專利名稱：移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法及移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、圖案形成方法及裝置、曝光方法及裝置、組件制造方 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法及移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、圖案形成方法及裝置、曝光方法及裝置、組件制造方法、以及校正方法，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及在移動(dòng)面內(nèi)驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法及移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、利用該移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法的圖案形成方法及具備該移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的圖案形成裝置、利用該移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法的曝光方法及具備該移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的曝光裝置、利用該圖案形成方法的組件制造方法、以及測(cè)量移動(dòng)面內(nèi)的移動(dòng)體的位置信息的編碼器系統(tǒng)所使用的校正方法。
背景技術(shù)：
以往，在制造半導(dǎo)體組件、液晶表示組件等的微型組件(電子組件等)的光刻過(guò)程中，較常使用步進(jìn)重復(fù)方式的縮小投影曝光裝置(所謂的步進(jìn)器)、步進(jìn)掃描方式的縮小投影曝光裝置(所謂的掃描步進(jìn)器(也稱為掃描儀))等。此種曝光裝置，為了將標(biāo)線片(或掩膜)的圖案轉(zhuǎn)印于晶片上的多個(gè)照射區(qū)域，保持晶片的晶片載臺(tái)通過(guò)例如線性馬達(dá)等在XY二維方向上被驅(qū)動(dòng)。特別是掃描步進(jìn)器，不僅可驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)，也可將標(biāo)線片載臺(tái)通過(guò)線性馬達(dá)等以規(guī)定距離驅(qū)動(dòng)于掃描方向。標(biāo)線片載臺(tái)或晶片載臺(tái)的位置測(cè)量，一般使用長(zhǎng)期測(cè)量值的穩(wěn)定性良好、具高分辨率的激光干涉儀。然而，由于半導(dǎo)體組件高度集成化所伴隨的圖案的微細(xì)化，越來(lái)越被要求須有更高精度的載臺(tái)位置控制，目前，因激光干涉儀的光束光路上的環(huán)境氣氛的溫度動(dòng)蕩導(dǎo)致的測(cè)量值短期變動(dòng)，占據(jù)了重疊精度中相當(dāng)大的比重。另一方面，作為使用于測(cè)量載臺(tái)位置的激光干涉儀以外的測(cè)量裝置雖有編碼器， 但由于編碼器使用標(biāo)尺，因此該標(biāo)尺欠缺機(jī)械性長(zhǎng)期穩(wěn)定性(柵格間距的偏移、固定位置偏移、熱膨脹等)，與激光干涉儀相比較，有欠缺測(cè)量值的線性，長(zhǎng)期穩(wěn)定性差的缺點(diǎn)。鑒于上述激光干涉儀與編碼器的缺點(diǎn)，已有提出各種并用激光干涉儀與編碼器 (使用衍射光柵的位置檢測(cè)傳感器)，來(lái)測(cè)量載臺(tái)位置的裝置(參照專利文獻(xiàn)1，2等)。另外，以往的編碼器的測(cè)量分辨率，雖與干涉儀相比較較差，但最近出現(xiàn)了測(cè)量分辨率與激光干涉儀相同程度或以上的編碼器(參照例如專利文獻(xiàn)3等)，將上述激光干涉儀與編碼器組合的技術(shù)日漸受到矚目。因此，當(dāng)使用例如編碼器測(cè)量保持晶片2維移動(dòng)的曝光裝置的晶片載臺(tái)的移動(dòng)面內(nèi)的位置時(shí)，為了避免該晶片載臺(tái)等的體積過(guò)大，使用多個(gè)編碼器，一邊在晶片載臺(tái)的移動(dòng)中切換使用于控制的編碼器，一邊控制晶片載臺(tái)的移動(dòng)是必須不可少的。即，使用包含多個(gè)讀頭的編碼器來(lái)管理晶片載臺(tái)的位置是必須的。專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2002-151405號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2004-101362號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開(kāi)2005-308592號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
第1本發(fā)明的實(shí)質(zhì)上沿著規(guī)定平面驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于包含下述步驟使用包含將測(cè)量光束照射于把與上述平面平行的第1方向作為周期方向的光柵、接收來(lái)自上述光柵的光束、排列于與上述第1方向的交叉方向的多個(gè)第1讀頭的編碼器系統(tǒng)的至少一個(gè)第1讀頭測(cè)量上述移動(dòng)體在上述第1方向的位置信息，基于上述位置信息的測(cè)量結(jié)果以及與從在測(cè)量上述位置信息中所使用的至少一個(gè)第1讀頭射出的測(cè)量光束的上述平面平行的面內(nèi)的位置信息，沿著上述平面驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體。據(jù)此，使用編碼器系統(tǒng)的至少一個(gè)第1讀頭測(cè)量移動(dòng)體在第1方向的位置信息，根據(jù)該位置信息的測(cè)量結(jié)果及從該位置信息的測(cè)量所使用的至少一個(gè)第1讀頭射出的測(cè)量光束的平行于規(guī)定平面的面內(nèi)的位置信息，沿著規(guī)定平面驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體。據(jù)此，可使用包含多個(gè)第1讀頭的編碼器系統(tǒng)高精度控制移動(dòng)體的移動(dòng)。第2本發(fā)明的圖案形成方法，其包含裝載步驟，將物體裝載于可在移動(dòng)面內(nèi)移動(dòng)的移動(dòng)體上；以及驅(qū)動(dòng)步驟，為了對(duì)上述物體形成圖案，使用權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法來(lái)驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體。據(jù)此，將圖案形成在裝載于使用本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法的任一方驅(qū)動(dòng)的移動(dòng)體上的物體，由此能將所希望的圖案形成在物體上。第3本發(fā)明的包含圖案形成步驟的第1組件制造方法，其特征在于于上述圖案形成步驟，使用權(quán)利要求8所述的圖案形成方法將圖案形成在物體上。第4本發(fā)明的通過(guò)照射能量束將圖案形成在物體上的第1曝光方法，其特征在于 為了使上述能量束與上述物體相對(duì)移動(dòng)，使用權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法，驅(qū)動(dòng)裝載有上述物體的移動(dòng)體。據(jù)此，為了使照射于物體的能量束與該物體相對(duì)移動(dòng)，使用本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法的任一方，高精度驅(qū)動(dòng)裝載有該物體的移動(dòng)體。由此，能通過(guò)掃描曝光，將所希望的圖案形成在物體上。第5本發(fā)明的以能量束使物體曝光的第2曝光方法，其特征在于將上述物體裝載于至少能在規(guī)定平面內(nèi)正交的第1及第2方向移動(dòng)的移動(dòng)體；在裝載有上述物體的上述移動(dòng)體的一面設(shè)有柵格部及讀頭單元的其中一方，且另一方與上述移動(dòng)體的一面相對(duì)向設(shè)置，且根據(jù)通過(guò)上述讀頭單元的多個(gè)讀頭中的與上述柵格部相對(duì)向的讀頭、測(cè)量在上述規(guī)定平面內(nèi)的上述移動(dòng)體的位置信息的編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息，及上述測(cè)量所使用的讀頭的檢測(cè)點(diǎn)在平行于上述規(guī)定平面的面內(nèi)的位置信息，控制在上述規(guī)定平面內(nèi)的上述移動(dòng)體的位置。據(jù)此，不受各讀頭的檢測(cè)點(diǎn)的位置造成的編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差的影響，就可使用包含多個(gè)讀頭的編碼器系統(tǒng)高精度控制在規(guī)定平面內(nèi)的移動(dòng)體的位置，或能以高精度使移動(dòng)體上的物體曝光。
第6本發(fā)明的以能量束使物體曝光的第3曝光方法，其特征在于將上述物體裝載于至少能在規(guī)定平面內(nèi)正交的第1及第2方向移動(dòng)的移動(dòng)體；在保持上述物體的上述移動(dòng)體的一面設(shè)有柵格部及讀頭單元的其中一方，且另一方與上述移動(dòng)體的一面相對(duì)向設(shè)置， 且通過(guò)上述讀頭單元的多個(gè)讀頭中的與上述柵格部相對(duì)向的讀頭，使用測(cè)量在上述規(guī)定平面內(nèi)的上述移動(dòng)體的位置信息的編碼器系統(tǒng)測(cè)量上述移動(dòng)體的位置信息；根據(jù)用于補(bǔ)償因上述測(cè)量所使用的讀頭的檢測(cè)點(diǎn)的位置或位移產(chǎn)生的上述編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差的修正信息、及上述編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息，控制在上述規(guī)定平面內(nèi)的上述移動(dòng)體的位置。據(jù)此，不受因測(cè)量所使用的讀頭的檢測(cè)點(diǎn)的位置或位移產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差的影響，就可使用編碼器系統(tǒng)高精度控制在規(guī)定平面內(nèi)的移動(dòng)體的位置，或能以高精度使移動(dòng)體上的物體曝光。第7本發(fā)明的第2組件制造方法，包含光刻步驟；在該光刻步驟，使用本發(fā)明的第 2、第3曝光方法的任一方，使裝載于該移動(dòng)體的感應(yīng)物體曝光，以在該感應(yīng)物體上形成圖案。第8本發(fā)明的實(shí)質(zhì)上沿著規(guī)定平面驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其特征在于包括光柵，以平行于上述平面的第1方向?yàn)橹芷诜较?；編碼器系統(tǒng)，包含將測(cè)量光束照射于上述光柵、接收來(lái)自上述光柵的光束、排列于上述第1方向的交叉方向的多個(gè)第1讀頭；以及控制裝置，使用上述多個(gè)第1讀頭中的至少一個(gè)第1讀頭測(cè)量上述移動(dòng)體在上述第1方向的位置信息，根據(jù)上述位置信息的測(cè)量結(jié)果及從上述位置信息的測(cè)量所使用的至少一個(gè)第1讀頭射出的測(cè)量光束的平行于上述平面的面內(nèi)的位置信息，沿著上述平面驅(qū)動(dòng)上述移動(dòng)體。據(jù)此，通過(guò)控制裝置，使用編碼器系統(tǒng)的至少一個(gè)第1讀頭測(cè)量移動(dòng)體在第1方向的位置信息，根據(jù)該位置信息的測(cè)量結(jié)果及從該位置信息的測(cè)量所使用的至少一個(gè)第1讀頭射出的測(cè)量光束的平行于規(guī)定平面的面內(nèi)的位置信息，沿著規(guī)定平面驅(qū)動(dòng)移動(dòng)體。據(jù)此， 可使用包含多個(gè)第1讀頭的編碼器系統(tǒng)高精度控制移動(dòng)體的移動(dòng)。第9本發(fā)明的圖案形成裝置，其具備移動(dòng)體，裝載有物體，可保持該物體在移動(dòng)面內(nèi)移動(dòng)；以及本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，為了對(duì)該物體形成圖案，驅(qū)動(dòng)該移動(dòng)體。據(jù)此，通過(guò)圖案化裝置在本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)所驅(qū)動(dòng)的移動(dòng)體上的物體產(chǎn)生圖案，由此能將所希望圖案形成在物體上。第10本發(fā)明的第1曝光裝置，通過(guò)照射能量束將圖案形成在物體，其具備圖案化裝置，將該能量束照射于該物體；以及本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)；為了使該能量束與該物體相對(duì)移動(dòng)，以該移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)行裝載有該物體的移動(dòng)體的驅(qū)動(dòng)。據(jù)此，為了使從圖案化裝置照射于物體的能量束與該物體相對(duì)移動(dòng)，以本發(fā)明的移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)裝載有該物體的移動(dòng)體。由此，能通過(guò)掃描曝光將所希望圖案形成在物體上。第11本發(fā)明的用能量束使物體曝光的第2曝光裝置，其特征在于包括移動(dòng)體，保持上述物體，至少能在規(guī)定平面內(nèi)正交的第1及第2方向移動(dòng)；編碼器系統(tǒng)，在保持上述物體的上述移動(dòng)體的一面設(shè)有柵格部及讀頭單元的其中一方，且另一方與上述移動(dòng)體的一面相對(duì)向設(shè)置，且通過(guò)上述讀頭單元的多個(gè)讀頭中的與上述柵格部相對(duì)向的讀頭，測(cè)量在上述規(guī)定平面內(nèi)的上述移動(dòng)體的位置信息；以及控制裝置，根據(jù)上述編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息及上述測(cè)量所使用的讀頭的檢測(cè)點(diǎn)在平行于上述規(guī)定平面的面內(nèi)的位置信息，控制在上述規(guī)定平面內(nèi)的上述移動(dòng)體的位置。據(jù)此，不受各讀頭的檢測(cè)點(diǎn)的位置造成的編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差的影響，就可使用包含多個(gè)讀頭的編碼器系統(tǒng)高精度控制在規(guī)定平面內(nèi)的移動(dòng)體的位置，或能以高精度使移動(dòng)體上的物體曝光。第12本發(fā)明的用能量束使物體曝光的第3曝光裝置，其特征在于包括移動(dòng)體，保持上述物體，至少能在規(guī)定平面內(nèi)正交的第1及第2方向移動(dòng)；編碼器系統(tǒng)，在保持上述物體的上述移動(dòng)體的一面設(shè)有柵格部及讀頭單元的其中一方，且另一方與上述移動(dòng)體的一面相對(duì)向設(shè)置，且通過(guò)上述讀頭單元的多個(gè)讀頭中的與上述柵格部相對(duì)向的讀頭，測(cè)量在上述規(guī)定平面內(nèi)的上述移動(dòng)體的位置信息；以及控制裝置，根據(jù)用于補(bǔ)償因上述測(cè)量所使用的讀頭的檢測(cè)點(diǎn)的位置或位移產(chǎn)生的上述編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差的修正信息、及上述編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息，控制在上述規(guī)定平面內(nèi)的上述移動(dòng)體的位置。據(jù)此，不受因測(cè)量所使用的讀頭的檢測(cè)點(diǎn)的位置或位移產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差的影響，就可使用編碼器系統(tǒng)高精度控制在規(guī)定平面內(nèi)的移動(dòng)體的位置，或能以高精度使移動(dòng)體上的物體曝光。第13本發(fā)明的校正方法，其特征在于取得步驟，使上述移動(dòng)體在平行于上述平面的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)規(guī)定角度，取得測(cè)量在平行于上述平面的測(cè)量方向的上述移動(dòng)體的位置信息的上述編碼器系統(tǒng)的讀頭的測(cè)量值、及測(cè)量上述移動(dòng)體的平行于上述平面的面內(nèi)的旋轉(zhuǎn)角度的測(cè)量裝置的測(cè)量值；以及算出步驟，根據(jù)取得的上述讀頭的測(cè)量值及上述測(cè)量裝置所測(cè)量的旋轉(zhuǎn)角度，算出從上述讀頭射出的測(cè)量光束在平行于上述平面的面內(nèi)的垂直于上述測(cè)量方向的方向的位置信息。據(jù)此，使移動(dòng)體在平行于規(guī)定平面的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)規(guī)定角度，取得測(cè)量在平行于規(guī)定平面的測(cè)量方向的移動(dòng)體的位置信息的編碼器系統(tǒng)的讀頭的測(cè)量值、及測(cè)量移動(dòng)體的平行于規(guī)定平面的面內(nèi)的旋轉(zhuǎn)角度的測(cè)量裝置的測(cè)量值，根據(jù)取得的讀頭的測(cè)量值及測(cè)量裝置所測(cè)量的旋轉(zhuǎn)角度，算出從該讀頭射出的測(cè)量光束在平行于規(guī)定平面的面內(nèi)的垂直于測(cè)量方向的方向的位置信息。據(jù)此，能以高精度校正在比讀頭的測(cè)量方向、對(duì)設(shè)計(jì)值的誤差有變大傾向的測(cè)量方向的垂直方向的從讀頭射出的測(cè)量光束的位置信息。


圖1是以概略方式表示一個(gè)實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的構(gòu)成的圖。圖2是表示圖1的載臺(tái)裝置的俯視圖。圖3是表示圖1的曝光裝置所具備的各種測(cè)量裝置(編碼器、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、多點(diǎn)AF 系統(tǒng)、Z傳感器等)的配置的俯視圖。圖4(A)是表示晶片載臺(tái)的俯視圖，圖4(B)是表示晶片載臺(tái)WST的部分截面的概略側(cè)視圖。圖5(A)是表示測(cè)量載臺(tái)的俯視圖，圖5(B)是表示測(cè)量載臺(tái)的部分截面的概略側(cè)視圖。圖6是表示一個(gè)實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成的方塊圖。圖7(A)及圖7(B)是用于說(shuō)明分別包含配置成數(shù)組狀的多個(gè)讀頭的多個(gè)編碼器進(jìn)行的晶片臺(tái)在XY平面內(nèi)的位置測(cè)量及讀頭間的測(cè)量值的接續(xù)的圖。圖8(A)是表示編碼器的構(gòu)成的一個(gè)例子的圖，圖8(B)是用于說(shuō)明此測(cè)量誤差所產(chǎn)生的構(gòu)造的圖，且是用于說(shuō)明編碼器讀頭內(nèi)的光束對(duì)反射型衍射光柵的入射光、衍射光的關(guān)系的圖。圖9(A)是表示即使在編碼器的讀頭與標(biāo)尺之間產(chǎn)生非測(cè)量方向的相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)測(cè)量值也不會(huì)變化的情況的圖，圖9(B)是表示在編碼器的讀頭與標(biāo)尺之間產(chǎn)生在非測(cè)量方向的相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)測(cè)量值變化的情況的一例的圖。圖10㈧ 圖10⑶是用于說(shuō)明在讀頭與標(biāo)尺之間產(chǎn)生在非測(cè)量方向的相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，編碼器的測(cè)量值變化的情形與測(cè)量值不變化的情形的圖。圖Il(A)及圖Il(B)是用于說(shuō)明用于取得修正信息的動(dòng)作的圖，該修正信息用于修正因向非測(cè)量方向的讀頭與標(biāo)尺的相對(duì)運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的編碼器(第1編號(hào)的編碼器)的測(cè)
