專利名稱：具有頂帽的魯棒傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及傳感器，并且尤其是，涉及被配置為感測(cè)流體性質(zhì)的魯棒傳感
O
背景技術(shù)：
傳感器通常用來感測(cè)流體的一個(gè)或多個(gè)性質(zhì)。例如，流量傳感器和壓力傳感器在諸如工業(yè)過程控制、醫(yī)療設(shè)備、發(fā)動(dòng)機(jī)等應(yīng)用的廣泛變型中使用。流量傳感器通常用于測(cè)量流體的流速，并為儀表和/或控制提供流量信號(hào)。同樣地，壓力傳感器通常用于測(cè)量流體的壓力，并為儀表和/或控制提供壓力信號(hào)。這些僅僅是能夠用于感測(cè)流體的一個(gè)或多個(gè)性質(zhì)的傳感器的一些例子。當(dāng)暴露于所感測(cè)的流體時(shí)，一些傳感器可能易于損壞。例如，傳感器可能易于損壞或?qū)駳?、顆粒物、腐蝕特性或所感測(cè)流體的其他條件敏感。在一些情況下，傳感器的準(zhǔn)確性和/或可靠性可能會(huì)受到影響。因此，存在對(duì)魯棒傳感器的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明大體上涉及傳感器，并且尤其是，涉及被配置為感測(cè)流體性質(zhì)的傳感器。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，用于提供從入口到出口的流體流量的測(cè)量的流量傳感器組件包括相對(duì)于膜固定的一個(gè)或多個(gè)流量傳感器部件，以及用于支持該膜的基板。在一些情況下，通過該膜把該一個(gè)或多個(gè)流量傳感器部件從該基板基本上熱隔離。一個(gè)或多個(gè)接線焊盤可位于該基板的第一側(cè)附近并且可被提供用于相對(duì)于該一個(gè)或多個(gè)流量傳感器部件傳送信號(hào)。頂帽可位于該基板的第一側(cè)附近并相對(duì)于該基板固定。頂帽可限定該流量傳感器組件的該入口和/或該出口的至少一部分并且可以至少部分地限定從入口延伸、經(jīng)過所述一個(gè)或多個(gè)流量傳感器部件中的至少一個(gè)、并且伸出所述流量傳感器組件的出口的流體通道。頂帽可被構(gòu)造并且相對(duì)于該基板的該第一側(cè)被附著，使得該一個(gè)或多個(gè)接線焊盤不暴露于該流體通道中的流體，但是易接近(accessible)用于電連接到外部設(shè)備。雖然流量傳感器被用作例子，但是根據(jù)需要，可以預(yù)見任何合適的傳感器都可被使用。上述概要并非旨在描述每個(gè)公開的示例性例子或本公開的每個(gè)實(shí)施方式。下面的描述更具體地舉例說明了各種示例性實(shí)施例。


應(yīng)該參照附圖閱讀下面的描述。該附圖不一定是按比例繪制，其描繪所選擇的示例性實(shí)施例而不旨在限定本公開的范圍?？申P(guān)于附圖考慮下面的多個(gè)示例性實(shí)施例的描述來更完整地理解本公開，其中圖1是示例性流量傳感器芯片(flow sensor die)的示意性頂視圖；圖2是沿線2-2獲得的圖1的示例性流量傳感器芯片的示意性截面圖；圖3是另一示例性流量傳感器芯片的示意性頂視圖；圖4是沿線4-4獲得的圖3的示例性流量傳感器芯片的示意性截面圖5是在部分截面處示出的具有在上部帽壁處形成的入口和出口的流量傳感器組件的示意性透視圖；圖6是具有在帽的一個(gè)(或多個(gè))側(cè)壁處形成的入口和/或出口的流量傳感器組件的示意性透視圖；圖7是具有由流量傳感器芯片基板和帽的一個(gè)(或多個(gè))側(cè)壁共同形成的入口和 /或出口的流量傳感器組件的示意性透視圖；以及圖8是形成具有流量傳感器芯片和帽的流量傳感器組件的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式應(yīng)該參照附圖閱讀下面的描述，其中在不同圖中的相似部件以相似的方式進(jìn)行編號(hào)。