(直流電壓Vbus)對于低壓制程的比較器CMP與/或控制晶片103的影響；以及2、齊納二極管ZD的電壓值(Vz)必須隨著直流電壓Vbus的改變而改變(例如當(dāng)直流電壓Vbus為200V時，則必須選用電壓值(Vz)為200V的齊納二極管ZD，請依此類推)，以至于傳統(tǒng)發(fā)光二極管驅(qū)動裝置10的架構(gòu)無法將齊納二極管ZD內(nèi)建/整合在控制晶片103中。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提出一種發(fā)光二極管驅(qū)動裝置，以改善背景技術(shù)所述及的問題。本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管驅(qū)動裝置，其適于驅(qū)動至少一發(fā)光二極管串，而且該發(fā)光二極管驅(qū)動裝置包括功率開關(guān)、第一電阻，以及控制晶片。其中，功率開關(guān)的第一端耦接至第一節(jié)點，而功率開關(guān)的第二端則耦接至第二節(jié)點，且發(fā)光二極管串耦接在直流電壓與第一節(jié)點之間。第一電阻耦接在第二節(jié)點與接地電位之間?？刂凭罱庸β书_關(guān)的控制端以及第一與第二節(jié)點，用以在發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的啟動期間，反應(yīng)于第二節(jié)點的電壓與穩(wěn)定電壓而產(chǎn)生驅(qū)動信號來切換功率開關(guān)，從而使得發(fā)光二極管串運行在定電流之下而發(fā)光，并且反應(yīng)于第一節(jié)點的電壓而獲得檢測電壓以與預(yù)設(shè)電壓進行比較，從而當(dāng)所述檢測電壓高于所述預(yù)設(shè)電壓時，停止產(chǎn)生所述驅(qū)動信號。
在本發(fā)明的一實施例中，控制晶片還用以在發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的關(guān)閉期間，限制流經(jīng)發(fā)光二極管串的電流，從而使得發(fā)光二極管串停止發(fā)光。在本發(fā)明的一實施例中，控制晶片包括驅(qū)動單元、檢測單元，以及控制主體。其中，驅(qū)動單元耦接功率開關(guān)的控制端與第二節(jié)點，用以在發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的啟動期間，反應(yīng)于控制信號而比較第二節(jié)點的電壓與所述穩(wěn)定電壓，并據(jù)以產(chǎn)生所述驅(qū)動信號來切換功率開關(guān)，從而使得發(fā)光二極管串運行在定電流之下而發(fā)光。檢測單元耦接第一節(jié)點，用以在發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的啟動期間，反應(yīng)于使能信號而檢測第一節(jié)點的電壓，藉以獲得所述檢測電壓以與所述預(yù)設(shè)電壓進行比較，從而當(dāng)所述檢測電壓高于所述預(yù)設(shè)電壓時，發(fā)出錯誤信號?？刂浦黧w耦接驅(qū)動單元與檢測單元，用以產(chǎn)生所述控制信號與使能信號以各別控制驅(qū)動單元與檢測單元的運作，并且反應(yīng)于所述錯誤信號而控制驅(qū)動單元停止產(chǎn)生所述驅(qū)動信號。在本發(fā)明的一實施例中，檢測單元還用以在發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的關(guān)閉期間，反應(yīng)于所述使能信號而限制流經(jīng)發(fā)光二極管串的電流，從而使得發(fā)光二極管串停止發(fā)光。在本發(fā)明的一實施例中，檢測單元包括第一與第二晶體管、第二至第四電阻，以及比較器。其中，第一晶體管的漏極耦接第一節(jié)點，而第一晶體管的基極則用以接收參考電壓。第二晶體管的柵極用以接收所述使能信號，第二晶體管的漏極耦接第一晶體管的柵極，而第二晶體管的源極則耦接至接地電位。第二電阻的第一端耦接第一晶體管的源極，而第二電阻的第二端則用以產(chǎn)生所述檢測電壓。第三電阻的第一端耦接第二電阻的第二端，而第三電阻的第二端則耦接至接地電位。第四電阻的第一端耦接第一晶體管的柵極，而第四電阻的第二端則耦接第一晶體管的源極。比較器的一輸入端耦接第二電阻的第二端以接收所述檢測電壓，比較器的另一輸入端用以接收所述預(yù)設(shè)電壓，而比較器的輸出端則用以輸出所述錯誤信號。在此條件下，第一晶體管為N通道空乏型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管，而第二晶體管為N通道增強型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管。