量誤差。圖12是表示縱搖量θ x = α?xí)r編碼器對(duì)Z位置變化的測(cè)量誤差的圖表。圖13是用于說(shuō)明用于取得修正信息的動(dòng)作的圖，該修正信息用于修正因向非測(cè)量方向的讀頭與標(biāo)尺的相對(duì)運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的另一編碼器(第2編號(hào)的編碼器)的測(cè)量誤差。圖14是用于說(shuō)明讀頭位置的校正處理的圖。圖15是用于說(shuō)明用多個(gè)讀頭測(cè)量同一標(biāo)尺上的多個(gè)測(cè)量點(diǎn)時(shí)產(chǎn)生的不良情形的圖。圖16是用于說(shuō)明測(cè)量標(biāo)尺凹凸的方法的圖(其1)。圖17(A) 圖17(D)是用于說(shuō)明測(cè)量標(biāo)尺凹凸的方法的圖(其2)。圖18是用于說(shuō)明標(biāo)尺的柵格間距的修正信息及柵格變形的修正信息的取得動(dòng)作的圖。圖19㈧及圖19⑶是用于說(shuō)明將修正后的編碼器的測(cè)量值轉(zhuǎn)換成晶片載臺(tái)WST 的位置的具體方法的圖。圖20是用于說(shuō)明晶片載臺(tái)的XY平面內(nèi)的位置控制所使用的編碼器的切換處理的圖。圖21是概念表示晶片載臺(tái)的位置控制、編碼器的測(cè)量值的取得、及編碼器切換的時(shí)序的圖。圖22是表示對(duì)晶片載臺(tái)上的晶片進(jìn)行步進(jìn)掃描方式的曝光的狀態(tài)下的晶片載臺(tái)及測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖23是表示曝光結(jié)束后，從晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)分離的狀態(tài)移行至兩載臺(tái)彼此接觸的狀態(tài)后的兩載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖M是表示一邊保持晶片臺(tái)與測(cè)量臺(tái)在Y軸方向的位置關(guān)系、一邊使測(cè)量載臺(tái)向-Y方向移動(dòng)且使晶片載臺(tái)向卸載位置移動(dòng)時(shí)兩載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖25是表示測(cè)量載臺(tái)在到達(dá)將進(jìn)行kc_BCHK(時(shí)距)的位置時(shí)晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖沈是表示與進(jìn)行kc-BCHK(時(shí)距)同時(shí)將晶片載臺(tái)從卸載位置移動(dòng)至裝載位置時(shí)晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖27是表示測(cè)量載臺(tái)向最佳急停待機(jī)位置移動(dòng)、晶片裝載于晶片臺(tái)上時(shí)晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖觀是表示測(cè)量載臺(tái)在最佳急停待機(jī)位置待機(jī)中、晶片載臺(tái)向進(jìn)行Pri-BCHK前半處理的位置移動(dòng)時(shí)兩載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖四是表示使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1，AL22，AL23，來(lái)同時(shí)檢測(cè)附設(shè)于三個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖30是表示進(jìn)行聚焦校正前半處理時(shí)晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖31是使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1，AU1 AL24，來(lái)同時(shí)檢測(cè)附設(shè)于五個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖32是表示在進(jìn)行ft~i-BCHK后半處理及聚焦校正后半處理的至少一個(gè)時(shí)晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖33是表示使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1，AL2, AL24，來(lái)同時(shí)檢測(cè)附設(shè)于五個(gè)第三對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖34是表示使用對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1，AL22，AL23，來(lái)同時(shí)檢測(cè)附設(shè)于三個(gè)第四對(duì)準(zhǔn)照射區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖35是表示聚焦映射結(jié)束時(shí)晶片載臺(tái)與測(cè)量載臺(tái)的狀態(tài)的圖。圖36是用于說(shuō)明組件制造方法的實(shí)施形態(tài)的流程圖。圖37是表示圖36的步驟204的具體例的流程圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明AF 檢測(cè)區(qū)域；ALl 第一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；AL21 AL22，AL23，AL24 :第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；AR 區(qū)域；AX 光軸；Bl B4 測(cè)長(zhǎng)光束；Β4ι; B42 測(cè)長(zhǎng)光束；B51; B52 測(cè)長(zhǎng)光束；B6, B7 測(cè)長(zhǎng)光束；CL 中心線；CT 上下動(dòng)銷；Encl Enc4 編碼器；FM 基準(zhǔn)標(biāo)記；IA 曝光區(qū)域；IAR 照明區(qū)域；IL 曝光用照明光；LB 激光束；LB1, LB2 光束；LD 半導(dǎo)體激光；LH，LV 直線；LL， LW 中心軸；LP 裝載位置；Lq 液體；Ll 收束透鏡；L2a, L2b 透鏡；M 基準(zhǔn)標(biāo)記；MA, MB 向量；MST 測(cè)量載臺(tái)；MTB 測(cè)量臺(tái)；0 旋轉(zhuǎn)中心；PBS 偏光分束器；PL 投影光學(xué)系統(tǒng)；PU 投影單元；P1, P2 測(cè)量點(diǎn)；R 標(biāo)線片；RG 反射型衍射光柵；RST 標(biāo)線片載臺(tái)；Rla, Rib, R2a, R2b 反射鏡；SL 空間像測(cè)量狹縫圖案；UP 卸載位置；W 晶片；WPla，WPlb 四分的一波長(zhǎng)板；WST 晶片載臺(tái)；WTB 晶片臺(tái)；5 液體供應(yīng)裝置；6 液體回收裝置；8 局部液浸裝置； 10 照明系統(tǒng)；11 標(biāo)線片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)；12 基座；14 液浸區(qū)域；15，41 移動(dòng)鏡；16，18 Y干涉儀；17a，17b :反射面；19a，19b :反射面；20 主控制裝置；28 板體；28a 第1疏液區(qū)域；28b 第2疏液區(qū)域；30 測(cè)量板；31A 液體供應(yīng)管；31B 液體回收管；32 噴嘴單元；34 內(nèi)存；36 框體；37，38 柵格線；39X 標(biāo)尺；39Χ1 39Χ2 :Χ標(biāo)尺；39Υ”39Υ2 :Υ標(biāo)尺；40 鏡筒； 41a,41b,41c 反射面；42 安裝構(gòu)件；43A,43B :Z干涉儀；44 受光系統(tǒng)；45 空間像測(cè)量裝置；46 =CD桿；47A，47B 固定鏡；50 載臺(tái)裝置；52 基準(zhǔn)柵格；54 支持構(gòu)件；561； 564 臂； 58! 584 真空墊AO1 604 旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)；62A 62D 讀頭單元；64 =Y讀頭；6 照射系統(tǒng)；64b 光學(xué)系統(tǒng)；6 受光系統(tǒng)； 64A2, 64A3j 64m :Y i頭頭；64C3 64c4 64C5 :Y 讀頭；64Yl, 64y2 :Y讀頭；66 :X讀頭；66A,66B 讀頭；68 調(diào)整裝置；70A,70C :Y線性編碼器；70B，70D =X 線性編碼器；70E，70F =Y軸線性編碼器；7 72d =Z傳感器；74ia 742,6 =Z傳感器；76^ ！ 762,6 :Z傳感器；78 局部空調(diào)系統(tǒng)；80，81 :X軸固定件；82，83，84，85 :Y軸可動(dòng)件；86， 87 :Υ軸固定件；90a 照射系統(tǒng)；90b 受光系統(tǒng)；91，92 載臺(tái)本體；94 照度偏差傳感器；96 空間像測(cè)量器；98 波面像差測(cè)量器；99 傳感器群；100 曝光裝置；116 標(biāo)線片激光干涉儀；118 干涉儀系統(tǒng)；124 載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)；126 128,130 :X干涉儀；191 前端透鏡。
具體實(shí)施例方式以下，根據(jù)圖1 圖35說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)。圖1是概略表示一個(gè)實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100的構(gòu)成。此曝光裝置100是步進(jìn)掃描方式的掃描型曝光裝置、即所謂的掃描儀。如后所述，本實(shí)施形態(tài)中設(shè)有投影光學(xué)系統(tǒng) PL,以下，將與此投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX平行的方向設(shè)為Z軸方向、將在與該Z軸方向正交的面內(nèi)標(biāo)線片與晶片相對(duì)掃描的方向設(shè)為Y軸方向、將與Z軸及Y軸正交的方向設(shè)為 X軸方向，且將繞X軸、Y軸、及Z軸的旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向分別設(shè)為ΘΧ、ΘΥ、及ΘΖ方向，以進(jìn)行說(shuō)明。曝光裝置100包含照明系統(tǒng)10、保持來(lái)自該照明系統(tǒng)10的曝光用照明光(以下稱為「照明光」或「曝光用光」)IL所照明的標(biāo)線片R的標(biāo)線片載臺(tái)RST、包含用于使從標(biāo)線片R射出的照明光IL投射于晶片W上的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影單元PU、具有晶片載臺(tái)WST 及測(cè)量載臺(tái)MST的載臺(tái)裝置50、及上述裝置的控制系統(tǒng)等。在晶片載臺(tái)WST上裝載有晶片 I照明系統(tǒng)10，例如特開(kāi)2001-313250號(hào)公號(hào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)第 2003/0025890號(hào)說(shuō)明書(shū))等所公開(kāi)的，包含光源、包含光學(xué)積分器等的照度均一化光學(xué)系統(tǒng)、及具有標(biāo)線片遮板等(均未圖示)的照明光學(xué)系統(tǒng)。該照明系統(tǒng)10，通過(guò)照明光(曝光用光)IL，以大致均一的照度來(lái)照明被標(biāo)線片遮板(遮蔽系統(tǒng))限定的標(biāo)線片R上的延伸于 X軸方向的狹縫狀照明區(qū)域。此處，作為一個(gè)例子，使用ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)來(lái)作為照明光IL。另外，作為光學(xué)積分器可使用例如復(fù)眼透鏡、棒狀積分器(內(nèi)面反射型積分器)或衍射光學(xué)元件等。在前述標(biāo)線片載臺(tái)RST上例如通過(guò)真空吸附固定標(biāo)線片R，該標(biāo)線片R在其圖案面 (圖1的下面)形成有電路圖案等。標(biāo)線片載臺(tái)RST，能通過(guò)包含例如線性馬達(dá)等的標(biāo)線片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)11 (在圖1未圖示、參照?qǐng)D6)而在XY平面內(nèi)微幅驅(qū)動(dòng)，且能以指定的掃描速度驅(qū)動(dòng)于規(guī)定掃描方向(指圖1的圖面內(nèi)左右方向的Y軸方向)。標(biāo)線片載臺(tái)RST在移動(dòng)面內(nèi)的位置信息(包含θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息)，通過(guò)標(biāo)線片激光干涉儀(以下稱為「標(biāo)線片干涉儀」)116，經(jīng)由移動(dòng)鏡15 (實(shí)際上，設(shè)有具有與Y軸方向正交的反射面的Y移動(dòng)鏡、及具有與X軸方向正交的反射面的X移動(dòng)鏡)例如以0. 5 Inm左右的分辨率經(jīng)常檢測(cè)。標(biāo)線片干涉儀116的測(cè)量值被傳送至主控制裝置20(于圖1 未圖示，參照?qǐng)D6)。主控制裝置20根據(jù)標(biāo)線片干涉儀116的測(cè)量值算出標(biāo)線片載臺(tái)RST 在X軸方向、Y軸方向及θ ζ方向的位置，并通過(guò)基于該算出結(jié)果控制標(biāo)線片載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 11，來(lái)控制標(biāo)線片載臺(tái)RST的位置(及速度)。此外，也可對(duì)標(biāo)線片載臺(tái)RST的端面進(jìn)行鏡面加工來(lái)形成反射面(相當(dāng)于移動(dòng)鏡15的反射面)，以代替移動(dòng)鏡15。另外，標(biāo)線片干涉儀116也可測(cè)量標(biāo)線片載臺(tái)RST在Z軸、ΘΧ及θ y方向的至少一個(gè)方向的位置信息。投影單元PU配置于標(biāo)線片載臺(tái)RST的圖1的下方。投影單元PU包含鏡筒40、及具有以規(guī)定位置關(guān)系保持于該鏡筒40內(nèi)的多個(gè)光學(xué)元件的投影光學(xué)系統(tǒng)PL。作為投影光學(xué)系統(tǒng)PL例如使用沿與Z軸方向平行的光軸AX排列的多個(gè)透鏡(透鏡組件)所構(gòu)成的折射光學(xué)系統(tǒng)。投影光學(xué)系統(tǒng)PL例如是兩側(cè)遠(yuǎn)心且具有規(guī)定投影倍率(例如1/4倍、1/5倍、 或1/8倍等)。為此，當(dāng)用來(lái)自照明系統(tǒng)10的照明光IL來(lái)照明照明區(qū)域IAR時(shí)，利用通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的第1面(物體面)與圖案面大致配置成一致的標(biāo)線片R的照明光IL，使該照明區(qū)域IAR內(nèi)的標(biāo)線片的電路圖案縮小像(電路圖案的一部分縮小像)經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL(投影單元PU)及液體Lq(參照?qǐng)D1)形成于與配置在其第2面(像面)側(cè)的、表面涂布有抗蝕劑(感光劑)的晶片W上的前述照明區(qū)域IAR共軛的區(qū)域(曝光區(qū)域)IA。接著，通過(guò)標(biāo)線片載臺(tái)RST與晶片載臺(tái)WST的同步驅(qū)動(dòng)，使標(biāo)線片相對(duì)照明區(qū)域IAR(照明光 IL)移動(dòng)于掃描方向(Y軸方向)，且使晶片W相對(duì)曝光區(qū)域(照明光IL)移動(dòng)于掃描方向 (Y軸方向)，由此對(duì)晶片W上的一個(gè)照射區(qū)域(劃分區(qū)域)進(jìn)行掃描曝光，以將標(biāo)線片的圖案轉(zhuǎn)印于該照射區(qū)域。即，在本實(shí)施形態(tài)中，通過(guò)照明系統(tǒng)10、標(biāo)線片及投影光學(xué)系統(tǒng)PL將圖案產(chǎn)生于晶片W上，通過(guò)照明光IL對(duì)晶片W上的感應(yīng)層(抗蝕劑層)的曝光將該圖案形成于晶片W上。此處雖未圖示，但投影單元PU經(jīng)由防振機(jī)構(gòu)裝載于以三個(gè)支柱支持的鏡筒平臺(tái)，但例如也可如國(guó)際公開(kāi)第2006/038952號(hào)小冊(cè)子所公開(kāi)的，將投影單元PU吊掛支持于配置在投影單元PU上方的未圖示的主框架構(gòu)件、或吊掛支持于配置標(biāo)線片載臺(tái)RST的基座構(gòu)件等。另外，本實(shí)形形態(tài)的曝光裝置100，由于進(jìn)行適用液浸法的曝光，因此將構(gòu)成局部液浸裝置8的一部分的噴嘴單元32設(shè)成包圍用于保持構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最靠像面?zhèn)?(晶片W側(cè))的光學(xué)元件、此處為透鏡(以下也稱「前端透鏡」)191的鏡筒40的下端部周?chē)Ｔ诒緦?shí)施形態(tài)中，噴嘴單元32如圖1所示其下端面與前端透鏡191的下端面設(shè)定成大致面高相同。另外，噴嘴單元32具備液體Lq的供應(yīng)口及回收口、與晶片W對(duì)向配置且設(shè)有回收口的下面、及分別與液體供應(yīng)管31A及液體回收管31B連接的供應(yīng)流路及回收流路。液體供應(yīng)管31A與液體回收管31B，如圖3所示，在俯視時(shí)(從上方觀看)相對(duì)X軸方向及Y 軸方向傾斜45°，關(guān)于通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX的Y軸方向的直線LV配置成對(duì)稱。在液體供應(yīng)管31A，連接有其一端連接于液體供應(yīng)裝置5(在圖1中未圖示、參照?qǐng)D 6)的未圖示供應(yīng)管的另一端，在液體回收管31B，連接有其一端連接于液體回收裝置6(在圖1中未圖示、參照?qǐng)D6)的未圖示回收管的另一端。液體供應(yīng)裝置5，包含液體槽、加壓泵、溫度控制裝置、及用于控制液體對(duì)液體供應(yīng)管31A的供應(yīng)及停止的閥等。該閥最好使用例如不僅可進(jìn)行液體的供應(yīng)及停止、也能調(diào)整流量的流量控制閥。前述溫度控制裝置，將液體槽內(nèi)的液體溫度調(diào)整至收納有曝光裝置的處理室(未圖示)內(nèi)的溫度同樣程度。此外，供應(yīng)液體的槽、加壓泵、溫度控制裝置、閥等， 曝光裝置100不需全部具備，也能將其至少一部分由設(shè)有曝光裝置100的工廠等內(nèi)的設(shè)備來(lái)代替。液體回收裝置6包含液體的槽及吸引泵、以及經(jīng)由液體回收管31B控制液體的回收及停止的閥等。該閥最好使用與液體供應(yīng)裝置5的閥對(duì)應(yīng)的流量控制閥。此外，回收液體的槽、吸引泵、閥等，曝光裝置100不需全部具備，也能將其至少一部分由設(shè)有曝光裝置100 的工廠等內(nèi)的設(shè)備來(lái)代替。在本實(shí)施形態(tài)中，作為上述液體，使用可使ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm的光)透射的純水(以下除特別必要情況外，僅記述為「水」)。純水具有在半導(dǎo)體制造工廠等能容易地大量獲得且對(duì)晶片上的抗蝕劑及光學(xué)透鏡等無(wú)不良影響的優(yōu)點(diǎn)。
水對(duì)ArF準(zhǔn)分子激光的折射率η大致為1. 44。在該水中，照明光IL的波長(zhǎng)被縮短至 193nmX 1/n =約 134nm。液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6分別具備控制器，各控制器通過(guò)主控制裝置20 來(lái)控制(參照?qǐng)D6)。液體供應(yīng)裝置5的控制器根據(jù)來(lái)自主控制器20的指令，以規(guī)定開(kāi)度開(kāi)啟連接于液體供應(yīng)管31A的閥，經(jīng)由液體供應(yīng)管31A、供應(yīng)流路、及供應(yīng)口將水Lq(參照?qǐng)D1)供應(yīng)至前端透鏡191與晶片W之間。另外，此時(shí)，液體回收裝置6的控制器根據(jù)來(lái)自主控制器20的指令，以規(guī)定開(kāi)度開(kāi)啟連接于液體回收管31B的閥，經(jīng)由回收口、回收流路、 及液體回收管31B，從前端透鏡191與晶片W之間將水Lq回收至液體回收裝置6 (液體槽) 內(nèi)部。此時(shí)，主控制裝置20對(duì)液體供應(yīng)裝置5的控制器、液體回收裝置6的控制器發(fā)出指令，以使供應(yīng)至前端透鏡191與晶片W間的水Lq量與回收的水Lq量恒相等。據(jù)此，使前端透鏡191與晶片W間的水Lq(參照?qǐng)D1)保持一定量。此時(shí)，保持于前端透鏡191與晶片W 之間的水Lq隨時(shí)更換。從上述說(shuō)明可清楚得知，本實(shí)施形態(tài)的局部液浸裝置8包含噴嘴單元32、液體供應(yīng)裝置5、液體回收裝置6、液體供應(yīng)管31A及液體回收管31B等。局部液浸裝置8可通過(guò)噴嘴單元32，將液體Lq充滿前端透鏡191與晶片W之間，以形成包含照明光IL的光路空間的局部液浸空間(相當(dāng)于液浸區(qū)域14)。因此，噴嘴單元32也稱為液浸空間形成構(gòu)件或 containment member (confinement member)等。此夕卜,局部液浸裝置8的一部分、例如至少噴嘴單元32，也可吊掛支持于用于保持投影單元PU的主框架(包含前述的鏡筒平臺(tái))，或也可設(shè)于與主框架不同的框架構(gòu)件?；蛘?，當(dāng)如前所述將投影單元PU吊掛支持時(shí)，雖也可將投影單元PU與噴嘴單元32 —體吊掛支持，但在本實(shí)施形態(tài)中，將噴嘴單元32設(shè)于獨(dú)立于投影單元PU而吊掛支持的測(cè)量框架。在此情況下，也可不吊掛支持投影單元PU。此外，即使測(cè)量載臺(tái)MST位于投影單元PU下方時(shí)，也能與上述同樣地將水Lq充滿于后述測(cè)量臺(tái)與前端透鏡191之間。另外，在上述說(shuō)明中，作為一個(gè)例子，雖分別各設(shè)有一個(gè)液體供應(yīng)管(噴嘴)與液體回收管(噴嘴)，但并不限于此，只要考慮到與周?chē)鷺?gòu)件的關(guān)系也能進(jìn)行配置的話，也可采用例如國(guó)際公開(kāi)第99/49504號(hào)小冊(cè)子所公開(kāi)的具有多個(gè)噴嘴的構(gòu)成。另外，也能將例如噴嘴單元32的下面配置成比前端透鏡191的射出面更接近投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面(也即晶片)附近，或除了前端透鏡191的像面?zhèn)鹊墓饴芬酝猓谇岸送哥R191的物體面?zhèn)鹊墓饴芬灿靡后w充滿。也就是說(shuō)，只要至少能將液體供應(yīng)至構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最下端的光學(xué)構(gòu)件(前端透鏡)191與晶片W之間，該構(gòu)成可為任意。例如，本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置，也能適用在公開(kāi)于國(guó)際公開(kāi)第2004/053955號(hào)小冊(cè)子的液浸機(jī)構(gòu)或歐洲專利公開(kāi)第1420298號(hào)公報(bào)的液浸機(jī)構(gòu)等。返回到圖1，所述載臺(tái)裝置50具備配置于基座12上方的晶片載臺(tái)WST及測(cè)量載臺(tái) MST、包含測(cè)量這些載臺(tái)WST，MST的位置信息的Y干涉儀16、18的干涉儀系統(tǒng)118(參照?qǐng)D 6)、在曝光時(shí)等用于測(cè)量晶片載臺(tái)WST的位置信息的后述編碼器系統(tǒng)、及驅(qū)動(dòng)載臺(tái)WST、MST 等的載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124(參照?qǐng)D6)。在晶片載臺(tái)WST、測(cè)量載臺(tái)MST各自的底面的多處，設(shè)有未圖示的非接觸軸承、例如真空預(yù)壓型空氣靜壓軸承(以下稱為「空氣墊」)。通過(guò)從這些空氣墊往基座12上面噴出的加壓空氣的靜壓，使晶片載臺(tái)WST、測(cè)量載臺(tái)MST經(jīng)由數(shù)μ m程度的間隙以非接觸方式支持于基座12的上方。另外，載臺(tái)WST、MST可通過(guò)載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)IM而獨(dú)立驅(qū)動(dòng)于規(guī)定平面內(nèi)(XY平面)的Y軸方向(圖1的紙面內(nèi)左右方向)及X軸方向(圖1的紙面正交方向)的二維方向。更詳細(xì)地說(shuō)，如圖2的俯視圖所示，在底面上，延伸于Y軸方向的一對(duì)Y軸固定件 86，87夾著基座12分別配置于X軸方向的一側(cè)與另一側(cè)。