所述附圖不一定是按比例繪制，其描繪所選擇的示例性實(shí)施例而不旨在限定本公開的范圍。雖然針對(duì)各種部件圖示了結(jié)構(gòu)、尺寸、和材料的例子，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該意識(shí)到所提供的例子中很多都具有可利用的合適替代方案。圖1是示例性流量傳感器芯片100的示意性頂視圖。雖然流量傳感器被用作本公開中的一個(gè)例子，但是根據(jù)需要，可以預(yù)見任何合適的傳感器都可被使用。如果需要，示例性的流量傳感器芯片100可被制造為在硅晶片上的復(fù)數(shù)個(gè)流量傳感器芯片中的一個(gè)，盡管可以預(yù)見任何合適的基板材料都可被使用。圖2是沿截面線2-2獲得的圖1的示例性流量傳感器芯片100的示意性截面圖。示例性流量傳感器芯片100包括基板102 (見圖2)，其可以是硅或任何其他合適的材料，并且可以被一個(gè)或多個(gè)薄膜層104覆蓋。對(duì)“上”、“下”、 “頂”、“底”等的提及是相對(duì)措辭并且相對(duì)于附圖在此做出，而且并不一定與實(shí)際物理空間中的任何特定方向相對(duì)應(yīng)。一個(gè)或多個(gè)薄膜層104可以由任何合適的材料使用任何合適的制造技術(shù)，諸如薄膜沉積方法來形成。合適的薄膜材料可包括硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或任何其他合適的材料或材料組合。在一些情況下，薄膜層104可以形成由基板102支持的膜106。膜邊界108可以區(qū)分形成膜的薄膜層104的區(qū)域。形成在基板102中的空隙110(見圖2)可位于膜106之下?？障?10可以任何合適的方式形成，諸如硅蝕刻。當(dāng)使用蝕刻來形成空隙110時(shí)，薄膜層104的最底層可以是蝕刻停止層，但這不是必需的。根據(jù)需要，蝕刻停止層可以是單獨(dú)的層，諸如氧化層或其他層。空隙110的蝕刻可產(chǎn)生定義完善的厚度的膜。一個(gè)或多個(gè)流量傳感器部件可相對(duì)于膜106被固定。在所示的例子中，加熱器 112和感測(cè)電阻114和116作為流量傳感器部件被提供在薄膜層104之內(nèi)或之上。加熱器112和感測(cè)電阻114，116(傳感器元件)可以是惠斯通電橋流量傳感器的部件，例如在美國專利號(hào) 7，278，309 Dmytriw 等人 “INTERDIGITATED FULL WHEATSTONE BRIDGE FLOW SENSORTRANSDUCER”中所描述的，其全部?jī)?nèi)容在此引入以供參考。示例性流量傳感器芯片 100可包括未設(shè)置在膜106之內(nèi)或之上的其他流量傳感器部件，諸如溫度電阻器118。流量傳感器部件的全部，或子集，都可以通常被稱為“流量傳感器”。在所提供的例子中，流量傳感器部件可以任何合適的方法形成在薄膜層104之內(nèi)或之上。例如，電阻部件可被沉積并限定在一個(gè)(或多個(gè))薄膜層的下部膜的頂部。各種各樣的薄膜電阻材料都可用，包括白金、摻雜多晶硅、摻雜晶體硅、坡莫合金、硅鉻合金、鉭、 氮化鉭、鉻合金、鎳鉻合金、和/或任何其他合適的材料或材料組合。在電阻限定后，薄膜保護(hù)層，諸如氮化硅，可被沉積在電阻上?？障?10的蝕刻可在電阻和薄膜層的沉積后執(zhí)行。 可以使用任何合適的蝕刻技術(shù)，諸如采用各向異性蝕刻劑(例如，Κ0Η、ΤΜΑΗ、或EDP)的濕蝕刻或干蝕刻，深反應(yīng)離子蝕刻。在結(jié)合流量傳感器芯片100的流量傳感器中，流體可被指向流過固定于和/或設(shè)置于膜106之內(nèi)或之上的流量傳感器部件。在所示的例子中，流體流量可在方向箭頭120 所指示的方向上流動(dòng)。加熱器112可將電能消耗為熱量，以升溫在其附近的流體。電阻114 被示出在加熱器112的下游位置處，且電阻116被示出在加熱器112的上游位置處(或反之亦然)。