專利名稱：一種共陰、共陽(yáng)封裝二極管對(duì)的測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子元器件，尤其涉及一種共陰或者共陽(yáng)封裝的二極管對(duì)的測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
開(kāi)關(guān)電源中使用的高頻整流二極管主要有肖特基勢(shì)壘二極管和快恢復(fù)二極管兩類，前者用于低電壓，后者用于高電壓，它們都是成對(duì)共陰或共陽(yáng)封裝成三端器件，成為橋式整流電源的兩臂。所謂共陰、共陽(yáng)，就是兩個(gè)陰極共用一端或兩個(gè)陽(yáng)極共用一端。對(duì)于這類產(chǎn)品的檢測(cè)，普遍使用分立器件直流參數(shù)測(cè)試儀，利用二極管或三極管測(cè)試模塊編程，對(duì)這個(gè)三端器件內(nèi)的兩個(gè)二極管部分分別測(cè)試，一般認(rèn)為，只要兩個(gè)二極管部分都各自合格， 這個(gè)三端器件就算合格。測(cè)試的主要指標(biāo)就是評(píng)價(jià)單個(gè)二極管的指標(biāo)擊穿電壓、反向漏電流、正向?qū)妷汉推渌麉?shù)。由于所述的共陰、共陽(yáng)封裝二極管對(duì)這種三端器件是開(kāi)關(guān)電源整流電橋的兩臂， 只要有一臂性能較差，這個(gè)開(kāi)關(guān)電源性能就較差，嚴(yán)重時(shí)危及開(kāi)關(guān)電源的使用壽命，影響電子設(shè)備的安全。所以，單純的以內(nèi)部單個(gè)二極管的指標(biāo)來(lái)評(píng)價(jià)整個(gè)三端產(chǎn)品，出錯(cuò)的可能性比較大，以這種粗放的測(cè)試方法通過(guò)檢測(cè)的產(chǎn)品質(zhì)量等級(jí)較低，最終都會(huì)影響開(kāi)關(guān)電源的品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決背景技術(shù)所述的現(xiàn)有共陰、共陽(yáng)封裝二極管對(duì)的單獨(dú)測(cè)試方法的不足，發(fā)明一種更加合理的、針對(duì)性強(qiáng)、檢測(cè)結(jié)果可靠的測(cè)試方法。本發(fā)明的方法，測(cè)試以下內(nèi)容
分別測(cè)試共陰、共陽(yáng)封裝二極管對(duì)的兩臂兩個(gè)二極管各自的擊穿電壓、反向漏電流和正向?qū)妷海⒈容^兩組數(shù)據(jù)中每種參數(shù)的差別，差別范圍設(shè)定為士5%;測(cè)試和比較兩個(gè)二極管的瞬態(tài)熱阻通電時(shí)間為0. 38^2ms的冷態(tài)導(dǎo)通電壓值Vonl與通電時(shí)間為 KTlOOms的熱態(tài)導(dǎo)通電壓值Vonr的差值，每個(gè)二極管的這個(gè)差值不能大于100-300 mV，兩臂兩個(gè)二極管之間的這個(gè)插值之差不能大于15-30 mV ；滿足上述條件的為良品。所述測(cè)試的正向?qū)妷?，包括不同電流條件下的正向?qū)妷?。包括產(chǎn)品規(guī)范值、規(guī)范值的二分之一、比規(guī)范值大1. 2-2倍之值，或者1/2規(guī)范值至2倍規(guī)范值之間的任意值，或者其他測(cè)試者認(rèn)為對(duì)判斷產(chǎn)品特性比較有意義的電流值。所述的共陰、共陽(yáng)封裝二極管對(duì)是肖特基勢(shì)壘二極管、快恢復(fù)二極管或發(fā)光二極管(LED)中的一種。本發(fā)明方法是站在實(shí)踐角度，針對(duì)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的全新測(cè)試方法?？