Y軸固定件86，87例如由內(nèi)裝有永久磁鐵群的磁極單元構(gòu)成，該永久磁鐵群由沿Y軸方向以規(guī)定間隔交互配置的多組N極磁鐵與S極磁鐵構(gòu)成。在Y軸固定件86，87，各兩個(gè)的Y軸可動(dòng)件82，84及83，85設(shè)置成分別以非接觸方式卡合的狀態(tài)。即，合計(jì)四個(gè)的Y軸可動(dòng)件82，84，83，85，呈插入于)(Z截面為 U字型的Y軸固定件86或87的內(nèi)部空間的狀態(tài)，分別經(jīng)由未圖示空氣墊例如經(jīng)由數(shù)μ m程度的間隙來(lái)以非接觸方式支持于所對(duì)應(yīng)的Y軸固定件86或87。各Y軸可動(dòng)件82，84，83， 85，例如由內(nèi)裝有沿Y軸方向相距規(guī)定間隔所配置的電樞線圈的電樞單元所構(gòu)成。S卩，在本實(shí)施形態(tài)中，以電樞單元所構(gòu)成的Y軸可動(dòng)件82，84與磁鐵單元所構(gòu)成的Y軸固定件86，來(lái)分別構(gòu)成移動(dòng)線圈型的Y軸線性馬達(dá)。同樣地，以Y軸可動(dòng)件83，85與Y軸固定件87，分別構(gòu)成移動(dòng)線圈型的Y軸線性馬達(dá)。以下，將上述四個(gè)Y軸線性馬達(dá)分別使用與各可動(dòng)件 82，84，83，85相同的符號(hào)來(lái)適當(dāng)稱為Y軸線性馬達(dá)82、Y軸線性馬達(dá)84、Y軸線性馬達(dá)83、 及Y軸線性馬達(dá)85。在上述四個(gè)Y軸線性馬達(dá)中，兩個(gè)Y軸線性馬達(dá)82，83的可動(dòng)件82，83，分別固定于延伸于X軸方向的X軸固定件80長(zhǎng)邊方向的一端與另一端。另外，剩余的兩個(gè)Y軸線性馬達(dá)84，85的可動(dòng)件84，85，固定于延伸于X軸方向的X軸固定件81的一端與另一端。據(jù)此，X軸固定件80，81，即可通過(guò)各一對(duì)的Y軸線性馬達(dá)82，83，84，85分別沿Y軸被驅(qū)動(dòng)。各X軸固定件80，81，例如由分別內(nèi)裝有沿X軸方向相距規(guī)定間隔配置的電樞線圈的電樞單元所構(gòu)成。一 X軸固定件81，以插入狀態(tài)設(shè)置于形成于構(gòu)成晶片載臺(tái)WST —部分的載臺(tái)本體 91(在圖2中未圖示，參照?qǐng)D1)的未圖示開(kāi)口。在該載臺(tái)本體91的上述開(kāi)口內(nèi)部，例如設(shè)有具永久磁鐵群的磁極單元，該永久磁鐵群由沿X軸方向以規(guī)定間隔交互配置的多組N極磁鐵與S極磁鐵構(gòu)成。以該磁極單元與X軸固定件81來(lái)構(gòu)成用于將載臺(tái)本體91驅(qū)動(dòng)于X 軸方向的動(dòng)磁型X軸線性馬達(dá)。同樣地，另一 X軸固定件80，以插入狀態(tài)設(shè)置于形成于構(gòu)成測(cè)量載臺(tái)MST—部分的載臺(tái)本體92(在圖2中未圖示，參照?qǐng)D1)的開(kāi)口。在該載臺(tái)本體 92的上述開(kāi)口內(nèi)部設(shè)有與晶片載臺(tái)WST側(cè)(載臺(tái)本體91側(cè))同樣的磁極單元。用該磁極單元與X軸固定件80來(lái)構(gòu)成用于將測(cè)量載臺(tái)MST驅(qū)動(dòng)于X軸方向的動(dòng)磁型X軸線性馬達(dá)。在本實(shí)施形態(tài)中，構(gòu)成載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124的上述各線性馬達(dá)，由圖6所示的主控制裝置20來(lái)控制。此外，各線性馬達(dá)，并不限于動(dòng)磁型或移動(dòng)線圈型的任何一方，能根據(jù)需要來(lái)適當(dāng)選擇。此外，通過(guò)稍微改變一對(duì)Y軸線性馬達(dá)84，85分別產(chǎn)生的推力，而能控制晶片載臺(tái) WST的偏搖量(繞θζ的方向的旋轉(zhuǎn)量)。另外，通過(guò)稍微改變一對(duì)Y軸線性馬達(dá)82，83分別產(chǎn)生的推力，而能控制測(cè)量載臺(tái)MST的偏搖量。晶片載臺(tái)WST，包含前述載臺(tái)本體91、及裝載于該載臺(tái)本體91上的晶片臺(tái)WTB。此晶片臺(tái)WTB及載臺(tái)本體91，可通過(guò)未圖示的Z調(diào)平機(jī)構(gòu)(包含例如音圈馬達(dá)等)，相對(duì)基座 12及X軸固定件81被微小驅(qū)動(dòng)于Z軸方向、θ χ方向、及方向。S卩，晶片臺(tái)WTB可相對(duì)XY平面(或投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面)微幅移動(dòng)于Z軸方向或傾斜。此外，圖6中將上述各線性馬達(dá)及Z調(diào)平機(jī)構(gòu)表示為載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124。另外，晶片臺(tái)WTB也可構(gòu)成為可微動(dòng)于X 軸、Y軸、以及θ ζ方向的至少一個(gè)。在前述晶片臺(tái)WTB上設(shè)有通過(guò)真空吸附等來(lái)保持晶片W的晶片保持具(未圖示)。 晶片保持具雖可與晶片臺(tái)WTB形成為一體，但在本實(shí)施形態(tài)中晶片保持具與晶片臺(tái)WTB為分別構(gòu)成，通過(guò)例如真空吸附等將晶片保持具固定于晶片臺(tái)WTB的凹部?jī)?nèi)。另外，在晶片臺(tái) WTB上面設(shè)有板體(疏液板)28,該板體具有與裝載于晶片保持具上的晶片表面大致同一面高、已對(duì)液體Lq進(jìn)行疏液化處理的表面(疏液面)，其外形(輪廓)為矩形且于其中央部形成有比晶片保持具(晶片的裝載區(qū)域)大一圈的圓形開(kāi)口。板體觀，由低熱膨脹率的材料、例如玻璃或陶瓷(首德公司的kroduH商品名)、Α1203或TiC等)構(gòu)成，于其表面例如由氟樹(shù)脂材料、聚四氟乙烯(鐵氟龍(注冊(cè)商標(biāo)))等氟系樹(shù)脂材料、丙烯酸系樹(shù)脂材料或硅系樹(shù)脂材料等來(lái)形成疏液膜。還有，如圖4(A)的晶片臺(tái)WTB(晶片載臺(tái)WST)的俯視圖所示，板體觀具有用于包圍圓形開(kāi)口的外形(輪廓)為矩形的第1疏液區(qū)域、及配置于第 1疏液區(qū)域28a周?chē)木匦慰驙?環(huán)狀)第2疏液區(qū)域^b。第1疏液區(qū)域^a，例如在進(jìn)行曝光動(dòng)作時(shí)，形成有從晶片表面露出的液浸區(qū)域14的至少一部分，第2疏液區(qū)域^b，形成有后述編碼器系統(tǒng)用的標(biāo)尺(柵格部)。此外，板體觀的表面的至少一部分也可不與晶片表面為同一面高，即也可為相異的高度。另外，板體觀雖可是單一板體，但在本實(shí)施形態(tài)中為多個(gè)板體，例如組合分別與第1及第2疏液區(qū)域^a，28b對(duì)應(yīng)的第1及第2疏液板來(lái)構(gòu)成。在本實(shí)施形態(tài)中，由于如前所述使用純水來(lái)作為液體Lq，因此以下將第1及第2疏液區(qū)域^a，28b也稱為第1及第2疏水板^a，28b 在此情形下，相對(duì)于曝光用光IL照射于內(nèi)側(cè)的第1疏水板^a，曝光用光IL幾乎不會(huì)照射到外側(cè)的第2疏水板^b?？紤]到這一點(diǎn)，在本實(shí)施形態(tài)中在第1疏水板28a表面形成有第1疏水區(qū)域，其被施以對(duì)曝光用光IL(此時(shí)為真空紫外區(qū)的光)具有充分的耐性的疏水覆蓋膜，而于第2疏水板28b表面則形成第2疏水區(qū)域，其被施以對(duì)曝光用光IL的耐性比第1疏水區(qū)域差的疏水覆蓋膜。由于一般而言，并不容易對(duì)玻璃板施以對(duì)曝光用光 IL(此時(shí)為真空紫外區(qū)的光)具有充分的耐性的疏水覆蓋膜，因此如上述般分離成第1疏水板28a與其周?chē)牡?疏水板^b的兩個(gè)部分可更具效果。此外，并不限于此，也可對(duì)同一板體的上面施加對(duì)曝光用光IL的耐性相異的兩種疏水覆蓋膜，以形成第1疏水區(qū)域及第2 疏水區(qū)域。另外，第1及第2疏水區(qū)域的疏水覆蓋膜的種類也可相同?；蚶缫部捎谕话弩w僅形成一個(gè)疏水區(qū)域。另外，由圖4(A)可清楚得知，在第1疏水板^a的+Y側(cè)端部的X軸方向的中央部形成有長(zhǎng)方形缺口，在此缺口與第2疏水板28b所包圍的長(zhǎng)方形空間內(nèi)部(缺口內(nèi)部)埋設(shè)測(cè)量板30。在此測(cè)量板30的長(zhǎng)邊方向中央(晶片臺(tái)WTB的中心線LL上)形成基準(zhǔn)標(biāo)記 FM,且在該基準(zhǔn)標(biāo)記FM的X軸方向一側(cè)與另一側(cè)，形成有相對(duì)基準(zhǔn)標(biāo)記FM中心配置成對(duì)稱的一對(duì)空間像測(cè)量狹縫圖案SL。各空間像測(cè)量狹縫圖案SL，例如使用具有沿Y軸方向與X 軸方向的邊的L字形狹縫圖案。另外，如圖4(B)所示，在其內(nèi)部收納有光學(xué)系統(tǒng)(包含物鏡、反射鏡、中繼透鏡等) 的L字形框體36，以從晶片臺(tái)WTB貫通載臺(tái)本體91內(nèi)部一部分的狀態(tài)，安裝成一部分埋設(shè)于上述各空間像測(cè)量狹縫圖案SL下方的晶片載臺(tái)WST部分的狀態(tài)。雖省略圖示，但框體36與上述一對(duì)空間像測(cè)量狹縫圖案SL對(duì)應(yīng)設(shè)置有一對(duì)。上述框體36內(nèi)部的光學(xué)系統(tǒng)，將從上方往下方透射過(guò)空間像測(cè)量狹縫圖案SL的照明光IL沿L字形路徑導(dǎo)引，并朝向-Y方向射出。此外，以下為了方便說(shuō)明，使用與框體 36相同的符號(hào)將上述框體36內(nèi)部的光學(xué)系統(tǒng)記述為送光系統(tǒng)36。進(jìn)而，在第2疏水板28b上面，沿其四邊各以規(guī)定間距直接形成有多個(gè)柵格線。更詳細(xì)地說(shuō)，在第2疏水板^bWX軸方向一側(cè)與另一側(cè)(圖4(A)中的左右兩側(cè))的區(qū)域分別形成有Y標(biāo)尺39Y1;3OT2。Y標(biāo)尺39Y1;3OT2分別通過(guò)以Y軸方向?yàn)橹芷诜较虻姆瓷湫蜄鸥?例如衍射光柵)所構(gòu)成，該反射型柵格，例如以X軸方向?yàn)殚L(zhǎng)邊方向的柵格線38以規(guī)定間距沿平行于Y軸的方向(Y軸方向)而形成。同樣地，在第2疏水板^bWY軸方向一側(cè)與另一側(cè)(圖4(A)中的上下兩側(cè))的區(qū)域分別形成有X標(biāo)尺39X1; 39 。X標(biāo)尺39X1; 39 分別通過(guò)以X軸方向?yàn)橹芷诜较虻姆瓷湫蜄鸥?例如衍射光柵)所構(gòu)成，該反射型柵格，例如以Y軸方向?yàn)殚L(zhǎng)邊方向的柵格線37 以規(guī)定間距沿平行于X軸的方向(X軸方向)而形成。上述各標(biāo)尺，例如使用于全像片等于第2疏水板28b表面作成反射型衍射光柵RG(圖8)。此時(shí)，在各標(biāo)尺以規(guī)定間隔(間距) 而刻出由窄狹縫或槽等構(gòu)成的柵格來(lái)作為刻度。用于各標(biāo)尺的衍射光柵的種類并不限定， 不僅能以機(jī)械方式形成槽等，例如也可將干涉紋燒結(jié)于感旋光性樹(shù)脂來(lái)加以作成。不過(guò)，各標(biāo)尺，例如以138nm 4μπι間的間距(例如1 μ m間距)將上述衍射光柵的刻度刻于薄板狀玻璃來(lái)作成。這些標(biāo)尺被前述疏液膜(疏水膜)覆蓋。此外，圖4(A)中為了方便表示， 柵格的間距圖示成比實(shí)際間距大許多。這一點(diǎn)在其它的圖中也相同。這樣，本實(shí)施形態(tài)由于將第2疏水板28b本身構(gòu)成標(biāo)尺，因此使用低熱膨脹的玻璃板來(lái)作為第2疏水板^b。然而并不限于此，也可將形成有柵格的低熱膨脹的玻璃板等所構(gòu)成的標(biāo)尺構(gòu)件，通過(guò)例如板彈簧(或真空吸附)等固定于晶片臺(tái)WTB上面，以避免其產(chǎn)生局部性的伸縮，此時(shí)，也可將在整面施有同一疏水覆蓋膜的疏水板取代板體觀來(lái)使用?；蛘撸?也能用低熱膨脹率的材料來(lái)形成晶片臺(tái)WTB，在這種情形下，一對(duì)Y標(biāo)尺與一對(duì)X標(biāo)尺也可直接形成于該晶片臺(tái)WTB上面。此外，為了保護(hù)衍射光柵，用具有疏液性的低熱膨脹率的玻璃板覆蓋也有效。此處，玻璃板的厚度例如為1mm，將其設(shè)置于晶片臺(tái)WTB上面以使其表面與晶片面高度相同。 因此，晶片載臺(tái)WST所保持(裝載)的晶片W的表面(本實(shí)施形態(tài)中，與晶片載臺(tái)WST的上面大致相同面高)與標(biāo)尺的柵格面在Z軸方向的間隔為1mm。此外，在標(biāo)尺端的附近設(shè)有用于決定后述編碼器讀頭與標(biāo)尺間的相對(duì)位置的位置導(dǎo)出圖案。此位置導(dǎo)出圖案由反射率不同的柵格線構(gòu)成，編碼器讀頭掃描于此圖案上時(shí)，編碼器的輸出信號(hào)的強(qiáng)度會(huì)改變。因此，預(yù)先設(shè)定臨限值，檢測(cè)輸出信號(hào)的強(qiáng)度超過(guò)該臨限值的位置。以此檢測(cè)出的位置為基準(zhǔn)，設(shè)定編碼器讀頭與標(biāo)尺間的相對(duì)位置。在本實(shí)施形態(tài)中，主控制裝置20能依據(jù)干涉儀系統(tǒng)118(參照?qǐng)D6)的測(cè)量結(jié)果， 求出晶片載臺(tái)WST在整個(gè)移動(dòng)區(qū)域的6自由度方向(Ζ、Χ、Υ、θζ、ΘΧ、0y方向)的位移。 此處，干涉儀系統(tǒng)118包含X干涉儀1 128、Y干涉儀16、2干涉儀43々，438。晶片臺(tái)WTB的-Y端面、-X端面分別施以鏡面加工而形成為圖2所示的反射面17a、 反射面17b。構(gòu)成干涉儀系統(tǒng)118(參照?qǐng)D6) —部分的Y干涉儀16及X干涉儀126，127， 128(圖1中X干涉儀126 128并未圖示，參照?qǐng)D2)，分別對(duì)這些反射面17a，17b投射干涉儀光束(測(cè)長(zhǎng)光束)，并通過(guò)接收各自的反射光，測(cè)量各反射面從基準(zhǔn)位置(一般在投影單元PU側(cè)面配置固定鏡，再以該處為基準(zhǔn)面)的位移、即晶片載臺(tái)WST在XY平面內(nèi)的位置信息，并將該測(cè)量的位置信息供應(yīng)至主控制裝置20。在本實(shí)施形態(tài)中，如后所述，作為上述各干涉儀，除了一部分以外均使用具有多個(gè)側(cè)長(zhǎng)軸的多軸干涉儀。另一方面，在載臺(tái)本體91的-Y側(cè)端面，如圖1及圖4(B)所示，經(jīng)由未圖示運(yùn)動(dòng)式支持機(jī)構(gòu)安裝有以X軸方向?yàn)殚L(zhǎng)邊方向的移動(dòng)鏡41。與移動(dòng)鏡41相對(duì)向設(shè)有用于將測(cè)長(zhǎng)光束照射于該移動(dòng)鏡41的、構(gòu)成干涉儀系統(tǒng) 118(參照?qǐng)D6) —部分的一對(duì)干涉儀43A，43B(參照?qǐng)D1及圖2)。更詳細(xì)地說(shuō)，綜合圖2及圖4(B)后可知，移動(dòng)鏡41設(shè)計(jì)成其X軸方向的長(zhǎng)度比晶片臺(tái)WTB的反射面17a長(zhǎng)至少Z干涉儀43A，43B的間隔量。另外，移動(dòng)鏡41由具有將長(zhǎng)方形與等腰梯形一體化的六角形截面形狀的構(gòu)件構(gòu)成。對(duì)移動(dòng)鏡41-Y側(cè)的面施以鏡面加工，形成有三個(gè)反射面41b，41a，41c。反射面41a構(gòu)成移動(dòng)鏡41的-Y側(cè)端面，與XL平面成平行且延伸于X軸方向。反射面41b構(gòu)成與反射面41a的+Z側(cè)相鄰的面，與相對(duì))(Z平面繞圖4(B)的順時(shí)針?lè)较騼A斜規(guī)定角度的面平行且延伸于X軸方向。反射面41c構(gòu)成與反射面41a的-Z側(cè)相鄰的面，設(shè)置成夾著反射面41a與反射面41b對(duì)稱。綜合圖1及圖2可知，Z干涉儀43A，4 在Y干涉儀16的X軸方向一側(cè)與另一側(cè)分離大致同一距離，且分別配置成略低于Y干涉儀16的位置。如圖1所示，從Z干涉儀43A，4!3B分別向反射面41b投射沿Y軸方向的測(cè)長(zhǎng)光束 Bi，且向反射面41c(參照?qǐng)D4(B))投射沿Y軸方向的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)2。在本實(shí)施形態(tài)中，具有與被反射面41b反射的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)l正交的反射面的固定鏡47A、及具有與被反射面41c反射的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)2正交的反射面的固定鏡47B，在從移動(dòng)鏡41向-Y方向分離規(guī)定距離的位置，在不干涉于測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)i，B2的狀態(tài)下分別延伸設(shè)置于X軸方向。固定鏡47A，47B被支持于設(shè)在用于支持例如投影單元PU的框架(未圖示)的同一支持體(未圖示)。此外，固定鏡47A，47B也可設(shè)于前述測(cè)量框架等。另外，在本實(shí)施形態(tài)中，雖設(shè)置有三個(gè)反射面41b，41a，41c的移動(dòng)鏡41、及固定鏡47A，47B,但并不限于此，例如可將具有45度斜面的移動(dòng)鏡設(shè)于載臺(tái)本體91側(cè)面，并將固定鏡配置于晶片載臺(tái)WST上方。此時(shí)，只要將固定鏡設(shè)于前述支持體或測(cè)量框架等即可。如圖2所示，Y干涉儀16從平行于通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影中心(光軸AX，參照?qǐng)D1)的Y軸的直線沿在-χ側(cè)、+X側(cè)分離同一距離的Y軸方向測(cè)長(zhǎng)軸，將測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)4” B42投射于晶片臺(tái)WTB的反射面17a，再接收各自的反射光，由此來(lái)檢測(cè)晶片臺(tái)WTB的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)4p B42的照射點(diǎn)中的Y軸方向位置(Y位置)。此外，圖1中僅代表性地將測(cè)長(zhǎng)光束 Β4ι; B42圖示為測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)4。另外，Y干涉儀16在測(cè)長(zhǎng)光束M1,B42之間在Z軸方向隔開(kāi)規(guī)定間隔，沿Y軸方向測(cè)長(zhǎng)軸將測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)3投射向反射面41a，再接收被反射面41a反射的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)3，由此來(lái)檢測(cè)移動(dòng)鏡41的反射面41a(即晶片載臺(tái)WST)的Y位置。主控制裝置20根據(jù)Y干涉儀16的與測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)41; B42對(duì)應(yīng)的測(cè)長(zhǎng)軸的測(cè)量值平均值，算出反射面17a即晶片臺(tái)WTB (晶片載臺(tái)WST)的Y位置(更正確地說(shuō)為Y軸方向的位移ΔΥ)。另外，主控制裝置20從與測(cè)長(zhǎng)光束M1, B42對(duì)應(yīng)的測(cè)長(zhǎng)軸的測(cè)量值差，算出晶片臺(tái)WTB在繞Z軸的旋轉(zhuǎn)方向(ΘΖ)的位移(偏搖量)Δ θ ζ⑴。另外，主控制裝置20，根據(jù)反射面17a及在反射面41a的Y位置(Y軸方向的位移Δ Y)，算出晶片載臺(tái)WST在θχ方向的位移(縱搖量)Δ θ χ0另外，如圖2所示，X干涉儀126，沿與通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸的X軸方向的直線LH相距同一距離的雙軸測(cè)長(zhǎng)軸，將測(cè)長(zhǎng)光束Β51; 投射于晶片臺(tái)WTB，主控制裝置20 根據(jù)與測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)51; B52對(duì)應(yīng)的測(cè)長(zhǎng)軸的測(cè)量值，算出晶片臺(tái)WTB在X軸方向的位置(X位置，更正確地說(shuō)為X軸方向的位移ΔΧ)。另外，主控制裝置20從與測(cè)長(zhǎng)光束對(duì)應(yīng)的測(cè)長(zhǎng)軸的測(cè)量值差，算出晶片臺(tái)WTB在ΘΖ方向的位移(偏搖量)Δ ΘΖ 。此外，從X干涉儀126獲得的Δ θ ζ 與從Y干涉儀16獲得的Δ θ ζ(γ)彼此相等，代表晶片臺(tái)WTB往θ ζ 方向的位移(偏搖量)Δ θ ζ。另外，如圖2的虛線所示，從X干涉儀1 沿平行于X軸的測(cè)長(zhǎng)軸射出測(cè)長(zhǎng)光束 B7。此X干涉儀128，實(shí)際上沿連結(jié)后述卸載位置UP與裝載位置LP(參照?qǐng)D3)的X軸的平行測(cè)長(zhǎng)軸，將測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)7投射于位在卸載位置UP與裝載位置LP附近位置的晶片臺(tái)WTB的反射面17b。另外，如圖2所示，來(lái)自X干涉儀127的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)6投射至晶片臺(tái)WTB的反射面17b。實(shí)際上，測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)6沿通過(guò)第一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl檢測(cè)中心的X軸的平行測(cè)長(zhǎng)軸，投射至晶片臺(tái)WTB的反射面17b。主控制裝置20，也可從X干涉儀127的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)6的測(cè)量值、及X干涉儀128的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)7的測(cè)量值，求出晶片臺(tái)WTB在X軸方向的位移ΔΧ。不過(guò)，三個(gè)X干涉儀126， 127，128的配置在Y軸方向不同，X干涉儀1 使用于進(jìn)行圖22所示的曝光時(shí)，X干涉儀 127使用于進(jìn)行圖四等所示的晶片對(duì)準(zhǔn)時(shí)，X干涉儀1 使用于進(jìn)行圖沈及圖27所示的晶片裝載時(shí)、及圖25所示的卸載時(shí)。另外，從Z干涉儀43A，4!3B分別投射沿Y軸的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)1，B2向移動(dòng)鏡41。這些測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)i，B2分別以規(guī)定入射角(設(shè)為Θ/2)射入到移動(dòng)鏡41的反射面41b，41c。另外，測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)i，B2分別在反射面41b，41c反射，而呈垂直射入固定鏡47A，47B的反射面。 接著，在固定鏡47A，47B的反射面反射的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)i，B2，再次分別在反射面41b，41c反射 (逆向反轉(zhuǎn)于射入時(shí)的光路)而被Z干涉儀43A，43B接收。此處，若將晶片載臺(tái)WST(也即移動(dòng)鏡41)向Y軸方向的位移設(shè)為Δ^，將向Z軸方向的位移設(shè)為Δ Zo,則被Z干涉儀43 Δ，43Β接收到的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)l的光路長(zhǎng)變化Δ Ll及測(cè)長(zhǎng)光束Β2的光路長(zhǎng)變化Δ L2，可分別以下式(1)，(2)表示。ALl= Δ Yo X (1+cos θ ) - Δ Zo X sin θ. . . (1)Δ L2 = Δ Yo X (1+cos θ ) + Δ Zo X sin θ. . . (2)接著，依據(jù)式(1)，(2)，ΔY0及八^)可由下式(3)，(4)求出。ΔΖο = (AL2-ALl)/2sin θ…(3)Δ Yo = ( Δ Ll+ Δ L2) / {2 (1+cos θ )}. . . (4)上述的位移Δ^)、Δ^分別用Z干涉儀43Α，4;3Β求出。因此，將以Z干涉儀43Α 求出的位移設(shè)為AhR，Δ ^R，將用Z干涉儀4 求出的位移設(shè)為m AYoL0接著，將 Z干涉儀43A，4!3B分別投射的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)i，B2在X軸方向分離的距離設(shè)為D(參照?qǐng)D2)。 在上述前提之下，移動(dòng)鏡41 (也即晶片載臺(tái)WST)向θ ζ方向的位移(偏搖量)Δ θ ζ、及移動(dòng)鏡41(也即晶片載臺(tái)WST)向ey方向的位移(橫搖量)Δ 9y可由下式(5)，(6)求出。ΔθζΝ(ΑΥοΚ - AYoL) / D…(5)