取決于流體流速，可產(chǎn)生感測(cè)電阻114和116之間的溫度差。該流量傳感器的性能可取決于從流體，而不通過其他熱傳導(dǎo)路徑，傳遞到感測(cè)電阻114和116的熱量。在所示的實(shí)施例中，膜106可基本上把加熱器112和感測(cè)電阻114、 116，和/或其他流量傳感器部件(如果存在的話)從基板熱隔離。在沒有這樣的熱隔離的情況下，熱量可從基板傳導(dǎo)到流量傳感器組件/從流量傳感器部件傳導(dǎo)到基板，這可能會(huì)降低傳感器的靈敏度和/或性能。材料的選擇可以提供額外的或替代方式來熱隔離流量傳感器部件，其可使用在具有或不具有隔熱膜的流量傳感器中。例如，可使用低導(dǎo)熱率的基板材料，諸如熔融二氧化硅、熔融石英、和/或硼硅酸鹽玻璃。此外或可替代地，熱隔離可通過基板上的低導(dǎo)熱率薄膜來獲得，諸如多孔氧化硅、氣凝膠、或任何其他合適的材料。在所示的例子中，流量傳感器芯片100可包括一個(gè)或多個(gè)位于基板102附近或之上的接線焊盤122。在一些示例性實(shí)施例中，接線焊盤位于沿著基板的一側(cè)，如圖1所示，但這不是必需的。在一些示例性實(shí)施例中，根據(jù)需要，接線焊盤120可被布置為沿著多個(gè)芯片邊緣，或在傳感器芯片100上的其他位置。接線焊盤120可配置為用于相對(duì)于一個(gè)或多個(gè)流量傳感器部件，諸如加熱器112、感測(cè)電阻114，116、和/或溫度電阻118傳送信號(hào)。根據(jù)需要，接線焊盤可包括黃金、鋁、銅、或任何其他合適的導(dǎo)體材料或材料組合或主要由黃金、 鋁、銅、或任何其他合適的導(dǎo)體材料或材料組合形成?？商峁┷E線(trace)以將接線焊盤電連接到合適的流量傳感器部件。其他流量傳感器芯片配置是可預(yù)期的。圖3和4分別是另一示例性流量傳感器芯片200的示意性頂視圖和示意性截面圖。示例性流量傳感器芯片200與流量傳感器芯片 100共享許多特征。流量傳感器芯片200可包括被基板202支持的薄膜層204的膜206，具有布置在該膜上的一個(gè)或多個(gè)流量傳感器部件，諸如加熱器212和感測(cè)電阻214，216。流量傳感器芯片200在一些方面不同于流量傳感器芯片100。例如，接線焊盤被布置在流量傳感器芯片200左側(cè)(222)和右側(cè)(224)。并且，溝槽226被形成在芯片內(nèi)以至少在部分上限定延伸通過至少一個(gè)流量傳感器部件的流體通道入口和出口。在示例性實(shí)施例中，流量傳感器芯片諸如芯片100和200，可與頂帽相結(jié)合以形成提供流體流量測(cè)量的流量傳感器組件。例如，圖5示出了在部分截面上示出的流量傳感器組件500的示意透視圖。流量傳感器組件500包括流量傳感器芯片550，其可與流量傳感器芯片100或200，或任何其他合適的流量傳感器芯片相似或相同。頂帽552被顯示為位于流量傳感器芯片550上接線焊盤554所位于的一側(cè)附近，并可相對(duì)于基板555固定。頂帽552 可限定孔，其至少部分地限定流量傳感器組件500的入口 556和出口 558。術(shù)語“入口”和 “出口 ”可以是隨意的，并可以依據(jù)流體流動(dòng)的方向在實(shí)際中改變。孔可被配置為具有止擋部561或其他結(jié)構(gòu)以方便流量傳感器組件與流體流管、軟管、或類似部件的對(duì)接。如圖5所示，頂帽552可包括上帽壁560和從上帽壁560的周邊向下延伸的側(cè)壁562，該側(cè)壁相對(duì)于包括接線焊盤554的基板555的一側(cè)被附著。圖5中的頂帽552具有穿過上帽壁560形成的入口 556和出口 558。在一些示例性的實(shí)施例中，如在此處進(jìn)一步描述的，入口 556和出口 558中之一或兩者都可穿過頂帽552的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁562的至少一部分形成。