在本發(fā)明的另一實施例中，檢測單元包括第一至第六晶體管、第二至第五電阻，以及比較器。其中，第一晶體管的漏極耦接第一節(jié)點，而第一晶體管的基極則用以接收參考電壓。第二晶體管的柵極用以接收所述使能信號，第二晶體管的漏極耦接第一晶體管的柵極，而第二晶體管的源極則耦接至接地電位。第二電阻的第一端耦接第一晶體管的源極，而第三電阻的第一端則耦接第二電阻的第二端。第四電阻的第一端耦接第一晶體管的柵極，而第四電阻的第二端則耦接第一晶體管的源極。第三晶體管的柵極與漏極耦接第三電阻的第二端，而第三晶體管的源極則耦接至接地電位。第四晶體管的柵極耦接第三晶體管的柵極，而第四晶體管的源極則耦接至接地電位。第五晶體管的源極耦接至系統(tǒng)電壓，而第五晶體管的柵極與漏極則耦接第四晶體管的漏極。第六晶體管的源極耦接至所述系統(tǒng)電壓，而第六晶體管的柵極則耦接第五晶體管的柵極。第五電阻的第一端耦接第六晶體管的漏極以產(chǎn)生所述檢測電壓，而第五電阻的第二端則耦接至接地電位。比較器的一輸入端耦接第五電阻的第一端以接收所述檢測電壓，比較器的另一輸入端用以接收所述預(yù)設(shè)電壓，而比較器的輸出端則用以輸出所述錯誤信號。在此條件下，第一晶體管為N通道空乏型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管；第二至第四晶體管分別為N通道增強型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管；而第五與第六晶體管分別為P通道增強型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管。
基于上述，本發(fā)明所提出的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置主要是根據(jù)空乏型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管的元件特性以設(shè)計出用以保護控制晶片與功率開關(guān)免于受高壓(直流電壓Vbus)的影響而損壞的檢測單元。而且，所設(shè)計出的檢測單元的架構(gòu)并不須隨著發(fā)光二極管串的運行電壓(直流電壓Vbus)的改變而改變，從而適于內(nèi)建/整合在控制晶片中。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。


下面的附圖是本發(fā)明的說明書的一部分，顯示了本發(fā)明的示例實施例，附圖與說明書的描述一起說明本發(fā)明的原理。圖I為傳統(tǒng)發(fā)光二極管驅(qū)動裝置10的示意圖。圖2為本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置20的示意圖。圖3A為本發(fā)明一實施例的檢測單元209的電路圖。圖3B為本發(fā)明另一實施例的檢測單元209的電路圖。主要元件符號說明10、20 :發(fā)光二極管驅(qū)動裝置101,201 :發(fā)光二極管串103,203 :控制晶片105:外掛電路205 :控制主體207 :驅(qū)動單元209 :檢測單元L :發(fā)光二極管Q :功率開關(guān)Rcs、R、Rl R4 :電阻ZD :齊納二極管C 電容CMP 比較器Ml M6:晶體管N1、N2:節(jié)點EN :使能信號CS :控制信號FS :錯誤信號Vpw :驅(qū)動信號
VSLP:檢測電壓Vbus :直流電壓Vset :預(yù)設(shè)電壓VBC:穩(wěn)定電壓Vref:參考電壓Vcs、VD:節(jié)點電壓Vdd :系統(tǒng)電壓
Ag:發(fā)光二極管串的陽極Ng:發(fā)光二極管串的陰極
具體實施例方式現(xiàn)將詳細參考本發(fā)明的示范性實施例，在附圖中說明所述示范性實施例的實例。另外，凡可能之處，在附圖及實施方式中使用相同標(biāo)號的元件/構(gòu)件代表相同或類似部分。圖2為本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管(light emitting diode,LED)驅(qū)動裝置20的示意圖。請參照圖2，發(fā)光二極管驅(qū)動裝置20適于驅(qū)動由多個發(fā)光二極管(LED)L串接在一起的至少一發(fā)光二極管串(LEDstring) 201，而且發(fā)光二極管驅(qū)動裝置20包括有功率開關(guān)(powerswitch) Q、電阻(resistor) Rcs,以及控制晶片(control chip) 203o在本實施例中，功率開關(guān)Q的第一端耦接至節(jié)點(node)Nl，而功率開關(guān)Q的第二端則耦接至節(jié)點N2，且發(fā)光二極管串201耦接在直流電壓Vbus與節(jié)點NI之間，亦即發(fā)光二極管串201的陽極(anode) Ad f禹接至直流電壓Vbus,而發(fā)光二極管串201的陰極(cathode)Ng則耦接至節(jié)點NI。