A0y N (AZoL - AZoR)/D…(6)因此，主控制裝置20可通過(guò)使用上述式C3) 式(6)，根據(jù)2干涉儀43六，4；^的測(cè)量結(jié)果，算出晶片載臺(tái)WST在4自由度的位移ΔΖο、ΔΥο、Δ θζ、Δ 0y。這樣，主控制裝置20，可從干涉儀系統(tǒng)118的測(cè)量結(jié)果，算出晶片載臺(tái)WST在6自由度方向(Ζ，Χ，Υ，θζ，θχ，0y方向)的位移。此外，在本實(shí)施形態(tài)中，干涉儀系統(tǒng)118雖能測(cè)量晶片載臺(tái)WST在6自由度方向的位置信息，但測(cè)量方向不限于6自由度方向，也可是 5自由度以下的方向。此外，在本實(shí)施形態(tài)中，雖說(shuō)明了晶片載臺(tái)WST(91，WTB)可在6自由度移動(dòng)的單一載臺(tái)，但并不限于此，也可使晶片載臺(tái)WST構(gòu)成為包含可在XY面內(nèi)移動(dòng)自如的載臺(tái)本體91， 及裝載于該載臺(tái)本體91上、能相對(duì)載臺(tái)本體91微幅驅(qū)動(dòng)于至少Z軸方向、θ x方向、及0y 方向的晶片臺(tái)WTB。此時(shí)，前述的移動(dòng)鏡41設(shè)于晶片臺(tái)WTB。另外，也可在晶片臺(tái)WTB設(shè)置由平面鏡構(gòu)成的移動(dòng)鏡來(lái)代替反射面17a，反射面17b。不過(guò)，在本實(shí)施形態(tài)中，晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB)在XY平面內(nèi)的位置信息(包含θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息的3自由度方向的位置信息)，主要通過(guò)后述編碼器系統(tǒng)來(lái)測(cè)量，干涉儀16，126，127的測(cè)量值輔助性地用于修正(校正)該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量值長(zhǎng)期性變動(dòng) (例如因標(biāo)尺隨時(shí)間的變化等所造成)、及編碼器的輸出異常產(chǎn)生時(shí)的備用等。此外，在本實(shí)施形態(tài)中，晶片載臺(tái)WST的6自由度方向的位置信息中、包含X軸方向、Y軸方向、及θ ζ 方向的3自由度方向的位置信息由后述編碼器系統(tǒng)來(lái)測(cè)量，剩下的3自由度方向即Z軸方向、θχ方向、及ey方向的位置信息，則通過(guò)后述的具有多個(gè)Z傳感器的測(cè)量系統(tǒng)來(lái)測(cè)量。 此處，剩下的3自由度方向的位置信息，也可通過(guò)測(cè)量系統(tǒng)與干涉儀系統(tǒng)118雙方來(lái)測(cè)量。 例如通過(guò)測(cè)量系統(tǒng)測(cè)量在Z軸方向及Qy方向的位置信息，通過(guò)干涉儀系統(tǒng)118測(cè)量在ΘΧ 方向的位置信息。此外，干涉儀系統(tǒng)118的至少一部分(例如光學(xué)系統(tǒng)等)，雖可設(shè)于用在保持投影單元PU的主框架，或與如前所述吊掛支持的投影單元PU設(shè)置成一體，但本實(shí)施形態(tài)中設(shè)于前述測(cè)量框架。前述測(cè)量載臺(tái)MST，包含前述載臺(tái)本體92與裝載于該載臺(tái)本體92上的測(cè)量臺(tái) MTB0測(cè)量臺(tái)MTB也經(jīng)由未圖示的Z調(diào)平機(jī)構(gòu)裝載于載臺(tái)本體92上。然而并不限于此，也可采用能將測(cè)量臺(tái)MTB相對(duì)載臺(tái)本體92微動(dòng)于X軸方向、Y軸方向及θ ζ方向的所謂粗微動(dòng)構(gòu)造的測(cè)量載臺(tái)MST，或?qū)y(cè)量臺(tái)MTB固定于載臺(tái)本體92，并使包含該測(cè)量臺(tái)MTB與載臺(tái)本體92的測(cè)量載臺(tái)MST整體構(gòu)成為可驅(qū)動(dòng)于6自由度方向。在測(cè)量臺(tái)MTB(及載臺(tái)本體92)設(shè)有各種測(cè)量用構(gòu)件。作為該測(cè)量用構(gòu)件，例如圖2 及圖5(A)所示，采用具有針孔狀受光部來(lái)在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面上接收照明光IL的照度偏差傳感器94、用于測(cè)量投影光學(xué)系統(tǒng)PL所投影的圖案空間像(投影像)的空間像測(cè)量器96、及例如國(guó)際公開(kāi)第03/0654 號(hào)小冊(cè)子等所公開(kāi)的夏克一哈特曼(Shack-Hartman) 方式的波面像差測(cè)量器98等。波面像差測(cè)量器98，例如能使用國(guó)際公開(kāi)第99/60361號(hào)小冊(cè)子(對(duì)應(yīng)歐洲專利第1，079，223號(hào))所公開(kāi)的。照度偏差傳感器94，例如能使用與日本特開(kāi)昭57-117238號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第4，465，368號(hào)說(shuō)明書(shū))等所公開(kāi)的相同的構(gòu)造。另外，空間像測(cè)量器96，例如能使用與日本特開(kāi)2002-14005號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)第2002/0041377號(hào)說(shuō)明書(shū))等所公開(kāi)的相同的構(gòu)造。此外，本實(shí)施形態(tài)中雖將三個(gè)測(cè)量用構(gòu)件(94，96，98)設(shè)于測(cè)量載臺(tái)MSTJfi 測(cè)量用構(gòu)件的種類、及/或數(shù)量等并不限于此。測(cè)量用構(gòu)件，例如可使用用于測(cè)量投影光學(xué)系統(tǒng)PL的透射率的透射率測(cè)量器、及/或能采用用于觀察前述局部液浸裝置8、例如噴嘴單元32(或前端透鏡191)等的測(cè)量器等。再者，也可將與測(cè)量用構(gòu)件相異的構(gòu)件、例如用于清潔噴嘴單元32、前端透鏡191等的清潔構(gòu)件等裝載于測(cè)量載臺(tái)MST。在本實(shí)施形態(tài)中，參照?qǐng)D5(A)可知，使用頻率高的傳感器類、照度偏差傳感器94 及空間像測(cè)量器96等配置于測(cè)量載臺(tái)MST的中心線CL(通過(guò)中心的Y軸)上。因此，在本實(shí)施形態(tài)中，使用這些傳感器類的測(cè)量，并非以使測(cè)量載臺(tái)MST移動(dòng)于X軸方向的方式來(lái)進(jìn)行，而僅以使其移動(dòng)于Y軸方向的方式來(lái)進(jìn)行。除了上述傳感器以外，還能采用例如日本特開(kāi)平11-16816號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)第2002/0061469號(hào)說(shuō)明書(shū))等所公開(kāi)的具有在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面上接收照明光IL的規(guī)定面積的受光部的照度監(jiān)測(cè)器，此照度監(jiān)測(cè)器最好也配置于中心線上。此外，在本實(shí)施形態(tài)中，對(duì)應(yīng)所進(jìn)行的通過(guò)經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL與液體(水)Lq 的曝光用光(照明光)IL來(lái)使晶片W曝光的液浸曝光，在使用照明光IL于測(cè)量中所使用的上述照度偏差傳感器94 (以及照度監(jiān)測(cè)器)、空間像測(cè)量器96、及波面像差傳感器98中，成為經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL及水Lq來(lái)接收照明光IL。另外，各傳感器，例如也可僅有光學(xué)系統(tǒng)等的一部分裝載于測(cè)量臺(tái)MTB (及載臺(tái)本體9 ，或也可將傳感器整體配置于測(cè)量臺(tái)MTB (及載臺(tái)本體92)。如圖5(B)所示，在測(cè)量載臺(tái)MST的載臺(tái)本體92的-Y側(cè)端面固定有框狀安裝構(gòu)件 42。另外，在載臺(tái)本體92的-Y側(cè)端面，在安裝構(gòu)件42的開(kāi)口內(nèi)部的在X軸方向的中心位置附近，以能與前述一對(duì)送光系統(tǒng)36相對(duì)向的配置固定有一對(duì)受光系統(tǒng)44。各受光系統(tǒng) 44，由中繼透鏡等的光學(xué)系統(tǒng)、受光元件(例如光電子增倍管等)、及收納這些的框體來(lái)構(gòu)成。由圖4(B)及圖5(B)、及截至目前為止的說(shuō)明可知，在本實(shí)施形態(tài)中，在晶片載臺(tái)WST與測(cè)量載臺(tái)MST于Y軸方向接近規(guī)定距離以內(nèi)的狀態(tài)(包含接觸狀態(tài))下，透射過(guò)測(cè)量板30 的各空間像測(cè)量狹縫圖案SL的照明光IL被前述各送光系統(tǒng)36導(dǎo)引，而被在各受光系統(tǒng)44 內(nèi)部的受光元件接收。即，通過(guò)測(cè)量板30、送光系統(tǒng)36、及受光系統(tǒng)44，來(lái)構(gòu)成與前述日本特開(kāi)2002-14005號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)第2002/0041377號(hào)說(shuō)明書(shū))等所公開(kāi)的相同的空間像測(cè)量裝置45 (參照?qǐng)D6)。在前述安裝構(gòu)件42上，沿X軸方向延伸有由截面矩形的棒狀構(gòu)件構(gòu)成的作為基準(zhǔn)構(gòu)件的基準(zhǔn)桿(以下簡(jiǎn)稱為「CD桿」)。此CD桿46，通過(guò)全運(yùn)動(dòng)式支架構(gòu)造以運(yùn)動(dòng)式支持于測(cè)量載臺(tái)MST上。由于CD桿46為原器(測(cè)量基準(zhǔn))，因此其材料采用低熱膨脹率的光學(xué)玻璃陶瓷、 例如首德公司W(wǎng)krodur (商品名)等。此CD桿46的上面(表面)的平坦度設(shè)定得較高， 與所謂基準(zhǔn)平面板相同程度。另外，在該CD桿46的長(zhǎng)邊方向一側(cè)與另一側(cè)端部附近，如圖 5(A)所示分別形成有以Y軸方向?yàn)橹芷诜较虻幕鶞?zhǔn)柵格(例如衍射光柵)52。這一對(duì)基準(zhǔn)柵格52的形成方式為彼此隔著規(guī)定距離(L)關(guān)于⑶桿46的X軸方向中心即前述中心線 CL配置成對(duì)稱。
另外，在該⑶桿46上面以圖5(A)所示的配置形成有多個(gè)基準(zhǔn)標(biāo)記M。該多個(gè)基準(zhǔn)標(biāo)記M是以同一間距在Y軸方向形成為三行的排列，各行排列形成為在X軸方向彼此偏移規(guī)定距離。各基準(zhǔn)標(biāo)記M，例如使用可通過(guò)后述第一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)來(lái)檢測(cè)的尺寸的二維標(biāo)記?；鶞?zhǔn)標(biāo)記M的形狀(構(gòu)成)雖也可與前述基準(zhǔn)標(biāo)記FM相異，但本實(shí)施形態(tài)中基準(zhǔn)標(biāo)記M與基準(zhǔn)標(biāo)記FM為相同構(gòu)成，且也與晶片W的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相同構(gòu)成。此外，在本實(shí)施形態(tài)中，CD桿46的表面及測(cè)量臺(tái)MTB (也可包含前述測(cè)量用構(gòu)件)的表面均分別以疏液膜(疏水膜)覆蓋。測(cè)量臺(tái)MTB的+Y端面、-X端面也形成有與前述晶片臺(tái)WTB同樣的反射面19a， 19b (參照?qǐng)D2及圖5 (A))。干涉儀系統(tǒng)118 (參照?qǐng)D6)的Y干涉儀18及X干涉儀130 (圖 1中X干涉儀130并未圖示，參照?qǐng)D2)，如圖2所示分別對(duì)這些反射面19a，19b投射干涉儀光束(測(cè)長(zhǎng)光束)，并通過(guò)接收各自的反射光，測(cè)量各反射面從基準(zhǔn)位置的位移、即測(cè)量載臺(tái)MST的位置信息(例如至少包含X軸及Y軸方向的位置信息與θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息)，并將該測(cè)量值供應(yīng)至主控制裝置20。本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100，雖在圖1中為了避免圖式過(guò)于復(fù)雜而予以省略，但實(shí)際上如圖3所示，配置有第一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl，該第一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl在通過(guò)投影單元PU的中心 (與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX —致，在本實(shí)施形態(tài)中也與前述曝光區(qū)域IA的中心一致) 且與Y軸平行的直線LV上，從該光軸向-Y側(cè)相隔規(guī)定距離的位置具有檢測(cè)中心。此第一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl經(jīng)由支持構(gòu)件M固定于未圖示主框架的下面。夾著此第一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的 X軸方向一側(cè)與另一側(cè)，分別設(shè)有其檢測(cè)中心相對(duì)該直線LV配置成大致對(duì)稱的第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ΑΙ^,ΑΙΛ與六1^3，六1^4。即，五個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl,AI^1 AL24的檢測(cè)中心，在X軸方向配置于不同的位置，即沿X軸方向配置。各第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AUn(n = 1 4)，如代表性地表示的第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL&那樣，固定于能以旋轉(zhuǎn)中心0為中心向圖3中的順時(shí)針及逆時(shí)針?lè)较蛐齽?dòng)規(guī)定角度范圍的臂5 (η =1 4)的前端(旋動(dòng)端)。在本實(shí)施形態(tài)中，各第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AUnW—部分(例如至少包含將對(duì)準(zhǔn)光照射于檢測(cè)區(qū)域、且將檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的對(duì)象標(biāo)記所產(chǎn)生的光導(dǎo)引至受光元件的光學(xué)系統(tǒng))固定于臂56η，剩余的一部分則設(shè)于用于保持投影單元PU的主框架。第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL21; AL22，AL23，AL24能通過(guò)分別以旋轉(zhuǎn)中心0旋動(dòng)來(lái)調(diào)整X位置。即，第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) AL2i; AL22，AL23，AL24的檢測(cè)區(qū)域(或檢測(cè)中心)能獨(dú)立移動(dòng)于X軸方向。因此，第一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl及第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ΑΙΛ，ΑΙΛ，ΑΙΛ，ΑΙΛ能調(diào)整其檢測(cè)區(qū)域在X軸方向的相對(duì)位置。 此外，在本實(shí)施形態(tài)中，雖通過(guò)臂的旋動(dòng)來(lái)調(diào)整第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL21; AL22，AL23，AL24的X位置，但并不限于此，也可設(shè)置將第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL21; AL22，AL23，AL24往返驅(qū)動(dòng)于X軸方向的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。另外，第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ΑΙΛ，Α 22，Α 23，ΑΙ^4的至少一個(gè)也可不僅可移動(dòng)于X軸方向而也可移動(dòng)于Y軸方向。此外，由于各第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL^1W—部分通過(guò)臂5 來(lái)移動(dòng)，因此可通過(guò)未圖示傳感器例如干涉儀或編碼器等來(lái)測(cè)量固定于臂5 的一部分的位置信息。 此傳感器可僅測(cè)量第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AUn在X軸方向的位置信息，也能使其可測(cè)量其它方向例如Y軸方向及/或旋轉(zhuǎn)方向(包含ΘΧ及θy方向的至少一方)的位置信息。在前述各臂5 上面，設(shè)有由差動(dòng)排氣型的空氣軸承構(gòu)成的真空墊58η (η = 1 4)。另外，臂56 ，例如通過(guò)包含馬達(dá)等的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)60n(n = 1 4，圖3中未圖示，參照?qǐng)D6)，可依照主控制裝置20的指示來(lái)旋動(dòng)。主控制裝置20在臂5 的旋轉(zhuǎn)調(diào)整后，使各真空墊58n動(dòng)作以將各臂5 吸附固定于未圖示主框架。由此，即可維持各臂5 的旋轉(zhuǎn)角度調(diào)整后的狀態(tài)，也即維持相對(duì)第一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的4個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AIA ΑΙΛ的所希望的位置關(guān)系。此外，與主框架的臂5 相對(duì)向的部分只要是磁性體，也可代替真空墊58采用電磁鐵。本實(shí)施形態(tài)的第一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl及4個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AU1 AL、，可使用例如影像處理方式的FIA (Field Image Alignment (場(chǎng)像對(duì)準(zhǔn)))系統(tǒng)的傳感器，其能將不會(huì)使晶片上的抗蝕劑感光的寬頻檢測(cè)光束照射于對(duì)象標(biāo)記，并用攝影組件(CXD(電荷耦合組件) 等)拍攝通過(guò)來(lái)自該對(duì)象標(biāo)記的反射光而成像于受光面的對(duì)象標(biāo)記像、及未圖示的指針 (設(shè)于各對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)內(nèi)的指針板上的指針圖案)像，并輸出這些攝像信號(hào)。來(lái)自第一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) ALl及4個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AIA ΑΙΛ各自的攝像信號(hào)，供應(yīng)至圖6的主控制裝置20。此外，作為上述各對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)不限于FIA系統(tǒng)，當(dāng)然也能單獨(dú)或適當(dāng)組合使用能將相干的檢測(cè)光照射于對(duì)象標(biāo)記以檢測(cè)從此對(duì)象標(biāo)記產(chǎn)生的散射光或衍射光的對(duì)準(zhǔn)傳感器， 或是干涉從該對(duì)象標(biāo)記產(chǎn)生的兩衍射光(例如同次數(shù)的衍射光、或衍射于同方向的衍射光)來(lái)加以檢測(cè)的對(duì)準(zhǔn)傳感器。