梢钥朔屑夹g(shù)的缺點(diǎn)，將兩個(gè)二極管的參數(shù)加以比較，保證這個(gè)三端器件不僅是兩臂參數(shù)合格，而且兩臂對(duì)稱，不存在一臂好、另一臂差的現(xiàn)象，可以確保應(yīng)用時(shí)提高開(kāi)關(guān)電源的壽命。而且，含有測(cè)試二極管的瞬態(tài)熱阻的內(nèi)容，進(jìn)一步確保電子設(shè)備中開(kāi)關(guān)電源橋式整流兩臂的熱性能平衡。所以利用本發(fā)明方法通過(guò)檢測(cè)的共陰、共陽(yáng)封裝二極管對(duì)，品質(zhì)更高，應(yīng)用更可靠。


圖1，本發(fā)明方法中，測(cè)試瞬態(tài)熱阻的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式列舉利用本發(fā)明方法測(cè)試具體產(chǎn)品的實(shí)施例。兩臂的正向?qū)妷簽閂FBC和 VFEC，擊穿電壓為BVCBO和BVCE0，反向漏電流為ICBO和ICEO0圖1顯示的是瞬態(tài)熱阻測(cè)試的時(shí)序圖，由圖可知，二極管正向?qū)妷菏且粋€(gè)與溫度緊密關(guān)聯(lián)的參數(shù)，當(dāng)測(cè)試時(shí)間很短時(shí)，其內(nèi)部結(jié)溫還是冷態(tài)，這時(shí)測(cè)到的導(dǎo)通電壓代表冷態(tài)值Vonl ；當(dāng)測(cè)試時(shí)間延長(zhǎng)以后，二級(jí)管內(nèi)部結(jié)溫升高，這時(shí)測(cè)到的導(dǎo)通電壓表示了結(jié)溫升高以后的熱態(tài)值Vonr，冷熱態(tài)導(dǎo)通電壓之差與二極管工藝結(jié)構(gòu)的熱阻有關(guān)。本發(fā)明將此差值用來(lái)衡量產(chǎn)品的瞬態(tài)熱阻，差值越小表示產(chǎn)品的瞬態(tài)熱阻越小，也表示了產(chǎn)品的工藝結(jié)構(gòu)優(yōu)良。本發(fā)明正是利用這個(gè)特性更好地對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行性能進(jìn)行檢測(cè)。實(shí)施例一，型號(hào)為HBR20100的肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品，有共陰結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，也有共陽(yáng)結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，主要的技術(shù)規(guī)格為最大電流20A，最大耐壓100V。測(cè)試內(nèi)容1) 一般二極管指標(biāo)并進(jìn)行兩臂對(duì)比100 μ A、200 μ A和ImA電流條件下的擊穿電壓，不能低于105V;105V下的反向漏電流不能大于5μΑ;比較兩臂二極管之間的擊穿電壓差值不超過(guò)士4. 5V;兩臂的反向漏電流差值不超過(guò)士1μΑ;20Α測(cè)試兩個(gè)二極管的導(dǎo)通電壓不大于1. 2V，兩臂之差不大于20mV。上述指標(biāo)必須同時(shí)滿足，有一項(xiàng)不足就判斷為不良品。2)瞬態(tài)熱阻的測(cè)試和比較20A電流環(huán)境下，分別測(cè)試0. 5ms時(shí)的正向?qū)妷汉?40ms的正向?qū)妷海容^其差值，差值不小于30 mV，不大于300 mV，并比較兩臂的差值， 不大于30 mV。滿足以上所有要求的為良品，否則為不良品。實(shí)施例二，型號(hào)為M1660，規(guī)格為16A、600V的快恢復(fù)二極管產(chǎn)品，共陰結(jié)構(gòu)。