頂帽552可至少部分地限定從入口 556延伸，經(jīng)過一個(gè)或多個(gè)流量傳感器部件 512、514、516中的至少一個(gè)，并延伸出示例性流量傳感器組件500的出口 558的流體通道。 該流體通道可至少部分地被頂帽的至少一個(gè)內(nèi)表面限定，諸如表面566。如所示，流量傳感器芯片550和/或流量傳感器芯片基板555可至少部分地限定流體通道的另外部分。頂帽552可相對(duì)于面對(duì)一個(gè)或多個(gè)接線焊盤554的基板555的側(cè)邊被構(gòu)造并附著，使得一個(gè)或多個(gè)接線焊盤不暴露于流體通道，但易接近用于電連接到外部設(shè)備。頂帽 552可被認(rèn)為是把一個(gè)或多個(gè)接線焊盤554從流體通道流體隔離。在圖1和3的每個(gè)中，細(xì)虛線170和270分別地近似地劃分其中頂帽，諸如帽552，相對(duì)于基板102或202被附著的接口區(qū)域。在這些圖中可以看出，接口區(qū)域可在流量傳感器部件(或流量傳感器)和接線焊盤120、222、224之間延伸。也可以看出接口區(qū)域可在流量傳感器的周邊附近延伸。在一些示例性的實(shí)施例中，頂帽的至少一個(gè)側(cè)壁可以在流量傳感器或流量傳感器部件之間延伸并且可把至少一個(gè)接線焊盤從流量傳感器或流量傳感器部件處隔離。頂帽552，或本公開中的任何其他頂帽，可由任何合適的一種材料或多種材料形成。頂帽可基本上由玻璃形成，并且如果需要的話，基本上可以是光學(xué)透明的。玻璃頂帽的制造由微磨料噴射加工(也稱為精密微型噴砂、群噴砂(swarm sandlasting)、或動(dòng)力吹洗 (power blasting))、超聲波打孔、激光微機(jī)械加工、蝕刻、或任何其他合適的方法來完成。 可能的帽材料包括硼硅玻璃、熔融二氧化硅、石英、或任何其他合適的材料。可以采用具有低導(dǎo)熱率的帽材料，這可能有助于減少來自流體蒸汽的熱傳遞。在一些情況下，可以使用導(dǎo)熱率小于約2、1.5、1.4、1.3、1.2、1.1或11/!11·。K的帽材料?？梢允褂镁哂信c流量傳感器芯片的基板材料(例如，硅)的熱膨脹系數(shù)(CTE)相近的熱膨脹系數(shù)(CTE)的帽材料。對(duì)于帽和基板，匹配或基本上匹配CTE可以增加流量傳感器組件的熱魯棒性。在一些情況下， 用于帽和基板的材料的CTE值在彼此的50、40、30、20、或10%內(nèi)。任何適當(dāng)?shù)姆椒ǘ伎捎糜趯⒚备街胶兔芊獾搅髁總鞲衅餍酒孕纬闪髁總鞲衅鹘M件。對(duì)于玻璃帽，如果需要，可使用玻璃介質(zhì)鍵合。對(duì)于某些玻璃，可使用陽極鍵合。在一些情況下，當(dāng)帽附著于流量傳感器芯片以形成流量傳感器組件時(shí)，透明帽可允許光學(xué)對(duì)準(zhǔn)方法?？深A(yù)期的是，也可使用塑料帽，并且這種帽可以微模塑、加工或以任何其他合適的方式形成。粘合劑可用于附著這種塑料帽(或玻璃帽)。根據(jù)需要，環(huán)氧樹脂、硅酮、或其他粘合劑可用于附著。其他帽配置也是可預(yù)期的。例如，圖6是具有鄰近位于并固定于相對(duì)于面對(duì)接線焊盤654的流量傳感器芯片基板650的側(cè)邊的帽652的流量傳感器組件600的示意透視圖。 頂帽652可包括穿過頂帽652的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁形成的一個(gè)或多個(gè)孔。在所示的例子中， 可穿過頂帽652的第一側(cè)壁657形成入口 656，并且可穿過頂帽652的第二側(cè)壁659形成出口 658 (在該視圖中未示出)。帽652可至少部分地限定從入口 656延伸的，經(jīng)過至少一個(gè)流量傳感器部件，并延伸出出口 658的流體通道。雖然入口和出口都被顯示在頂帽652的側(cè)壁處，可預(yù)期的是，入口和出口中的一個(gè)可被形成在頂帽652的上壁中，類似于圖5中所