另外，本實(shí)施形態(tài)中雖設(shè)置了五個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1，ΑΙΛ AL24，但其數(shù)目并不限于五個(gè)，也可是兩個(gè)以上且四個(gè)以下，或六個(gè)以上也可，或也可不為奇數(shù)而為偶數(shù)。進(jìn)而，在本實(shí)施形態(tài)中，五個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1，AI^ ΑΙΛ，雖經(jīng)由支持構(gòu)件討固定于用于保持投影單元PU的主框架下面，但并不限于此，也可設(shè)于例如前述測(cè)量框架。 另外，對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AL1，AL2, AL24，由于檢測(cè)晶片W的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、及⑶桿46的基準(zhǔn)標(biāo)記，因此在本實(shí)施形態(tài)中也可僅稱為標(biāo)記檢測(cè)系統(tǒng)。本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100，如圖3所示，以從四方包圍前述噴嘴單元32周?chē)臓顟B(tài)配置有編碼器系統(tǒng)的四個(gè)讀頭單元62A 62D。這些讀頭單元62A 62D，雖在圖3等中為了避免圖式過(guò)于復(fù)雜而予以省略，但實(shí)際上經(jīng)由支持構(gòu)件以吊掛狀態(tài)固定于用于保持前述投影單元PU的主框架。此外，讀頭單元62A 62D在例如投影單元PU為吊掛支持的情形下，也可與投影PU吊掛支持成一體，或設(shè)于前述測(cè)量框架。讀頭單元62A，62C，在投影單元PU的+X側(cè)、-X側(cè)，分別以X軸方向?yàn)殚L(zhǎng)邊方向且相對(duì)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX配置成從光軸AX大致相隔同一距離。另外，讀頭單元62B， 62D，在投影單元PU的+Y側(cè)、-Y側(cè)，分別以Y軸方向?yàn)殚L(zhǎng)邊方向且相對(duì)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX配置成從光軸AX大致相隔同一距離。如圖3所示，讀頭單元62A，62C，具備多個(gè)(此處為六個(gè))沿X軸方向以規(guī)定間隔配置于通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX且與X軸平行的直線LH上的Y讀頭64。讀頭單元62A， 構(gòu)成使用前述Y標(biāo)尺39^來(lái)測(cè)量晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB)在Y軸方向的位置(Y位置)的多眼(此處為六眼)的Y線性編碼器(以下適當(dāng)簡(jiǎn)稱為「Y編碼器」或「編碼器」)70A (參照?qǐng)D6)。同樣地，讀頭單元62C，構(gòu)成使用前述Y標(biāo)尺3OT2來(lái)測(cè)量晶片載臺(tái)WST (晶片臺(tái)WTB) 的Y位置)的多眼(此處為六眼)的Y編碼器70C(參照?qǐng)D6)。此處，讀頭單元62A，62C所具備的相鄰Y讀頭64 (也即測(cè)量光束)的間隔，設(shè)定成比前述Y標(biāo)尺39Y1; 39Υ2在X軸方向的寬度(更正確而言為柵格線38的長(zhǎng)度)窄。另外，讀頭單元62A，62C各自具備的多個(gè)Y 讀頭64中位于最內(nèi)側(cè)的Y讀頭64，為了盡可能配置于接近投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸，固定于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的鏡筒40下端部(更正確而言為包圍前端透鏡191的噴嘴單元32的橫方向側(cè))。如圖3所示，讀頭單元62B，具備多個(gè)(此處為七個(gè))沿著Y軸方向以規(guī)定間隔配置于上述直線LV上的X讀頭66。另外，讀頭單元62D，具備多個(gè)(此處為十一個(gè)(不過(guò)，圖 3的十一個(gè)中與第一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl重疊的三個(gè)未圖示))以規(guī)定間隔配置于上述直線LV上的X讀頭66。讀頭單元62B，構(gòu)成使用前述X標(biāo)尺39 來(lái)測(cè)量晶片載臺(tái)WST (晶片臺(tái)WTB) 在X軸方向的位置(X位置)的多眼(此處為七眼)的X線性編碼器(以下適當(dāng)簡(jiǎn)稱為「X 編碼器」或「編碼器」)70B(參照?qǐng)D6)。另外，讀頭單元62D，構(gòu)成使用前述X標(biāo)尺39 來(lái)測(cè)量晶片載臺(tái)WST(晶片臺(tái)WTB)的X位置的多眼(此處為十一眼)的X編碼器70D(參照?qǐng)D 6)。另外，在本實(shí)施形態(tài)中，例如在進(jìn)行后述對(duì)準(zhǔn)時(shí)等讀頭單元62D所具備的十一個(gè)X讀頭 66中的兩個(gè)讀頭66，有時(shí)會(huì)同時(shí)相對(duì)向于X標(biāo)尺39 , X標(biāo)尺39 。此時(shí)，通過(guò)X標(biāo)尺39 與相對(duì)向于此的X讀頭66來(lái)構(gòu)成X線性編碼器70B，并通過(guò)X標(biāo)尺39 與相對(duì)向于此的X 讀頭66來(lái)構(gòu)成X線性編碼器70D。此處，^^一個(gè)X讀頭66中的一部分、此處為三個(gè)X讀頭，安裝于第一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl 的支持構(gòu)件討下面?zhèn)?。另外，讀頭單元62B，62D各自具備的相鄰X讀頭66(測(cè)量光束)的間隔，設(shè)定成比前述X標(biāo)尺39 ，39 在Y軸方向的寬度(更正確而言為柵格線37的長(zhǎng)度) 窄。另外，讀頭單元62B，62D各自具備的多個(gè)X讀頭66中位于最內(nèi)側(cè)的X讀頭66，為了盡可能配置于接近投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸，固定于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的鏡筒40下端部(更正確而言為包圍前端透鏡191的噴嘴單元32的橫方向側(cè))。進(jìn)而，在第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)AIA的-X側(cè)、第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ΑΙΛ的+X側(cè)，分別設(shè)有在平行于通過(guò)第一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的檢測(cè)中心的X軸的直線上且其檢測(cè)點(diǎn)相對(duì)該檢測(cè)中心配置成大致對(duì)稱的Y讀頭64yi，64y2。Y讀頭64yi，64y2的間隔，設(shè)定成大致與前述距離L相等。Y讀頭64yi，64y2，在晶片載臺(tái)WST上的晶片W中心位于上述直線LV上的圖3所示的狀態(tài)下，分別與Y標(biāo)尺3OT2，39^相對(duì)向。在進(jìn)行后述的對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作時(shí)，Y標(biāo)尺3OT2，39A分別與Y讀頭 64yi;64y2相對(duì)向配置，通過(guò)該Y讀頭64yi;64y2(即通過(guò)這些Y讀頭64yi;64y2構(gòu)成的Y編碼器70C，70A)來(lái)測(cè)量晶片載臺(tái)WST的Y位置(及θ ζ旋轉(zhuǎn))。另外，在本實(shí)施形態(tài)中，在進(jìn)行第二對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的后述基線測(cè)量時(shí)，CD桿46的一對(duì)基準(zhǔn)柵格52與Y讀頭64yi，64y2分別相對(duì)向，通過(guò)與Y讀頭64yi，64y2相對(duì)向的基準(zhǔn)柵格 52，以各自的基準(zhǔn)柵格52的位置來(lái)測(cè)量⑶桿46的Y位置。以下，將通過(guò)與基準(zhǔn)柵格52分別相對(duì)向的Y讀頭64yi，64y2所構(gòu)成的編碼器稱為Y軸線性編碼器70E，70F(參照?qǐng)D6)。上述的六個(gè)線性編碼器70A 70F，例如以0. Inm左右的分辨率測(cè)量晶片載臺(tái)WST 各自的測(cè)量方向的位置信息，而這些的測(cè)量值(測(cè)量信息)供應(yīng)至主控制裝置20。主控制裝置20即根據(jù)線性編碼器70A 70D的測(cè)量值控制晶片臺(tái)WTB在XY平面內(nèi)的位置，且根據(jù)編碼器70E，70F的測(cè)量值控制⑶桿46在θζ方向的旋轉(zhuǎn)。此外，線性編碼器的構(gòu)成等， 留待后述。本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100，設(shè)有用于測(cè)量晶片W在Z軸方向的位置信息的位置測(cè)量裝置。如圖3所示，本實(shí)施形態(tài)的此位置測(cè)量裝置，設(shè)有與照射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b 所構(gòu)成的、例如在日本特開(kāi)平6483403號(hào)公報(bào)(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利第5，448，332號(hào)說(shuō)明書(shū))等所公開(kāi)的相同的斜入射方式的多點(diǎn)焦點(diǎn)位置檢測(cè)系統(tǒng)(以下簡(jiǎn)稱為「多點(diǎn)AF系統(tǒng)」)。在本實(shí)施形態(tài)中，作為其一例，在前述讀頭單元62C的-X端部的-Y側(cè)配置照射系統(tǒng)90a，并以與其相對(duì)向的狀態(tài)在前述讀頭單元62A的+X端部的-Y側(cè)配置受光系統(tǒng)90b。雖省略圖示，此多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a，90b)的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)，在被檢測(cè)面上沿X軸方向以規(guī)定間隔配置。在本實(shí)施形態(tài)中，例如配置成一行M列(M為檢測(cè)點(diǎn)的總數(shù))或兩行N列 (N為檢測(cè)點(diǎn)總數(shù)的1/2)的數(shù)組狀。圖3中并未個(gè)別圖示檢測(cè)光束分別照射的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)， 而表示在照射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b之間延伸于X軸方向的細(xì)長(zhǎng)檢測(cè)區(qū)域(光束區(qū)域) AF。此檢測(cè)區(qū)域AF，由于其X軸方向的長(zhǎng)度設(shè)定成與晶片W的直徑相同程度，因此通過(guò)僅沿Y軸方向掃描晶片W —次，即能測(cè)量晶片W的大致整面的Z軸方向位置信息(面位置信息)。另外，該檢測(cè)區(qū)域AF，由于在Y軸方向，配置于前述液浸區(qū)域14(曝光區(qū)域IA)與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(AL1，AL21 AL22，AL23，AL24)的檢測(cè)區(qū)域之間，因此能同時(shí)以多點(diǎn)AF系統(tǒng)與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)進(jìn)行其檢測(cè)動(dòng)作。多點(diǎn)AF系統(tǒng)雖可設(shè)于用于保持投影單元PU的主框架等，但在本實(shí)施形態(tài)中設(shè)于前述測(cè)量框架。此外，多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)雖以1行M列或2行N列來(lái)配置，但行數(shù)及/或列數(shù)并不限于此。 不過(guò)，當(dāng)行數(shù)為2以上時(shí)，最好在不同行之間使檢測(cè)點(diǎn)在X軸方向的位置也相異。進(jìn)而，雖多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)沿X軸方向配置，但并不限于此，也可將多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)的全部或一部分在Y軸方向配置于不同位置。例如也可沿與X軸及Y軸兩方交叉的方向配置多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)。即，多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)只要至少在X軸方向位置不同即可。另外，雖在本實(shí)施形態(tài)中對(duì)多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)照射檢測(cè)光束，但例如也可對(duì)檢測(cè)區(qū)域AF整個(gè)區(qū)域照射檢測(cè)光束。再者，檢測(cè)區(qū)域AF在X軸方向的長(zhǎng)度也可不與晶片W的直徑為相同程度。在本實(shí)施形態(tài)中，在多點(diǎn)AF系統(tǒng)的多個(gè)檢測(cè)點(diǎn)中的位于兩端的檢測(cè)點(diǎn)附近、即檢測(cè)區(qū)域AF的兩端部附近，以相對(duì)前述直線LV呈對(duì)稱的配置設(shè)有各一對(duì)的Z位置測(cè)量用面位置傳感器(以下簡(jiǎn)稱為「Z傳感器」)72a，72b及72c，72d。這些Z傳感器7 72d固定于未圖示主框架的下面。作為Z傳感器72a 72d，使用例如⑶驅(qū)動(dòng)裝置等所使用的光拾取器那樣構(gòu)成的光學(xué)式位移傳感器(光拾取器方式的傳感器)，其對(duì)晶片臺(tái)WTB從上方照射光，并接收其反射光來(lái)測(cè)量該光的照射點(diǎn)中晶片臺(tái)WTB表面在與XY平面正交的Z軸方向的位置信息。此外，Z傳感器72a 72d也可設(shè)于前述測(cè)量框架等。進(jìn)而，前述的讀頭單元62C，具備夾著連結(jié)多個(gè)Y讀頭64的X軸方向的直線LH位于一側(cè)與另一側(cè)、分別沿平行于直線LH的兩條直線上且彼此對(duì)應(yīng)以規(guī)定間隔配置的多個(gè) (此處為各六個(gè)，合計(jì)為十二個(gè))Z傳感器= 1,2, j = 1，2，...，6)。此時(shí)，成對(duì)的Z 傳感器71，” Z傳感器742,ρ相對(duì)上述直線LH配置成對(duì)稱。進(jìn)而，多對(duì)(此處為六對(duì))的 Z傳感器74^、Ζ傳感器74^與多個(gè)Y讀頭64，在X軸方向交互配置。各Z傳感器74^，例如使用與前述Z傳感器7 72d相同的光拾取器方式的傳感器。此處，位于相對(duì)直線LH成對(duì)稱的位置的各對(duì)Z傳感器7、j, 742, j的間隔，設(shè)定成與前述Z傳感器72a，72b的間隔相同的間隔。另外，一對(duì)Z傳感器741>4，742,4，位于與Z傳感器72a，72b相同的Y軸方向的直線上。另外，前述讀頭單元62A，具備相對(duì)前述直線LV與上述多個(gè)Z傳感器7軋j配置成對(duì)稱的多個(gè)、此處為12個(gè)的Z傳感器76^ (p = l，2，q= 1，2，...，6)。各Z傳感器76^， 例如使用與前述Z傳感器72a 72d相同的光拾取器方式的傳感器。另外，一對(duì)Z傳感器 761j3, 762,3，位于與Z傳感器72c，72d相同的Y軸方向的直線上。此外，Z傳感器7軋」，76p, q,例如設(shè)于前述主框架或測(cè)量框架。另外，在本實(shí)施形態(tài)中，具有Z傳感器7 72(1、7軋」，76p, q的測(cè)量系統(tǒng)，通過(guò)與前述標(biāo)尺相對(duì)向的一個(gè)或多個(gè)Z傳感器測(cè)量晶片載臺(tái)WST在Z 軸方向的位置信息。因此，在曝光動(dòng)作中，依據(jù)晶片載臺(tái)WST的移動(dòng)切換用于位置測(cè)量的Z 傳感器74ι」，76"。進(jìn)而，在曝光動(dòng)作中，Y標(biāo)尺39A至少與一個(gè)Z傳感器76p, q相對(duì)向，且 Y標(biāo)尺3OT2至少與一個(gè)Z傳感器相對(duì)向。因此，測(cè)量系統(tǒng)不僅能測(cè)量晶片載臺(tái)WST在 Z軸方向的位置信息，也能測(cè)量在θ y方向的位置信息(橫搖)。另外，在本實(shí)施形態(tài)中，雖測(cè)量系統(tǒng)的各Z傳感器測(cè)量標(biāo)尺的柵格面(衍射光柵的形成面)，但也可測(cè)量與柵格面不同的面，例如覆蓋柵格面的罩玻璃的一面。此外，圖3中省略測(cè)量載臺(tái)MST的圖示，以保持于該測(cè)量載臺(tái)MST與前端透鏡191 之間的水Lq而形成的液浸區(qū)域由符號(hào)14表示。另外，在該圖3中，符號(hào)78表示局部空調(diào)系統(tǒng)，其用于將溫度調(diào)整至規(guī)定溫度的干燥空氣沿圖3中所示的白色箭頭經(jīng)由順流送至多點(diǎn)AF系統(tǒng)(90a，90b)的光束路附近。另外，符號(hào)UP表示進(jìn)行晶片在晶片臺(tái)WTB上的卸載的卸載位置，符號(hào)LP表示進(jìn)行將晶片裝載于晶片臺(tái)WTB上的裝載位置。在本實(shí)施形態(tài)中， 卸載位置UP與裝載位置LP相對(duì)直線LV設(shè)定成對(duì)稱。此外，也能使卸載位置UP與裝載位置LP為同一位置。圖6表示曝光裝置100的控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成。此控制系統(tǒng)，以由用于統(tǒng)籌裝置整體的微電腦(或工作站)所構(gòu)成的主控制裝置20為中心。在連接于此主控制裝置20的外部記憶裝置的內(nèi)存34儲(chǔ)存有后述修正信息。此外，在圖6中，將前述照度偏差傳感器94、 空間像測(cè)量器96、及波面像差傳感器98等設(shè)于測(cè)量載臺(tái)MST的各種傳感器，合稱為傳感器群99。以上述方式構(gòu)成的本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100，由于采用如前所述的晶片臺(tái)WTB 上的X標(biāo)尺、Y標(biāo)尺的配置及如前述的X讀頭、Y測(cè)讀頭的配置，因此會(huì)如圖7 (A)及圖7 (B) 等的示例所示，在晶片載臺(tái)WST的有效移動(dòng)范圍(即本實(shí)施形態(tài)中的為了進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)及曝光動(dòng)作而移動(dòng)的范圍)中，屬于讀頭單元62B，62D的合計(jì)18個(gè)X讀頭中的至少一個(gè)X讀頭66 必定會(huì)相對(duì)向于X標(biāo)尺39 ，39 中的至少一個(gè)，且分別屬于讀頭單元62A，62C的至少各1 個(gè)Y讀頭中的至少一個(gè)Y讀頭64、或Y讀頭64yi，64y2必定會(huì)相對(duì)向于Y標(biāo)尺39Y1;3OT2。 即，對(duì)應(yīng)的讀頭至少會(huì)有各一個(gè)與四個(gè)標(biāo)尺中的至少三個(gè)相對(duì)向。此外，在圖7(A)及圖7(B)中，與相對(duì)應(yīng)的X標(biāo)尺或Y標(biāo)尺相對(duì)向的讀頭用圓圈框
住表示。因此，主控制裝置20可在前述晶片載臺(tái)WST的有效移動(dòng)范圍中，通過(guò)根據(jù)編碼器 70A, 70C、及編碼器70B及70D的至少一個(gè)的至少合計(jì)三個(gè)編碼器的測(cè)量值控制構(gòu)成載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124的各馬達(dá)，高精度地控制晶片載臺(tái)WST在XY平面內(nèi)的位置信息(包含ΘΖ方向的旋轉(zhuǎn)信息)。編碼器70Α 70D的測(cè)量值所承受的空氣晃動(dòng)的影響，由于與干涉儀相比較小到幾乎可忽視，因此起因于空氣晃動(dòng)的測(cè)量值的短期穩(wěn)定性，比干涉儀好上許多。另外，當(dāng)如圖7(A)中白色箭頭所示將晶片載臺(tái)WST驅(qū)動(dòng)于X軸方向時(shí)，用于測(cè)量該晶片載臺(tái)WST在Y軸方向的位置的Y讀頭64，如該圖中的箭頭e2所示按順序切換至相鄰的Y讀頭64。例如從實(shí)線圓圈框住的Y讀頭64。3，64A3切換至以虛線圓圈框住的Y讀頭64。4，64m。因此，后述測(cè)量值在此切換的前后被接續(xù)。即在本實(shí)施形態(tài)中，為了能順利地進(jìn)行該Y讀頭64的切換及測(cè)量值的接續(xù)，如前所述那樣將讀頭單元62A，62C所具備的相鄰 Y讀頭64的間隔設(shè)定成比Y標(biāo)尺39Y1;3OT2在X軸方向的寬度窄。