測(cè)試內(nèi)容1) 一般二極管指標(biāo)并進(jìn)行兩臂對(duì)比100 μ A、200 μ A和ImA電流條件下的擊穿電壓，不能低于605V ；605V下的反向漏電流不能大于5μ A ；比較兩臂的擊穿電壓差值不超過(guò)士 10 ；兩臂的反向漏電流差值不超過(guò)士1 μ A ;8. 8Α和16Α下測(cè)試兩臂的導(dǎo)通電壓，分別不能大于1. 8V和2. 2V，兩臂之差不能大于0. 12V。2)瞬態(tài)熱阻的測(cè)試和比較16Α電流環(huán)境下，分別測(cè)試0. 5ms時(shí)的正向?qū)妷汉?20A電流下40ms時(shí)的正向?qū)妷?，比較前后差值，差值不小于30 mV，不大于300 mV，并比較兩臂的差值，不大于20 mV。滿足以上所有要求的為良品，否則為不良品。實(shí)施例三，型號(hào)為MBR2045CT型肖特基勢(shì)壘二極管，產(chǎn)品主要規(guī)格為20A，45V，共陰結(jié)構(gòu)。測(cè)試內(nèi)容1) 一般二極管指標(biāo)并進(jìn)行兩臂對(duì)比100 μ A、200 μ A和ImA電流條件下的擊穿電壓，不能低于45. 5V ；45V下的反向漏電流不能大于5μ A ；比較兩臂的擊穿電壓差值不超過(guò)士2V ；兩臂的反向漏電流差值不超過(guò)士 1 μ A ;10Α和20Α下測(cè)試兩臂的導(dǎo)通電壓，分別不能大于0. 84V和0. 94V，兩臂之差不能大于0. 05V。
2)瞬態(tài)熱阻的測(cè)試和比較20A電流環(huán)境下，分別測(cè)試0. 5ms時(shí)的正向?qū)妷汉蜕想?0ms的正向?qū)妷?，比較兩者差值，差值不小于30 mV，不大于300 mV，并比較兩臂的差值，不大于20 mV。滿足以上所有要求的為良品，否則為不良品。實(shí)施例四，MUR1620型快恢復(fù)二極管，產(chǎn)品主要規(guī)格為16A，200V，共陰結(jié)構(gòu)。測(cè)試內(nèi)容1) 一般二極管指標(biāo)并進(jìn)行兩臂對(duì)比100 μ A、200 μ A和ImA電流條件下的擊穿電壓，不能低于200V ；200V下的反向漏電流不能大于5μ A ；比較兩臂的擊穿電壓差值不超過(guò)士 8V;兩臂的反向漏電流差值不超過(guò)士 1μΑ;8Α和16Α下測(cè)試兩臂的導(dǎo)通電壓，分別不能大于0. 95V和1. 15V,兩臂之差不能大于0. 05V。2)瞬態(tài)熱阻的測(cè)試和比較16Α電流環(huán)境下，分別測(cè)試上電0. 5ms時(shí)的正向?qū)妷汉?0A電流下40ms時(shí)的正向?qū)妷海容^兩者差值，差值不小于30 mV，不大于300 mV，并比較兩臂的差值，不大于20 mV。滿足以上所有要求的為良品，否則為不良品。以上是利用本發(fā)明方法測(cè)試四種常見(jiàn)共陰、共陽(yáng)封裝二極管對(duì)的具體參數(shù)，這個(gè)操作過(guò)程，可以使用現(xiàn)有設(shè)備，通過(guò)計(jì)算機(jī)編程，利用分立器件測(cè)試軟件，將上述數(shù)值設(shè)定入測(cè)試儀，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化檢測(cè)以提高效率。雖然本發(fā)明方法不硬性要求測(cè)試順序，不過(guò)從可靠角度來(lái)講，實(shí)施例中測(cè)試各參數(shù)的先后的順序是優(yōu)選的。并且，對(duì)于各項(xiàng)檢測(cè)數(shù)據(jù)包括兩臂兩個(gè)二極管的擊穿電壓、反向漏電流和正向?qū)妷?