7示的。圖7是具有頂帽752的另一流量傳感器組件700的示意透視圖，位于面對(duì)接線焊盤754的流量傳感器芯片基板750的一側(cè)附近并相對(duì)于面對(duì)接線焊盤754的流量傳感器芯片基板750的一側(cè)被固定。流量傳感器芯片基板750可與圖3中的流量傳感器芯片200的基板相似，并可具有如所示的形成于芯片中延伸到流量傳感器芯片邊緣的溝槽或凹陷726。在一些實(shí)施例中，頂帽752也可以被形成為包括延伸到帽邊緣的一個(gè)或多個(gè)溝槽或凹陷768， 并可與形成在流量傳感器芯片中的溝槽或凹陷726對(duì)齊(registration)，這樣頂帽752中的凹陷768與流量傳感器芯片750中的凹陷726 —起限定流量傳感器組件700的一個(gè)或多個(gè)入口和/或出口。在一些示例性的實(shí)施例中，流量傳感器組件的入口或出口可僅被帽或基板之一中的溝槽限定，與基板或頂帽的非溝槽部分一起分別地限定入口或出口周邊的互補(bǔ)部分。圖8是示出形成具有流量傳感器芯片和頂帽的流量傳感器組件的方法800的流程圖。在步驟810，該方法包括提供具有流量傳感器的流量傳感器芯片，以及面對(duì)流量傳感器芯片的第一側(cè)的一個(gè)或多個(gè)焊盤。該一個(gè)或多個(gè)焊盤電連接到適當(dāng)?shù)牧髁總鞲衅鳌Ａ髁總鞲衅餍酒梢允侨魏魏线m的流量傳感器芯片，諸如流量傳感器芯片100、200、550、650、和 750，以及這些芯片的變形。提供流量傳感器芯片可包括任何合適的制造或加工方法或技術(shù)，如本文中其他地方所描述的。在步驟820，該方法包括提供頂帽，該頂帽限定流量傳感器組件的入口和/或出口的至少一部分。這個(gè)頂帽可以是如本文所述的任何合適的帽，諸如帽552、652、752、和那些帽的變形。提供頂帽可包括任何合適的制造或加工方法或技術(shù)， 如本文中其他地方所描述的。在步驟830，該方法包括將頂帽附著到流量傳感器芯片的第一側(cè)，使得頂帽限定從入口延伸的，經(jīng)過流量傳感器，并延伸到出口的流體通道的至少一部分，并且使得該頂帽將一個(gè)或多個(gè)焊盤從流體通道中的流體處進(jìn)行流體隔離。將頂帽附著到流量傳感器芯片可包括任何適當(dāng)?shù)母街夹g(shù)，如本文其他地方所描述的。本公開不應(yīng)認(rèn)為是被限制于上述特定實(shí)例。本領(lǐng)域技術(shù)人員在回顧本說明書時(shí)很容易明白本公開能夠適用于各種修改、等效過程，以及多種結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種流量傳感器組件(500)，用于提供從入口(556)到出口(558)的流體流量測(cè)量， 該流量傳感器組件(500)包括相對(duì)于膜固定的一個(gè)或多個(gè)流量傳感器部件(512)；支持該膜的基板(555)，通過該膜把該一個(gè)或多個(gè)流量傳感器部件(512)從該基板基本上熱隔離；一個(gè)或多個(gè)接線焊盤(554)，位于該基板的第一側(cè)附近用于相對(duì)于該一個(gè)或多個(gè)流量傳感器部件(512)傳送信號(hào)；以及位于該基板的第一側(cè)附近并相對(duì)于該基板固定的頂帽(552)，該頂帽(552)限定該流量傳感器組件(500)的該入口(556)和/或該出口(558)的至少一部分，該頂帽(552)至少部分地限定從該入口(556)延伸、經(jīng)過該一個(gè)或多個(gè)流量傳感器部件(512)中的至少一個(gè)、并且延伸出該流量傳感器組件(500)的出口(558)的流體通道，該頂帽(552)相對(duì)于該基板的該第一側(cè)被構(gòu)造和附著，使得該一個(gè)或多個(gè)接線焊盤(554)不暴露于該流體通道但易接近用于電連接到外部設(shè)備。
2.如權(quán)利要求1的流量傳感器組件(500)，其中該頂帽(552)基本上由玻璃形成。