電阻Re s耦接在節(jié)點N2與接地電位(ground)之間?？刂凭?03耦接功率開關(guān)Q的控制端以及節(jié)點NI與N2，用以在發(fā)光二極管驅(qū)動裝置20的啟動期間(activation phase),反應(yīng)于節(jié)點N2的電壓Vcs與穩(wěn)定電壓(bandgap voltage) Vbg(其值用以決定流經(jīng)發(fā)光二極管串201的電流)而產(chǎn)生驅(qū)動信號Vpw來切換功率開關(guān)Q，從而使得發(fā)光二極管串201運行在定電流(constant current)之下而發(fā)光。另外，控制晶片203還可以反應(yīng)于節(jié)點NI的電壓Vd而獲得檢測電壓(detectionvoltage,如圖3A與圖3B所繪示的VSlP,容后再詳述)以與預(yù)設(shè)電壓(predeterminedvoltage,如圖3A與圖3B所繪示的Vset)進行比較,從而當(dāng)檢測電壓Vsij高于預(yù)設(shè)電壓Vset時，停止產(chǎn)生驅(qū)動信號VPW。再者，控制晶片203還可以在發(fā)光二極管驅(qū)動裝置20的關(guān)閉期間(shut-down phase)，限制流經(jīng)發(fā)光二極管串201的電流，從而使得發(fā)光二極管串201停止發(fā)光。更清楚來說，控制晶片203可以包括有控制主體(control body) 205、驅(qū)動單元(driving unit) 207,以及檢測單元(detection unit) 209o其中，控制主體205 f禹接驅(qū)動單元207與檢測單元209,用以產(chǎn)生控制信號(control signal)CS與使能信號(enablesignal) EN來各別控制驅(qū)動單元207與檢測單元209的運作。驅(qū)動單元207耦接功率開關(guān)Q的控制端與節(jié)點N2，用以在發(fā)光二極管驅(qū)動裝置20的啟動期間，反應(yīng)于控制主體205所產(chǎn)生的控制信號CS(例如邏輯“I”)而比較節(jié)點N2的電壓Vcs與穩(wěn)定電壓Vm,并據(jù)以產(chǎn)生驅(qū)動信號Vpw來切換功率開關(guān)Q，從而使得發(fā)光二極管串201得以運行在定電流之下而發(fā)光。
檢測單元209耦接節(jié)點NI，用以在發(fā)光二極管驅(qū)動裝置20的啟動期間，反應(yīng)于控制主體205所產(chǎn)生的使能信號EN(例如邏輯“0”)而檢測節(jié)點NI的電壓VD，藉以獲得檢測電壓Vap以與預(yù)設(shè)電壓Vset進行比較，從而當(dāng)檢測電壓Vap高于預(yù)設(shè)電壓Vset時，發(fā)出錯誤信號(faultsignal)FS給控制主體205。如此一來，控制主體205便會反應(yīng)于在檢測單元209所發(fā)出的錯誤信號FS而產(chǎn)生控制信號CS(例如邏輯“0”)，藉以控制驅(qū)動單元207停止產(chǎn)生驅(qū)動信號VPW。此外，檢測單元209還可以在發(fā)光二極管驅(qū)動裝置20的關(guān)閉期間，反應(yīng)于在控制主體205所產(chǎn)生的使能信號EN(例如邏輯“I”)而限制流經(jīng)發(fā)光二極管串201的電流，從而使得發(fā)光二極管串201停止發(fā)光。在此，圖3A繪示為本發(fā)明一實施例的檢測單元209的電路圖。請合并參照圖 2與圖3A，圖3A所示的檢測單元209包括(高壓)N通道空乏型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(N-channel depletion typeMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffeCtTranSiStor))Ml(以下簡稱為晶體管Ml)、N通道增強型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(N-channel enhancement type M0SFET)M2 (以下簡稱為晶體管 M2)、電阻(resistor) Rl R3,以及比較器(comparator) CMP。其中，晶體管Ml的漏極(drain)稱接節(jié)點NI,而晶體管Ml的基極(body)則用以接收參考電壓(reference voltage)Vref(例如接地電位,但并不限制于此)。晶體管M2的柵極(gate)用以接收控制主體205所產(chǎn)生的使能信號EN，晶體管M2的漏極耦接晶體管Ml的柵極，而晶體管M2的源極(source)則耦接接地電位。