另外，在本實(shí)施形態(tài)中，由于如前所述將讀頭單元62B，62D所具備的相鄰X讀頭66 彼此的間隔設(shè)定成比前述X標(biāo)尺39 ，39 在Y軸方向的寬度窄，因此與上述同樣地，當(dāng)如圖7 (B)中白色箭頭所示將晶片載臺(tái)WST驅(qū)動(dòng)于Y軸方向時(shí)，測(cè)量該晶片載臺(tái)WST在X軸方向的位置的X讀頭66，即按順序切換至相鄰的X讀頭66 (例如從實(shí)線圓圈框住的X讀頭66 切換至以虛線圓圈框住的X讀頭66)，測(cè)量值在此切換的前后被接續(xù)。其次，針對(duì)編碼器70A 70F的構(gòu)成等，以放大表示于圖8(A)的Y編碼器70A為代表進(jìn)行說(shuō)明。在此圖8(A)中，表示用于將檢測(cè)光(測(cè)量光束)照射于Y標(biāo)尺391的讀頭單元62A的一個(gè)Y讀頭64。Y讀頭64，粗略分為照射系統(tǒng)64a、光學(xué)系統(tǒng)64b、及受光系統(tǒng)64c的三部分。照射系統(tǒng)64a，包含將激光束LB沿相對(duì)Y軸及Z軸成45°的方向射出的光源(例如半導(dǎo)體激光LD)、及配置在該半導(dǎo)體激光LD所射出的激光束LB的光路上的收束透鏡Ll。光學(xué)系統(tǒng)64b，包含其分離面與TL平面平行的偏振分束器PBS、一對(duì)反射鏡Rla， Rib、透鏡L2a，L2b、四分的一波長(zhǎng)板(以下記述為λ /4板)WPla，WPlb、及反射鏡R2a，R2b寸。受光系統(tǒng)6 包含偏振子(檢光子)及光檢測(cè)器等。在該Y編碼器70A中，從半導(dǎo)體激光LD射出的激光束LB經(jīng)由透鏡Ll射入到偏振分束器PBS，使其偏振光被分離成兩個(gè)光束LB1, LB20透射過(guò)偏振分束器PBS的光束LB1經(jīng)由反射鏡Rla到達(dá)形成于Y標(biāo)尺39A的反射型衍射光柵RG，在偏振分束器PBS反射的光束 LB2則經(jīng)由反射鏡Rlb到達(dá)反射型衍射光柵RG。此外，此處的「偏振光分離」是指將入射光束分離成P偏光成分與S偏光成分。通過(guò)光束LB1, LB2的照射而從衍射光柵RG產(chǎn)生的規(guī)定次數(shù)的衍射光束、例如一次衍射光束，在經(jīng)由透鏡L2b，I^a而被λ /4板WPlb，WPla轉(zhuǎn)換成圓偏光后，在反射鏡R2b，Rh 反射而再次通過(guò)λ /4板WPlb，WPla，沿與往路相同光路的相反方向到達(dá)偏振分束器PBS。到達(dá)偏振分束器PBS的兩個(gè)光束，其各自的偏光方向相對(duì)原本的方向被旋轉(zhuǎn)了 90 度。因此，先透射過(guò)偏振分束器PBS的光束LB1的一次衍射光束，在偏振分束器PBS反射而射入到受光系統(tǒng)64c，先在偏振分束器PBS反射的光束LB2的一次衍射光束，則透射過(guò)偏振分束器PBS后與光束LB1的一次衍射光束合成為同軸而射入到受光系統(tǒng)64c。接著，上述兩個(gè)一次衍射光束，在受光系統(tǒng)64c內(nèi)部被檢光子整合其偏光方向，而彼此干涉成為干涉光，該干涉光被光檢測(cè)器檢測(cè)，并轉(zhuǎn)換成與干涉光強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的電氣信號(hào)。從上述說(shuō)明可知，在Y編碼器70A中，由于彼此干涉的兩個(gè)光束的光路長(zhǎng)極短且大致相等，因此幾乎可忽視空氣晃動(dòng)的影響。另外，當(dāng)Y標(biāo)尺39Yi(也即晶片載臺(tái)WST)移動(dòng)于測(cè)量方向(此時(shí)為Y軸方向)時(shí)，兩個(gè)光束各自的相位即變化使干涉光的強(qiáng)度變化。該干涉光的強(qiáng)度變化被受光系統(tǒng)6 檢測(cè)出，與該強(qiáng)度變化相對(duì)應(yīng)的位置信息即作為Y編碼器70A的測(cè)量值輸出。其它的編碼器70B，70C，70D等也與編碼器70A為相同構(gòu)成。另一方面，當(dāng)晶片載臺(tái)WST向與Y軸方向不同的方向移動(dòng)，而在讀頭64與Y標(biāo)尺 39A之間向要測(cè)量的方向以外的方向進(jìn)行相對(duì)運(yùn)動(dòng)(非測(cè)量方向的相對(duì)運(yùn)動(dòng))時(shí)，在大部分的情形下，會(huì)因此而使Y編碼器70A產(chǎn)生測(cè)量誤差。以下，說(shuō)明此測(cè)量誤差產(chǎn)生的情形。首先，導(dǎo)出兩個(gè)返回光束LB1, LB2所合成的干涉光的強(qiáng)度、及Y標(biāo)尺3OT2(反射型衍射光柵RG)的位移(與Y讀頭64的相對(duì)位移)的關(guān)系。
在圖8(B)中，用反射鏡Rla反射的光束LB1以角度θ a(1射入到反射型衍射光柵RG， 而在9al產(chǎn)生na次衍射光。接著，被反射鏡Rh反射而沿返路的返回光束以角度9al射入到反射型衍射光柵RG。接著再次產(chǎn)生衍射光。此處，以角度Θ a(l產(chǎn)生而沿原來(lái)光路射向反射鏡Rla的衍射光是與在往路產(chǎn)生的衍射光相同次數(shù)的na次衍射光。另一方面，用反射鏡Rlb反射的光束LB2,以角度θ b0射入到反射型衍射光柵RG， 而在ΘΜ產(chǎn)生nb次衍射光。此衍射光在反射鏡R2b反射而沿相同光路返回至反射鏡Rib。此情形下，兩個(gè)返回光束LB1, 1^2所合成的干涉光的強(qiáng)度I，與光檢測(cè)器的受光位置的兩個(gè)返回光束LB1, LB2間的相位的差(相位差、)φ，呈IocI + COStp的關(guān)系。不過(guò)，兩個(gè)光束LB1, LB2的強(qiáng)度彼此相等。此處，雖然對(duì)相位差φ的詳細(xì)導(dǎo)出方法進(jìn)行省略，但理論上能以下式(7)求出。
φ = KAL + 47t(nb — na) ΔΥ/ρ
+ 2KAZ(cos9bi + cos9bo 一 cos9ai - cos9a0) ...(7)此處，K Δ L是起因于兩個(gè)光束LB1, LB2的光路差Δ L的相位差，Δ Y是反射型衍射光柵RG的+Y方向的位移，△ Z是反射型衍射光柵RG的+Z方向的位移，ρ是衍射光柵的間距，nb，na是上述各衍射光的衍射次數(shù)。此處，編碼器構(gòu)成為可滿足光路差A(yù)L = 0及下式(8)所示對(duì)稱性。θ a0 = θ b0> θ al = θ bl · · · (8)此時(shí)，由于式(7)的右邊第三項(xiàng)的括號(hào)內(nèi)為零，同時(shí)滿足叫=-1^( = 11)，因此可得到次式(9)。
(Psym(AY) = 2πΔΥ / (ρ / 4η) ...(9)從上述(9)可知，相位差q>Sym不取決于光的波長(zhǎng)。此處，簡(jiǎn)單舉出圖9(A)，圖9(B)的兩個(gè)情形例來(lái)分析。首先，在圖9(A)的情形中， 讀頭64的光軸一致于Z軸方向(讀頭64并未傾斜)。此處，晶片載臺(tái)WST已于Z軸方向位移(ΔΖ興0，ΔΥ = 0)。此時(shí)，由于光路差Δ L不會(huì)變化，因此式(7)右邊的第1項(xiàng)不會(huì)變化。第2項(xiàng)則因假定ΔΥ = 0而為零。接著，第3項(xiàng)由于滿足了式(8)的對(duì)稱性，因此為零。綜上所述，相位差φ不會(huì)產(chǎn)生變化，且也不會(huì)產(chǎn)生干涉光的強(qiáng)度變化。其結(jié)果，編碼器的測(cè)量值(計(jì)數(shù)值)也不會(huì)變化。另一方面，在圖9 (B)的情形中，讀頭64的光軸相對(duì)Z軸呈傾斜(讀頭64為傾斜)。 在此狀態(tài)下，晶片載臺(tái)WST已于Z軸方向位移(ΔΖ興0，ΔΥ = 0)。此時(shí)也同樣地，由于光路差Δ L不會(huì)變化，因此式(7)右邊的第1項(xiàng)不會(huì)變化。第2項(xiàng)則因假定ΔΥ = 0而為零。 不過(guò)，由于讀頭傾斜而破壞了式(8)的對(duì)稱性，因此第3項(xiàng)不為零，而與Z位移ΔΖ成正比變化。綜上所述，相位差ψ會(huì)產(chǎn)生變化，其結(jié)果則使測(cè)量值變化。此外，即使讀頭64不產(chǎn)生傾倒，例如也會(huì)因讀頭的光學(xué)特性(遠(yuǎn)心(telecentricity)等)而破壞式(8)的對(duì)稱性， 同樣地測(cè)量值也發(fā)生變化。即，編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差產(chǎn)生要因的讀頭單元的特性信息，不僅包含讀頭的傾倒也包含其光學(xué)特性等。另外，雖省略圖示，在垂直于測(cè)量方向(Y軸方向)與光軸方向(Z軸方向)位移的情形(ΔΧ興0，ΔΥ = 0，ΔΖ = 0)下，衍射光柵RG的柵格線所朝向的方向(長(zhǎng)邊方向) 在與測(cè)量方向正交時(shí)測(cè)量值不會(huì)變化，但只要不正交即會(huì)以與其角度成正比的增益產(chǎn)生感度。其次，分析例如圖10㈧ 圖10⑶所示的四種情況。首先，圖10㈧的情形，讀頭64的光軸一致于Z軸方向(讀頭64并未傾斜)。在此狀態(tài)下，即使晶片載臺(tái)WST往+Z 方向移動(dòng)而成為圖10(B)的狀態(tài)，由于與先前的圖9(A)的情形相同，因此編碼器的測(cè)量值不會(huì)變化。其次，假設(shè)在圖10(B)的狀態(tài)下，晶片載臺(tái)WST繞X軸旋轉(zhuǎn)而成為圖10(C)所示的狀態(tài)。此時(shí)，雖讀頭與標(biāo)尺未相對(duì)運(yùn)動(dòng)，也即為ΔΥ= ΔΖ = 0，但由于會(huì)因晶片載臺(tái)WST的旋轉(zhuǎn)使光路差Δ L產(chǎn)生變化，因此編碼器的測(cè)量值會(huì)變化。即，會(huì)因晶片載臺(tái)WST的傾斜使編碼器系統(tǒng)產(chǎn)生測(cè)量誤差。其次，假設(shè)在圖10(C)的狀態(tài)下，晶片載臺(tái)WST往下方移動(dòng)而成為圖10(D)所示的狀態(tài)。此時(shí)，由于晶片載臺(tái)WST不旋轉(zhuǎn)，因此光路差Δ L不會(huì)產(chǎn)生變化。然而，由于破壞了式(8)的對(duì)稱性，因此經(jīng)由式(7)的右邊第3項(xiàng)可知會(huì)因Z位移ΔΖ使相位差φ變化。如此，會(huì)使編碼器的測(cè)量值變化。此外，圖10(D)的情形的編碼器的測(cè)量值成為與圖10(A)相同的測(cè)量值。從發(fā)明人進(jìn)行模擬后的結(jié)果可知，編碼器的測(cè)量值，不僅對(duì)測(cè)量方向的Y軸方向的標(biāo)尺位置變化，對(duì)ΘΧ方向(縱搖方向)、ΘΖ方向(偏搖方向)的姿勢(shì)變化也具有感度， 且在前述對(duì)稱性被破壞的情形下，也取決于Z軸方向的位置變化。即，上述的理論性的說(shuō)明與模擬結(jié)果一致。因此，在本實(shí)施形態(tài)中，以下述方式取得修正信息，該修正信息用于修正因向上述非測(cè)量方向的讀頭與標(biāo)尺的相對(duì)運(yùn)動(dòng)而導(dǎo)致的各編碼器的測(cè)量誤差。a.首先，主控制裝置20，一邊監(jiān)測(cè)干涉儀系統(tǒng)118的Y干涉儀16、X干涉儀1 及 Z干涉儀43A，43B的測(cè)量值，一邊經(jīng)由載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)IM驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST，而如圖11 (A) 及圖11 (B)所示，使讀頭單元62A的最靠-X側(cè)的Y讀頭64，相對(duì)向于晶片臺(tái)WTB上面的Y 標(biāo)尺39A的任意區(qū)域(圖Il(A)中以圓圈框住的區(qū)域)AR。b.接著，主控制裝置20基于Y干涉儀16及Z干涉儀43A，43B的測(cè)量值驅(qū)動(dòng)晶片臺(tái)WTB (晶片載臺(tái)WST)，以使晶片臺(tái)WTB (晶片載臺(tái)WST)的橫搖量θ y及偏搖量θ z均為零且使縱搖量ΘΧ成為所希望的值Citl(此處為C^ = 200 μ rad)，在其驅(qū)動(dòng)后從上述Y讀頭 64將檢測(cè)光照射于Y標(biāo)尺39A的區(qū)域AR，并將來(lái)自接收其反射光的讀頭64的與光電轉(zhuǎn)換信號(hào)對(duì)應(yīng)的測(cè)量值儲(chǔ)存于內(nèi)部存儲(chǔ)器。c.其次，主控制裝置20基于Y干涉儀16及Z干涉儀43A，43B的測(cè)量值維持晶片臺(tái) WTB (晶片載臺(tái)WST)的姿勢(shì)(縱搖量ΘΧ= α。，偏搖量ΘΖ = 0，橫搖量0y = O)，并如圖 1KB)中的箭頭所示，使晶片臺(tái)WTB (晶片載臺(tái)WST)在規(guī)定范圍內(nèi)、例如-100 μ m +100 μ m 的范圍內(nèi)驅(qū)動(dòng)于Z軸方向，在該驅(qū)動(dòng)中從上述讀頭64向Y標(biāo)尺39A的區(qū)域AR照射檢測(cè)光， 并以規(guī)定取樣間隔按順序取得來(lái)自接收其反射光的讀頭64的與光電轉(zhuǎn)換信號(hào)對(duì)應(yīng)的測(cè)量值，并儲(chǔ)存于內(nèi)部存儲(chǔ)器。d.其次，主控制裝置20基于Y干涉儀16的測(cè)量值將晶片臺(tái)WTB(晶片載臺(tái)WST) 的縱搖量變更成(θ X = α。-Δ α )。
e.其次，就該變更后的姿勢(shì)反復(fù)進(jìn)行與上述C.相同的動(dòng)作。f.其后，交互反復(fù)進(jìn)行上述d.與e.的動(dòng)作，而在縱搖量θχ例如IOOyrad
<θ X < +200 μ rad的范圍，以Δ α (rad)、例如40 μ rad的間隔取得上述Z驅(qū)動(dòng)范圍內(nèi)的讀頭64的測(cè)量值。g.其次，將經(jīng)由上述b. e.的處理而獲得的內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)的各數(shù)據(jù)描繪于以橫軸為Z位置、縱軸為編碼器計(jì)數(shù)值的二維坐標(biāo)系統(tǒng)上，按順序連結(jié)縱搖量為相同時(shí)的描繪點(diǎn)，通過(guò)以縱搖量為零的線(中央的橫線)通過(guò)原點(diǎn)的方式，在縱軸方向使橫軸位移，即能得到如圖12所示的圖表(用于表示與晶片載臺(tái)的Z調(diào)平對(duì)應(yīng)的編碼器(讀頭)的測(cè)量值變化特性的圖表)。此圖12的圖表上各點(diǎn)的縱軸的值，必定是縱搖量θ x = α的編碼器在各Z位置的測(cè)量誤差。因此，主控制裝置20將此圖12的圖表上各點(diǎn)的縱搖量ΘΧ、Ζ位置、編碼器測(cè)量誤差作成數(shù)據(jù)表，并將該數(shù)據(jù)表作為載臺(tái)位置起因誤差修正信息儲(chǔ)存于內(nèi)存34(參照?qǐng)D 6)?；蛘撸骺刂蒲b置20將測(cè)量誤差設(shè)為Z位置ζ、縱搖量θ χ的函數(shù)，以例如最小平方法算出未定系數(shù)以求出其函數(shù)，并將該函數(shù)作為載臺(tái)位置起因誤差修正信息儲(chǔ)存于內(nèi)存34。h.其次，主控制裝置20，一邊監(jiān)測(cè)干涉儀系統(tǒng)118的X干涉儀1 的測(cè)量值，一邊經(jīng)由載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)1 將晶片載臺(tái)WST向-χ方向驅(qū)動(dòng)規(guī)定量，而如圖13所示，使自讀頭單元62A的-X側(cè)端起第二個(gè)Y讀頭64 (之前已取得數(shù)據(jù)的Y讀頭64的相鄰的讀頭)，相對(duì)向于晶片臺(tái)WTB上面的Y標(biāo)尺391的前述區(qū)域AR(圖13中以圓圈框住所示的區(qū)域)。i.接著，主控制裝置20使該Y讀頭64進(jìn)行與上述相同的處理，將該Y讀頭64與 Y標(biāo)尺39A所構(gòu)成的Y編碼器70A的修正信息儲(chǔ)存于內(nèi)存34。j.其后也同樣地，分別求出讀頭單元62A的剩余各Y讀頭64與Y標(biāo)尺39Yi所構(gòu)成的Y編碼器70A的修正信息、讀頭單元62B的各X讀頭66與X標(biāo)尺39 所構(gòu)成的X編碼器70B的修正信息、讀頭單元62C的各X讀頭64與Y標(biāo)尺3OT2所構(gòu)成的Y編碼器70C的修正信息、讀頭單元62D的各X讀頭66與X標(biāo)尺39 所構(gòu)成的X編碼器70D的修正信息， 并儲(chǔ)存于內(nèi)存；34。此處重要的是，當(dāng)使用讀頭單元62B的各X讀頭66來(lái)進(jìn)行上述測(cè)量時(shí)，與前述同樣地使用X標(biāo)尺39 上的同一區(qū)域，當(dāng)使用讀頭單元62C的各Y讀頭64來(lái)進(jìn)行上述測(cè)量時(shí)，使用Y標(biāo)尺3OT2上的同一區(qū)域，當(dāng)使用讀頭單元62D的各Y讀頭66來(lái)進(jìn)行上述測(cè)量時(shí)， 使用X標(biāo)尺39 上的同一區(qū)域。其原因在于，只要干涉儀系統(tǒng)118的各干涉儀的修正(包含反射面17a，17b及反射面41a，41b，41c的彎曲修正)結(jié)束，即可根據(jù)這些干涉儀的測(cè)量值將晶片載臺(tái)WST的姿勢(shì)設(shè)定成所希望的姿勢(shì)，通過(guò)使用各標(biāo)尺的同一部位，即使標(biāo)尺面傾斜也不會(huì)受其影響而在各讀頭間產(chǎn)生測(cè)量誤差。另外，主控制裝置20，關(guān)于Y讀頭64y1; 64y2，與上述讀頭單元62C，64A的各Y讀頭 64同樣地，分別使用Y標(biāo)尺3OT2，39Y2上的同一區(qū)域進(jìn)行上述測(cè)量，求出與Y標(biāo)尺3OT2相對(duì)向的Y讀頭64yi (編碼器70C)的修正信息、及與Y標(biāo)尺39A相對(duì)向的Y讀頭64y2 (編碼器 70A)的修正信息，儲(chǔ)存于內(nèi)存34。其次，主控制裝置20，以與上述使縱搖量變化的情形同樣的順序，將晶片載臺(tái) WST的縱搖量及橫搖量均維持于零，并將晶片載臺(tái)WST的偏搖量θ ζ在-200 μ rad < θζ
<+200 μ rad的范圍按順序變化，并在各位置，使晶片臺(tái)WTB (晶片載臺(tái)WST)在規(guī)定范圍內(nèi)、例如-100 μ m +100 μ m的范圍內(nèi)驅(qū)動(dòng)于Z軸方向，在該驅(qū)動(dòng)中以規(guī)定取樣間隔按順序取得讀頭的測(cè)量值，并儲(chǔ)存于內(nèi)部存儲(chǔ)器。在所有讀頭64或66進(jìn)行上述測(cè)量，并以與前述相同的順序，將內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)的各數(shù)據(jù)描繪于以橫軸為Z位置、縱軸為編碼器計(jì)數(shù)值的二維坐標(biāo)上，按順序連結(jié)偏搖量為相同時(shí)的描繪點(diǎn)，通過(guò)以偏搖量為零的線(中央的橫線)通過(guò)原點(diǎn)的方式使橫軸位移，即能得到與圖12相同的圖表。接著，主控制裝置20將所得到的圖表上各點(diǎn)的偏搖量θ ζ、Z位置、測(cè)量誤差作成數(shù)據(jù)表，并將該數(shù)據(jù)表作為修正信息儲(chǔ)存于內(nèi)存34。或者，主控制裝置20將測(cè)量誤差設(shè)為Z位置ζ、偏搖量ΘΖ的函數(shù)，通過(guò)例如最小平方法算出未定系數(shù)，以求出其函數(shù)，來(lái)并將該函數(shù)作為修正信息儲(chǔ)存于內(nèi)存34。此處，當(dāng)晶片載臺(tái)WST的縱搖量不為零，且偏搖量不為零時(shí)，晶片載臺(tái)WST在Z位置ζ時(shí)的各編碼器的測(cè)量誤差，可考慮為在該在Z位置ζ時(shí)與上述縱搖量對(duì)應(yīng)的測(cè)量誤差、 及與上述偏搖量對(duì)應(yīng)的測(cè)量誤差的單純的和(線性和)。其原因在于，經(jīng)模擬的結(jié)果，可知使偏搖量變化的情形下，測(cè)量誤差(計(jì)數(shù)值)也會(huì)隨著Z位置的變化而線性變化。以下，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，對(duì)各Y編碼器的Y讀頭，求出以下式(10)所示表示測(cè)量誤差 Ay的晶片載臺(tái)WST的縱搖量ΘΧ、偏搖量θζ、Ζ位置ζ的函數(shù)，并儲(chǔ)存于內(nèi)存34內(nèi)。并對(duì)各X編碼器的X讀頭，求出以下式(11)所示表示測(cè)量誤差Δ χ的晶片載臺(tái)WST的橫搖量 9y、偏搖量θ ζ、Z位置ζ的函數(shù)，并儲(chǔ)存于內(nèi)存34內(nèi)。Ay = f(z，θ χ, θ ζ) = θ x(z-a)+θ z(z-b). . . (10)Ax = g(z, θγ, θζ) = θ y(z-c)+θ z(z-d) . . . (11)在上式(10)中，a為圖12的圖表的各直線交叉的點(diǎn)的Z坐標(biāo)，b為為了取得Y編碼器的修正信息而使偏搖量變化時(shí)與圖12相同圖表的各直線交叉的點(diǎn)的Z坐標(biāo)。另外，在上式(11)中，c為了取得X編碼器的修正信息而使橫搖量變化時(shí)與圖12相同圖表的各直線交叉的點(diǎn)的Z坐標(biāo)，d為了取得X編碼器的修正信息而使偏搖量變化時(shí)與圖12相同圖表的各直線交叉的點(diǎn)的Z坐標(biāo)。此外，上述的Ay或Δχ，由于表示Y編碼器或X編碼器在非測(cè)量方向(θχ方向或 Θ y方向、Θ ζ方向及ζ軸方向)的晶片載臺(tái)WST位置會(huì)影響Y編碼器或χ編碼器的測(cè)量值的程度，因此以下稱之為載臺(tái)位置起因誤差，由于將此載臺(tái)位置起因誤差直接使用為修正信息，因此將此修正信息稱之為載臺(tái)位置起因誤差修正信息。接著，說(shuō)明成為將后述編碼器的測(cè)量值轉(zhuǎn)換成晶片載臺(tái)WST在XY平面內(nèi)的位置信息的處理、及多個(gè)編碼器間的接續(xù)處理等的前提的、用于取得各讀頭(更正確而言，從各讀頭射出的測(cè)量光束)在XY平面內(nèi)的位置坐標(biāo)，特別是非測(cè)量方向的位置坐標(biāo)的讀頭位置 (測(cè)量光束的位置)的校正處理。此處，作為一個(gè)例子，說(shuō)明在與從分別構(gòu)成讀頭單元62Α， 62C的Y讀頭64射出的測(cè)量光束的測(cè)量方向正交的非測(cè)量方向(X軸方向)的位置坐標(biāo)的校正處理。首先，開(kāi)始此校正處理時(shí)，主控制裝置20驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST，使Y標(biāo)尺39Υ1; 39Υ2分別位于讀頭單元62A，62C的下方。例如，如圖14所示，使讀頭單元62A的從左數(shù)第三個(gè)Y 讀頭64A3、讀頭單元62C的從右數(shù)第二個(gè)Y讀頭64。5分別相對(duì)向于Y標(biāo)尺39Y1; 3OT2。接著，主控制裝置20根據(jù)Y干涉儀16的測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)41; B42各自的測(cè)量值或Z干涉儀43A，43B的測(cè)量值，如圖14中的箭頭RV所示，使晶片載臺(tái)WST以投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX為中心在XY平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)規(guī)定角度(θ )，以取得此旋轉(zhuǎn)中得到的Y讀頭64Α3，64。5 (編碼器70A，70C)的測(cè)量值。在圖14中，分別表示在此晶片載臺(tái)WST的旋轉(zhuǎn)中，與Y讀頭64A3， 64C5所測(cè)量的測(cè)量值對(duì)應(yīng)的向量MA，MB。此時(shí)，由于θ為微小角，因此MA = b· θ及MB = a· θ成立，向量MA，MB的大小的比MA/MB，與從旋轉(zhuǎn)中心至Y讀頭64A3，64C5分別射出的各測(cè)量光束的照射點(diǎn)(也稱為編碼器或讀頭的檢測(cè)點(diǎn))的距離a，b的比a/b相等。因此，主控制裝置20，根據(jù)上述編碼器70A，70C的測(cè)量值、及從Y干涉儀16的測(cè)長(zhǎng)光束M1,B42分別的測(cè)量值得到的上述規(guī)定角度θ，算出距離b，a、即從Y讀頭6‘，64。5分別射出的測(cè)量光束的照射點(diǎn)的X坐標(biāo)值、或根據(jù)此算出的X坐標(biāo)值進(jìn)行進(jìn)一步的計(jì)算，算出相對(duì)從Y讀頭64A3，64C5分別射出的測(cè)量光束的照射點(diǎn)的設(shè)計(jì)上的位置，在X軸方向的位置偏移量(即，此位置偏移量的修正信息)。另外，在晶片載臺(tái)WST位于圖14所示的位置時(shí)，實(shí)際上，讀頭單元62B，62D分別相對(duì)向于X標(biāo)尺39 ，39)(2。所以，主控制裝置20，當(dāng)上述晶片載臺(tái)WST旋轉(zhuǎn)時(shí)，同時(shí)取得分別相對(duì)向于X標(biāo)尺39 ，39 的讀頭單元62B，62D的各一個(gè)X讀頭66 (編碼器70B，70D)的測(cè)量值。接著，以與上述相同方式，算出分別相對(duì)向于X標(biāo)尺39X1;39)(2的各一個(gè)X讀頭66所射出的測(cè)量光束的照射點(diǎn)的Y坐標(biāo)值、或根據(jù)此算出結(jié)果進(jìn)行進(jìn)一步的計(jì)算，算出相對(duì)從這些X讀頭分別射出的測(cè)量光束的照射點(diǎn)的設(shè)計(jì)上的位置，在Y軸方向的位置偏移量(即， 此位置偏移量的修正信息)。接著，主控制裝置20，使晶片載臺(tái)WST在X軸方向移動(dòng)規(guī)定間距，在各定位位置進(jìn)行與上述相同步驟的處理，由此對(duì)讀頭單元62A，62C的其它Y讀頭，也可求出分別射出的測(cè)量光束的照射點(diǎn)的X坐標(biāo)值、或相對(duì)設(shè)計(jì)上的位置，在X軸方向的位置偏移量(即，此位置偏移量的修正信息)。另外，主控制裝置20，從圖14的位置在Y軸方向移動(dòng)規(guī)定間距，在各定位位置進(jìn)行與上述相同步驟的處理，由此對(duì)讀頭單元62B，62D的其它X讀頭，也可求出分別射出的測(cè)量光束的照射點(diǎn)的Y坐標(biāo)值、或相對(duì)設(shè)計(jì)上的位置，在Y軸方向的位置偏移量(即，此位置偏移量的修正信息)。另外，主控制裝置20，對(duì)Y讀頭64y1; y2，也以與上述Y讀頭64相同的方法，取得分別射出的測(cè)量光束的照射點(diǎn)的X坐標(biāo)值、或相對(duì)設(shè)計(jì)上的位置，在X軸方向的位置偏移量 (即，此位置偏移量的修正信息)。這樣，由于主控制裝置20，對(duì)所有Y讀頭64，64yi，64y2，可取得分別射出的測(cè)量光束的照射點(diǎn)的X坐標(biāo)值、或相對(duì)設(shè)計(jì)上的位置，在X軸方向的位置偏移量(即，此位置偏移量的修正信息)，及對(duì)所有X讀頭66，可取得分別射出的測(cè)量光束的照射點(diǎn)的Y坐標(biāo)值、或相對(duì)設(shè)計(jì)上的位置，在Y軸方向的位置偏移量(即，此位置偏移量的修正信息)，因此將這些的取得信息儲(chǔ)存于記憶裝置、例如內(nèi)存34。此內(nèi)存34內(nèi)所儲(chǔ)存的各讀頭的測(cè)量光束的照射點(diǎn)的X坐標(biāo)值或Y坐標(biāo)值、或相對(duì)設(shè)計(jì)上的位置，在X軸方向或Y軸方向的位置偏移量，使用于將后述編碼器的測(cè)量值轉(zhuǎn)換成晶片載臺(tái)WST在XY平面內(nèi)的位置信息時(shí)等。此外，將后述編碼器的測(cè)量值轉(zhuǎn)換成晶片載臺(tái)WST在XY平面內(nèi)的位置信息時(shí)等，使用設(shè)計(jì)值作為各Y 讀頭的測(cè)量光束的照射點(diǎn)的Y坐標(biāo)值、各X讀頭的測(cè)量光束的照射點(diǎn)的X坐標(biāo)值。其原因在于，在這些各讀頭的測(cè)量方向的位置坐標(biāo)，對(duì)晶片載臺(tái)WST的位置的控制精度的影響非常微弱(對(duì)控制精度的效果非常低)，因此使用設(shè)計(jì)值也足夠。