，冷態(tài)導(dǎo)通電壓值(Vonl)與熱態(tài)導(dǎo)通電壓值(Vonr)，都可以在一般的測(cè)試方法的電流電壓的范圍之內(nèi)，以符合本發(fā)明要求的方法多次取值，保證數(shù)據(jù)的可靠性。最后，在測(cè)試結(jié)束的時(shí)候，加入一項(xiàng)兩臂擊穿電壓或反向漏電流的驗(yàn)證性測(cè)試確保之前的測(cè)試過(guò)程中沒(méi)有損壞器件。需要注意的是，在測(cè)試瞬態(tài)熱阻時(shí)，測(cè)試時(shí)間的長(zhǎng)短要考慮器件內(nèi)部結(jié)溫不能超過(guò)最高結(jié)溫175°C (對(duì)于硅器件)。
權(quán)利要求
1.一種共陰、共陽(yáng)封裝二極管對(duì)的測(cè)試方法，分別測(cè)試兩臂兩個(gè)二極管各自的擊穿電壓、反向漏電流和正向?qū)妷?，并且比較每組數(shù)據(jù)的差別，差別范圍設(shè)定為士5%;測(cè)試和比較兩臂兩個(gè)二極管的瞬態(tài)熱阻通電時(shí)間為0. 38^2ms的冷態(tài)導(dǎo)通電壓值(Vonl)與通電時(shí)間為l(Tl00mS的熱態(tài)導(dǎo)通電壓值(Vonr)的差值；每個(gè)二極管各自的冷熱態(tài)導(dǎo)通電壓之差不大于100-300mV，兩臂兩個(gè)二極管的這個(gè)差值之差不能大于15-30 mV ；滿足上述條件的為良品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共陰、共陽(yáng)封裝二極管對(duì)的測(cè)試方法，其特征是所述測(cè)試的正向?qū)妷海ú煌娏鳁l件下的正向?qū)妷骸?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的共陰、共陽(yáng)封裝二極管對(duì)的測(cè)試方法，其特征是不同電流條件，是指1/2產(chǎn)品規(guī)范值至2倍產(chǎn)品規(guī)范值之間的值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共陰、共陽(yáng)封裝二極管對(duì)的測(cè)試方法，其特征是所述的共陰、共陽(yáng)封裝二極管對(duì)是肖特基勢(shì)壘二極管、快恢復(fù)二極管或發(fā)光二極管(LED)中的一種。
全文摘要
一種共陰、共陽(yáng)封裝二極管對(duì)的測(cè)試方法，屬于電子產(chǎn)品領(lǐng)域，方案是分別測(cè)試兩臂兩個(gè)二極管各自的擊穿電壓、反向漏電流和正向?qū)妷?，并且比較每組數(shù)據(jù)的差別，差別范圍設(shè)定為±5%；測(cè)試和比較兩臂兩個(gè)二極管的瞬態(tài)熱阻通電時(shí)間為0.38~2ms的冷態(tài)導(dǎo)通電壓值(Vonl)與通電時(shí)間為10~100ms的熱態(tài)導(dǎo)通電壓值(Vonr)的差值；每個(gè)二極管各自的冷熱態(tài)導(dǎo)通電壓之差不大于100-300mV，兩臂兩個(gè)二極管的這個(gè)差值之差不能大于15-30mV；滿足上述條件的為良品。本發(fā)明的方法更貼近實(shí)踐使用，得到的結(jié)果能可靠反映產(chǎn)品實(shí)踐性能，通過(guò)測(cè)試的產(chǎn)品質(zhì)量等級(jí)高，使用壽命更長(zhǎng)。
文檔編號(hào)G01R31/26GK102393500SQ201110298889
公開(kāi)日2012年3月28日 申請(qǐng)日期2011年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月8日
發(fā)明者趙振華 申請(qǐng)人:無(wú)錫羅姆半導(dǎo)體科技有限公司, 趙振華