電阻Rl的第一端耦接晶體管Ml的源極，而電阻Rl的第二端則用以產(chǎn)生檢測電壓VaP。電阻R2的第一端耦接電阻Rl的第二端，而電阻R2的第二端則耦接至接地電位。電阻R3的第一端耦接晶體管Ml的柵極，而電阻R3的第二端則耦接晶體管Ml的源極。比較器CMP的一輸入端耦接電阻Rl的第二端以接收檢測電壓Vsu>，比較器CMP的另一輸入端用以接收預(yù)設(shè)電壓VSET，而比較器CMP的輸出端則用以輸出錯誤信號FS。另外，圖3B為本發(fā)明另一實施例的檢測單元209的電路圖。請合并參照圖2、圖3A與圖3B，圖3B所示的檢測單元209包括(高壓)N通道空乏型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管Ml (以下簡稱為晶體管Ml)、N通道增強型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管M2 M4(以下簡稱為晶體管M2 M4)、P通道增強型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管M5與M6 (以下簡稱為晶體管M5與M6)、電阻Rl R4，以及比較器CMP。其中，晶體管Ml的漏極耦接節(jié)點NI，而晶體管Ml的基極則用以接收參考電壓Vref (例如接地電位，但并不限制于此)。晶體管M2的柵極用以接收控制主體205所產(chǎn)生的使能信號EN，晶體管M2的漏極耦接晶體管Ml的柵極，而晶體管M2的源極則耦接至接地電位。電阻Rl的第一端耦接晶體管Ml的源極，而電阻R2的第一端則耦接電阻Rl的第二端。電阻R3的第一端耦接晶體管Ml的柵極，而電阻R3的第二端則耦接晶體管Ml的源極。晶體管M3的柵極與漏極耦接電阻R2的第二端，而晶體管M3的源極則耦接至接地電位。晶體管M4的柵極耦接晶體管M3的柵極，而晶體管M4的源極則耦接至接地電位。晶體管M5的源極耦接至系統(tǒng)電壓(systemvoltage) VDD，而晶體管M5的柵極與漏極則耦接晶體管M4的漏極。晶體管M6的源極耦接至系統(tǒng)電壓VDD，而晶體管M6的柵極則耦接晶體管M5的柵極。電阻R4的第一端耦接晶體管M6的漏極以產(chǎn)生檢測電壓VaP，而電阻R4的第二端則耦接至接地電位。比較器CMP的一輸入端耦接電阻R4的第一端以接收檢測電壓VaP，比較器CMP的另一輸入端用以接收預(yù)設(shè)電壓Vset，而比較器CMP的輸出端則用以輸出錯誤信號FS?；谏鲜觯诎l(fā)光二極管驅(qū)動裝置20的啟動期間，控制主體205會產(chǎn)生邏輯“I”的控制信號CS給驅(qū)動單元207，藉以致使驅(qū)動單元207比較節(jié)點N2的電壓Vcs與穩(wěn)定電壓Vm，并據(jù)以產(chǎn)生驅(qū)動信號Vpw來切換功率開關(guān)Q，從而使得發(fā)光二極管串201得以運行在定電流之下而發(fā)光。與此同時，控制主體205會產(chǎn)生邏輯“0”的使能信號EN給檢測單元209，藉以關(guān)閉晶體管M2。如此一來，由于此時晶體管Ml的源極的電壓(VS_J小于在其夾止電壓(pinch-off voltage, Vpinch_dep),且晶體管Ml的漏極的電壓(Vdrain)約等于其源極的電壓(VS_J，所以檢測電壓Vap在圖3A與圖3B中即可以分別表示如下式子I與2 :Vslp = Vsource*R2/(Rl+R2)...l
Vslp = Vsource*R4/(Rl+R2)...2其中，Rl、R2與R4分別表示為電阻Rl、R2與R4的阻值。一旦比較器CMP比較出檢測電壓Vsuj高于預(yù)設(shè)電壓Vset時，亦即發(fā)光二極管串201中有部分或全部的發(fā)光二級體L已發(fā)生短路(short)，則比較器CMP就會輸出錯誤信號FS給控制主體205。如此一來，控制主體205便會產(chǎn)生邏輯“0”的控制信號CS以控制驅(qū)動單元207停止產(chǎn)生驅(qū)動信號VPW，從而保護控制晶片203與功率開關(guān)Q免于受直流電壓Vbus的影響而損壞。另一方面，在發(fā)光二極管驅(qū)動裝置20的關(guān)閉期間，控制主體205會產(chǎn)生邏輯“I”的使能信號EN給檢測單元209，藉以導(dǎo)通晶體管M2。如此一來，由于此時晶體管Ml的漏極的電壓(Vdrain)等于直流電壓Vbus，且晶體管Ml的源極的電壓(VS_J約等于其夾止電壓(Vpinch_cbp)，所以流經(jīng)發(fā)光二極管串201的電流(Im)即可以表示如下式子3 :Iled = Vpinch_dep/R3. . . 3其中，R3表示為電阻R3的阻值。由此可知，只要將電阻R3的阻值提高，流經(jīng)發(fā)光二極管串201的電流(Imi)就會越小。