專利名稱：一種光耦失效分析方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種失效分析領(lǐng)域，特別涉及一種光耦的失效分析方法。
背景技術(shù)：
光電耦合器，又稱為光耦，其結(jié)構(gòu)一般分為三部分輸入、輸出和傳輸隔離部分。輸入部分包括輸入端芯片和發(fā)光二極管，其功能是將輸入端信號變?yōu)橐欢úㄩL的信號；輸出端光電探測器一般為光敏三極管，復(fù)雜的器件有達林頓管或者場效應(yīng)管。光電探測器接收輸入端傳過來的光信號，并轉(zhuǎn)換為光電流，再經(jīng)過進一步放大后輸出。光耦信號輸出異常是一種常見的失效現(xiàn)象，但目前尚無對其進行有效分析的方法。因此，如何對失效光耦進行有效分析成為該技術(shù)領(lǐng)域亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
為解決目前尚無對失效光耦進行失效分析的問題，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案 一種光耦失效分析方法，該方法包括以下步驟
A、對失效光耦進行外觀檢查，查看是否有明顯磨損、開裂等現(xiàn)象；
B、對比失效光耦和良品光耦的電性測試圖，分析可能的失效原因；
C、對比失效光耦和良品光耦的X-Ray透射圖片，尋找可能的失效原因；
D、對失效光耦進行機械開封和化學(xué)開封，對開封后的失效光耦進行掃描電子顯微鏡觀察和能譜儀分析；
E、綜合分析，確定失效光耦的具體失效原因。本發(fā)明有如下優(yōu)點本發(fā)明方法借助有限的分析儀器，在短時間內(nèi)快速找到光耦失效的原因。


圖1本發(fā)明分析方法流程圖。
具體實施例方式下面對該工藝實施例作詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍作出更為清楚明確的界定。本實施例為對一只8腳的雙光耦芯片進行失效分析，按照圖1所示的流程步驟，具體分析步驟如下
A、對失效光耦進行外觀檢查，未發(fā)現(xiàn)有明顯磨損、開裂等現(xiàn)象；
B、對比失效光耦和良品光耦的電性測試圖，不良品輸入端斷口GNDl與斷口 VDDl間接性不穩(wěn)定，有時呈開路特性，有時呈二極管與電阻的串聯(lián)特性，甚至接近電阻特性；輸出端也有異常；
C、對比失效光耦和良品光耦的X-Ray透射圖片，未發(fā)現(xiàn)不良品有明顯異?，F(xiàn)象；
D、對失效光耦進行機械開封和化學(xué)開封，對開封后的失效光耦進行掃描電子顯微鏡觀察，發(fā)現(xiàn)輸入端控制芯片表面多處存在擊穿燒毀現(xiàn)象，部分芯片焊盤鋁線完全燒毀，表面殘留大量燒結(jié)氧化物，發(fā)光二極管芯片為砷化鎵芯片，其表面也殘留有大量燒結(jié)氧化物，而輸出級芯片表面未見明顯異?，F(xiàn)象；通過能譜儀得到良品焊盤處、燒結(jié)氧化物殘留處和鋁線燒毀處的元素含量表分為如表一、表二和表三；
表一良品焊盤處能譜分析結(jié)果
權(quán)利要求
1. 一種光耦失效分析方法，其特征在于該方法包括以下步驟A、對失效光耦進行外觀檢查，查看是否有明顯磨損、開裂等現(xiàn)象；B、對比失效光耦和良品光耦的電性測試圖，分析可能的失效原因；C、對比失效光耦和良品光耦的X-Ray透射圖片，尋找可能的失效原因；D、對失效光耦進行機械開封和化學(xué)開封，對開封后的失效光耦進行掃描電子顯微鏡觀察和能譜儀分析；E、綜合分析，確定失效光耦的具體失效原因。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種光耦失效分析方法，該方法包括以下步驟A、對失效光耦進行外觀檢查，查看是否有明顯磨損、開裂等現(xiàn)象；B、對比失效光耦和良品光耦的電性測試圖，分析可能的失效原因；C、對比失效光耦和良品光耦的X-Ray透射圖片，尋找可能的失效原因；D、對失效光耦進行機械開封和化學(xué)開封，對開封后的失效光耦進行掃描電子顯微鏡觀察和能譜儀分析；E、綜合分析，確定失效光耦的具體失效原因。本發(fā)明有如下優(yōu)點本發(fā)明方法借助有限的分析儀器，在短時間內(nèi)快速找到光耦失效的原因。
文檔編號G01R31/12GK102305904SQ20111023698
公開日2012年1月4日 申請日期2011年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月18日
發(fā)明者李紅高 申請人:上海華碧檢測技術(shù)有限公司