此外，當(dāng)編碼器的讀頭的光軸與Z軸大致一致，且晶片載臺(tái)WST的縱搖量、橫搖量、 及偏搖量均為零時(shí)，從上述式(10)，式(11)可知，應(yīng)不會(huì)產(chǎn)生因晶片臺(tái)WTB的姿勢(shì)所導(dǎo)致的上述編碼器的測(cè)量誤差，但實(shí)際上即使是上述情形，編碼器的測(cè)量誤差也不會(huì)是零。其原因在于，Y標(biāo)尺39Y1; 39 ，X標(biāo)尺39 ，39 的面(第2疏水板^b的面)不為理想平面，而多少存在有凹凸。當(dāng)于標(biāo)尺的面(正確而言，也包含衍射光柵表面、或當(dāng)衍射光柵被罩玻璃覆蓋時(shí)的罩玻璃的面)存在凹凸時(shí)，即使晶片載臺(tái)WST沿與XY平面平行的面移動(dòng)，標(biāo)尺面也會(huì)相對(duì)編碼器的讀頭位移(上下移動(dòng))或傾斜于Z軸方向。其結(jié)果，必定會(huì)使讀頭與標(biāo)尺在非測(cè)量方向產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)，而此相對(duì)運(yùn)動(dòng)會(huì)成為測(cè)量誤差的要因，關(guān)于此點(diǎn)正如前面所敘述的那樣。另外，如圖15所示，當(dāng)以例如多個(gè)讀頭66A，66B測(cè)量同一標(biāo)尺39X上的多個(gè)測(cè)量點(diǎn)P1, P2時(shí)，該多個(gè)讀頭66A，66B的光軸傾斜會(huì)不同，且當(dāng)于標(biāo)尺39X表面存在有凹凸(包含傾斜)時(shí)，從圖15中的Μ^Φ Δ)(Β可清楚得知，因該傾斜差異而使凹凸對(duì)測(cè)量值的影響， 在各讀頭均不同。因此，為了排除此影響的差異，有必要先求出標(biāo)尺39Χ表面的凹凸。此標(biāo)尺39Χ表面的凹凸，雖可使用例如前述Z傳感器等編碼器以外的測(cè)量裝置來(lái)測(cè)量，但在這種情形下，會(huì)因該測(cè)量裝置的測(cè)量分辨率不同而使凹凸的測(cè)量精度受限，因此為了以高精度測(cè)量凹凸，有可能需使用比在原本目的所需的傳感器更高精度且更昂貴的傳感器，來(lái)作為Z 傳感器。因此，在本實(shí)施形態(tài)中，采用使用編碼器系統(tǒng)本身來(lái)測(cè)量標(biāo)尺面的凹凸的方法。以下說(shuō)明此點(diǎn)。如前述用于表示與晶片載臺(tái)WST的Z調(diào)平對(duì)應(yīng)的編碼器(讀頭)的測(cè)量值變化特性的圖12圖表(誤差特性曲線)所示，各編碼器讀頭，對(duì)晶片載臺(tái)WST的傾斜動(dòng)作不具有感度，即，不論晶片載臺(tái)WST相對(duì)XY平面的傾斜角度、編碼器的測(cè)量誤差均為零的特異點(diǎn)僅于Z軸方向存在一點(diǎn)。只要將晶片載臺(tái)WST與取得前述載臺(tái)位置起因誤差修正信息時(shí)同樣地移動(dòng)并找出此點(diǎn)，該點(diǎn)(Ζ位置)即能定位成相對(duì)該編碼器讀頭的特異點(diǎn)。只要對(duì)標(biāo)尺上的多個(gè)測(cè)量點(diǎn)進(jìn)行找出此特異點(diǎn)的動(dòng)作，即能求出該標(biāo)尺面的形狀(凹凸)。(a)因此，主控制裝置20，首先一邊監(jiān)測(cè)干涉儀系統(tǒng)118的Y干涉儀16、X干涉儀 126及Z干涉儀43A，43B的測(cè)量值，一邊經(jīng)由載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)124驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST，如圖16 所示，使讀頭單元62A的任意Y讀頭、例如該圖16中的Y讀頭64A2，相對(duì)向于Y標(biāo)尺39、的 +Y側(cè)端部附近。接著，主控制裝置20，與前述同樣地，在該位置使晶片載臺(tái)WST的縱搖量 (θ χ旋轉(zhuǎn)量)至少以兩階段變更，并于每次變更時(shí)，以維持此時(shí)的晶片載臺(tái)WST的姿勢(shì)的狀態(tài)，從Y讀頭64Α2將檢測(cè)光照射于為Y標(biāo)尺39Α的對(duì)象的測(cè)量點(diǎn)，將晶片載臺(tái)WST以規(guī)定移動(dòng)范圍掃描(移動(dòng))于Z軸方向，并對(duì)該掃描(移動(dòng))中相對(duì)向于Y標(biāo)尺39YJ々Y讀頭 64A2(編碼器70A)的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行取樣。此外，上述取樣，在將晶片載臺(tái)WST的偏搖量(及橫搖量)維持于零的狀態(tài)下來(lái)進(jìn)行。接著，主控制裝置20根據(jù)其取樣結(jié)果進(jìn)行規(guī)定運(yùn)算，由此就多個(gè)姿勢(shì)求出與晶片載臺(tái)WST的Z位置對(duì)應(yīng)的上述編碼器70A的該對(duì)象測(cè)量點(diǎn)中的誤差特性曲線(參照?qǐng)D12)， 并將該多個(gè)誤差特性曲線的交點(diǎn)，即，與晶片載臺(tái)WST相對(duì)XY平面的傾斜角度無(wú)關(guān)地、將上述編碼器70A的測(cè)量誤差均為零的點(diǎn)，設(shè)為作為對(duì)象測(cè)量點(diǎn)中的特異點(diǎn)，求出此特異點(diǎn)的Z 位置信息Z1 (參照?qǐng)D17(A))。
(b)其次，主控制裝置20，一邊監(jiān)測(cè)干涉儀系統(tǒng)118的Y干涉儀16、X干涉儀1 及Z干涉儀43A，43B的測(cè)量值，一邊在將晶片載臺(tái)WST的縱搖量、橫搖量維持于零的狀態(tài)下，經(jīng)由載臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)1 使晶片載臺(tái)WST往+Y方向步進(jìn)移動(dòng)規(guī)定量。此移動(dòng)，以可忽視干涉儀的空氣動(dòng)蕩所導(dǎo)致測(cè)量誤差程度的低速進(jìn)行。(c)接著，在其步進(jìn)移動(dòng)后的位置，與上述(a)同樣地，求出該位置中上述編碼器 70A的特異點(diǎn)的Z位置信息zp(此處，P = 2)。其后，主控制裝置20通過(guò)反復(fù)進(jìn)行與上述(b)及(c)相同的動(dòng)作，求出于標(biāo)尺39A 上的Y軸方向以規(guī)定間隔設(shè)定的多個(gè)(例如n-1個(gè))測(cè)量點(diǎn)中的Z位置信息％(此處，P = 2,3......, i,......k,......η) ο圖17(B)表示以上述方式求出的第i編號(hào)的測(cè)量點(diǎn)中特異點(diǎn)的Z位置信息^，圖 17(C)表示第k編號(hào)的測(cè)量點(diǎn)中特異點(diǎn)的Z位置信息、。(d)接著，主控制裝置20根據(jù)就上述多個(gè)測(cè)量點(diǎn)分別求出的特異點(diǎn)的Z位置信息
zi;z2,......Zn，求出標(biāo)尺39A的面的凹凸。如圖17⑶所示，只要使表示標(biāo)尺39A上各測(cè)
量點(diǎn)中特異點(diǎn)的Z位置信息τγ的兩箭頭一端一致于規(guī)定基準(zhǔn)線，連結(jié)各兩箭頭的另一端的曲線，即表示標(biāo)尺39^的面形狀(凹凸)。因此，主控制裝置20，將各兩箭頭的另一端點(diǎn)進(jìn)行曲線擬合(curve fit，最小平方近似)來(lái)求出表示此凹凸的函數(shù)ζ = f\(y)，并儲(chǔ)存于內(nèi)存34。此外，y是用Y干涉儀16測(cè)量的晶片載臺(tái)WST的Y坐標(biāo)。(e)主控制裝置20，以與上述同樣的方式，分別求出表示Y標(biāo)尺39 的凹凸的函數(shù)ζ = f2 (y)、表示X標(biāo)尺39 的凹凸的函數(shù)ζ = & (X)、及表示X標(biāo)尺39 的凹凸的函數(shù) ζ = g2⑴，并儲(chǔ)存于內(nèi)存34。此外，χ以X干涉儀1 測(cè)量的晶片載臺(tái)WST的X坐標(biāo)。此處，當(dāng)在各標(biāo)尺上的各測(cè)量點(diǎn)求出上述誤差特性曲線(參照?qǐng)D12)時(shí)，若與Z 的變化無(wú)關(guān)地求出測(cè)量誤差恒為零的誤差特性曲線，則取得該誤差特性曲線時(shí)的晶片載臺(tái) WST的縱搖量(或橫搖量)對(duì)應(yīng)標(biāo)尺面在該測(cè)量點(diǎn)的傾斜量。因此，在上述方法中，最好除了標(biāo)尺面的高度信息以外也取得在各測(cè)量點(diǎn)的傾斜的信息。如此，在進(jìn)行上述曲線擬合時(shí)， 可得到更高精度的擬合。此外，編碼器的標(biāo)尺，會(huì)隨著使用時(shí)間的經(jīng)過(guò)因熱膨脹等其它原因?qū)е卵苌涔鈻抛冃危蜓苌涔鈻诺拈g距會(huì)產(chǎn)生部分或整體變化，欠缺機(jī)械式的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。因此，由于其測(cè)量值所含的誤差會(huì)隨著使用時(shí)間的經(jīng)過(guò)而變大，因此有需要進(jìn)行修正。以下，根據(jù)圖18 說(shuō)明以本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置100進(jìn)行的標(biāo)尺的柵格間距修正信息及柵格變形的修正信息的取得動(dòng)作。在該圖18中，測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)41; B42，相對(duì)前述直線LV配置成對(duì)稱，Y干涉儀16的實(shí)質(zhì)測(cè)長(zhǎng)軸與通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸的與Y軸方向呈平行的直線LV —致。因此，只要通過(guò)Y干涉儀16，即能在無(wú)阿貝誤差的狀態(tài)下測(cè)量晶片臺(tái)WTB的Y位置。同樣地，測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)51;B52，相對(duì)前述直線LH配置成對(duì)稱，X干涉儀126的實(shí)質(zhì)測(cè)長(zhǎng)軸與通過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng) PL的光軸的與X軸平行的直線LH —致。因此，只要通過(guò)X干涉儀126，就能在無(wú)阿貝誤差的狀態(tài)下測(cè)量晶片臺(tái)WTB的X位置。首先，說(shuō)明X標(biāo)尺的柵格線變形(柵格線彎曲)的修正信息與Y標(biāo)尺的柵格間距的修正信息的取得動(dòng)作。此處為了使說(shuō)明較為簡(jiǎn)單，假設(shè)反射面17b為一理想平面。另外，在此取得動(dòng)作前，測(cè)量上述各標(biāo)尺表面的凹凸信息，表示Y標(biāo)尺39A的凹凸的函數(shù)ζ = f\(y)、表示Y標(biāo)尺3OT2的凹凸的函數(shù)ζ = f2(y)、表示X標(biāo)尺39 的凹凸的函數(shù)ζ = &(χ)、及表示X標(biāo)尺39 的凹凸的函數(shù)ζ = & (χ)，儲(chǔ)存于內(nèi)存34內(nèi)。首先，主控制裝置20將儲(chǔ)存于內(nèi)存34內(nèi)的函數(shù)ζ = f\(y)、函數(shù)ζ = f2(y)、函數(shù) ζ = & (χ)、及函數(shù)ζ = g2(x)讀入內(nèi)部存儲(chǔ)器。其次，主控制裝置20，以可忽視Y干涉儀16的測(cè)量值的短期變動(dòng)程度的低速并將 X干涉儀126的測(cè)量值固定于規(guī)定值，且根據(jù)Y干涉儀16及Z干涉儀43A，43B的測(cè)量值， 使縱搖量、橫搖量、及偏搖量均維持于零的狀態(tài)下，將晶片載臺(tái)WST如圖18中箭頭F，F(xiàn)’所示，在前述有效移動(dòng)范圍內(nèi)移動(dòng)于+Y方向及-Y方向的至少一方向。在此移動(dòng)中，主控制裝置20分別使用上述函數(shù)ζ = fjy)、函數(shù)ζ = f2(y)來(lái)修正Y線性編碼器70A，70C的測(cè)量值(輸出)，且以規(guī)定取樣間隔取得該修正后的測(cè)量值與Y干涉儀16的測(cè)量值(更正確而言，為測(cè)長(zhǎng)光束B(niǎo)41; B42的測(cè)量值)，并根據(jù)該取得的各測(cè)量值求出Y線性編碼器70A，70C 的測(cè)量值(與編碼器70A的輸出-函數(shù)f\(y)對(duì)應(yīng)的測(cè)量值、與編碼器70C的輸出-函數(shù) f2(y)對(duì)應(yīng)的測(cè)量值)與Y干涉儀16的測(cè)量值的關(guān)系。即，主控制裝置20，求出隨著晶片載臺(tái)WST的移動(dòng)而按順序相對(duì)向配置于讀頭單元62A及62C的Y標(biāo)尺39Y1; 3OT2的柵格間距(相鄰的柵格線的間隔)及該柵格間距的修正信息。該柵格間距的修正信息，例如當(dāng)以橫軸為干涉儀的測(cè)量值，以縱軸為編碼器的測(cè)量值(起因于標(biāo)尺面的凹凸的誤差經(jīng)修正的測(cè)量值)時(shí)，可求出為將兩者關(guān)系以曲線表示的修正圖等。此時(shí)Y干涉儀16的測(cè)量值由于是以前述極低速掃描晶片載臺(tái)WST時(shí)所得的值，因此不但不包含長(zhǎng)期性變動(dòng)誤差，也幾乎不包含因空氣晃動(dòng)等導(dǎo)致的短期性變動(dòng)誤差，可將其視為可忽視誤差的正確的值。另外，主控制裝置20，對(duì)在上述晶片載臺(tái)WST的移動(dòng)中，伴隨該移動(dòng)而按順序相對(duì)向配置于前述X標(biāo)尺39X1; 39 的讀頭單元62B及62D的多個(gè)X讀頭66所得到的測(cè)量值(X 線性編碼器70B及70D的測(cè)量值)，進(jìn)行統(tǒng)計(jì)處理(例如予以平均或加權(quán)平均)，而一并求出按順序相對(duì)向于該多個(gè)X讀頭66的柵格線37的變形(彎曲)的修正信息。其原因在于， 當(dāng)反射面17b為一理想平面時(shí)，由于在將晶片載臺(tái)WST運(yùn)送于+Y方向或-Y方向的過(guò)程中應(yīng)反復(fù)出現(xiàn)相同的模糊圖案，因此只要將以多個(gè)X讀頭66取得的測(cè)量數(shù)據(jù)予以平均化，就能正確地求出按順序相對(duì)向于該多個(gè)X讀頭66的柵格線37的變形(彎曲)的修正信息。此外，當(dāng)反射面17b不為理想平面時(shí)，預(yù)先測(cè)量該反射面的凹凸(彎曲)以求出該彎曲的修正數(shù)據(jù)，在上述晶片載臺(tái)WST移動(dòng)于+Y方向或-Y方向時(shí)，只要代替將X干涉儀 126的測(cè)量值固定于規(guī)定值的方式，通過(guò)根據(jù)其修正數(shù)據(jù)一邊控制晶片載臺(tái)WST的X位置， 一邊使晶片載臺(tái)WST移動(dòng)于+Y方向或-Y方向，使晶片載臺(tái)WST正確地移動(dòng)于Y軸方向即可。如此一來(lái)，即能與上述同樣地，求得Y標(biāo)尺的柵格間距的修正信息及柵格線37的變形 (彎曲)的修正信息。此外，用上述多個(gè)X讀頭66取得的測(cè)量數(shù)據(jù)是反射面17b在相異部位基準(zhǔn)的多個(gè)數(shù)據(jù)，由于任一 X讀頭66均測(cè)量同一柵格線37的變形(彎曲)，因此通過(guò)上述的平均化動(dòng)作，也有反射面的彎曲修正剩余誤差經(jīng)平均化而接近真正的值(換言的，通過(guò)將以多個(gè)X讀頭取得的測(cè)量數(shù)據(jù)(柵格線37的彎曲信息)予以平均化，而能減弱彎曲剩余誤差的影響)的附帶效果。其次，說(shuō)明Y標(biāo)尺的柵格線變形(柵格線彎曲)的修正信息與X標(biāo)尺的柵格間距的修正信息。此處為了使說(shuō)明較為簡(jiǎn)單，假設(shè)反射面17a為一理想平面。此時(shí)，只要在上述修正的情形中將X軸方向與Y軸方向交換來(lái)進(jìn)行處理即可。
S卩，主控制裝置20是以可忽視X干涉儀126的測(cè)量值的短期變動(dòng)程度的低速并將Y干涉儀16的測(cè)量值固定于規(guī)定值，且根據(jù)X干涉儀126、γ干涉儀16及Z干涉儀43Α， 43Β的測(cè)量值，使縱搖量、橫搖量、及偏搖量均維持于零的狀態(tài)下，將晶片載臺(tái)WST例如在前述有效移動(dòng)范圍內(nèi)移動(dòng)于+X方向及-X方向的至少一方向。在此移動(dòng)中，主控制裝置20分別使用上述函數(shù)ζ = & (χ)、函數(shù)ζ = g2 (χ)來(lái)修正X線性編碼器70Β，70D的測(cè)量值，且以規(guī)定取樣間隔取得該修正后的測(cè)量值與X干涉儀126的測(cè)量值，并根據(jù)該取得的測(cè)量值求出 X線性編碼器70B，70D的測(cè)量值(與編碼器70Β的輸出-函數(shù)對(duì)應(yīng)的測(cè)量值、與編碼器70D的輸出-函數(shù)對(duì)應(yīng)的測(cè)量值)與X干涉儀126的測(cè)量值的關(guān)系。S卩，這樣，主控制裝置20，求出隨著晶片載臺(tái)WST的移動(dòng)而按順序相對(duì)向配置于讀頭單元62B及62D的 X標(biāo)尺39X1;39)(2的柵格間距(相鄰的柵格線的間隔)及該柵格間距的修正信息。該柵格間距的修正信息，例如當(dāng)以橫軸為干涉儀的測(cè)量值，以縱軸為編碼器的測(cè)量值(起因于標(biāo)尺面的凹凸的誤差經(jīng)修正的測(cè)量值)時(shí)，可求出為將兩者關(guān)系以曲線表示的修正圖等。此時(shí)Y干涉儀126的測(cè)量值由于是以前述極低速掃描晶片載臺(tái)WST時(shí)所得的值，因此不但不包含長(zhǎng)期性變動(dòng)誤差，也幾乎不包含因空氣晃動(dòng)等導(dǎo)致的短期性變動(dòng)誤差，可將的視為可忽視誤差的正確的值。另外，主控制裝置20，對(duì)在上述晶片載臺(tái)WST的移動(dòng)中，伴隨該移動(dòng)而按順序相對(duì)向配置于前述Y標(biāo)尺39Y1; 39Υ2的讀頭單元62Α及62C的多個(gè)Y讀頭64所得到的測(cè)量值(Y 線性編碼器70Α及70C的測(cè)量值)，進(jìn)行統(tǒng)計(jì)處理(例如予以平均或加權(quán)平均)，而一并求出按順序相對(duì)向于該多個(gè)Y讀頭64的柵格線38的變形(彎曲)的修正信息。其原因在于，當(dāng)反射面17a為一理想平面時(shí)，由于在將晶片載臺(tái)WST運(yùn)送于+X方向或-X方向的過(guò)程中應(yīng)會(huì)反復(fù)出現(xiàn)相同的模糊圖案，因此只要將以多個(gè)Y讀頭64取得的測(cè)量數(shù)據(jù)予以平均化，即能正確地求出按順序相對(duì)向于該多個(gè)Y讀頭64的柵格線38的變形(彎曲)的修正信息。此外，當(dāng)反射面17a不為理想平面時(shí)，預(yù)先測(cè)量該反射面的凹凸(彎曲)以求出該彎曲的修正數(shù)據(jù)，在上述晶片載臺(tái)WST移動(dòng)于+X方向或-X方向時(shí)，只要代替將Y干涉儀16 的測(cè)量值固定于規(guī)定值的方式，根據(jù)該修正數(shù)據(jù)通過(guò)一邊控制晶片載臺(tái)WST的Y位置，一邊使晶片載臺(tái)WST移動(dòng)于+X方向或-X方向，即可使晶片載臺(tái)WST正確地移動(dòng)于X軸方向。如此一來(lái)，即能與上述同樣地，求得X標(biāo)尺的柵格間距的修正信息及柵格線38的變形(彎曲) 的修正信息。主控制裝置20經(jīng)由上述方式，在規(guī)定的時(shí)序、例如依各批量，求得Y標(biāo)尺的柵格間距的修正信息及柵格線37的變形(彎曲)的修正信息，以及X標(biāo)尺的柵格間距的修正信息及柵格線38的變形(彎曲)的修正信息。接著，在批量?jī)?nèi)的處理中，主控制裝置20 —邊根據(jù)前述柵格間距的修正信息及上述柵格線38的變形(彎曲)的修正信息、及通過(guò)干涉儀系統(tǒng)118所測(cè)量的晶片載臺(tái)WST 的與Z位置ζ、縱搖量θ x及偏搖量θ ζ對(duì)應(yīng)的載臺(tái)位置起因誤差修正信息，修正讀頭單元 62Α，62C所得到的測(cè)量值(也即編碼器70Α，70C的測(cè)量值)，一邊使用Y標(biāo)尺39Υ1 39Υ2與讀頭單元62Α，62C、也即使用Y線性編碼器70Α，70C來(lái)進(jìn)行晶片載臺(tái)WST往Y軸方向的移動(dòng)控制。由此，可不受Y標(biāo)尺的柵格間距隨時(shí)間的變化及構(gòu)成Y標(biāo)尺的各柵格(線)的彎曲的影響，且不受晶片載臺(tái)WST在非測(cè)量方向的位置變化(讀頭與標(biāo)尺在非測(cè)量方向的相對(duì)運(yùn)動(dòng))的影響，使用Y線性編碼器70Α，70C以高精度控制晶片載臺(tái)WST在Y軸方向的移動(dòng)。