因此，本實施例僅須大幅地提升電阻R3的阻值，就可在發(fā)光二極管驅(qū)動裝置20的關(guān)閉期間，限制流經(jīng)發(fā)光二極管串201的電流(Imi)(亦即低于發(fā)光二極管串201的最小導(dǎo)通電流)，從而使得發(fā)光二極管串201停止發(fā)光。由此可知，本實施例乃是透過晶體管Ml來擋住高壓(直流電壓Vbus)對于低壓制程的比較器CMP與/或控制晶片203的影響。另外，本實施例還可以藉由改變晶體管Ml的基極(body)所接收的參考電壓Vref來改變晶體管Ml的夾止電壓(Vpinch_cbp)，藉以符合實際應(yīng)用(application)的需求。綜上所述，本發(fā)明所提出的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置20主要是根據(jù)空乏型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管Ml的元件特性以設(shè)計出用以保護控制晶片203與功率開關(guān)Q免于受高壓(Vbus)的影響而損壞的檢測單元209。而且，所設(shè)計出的檢測單元209的架構(gòu)并不須隨著發(fā)光二極管串201的運行電壓(Vbus)的改變而改變，從而適于內(nèi)建/整合在控制晶片203中。雖然本發(fā)明已以實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員，當(dāng)可作些許更動與潤飾，而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。另外，本發(fā)明的任一實施例或申請專利范圍不須達成本發(fā)明所揭示的全部目的或優(yōu)點或特點。此外，摘要部分和標(biāo)題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，并非用來限制本發(fā)明的權(quán)利范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管驅(qū)動裝置，適于驅(qū)動至少一發(fā)光二極管串，而該發(fā)光二極管驅(qū)動裝置包括 一功率開關(guān)，其第一端耦接至一第一節(jié)點，而其第二端則耦接至一第二節(jié)點，其中該發(fā)光二極管串耦接在一直流電壓與該第一節(jié)點之間； 一第一電阻，耦接在該第二節(jié)點與一接地電位之間；以及 一控制晶片，耦接該功率開關(guān)的控制端以及該第一與該第二節(jié)點，用以在該發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的一啟動期間，反應(yīng)于該第二節(jié)點的電壓與一穩(wěn)定電壓而產(chǎn)生一驅(qū)動信號來切換該功率開關(guān)，從而使得該發(fā)光二極管串運行在一定電流之下而發(fā)光，并且反應(yīng)于該第一節(jié)點的電壓而獲得一檢測電壓以與一預(yù)設(shè)電壓進行比較，從而當(dāng)該檢測電壓高于該預(yù)設(shè)電壓時，停止產(chǎn)生該驅(qū)動信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置，其中該控制晶片還用以在該發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的一關(guān)閉期間，限制流經(jīng)該發(fā)光二極管串的電流，從而使得該發(fā)光二極管串停止發(fā)光。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置，其中該控制晶片包括 一驅(qū)動單元，耦接該功率開關(guān)的控制端與該第二節(jié)點，用以在該發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的該啟動期間，反應(yīng)于一控制信號而比較該第二節(jié)點的電壓與該穩(wěn)定電壓，并據(jù)以產(chǎn)生該驅(qū)動信號來切換該功率開關(guān)，從而使得該發(fā)光二極管串運行在該定電流之下而發(fā)光； 一檢測單元，耦接該第一節(jié)點，用以在該發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的該啟動期間，反應(yīng)于一使能信號而檢測該第一節(jié)點的電壓，藉以獲得該檢測電壓以與該預(yù)設(shè)電壓進行比較，從而當(dāng)該檢測電壓高于該預(yù)設(shè)電壓時，發(fā)出一錯誤信號；以及 一控制主體，耦接該驅(qū)動單元與該檢測單元，用以產(chǎn)生該控制信號與該使能信號以分別控制該驅(qū)動單元與該檢測單元的運作，并且反應(yīng)于該錯誤信號而控制該驅(qū)動單元停止產(chǎn)生該驅(qū)動信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置，其中該檢測單元還用以在該發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的該關(guān)閉期間，反應(yīng)于該使能信號而限制流經(jīng)該發(fā)光二極管串的電流，從而使得該發(fā)光二極管串停止發(fā)光。