3.如權(quán)利要求1所述的流量傳感器組件(500)，其中該頂帽(552)的玻璃具有小于約 1. 4ff/m · ° K的導(dǎo)熱率并且在基板的熱膨脹系數(shù)的約30%內(nèi)的熱膨脹系數(shù)。
4.如權(quán)利要求1的流量傳感器組件(500)，其中該頂帽(552)包括上帽壁(560)；以及從該上帽壁(560)的周邊向下延伸的側(cè)壁(562)，其中該側(cè)壁(562)相對(duì)于該基板的該第一側(cè)被附著。
5.如權(quán)利要求4的流量傳感器組件(500)，其中穿過該上帽壁(560)形成該入口 (556)。
6.如權(quán)利要求4的流量傳感器組件(500)，其中穿過該上帽壁(560)形成該出口 (558)。
7.如權(quán)利要求4的流量傳感器組件(500)，其中穿過該頂帽(552)的第一側(cè)壁的至少一部分形成該入口(556)。
8.如權(quán)利要求7的流量傳感器組件(500)，其中穿過該頂帽(552)的第二側(cè)壁的至少一部分形成該出口(558)。
9.如權(quán)利要求8的流量傳感器組件(500)，其中該入口(556)的至少一部分和該出口 (558)的至少一部分至少部分地被該基板限定。
10.如權(quán)利要求1的流量傳感器組件(500)，其中該頂帽(552)基本上是透明的。
11.一種形成具有流量傳感器芯片和頂帽(552)的流量傳感器組件(500)的方法，該方法包括提供具有流量傳感器的流量傳感器芯片，以及電連接到該流量傳感器的在流量傳感器芯片的第一側(cè)上的一個(gè)或多個(gè)焊盤；提供頂帽(552)，該頂帽(552)限定該流量傳感器組件(500)的入口(556)和/或出口 (558)的至少一部分；以及將頂帽(552)附著到該流量傳感器芯片的第一側(cè)，使得該頂帽(552)限定從該入口 (556)延伸的、經(jīng)過該流量傳感器、并延伸到該出口(558)的流體通道的至少一部分，并且使得該頂帽(552)將該一個(gè)或多個(gè)焊盤從該流體通道處流體隔離。
12.如權(quán)利要求11的方法，其中該頂帽(552)包括上帽壁(560)和從該上帽壁(560) 的周邊向下延伸的側(cè)壁(562)，其中該側(cè)壁(562)附著到該流量傳感器芯片的第一側(cè)，該方法進(jìn)一步包括形成在頂帽(552)中的第一凹陷，其中該第一凹陷延伸到該頂帽(552)的邊緣； 形成在該流量傳感器芯片中的第二凹陷，其中該第二凹陷延伸到該流量傳感器芯片的邊緣；及對(duì)準(zhǔn)該頂帽(552)和該流量傳感器芯片使得該第一凹陷與第二凹陷對(duì)齊，使得該頂帽(552)中的該第一凹陷與該流量傳感器芯片中的第二凹陷一起限定該流量傳感器組件 (500)的該入口(556)和 / 或出口(558)。
全文摘要
本發(fā)明公開了具有頂帽的魯棒傳感器。其包括相對(duì)于膜固定的流量傳感器部件，以及用于支持膜的基板。通過膜把流量傳感器部件從基板基本熱隔離。接線焊盤可位于基板的第一側(cè)附近并且被提供用于相對(duì)于流量傳感器部件傳送信號(hào)。頂帽可位于基板的第一側(cè)附近并相對(duì)于基板固定。頂帽可限定該流量傳感器組件的入口和/或該出口的至少一部分，并且可以至少部分地限定從入口延伸、經(jīng)過流量傳感器部件中的至少一個(gè)、并且延伸出所述流量傳感器組件的出口的流體通道。頂帽可相對(duì)于該基板的第一側(cè)被構(gòu)造和附著，使得接線焊盤不暴露于流體通道中的流體但易接近用于電連接到外部設(shè)備。
文檔編號(hào)G01F1/684GK102305650SQ20111012971
公開日2012年1月4日 申請(qǐng)日期2011年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月19日
發(fā)明者C·斯圖爾特, G·莫雷爾斯, R·A·戴維斯, S·E·貝克, Y-F·王 申請(qǐng)人:霍尼韋爾國際公司