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置，其中該檢測單元包括 一第一晶體管，其漏極耦接該第一節(jié)點，而其基極則用以接收一參考電壓； 一第二晶體管，其柵極用以接收該使能信號，其漏極耦接該第一晶體管的柵極，而其源極則稱接該接地電位； 一第二電阻，其第一端耦接該第一晶體管的源極，而其第二端則用以產(chǎn)生該檢測電壓； 一第三電阻，其第一端耦接該第二電阻的第二端，而其第二端則耦接至該接地電位； 一第四電阻，其第一端耦接該第一晶體管的柵極，而其第二端則耦接該第一晶體管的源極；以及 一比較器，其一輸入端耦接該第二電阻的第二端以接收該檢測電壓，其另一輸入端用以接收該預(yù)設(shè)電壓，而其輸出端則用以輸出該錯誤信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置，其中 該第一晶體管為一 N通道空乏型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管；以及該第二晶體管為一N通道增強型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置，其中該檢測單元包括 一第一晶體管，其漏極耦接該第一節(jié)點，而其基極則用以接收一參考電壓； 一第二晶體管，其柵極用以接收該使能信號，其漏極耦接該第一晶體管的柵極，而其源極則稱接該接地電位； 一第二電阻，其第一端耦接該第一晶體管的源極； 一第三電阻，其第一端耦接該第二電阻的第二端； 一第四電阻，其第一端耦接該第一晶體管的柵極，而其第二端則耦接該第一晶體管的源極； 一第三晶體管，其柵極與漏極耦接該第三電阻的第二端，而其源極則耦接至該接地電位； 一第四晶體管，其柵極耦接該第三晶體管的柵極，而其源極則耦接至該接地電位； 一第五晶體管，其源極耦接至一系統(tǒng)電壓，而其柵極與漏極則耦接該第四晶體管的漏極； 一第六晶體管，其源極耦接至該系統(tǒng)電壓，而其柵極則耦接該第五晶體管的柵極； 一第五電阻，其第一端耦接該第六晶體管的漏極以產(chǎn)生該檢測電壓，而其第二端則耦接至該接地電位；以及 一比較器，其一輸入端耦接該第五電阻的第一端以接收該檢測電壓，其另一輸入端用以接收該預(yù)設(shè)電壓，而其輸出端則用以輸出該錯誤信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置，其中 該第一晶體管為一 N通道空乏型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管； 該第二至該第四晶體管分別為一N通道增強型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管；以及 該第五與該第六晶體管分別為一 P通道增強型金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管。
全文摘要
一種發(fā)光二極管驅(qū)動裝置，包括功率開關(guān)，其第一端耦接第一節(jié)點，而其第二端耦接第二節(jié)點，其中一發(fā)光二極管串耦接在直流電壓與第一節(jié)點之間；第一電阻，耦接在第二節(jié)點與接地電位之間；以及控制晶片，用以在發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的啟動期間，反應(yīng)于第二節(jié)點的電壓與一穩(wěn)定電壓而產(chǎn)生驅(qū)動信號來切換功率開關(guān)，從而使得發(fā)光二極管串得以運行在定電流之下而發(fā)光，并反應(yīng)于第一節(jié)點的電壓而獲得檢測電壓以與預(yù)設(shè)電壓進行比較，從而當(dāng)檢測電壓高于預(yù)設(shè)電壓時，停止產(chǎn)生驅(qū)動信號?？刂凭械臋z測單元能保護控制晶片與功率開關(guān)免受高壓的影響而損壞，而且此檢測單元的架構(gòu)并不須隨著發(fā)光二極管串的運行電壓的改變而改變，適于內(nèi)建/整合在控制晶片中。
文檔編號G01R19/00GK102638918SQ20111007577
公開日2012年8月15日 申請日期2011年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月15日
發(fā)明者曾揚玳 申請人:力林科技股份有限公司