另外，在批量的處理中，主控制裝置20 —邊根據(jù)前述柵格間距的修正信息及上述柵格線37的變形(彎曲)的修正信息、以及通過(guò)干涉儀系統(tǒng)118所測(cè)量的晶片載臺(tái)WST 的與Z位置ζ、橫搖量θ y及偏搖量θ ζ對(duì)應(yīng)的載臺(tái)位置起因誤差修正信息，修正讀頭單元 62Β，62D所得到的測(cè)量值(即編碼器70Β，70D的測(cè)量值)，一邊使用X標(biāo)尺39 ，39 與讀頭單元62B，62D、即使用X線性編碼器70B，70D來(lái)進(jìn)行晶片載臺(tái)WST向X軸方向的移動(dòng)控制。由此，可不受X標(biāo)尺的柵格間距隨時(shí)間的變化及構(gòu)成X標(biāo)尺的各柵格(線)的彎曲的影響，且不受晶片載臺(tái)WST在非測(cè)量方向的位置變化(讀頭與標(biāo)尺在非測(cè)量方向的相對(duì)運(yùn)動(dòng))的影響，使用X線性編碼器70B，70D以高精度控制晶片載臺(tái)WST在X軸方向的移動(dòng)。此外，在上述說(shuō)明中，雖對(duì)Y標(biāo)尺、X標(biāo)尺均進(jìn)行柵格間距、以及柵格線彎曲的修正信息的取得，但并不限于此，也可僅對(duì)Y標(biāo)尺及X標(biāo)尺的任一方進(jìn)行柵格間距及柵格線彎曲的修正信息的取得，或也可對(duì)Y標(biāo)尺及X標(biāo)尺雙方進(jìn)行柵格間距、柵格線彎曲中任一方的修正信息的取得。當(dāng)例如僅進(jìn)行X標(biāo)尺的柵格線37彎曲的修正信息的取得時(shí)，也可不使用Y 干涉儀16，而僅根據(jù)Y線性編碼器70A，70C的測(cè)量值來(lái)使晶片載臺(tái)WST移動(dòng)于Y軸方向。 同樣地，當(dāng)例如僅進(jìn)行Y標(biāo)尺的柵格線38彎曲的修正信息的取得時(shí)，也可不使用X干涉儀 126，而僅根據(jù)X線性編碼器70B，70D的測(cè)量值來(lái)使晶片載臺(tái)WST移動(dòng)于X軸方向。另外， 也可僅補(bǔ)償前述載臺(tái)位置起因誤差、因標(biāo)尺(例如柵格面的平面度(平坦性)、及/或柵格的形成誤差(包含間距誤差、柵格線彎曲等))而產(chǎn)生的編碼器測(cè)量誤差(以下，也稱為標(biāo)尺起因誤差)的任一個(gè)。其次，說(shuō)明在預(yù)先進(jìn)行上述載臺(tái)位置起因誤差修正信息的取得、上述各讀頭的位置信息的取得、標(biāo)尺表面的凹凸測(cè)量、以及標(biāo)尺的柵格間距的修正信息及柵格變形的修正信息的取得等的處理后，在實(shí)際的批量處理中等所進(jìn)行的用于晶片載臺(tái)WST在XY平面內(nèi)的位置控制的編碼器的切換處理，即在多個(gè)編碼器間的接續(xù)處理。此處，首先在多個(gè)編碼器間的接續(xù)處理的說(shuō)明前，先使用圖19㈧及圖19⑶說(shuō)明作為其前提的將修正完畢的編碼器的測(cè)量值轉(zhuǎn)換成晶片載臺(tái)WST的位置的具體方法。此處為使說(shuō)明簡(jiǎn)單，晶片載臺(tái)WST的自由度為3自由度(X，Y，θ ζ)。圖19㈧表示晶片載臺(tái)WST位于坐標(biāo)原點(diǎn)(Χ，Υ，θ ζ) = (0,0,0)的基準(zhǔn)狀態(tài)。從此基準(zhǔn)狀態(tài)，在編碼器(Y讀頭)Encl，Enc2及編碼器(X讀頭)Enc3，均不從所分別相對(duì)向的標(biāo)尺39￥1，3講2及39)(1的掃描區(qū)域脫離的范圍內(nèi)，驅(qū)動(dòng)晶片載臺(tái)WST。承上所述，晶片載臺(tái)WST移動(dòng)至位置(X，Y, θ z) = (X，Y，θ ζ)的狀態(tài)如圖19(B)所示。此處，將XY坐標(biāo)系統(tǒng)中編碼器Encl，Enc2, Enc3的測(cè)量點(diǎn)的位置坐標(biāo)(X，Y)分別設(shè)為(P1, Q1)、(P2, Q2)、(P3，Q3)。分別從內(nèi)存34內(nèi)讀取并使用在前述讀頭位置的校正時(shí)所取得的測(cè)量光束的照射點(diǎn)的位置信息，來(lái)作為編碼器Encl，Enc2的X坐標(biāo)值Pl，P2及編碼器Enc3的Y坐標(biāo)值q3，從內(nèi)存34內(nèi)讀取并使用測(cè)量光束的照射點(diǎn)的設(shè)計(jì)上的位置信息，來(lái)作為編碼器Encl，Enc2的Y坐標(biāo)值q1; q2及編碼器Enc3的X坐標(biāo)值p3。X讀頭與Y讀頭分別測(cè)量從晶片載臺(tái)WST的中心軸LL與LW的相對(duì)距離。如此，X 讀頭與Y讀頭的測(cè)量值cx, Cy能分別以下式(12a)、(12b)表示。Cx = r' · ex，. · · (12a)Cy = r，· ey，· · · (12b)此處的eX’、ey’是晶片載臺(tái)WST的相對(duì)坐標(biāo)系統(tǒng)(Χ’，Υ’，θ ζ’ )中的Χ’，Υ’單位向量，其與基準(zhǔn)坐標(biāo)系統(tǒng)(Χ，γ，θ ζ)中的Χ，Υ單位向量ex，ey有下式(13)的關(guān)系。
[數(shù)式 1]
權(quán)利要求
1.一種曝光方法，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)與液體用能量束使物體曝光，所述曝光方法包含通過(guò)局部液浸裝置將液體供應(yīng)至該投影光學(xué)系統(tǒng)的正下方，其中，該局部液浸裝置具有設(shè)成包圍該投影光學(xué)系統(tǒng)的下端部的噴嘴單元；將該物體載置于能夠至少在規(guī)定平面內(nèi)正交的第ι及第2方向移動(dòng)的移動(dòng)體；在該移動(dòng)體設(shè)有格子部與多個(gè)讀頭的一個(gè)，且另一個(gè)相對(duì)該投影光學(xué)系統(tǒng)設(shè)在該噴嘴單元的外側(cè)，使用通過(guò)該多個(gè)讀頭中的與該格子部對(duì)向的讀頭測(cè)量該移動(dòng)體的位置信息的編碼器系統(tǒng)，測(cè)量該移動(dòng)體的位置信息；以及基于用于補(bǔ)償因該讀頭的位移產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差的修正信息與該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息，控制該移動(dòng)體的位置；該物體通過(guò)該移動(dòng)體，相對(duì)通過(guò)該供應(yīng)的液體形成在該投影光學(xué)系統(tǒng)正下方的液浸區(qū)域移動(dòng)，經(jīng)由該投影光學(xué)系統(tǒng)與該液浸區(qū)域的液體進(jìn)行該曝光；通過(guò)該移動(dòng)體的移動(dòng)，切換在該位置信息的測(cè)量中所使用的讀頭，基于由該切換前所使用的讀頭測(cè)量的位置信息，決定通過(guò)該切換后所使用的讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于決定通過(guò)該切換后所使用的讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息，以便在該切換的前后維持該移動(dòng)體的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于將該決定了的位置信息作為初始值， 設(shè)定通過(guò)該切換后所使用的讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息，以便在該切換的前后該移動(dòng)體的位置信息連續(xù)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光方法，其特征在于在通過(guò)該切換后所使用的讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息的決定中，使用關(guān)于與該第1及第2方向不同的方向的該移動(dòng)體的位置信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光方法，其特征在于與該第1及第2方向不同的方向包含該規(guī)定平面內(nèi)的旋轉(zhuǎn)方向。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于通過(guò)該切換后所使用的讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息的決定，在該切換前所使用的讀頭及該切換后所使用的讀頭的雙方與該格子部對(duì)向的狀態(tài)下進(jìn)行。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于該切換在該切換前所使用的讀頭及該切換后所使用的讀頭的雙方與該格子部對(duì)向的狀態(tài)下進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光方法，其特征在于通過(guò)該切換后所使用的讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息在該切換時(shí)決定。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光方法，其特征在于在通過(guò)該切換后所使用的讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息的決定中，使用在該切換前所使用的讀頭測(cè)量的關(guān)于該規(guī)定平面內(nèi)的不同方向的該移動(dòng)體的位置信息。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的曝光方法，其特征在于該規(guī)定平面內(nèi)的不同方向包含與該規(guī)定平面平行的方向以及旋轉(zhuǎn)方向。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于該修正信息補(bǔ)償因該讀頭與該格子部的至少一個(gè)產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的曝光方法，其特征在于該修正信息補(bǔ)償因該讀頭的至少光學(xué)特性產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的曝光方法，其特征在于該修正信息補(bǔ)償因該格子部的平坦性與形成誤差的至少一個(gè)產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于該修正信息補(bǔ)償因關(guān)于該測(cè)量時(shí)的與該第1及第2方向不同的方向的該移動(dòng)體的位移產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的曝光方法，其特征在于與該第1及第2方向不同的方向包含與該規(guī)定平面正交的方向、圍繞與該規(guī)定平面正交的軸的旋轉(zhuǎn)方向、以及圍繞與該規(guī)定平面平行的軸的旋轉(zhuǎn)方向的至少一個(gè)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于該修正信息補(bǔ)償因該移動(dòng)體相對(duì)該規(guī)定平面的傾斜產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于該修正信息補(bǔ)償因關(guān)于該切換時(shí)的與該第1及第2方向不同的方向的該移動(dòng)體的位移產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于基于該修正信息，修正該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息或定位該移動(dòng)體的目標(biāo)位置。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于該物體經(jīng)由光罩用該能量束曝光，該曝光時(shí)，基于該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息驅(qū)動(dòng)該移動(dòng)體，同時(shí)以補(bǔ)償該測(cè)量誤差的方式基于該修正信息控制該光罩的位置。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于該移動(dòng)體設(shè)有該多個(gè)讀頭，并且在該曝光中在該格子部的下方移動(dòng)。
21.根據(jù)權(quán)利要求1至20中的任一項(xiàng)所述的曝光方法，其特征在于該移動(dòng)體通過(guò)該多個(gè)讀頭中的與該格子部對(duì)向的3個(gè)或4個(gè)讀頭測(cè)量該位置信息。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的曝光方法，其特征在于通過(guò)該移動(dòng)體的移動(dòng)，與該格子部對(duì)向的讀頭從該3個(gè)讀頭與該4個(gè)讀頭的一方變更至另一方。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的曝光方法，其特征在于在從該3個(gè)讀頭至該4個(gè)讀頭的變更中，該4個(gè)讀頭包含該3個(gè)讀頭。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的曝光方法，其特征在于通過(guò)該移動(dòng)體的移動(dòng)，與該格子部對(duì)向的讀頭從該4個(gè)讀頭變更至包含與該3個(gè)讀頭不同的1個(gè)讀頭的3個(gè)讀頭。
25.根據(jù)權(quán)利要求1至20中的任一項(xiàng)所述的曝光方法，其特征在于該多個(gè)讀頭中的該測(cè)量所使用的3個(gè)讀頭，通過(guò)該移動(dòng)體的移動(dòng)，切換成包含與該3個(gè)讀頭不同的1個(gè)讀頭的3個(gè)讀頭，該切換在包含該切換前所使用的3個(gè)讀頭與該1個(gè)讀頭的4個(gè)讀頭與該格子部對(duì)向的狀態(tài)下進(jìn)行。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的曝光方法，其特征在于基于通過(guò)該切換前所使用的3個(gè)讀頭測(cè)量的位置信息，決定通過(guò)該1個(gè)讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的曝光方法，其特征在于在該4個(gè)讀頭與該格子部對(duì)向的狀態(tài)下決定通過(guò)該1個(gè)讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的曝光方法，其特征在于在該切換時(shí)決定通過(guò)該1個(gè)讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息。
29.根據(jù)權(quán)利要求1至20中的任一項(xiàng)所述的曝光方法，其特征在于該多個(gè)讀頭中的該測(cè)量中所使用的3個(gè)讀頭，通過(guò)該移動(dòng)體的移動(dòng)，切換成與該3個(gè)讀頭至少一個(gè)不同的3個(gè)讀頭；基于通過(guò)該切換前所使用的3個(gè)讀頭測(cè)量的位置信息，決定通過(guò)該切換后所使用的3 個(gè)讀頭中的與該切換前所使用的3個(gè)讀頭不同的至少一個(gè)讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息；該切換以及該位置信息的決定在該切換前所使用的讀頭以及該切換后所使用的讀頭與該格子部對(duì)向的狀態(tài)下進(jìn)行。
30.一種組件制造方法，包含光刻過(guò)程，其特征在于在該光刻過(guò)程中，使用權(quán)利要求1至四中的任一項(xiàng)的曝光方法，使載置于該移動(dòng)體的感應(yīng)物體曝光，并在該感應(yīng)物體上形成圖案。
31.一種曝光裝置，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)與液體用能量束使物體曝光，所述曝光裝置包括局部液浸裝置，具有設(shè)成包圍該投影光學(xué)系統(tǒng)的下端部的噴嘴單元，將液體供應(yīng)至該投影光學(xué)系統(tǒng)的正下方；移動(dòng)體，保持該物體，能夠在至少規(guī)定平面內(nèi)正交的第1及第2方向移動(dòng)；編碼器系統(tǒng)，在該移動(dòng)體設(shè)有格子部與多個(gè)讀頭的一個(gè)，且另一個(gè)相對(duì)該投影光學(xué)系統(tǒng)設(shè)在該噴嘴單元的外側(cè)，通過(guò)該多個(gè)讀頭中的與該格子部對(duì)向的讀頭測(cè)量該移動(dòng)體的位置信息；以及控制裝置，基于用于補(bǔ)償因該讀頭的位移產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差的修正信息與該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息，控制該移動(dòng)體的位置；該移物體使該物體相對(duì)通過(guò)該供應(yīng)的液體形成在該投影光學(xué)系統(tǒng)的正下方的液浸區(qū)域移動(dòng)，該物體經(jīng)由該投影光學(xué)系統(tǒng)與該液浸區(qū)域的液體曝光；通過(guò)該移動(dòng)體的移動(dòng)，切換該測(cè)量所使用的讀頭，并且基于通過(guò)該切換前所使用的讀頭測(cè)量的位置信息，決定通過(guò)該切換后所使用的讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的曝光裝置，其特征在于決定通過(guò)該切換后所使用的讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息，以便在該切換的前后維持該移動(dòng)體的位置。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的曝光裝置，其特征在于將該決定了的位置信息作為初始值，設(shè)定通過(guò)該切換后所使用的讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息，以便在該切換的前后該移動(dòng)體的位置信息連續(xù)連接。
34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的曝光裝置，其特征在于在通過(guò)該切換后所使用的讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息的決定中，使用關(guān)于與該第1及第2方向不同的方向的該移動(dòng)體的位置信肩、ο
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的曝光裝置，其特征在于與該第1及第2方向不同的方向包含該規(guī)定平面內(nèi)的旋轉(zhuǎn)方向。
36.根據(jù)權(quán)利要求31所述的曝光裝置，其特征在于通過(guò)該切換后所使用的讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息的決定，在該切換前所使用的讀頭以及該切換后所使用的讀頭的雙方與該格子部對(duì)向的狀態(tài)下進(jìn)行。
37.根據(jù)權(quán)利要求31所述的曝光裝置，其特征在于該切換在該切換前所使用的讀頭及該切換后所使用的讀頭的雙方與該格子部對(duì)向的狀態(tài)下進(jìn)行。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的曝光裝置，其特征在于通過(guò)該切換后所使用的讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息在該切換時(shí)決定。
39.根據(jù)權(quán)利要求36所述的曝光裝置，其特征在于在通過(guò)該切換后所使用的讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息的決定中，使用在該切換前所使用的讀頭測(cè)量的關(guān)于該規(guī)定平面內(nèi)的不同方向的該移動(dòng)體的位置信息。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的曝光裝置，其特征在于該規(guī)定平面內(nèi)的不同方向包含與該規(guī)定平面平行的方向以及旋轉(zhuǎn)方向。
41.根據(jù)權(quán)利要求31所述的曝光裝置，其特征在于該修正信息補(bǔ)償因該讀頭與該格子部的至少一個(gè)產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的曝光裝置，其特征在于該修正信息補(bǔ)償因該讀頭的至少光學(xué)特性產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差。
43.根據(jù)權(quán)利要求41所述的曝光裝置，其特征在于該修正信息補(bǔ)償因該格子部的平坦性與形成誤差的至少一個(gè)產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差。
44.根據(jù)權(quán)利要求31所述的曝光裝置，其特征在于該修正信息補(bǔ)償因關(guān)于該測(cè)量時(shí)的與該第1及第2方向不同的方向的該移動(dòng)體的位移產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的曝光裝置，其特征在于與該第1及第2方向不同的方向包含與該規(guī)定平面正交的方向、圍繞與該規(guī)定平面正交的軸的旋轉(zhuǎn)方向、以及圍繞與該規(guī)定平面平行的軸的旋轉(zhuǎn)方向的至少一個(gè)。
46.根據(jù)權(quán)利要求31所述的曝光裝置，其特征在于該修正信息補(bǔ)償因該移動(dòng)體相對(duì)該規(guī)定平面的傾斜產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差。
47.根據(jù)權(quán)利要求31所述的曝光裝置，其特征在于該修正信息補(bǔ)償因關(guān)于該切換時(shí)的與該第1及第2方向不同的方向的該移動(dòng)體的位移產(chǎn)生的該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量誤差。
48.根據(jù)權(quán)利要求31所述的曝光裝置，其特征在于基于該修正信息，修正該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息或定位該移動(dòng)體的目標(biāo)位置。
49.根據(jù)權(quán)利要求31所述的曝光裝置，其特征在于該物體經(jīng)由光罩用該能量束曝光；該曝光時(shí)，基于該編碼器系統(tǒng)的測(cè)量信息驅(qū)動(dòng)該移動(dòng)體，同時(shí)以補(bǔ)償該測(cè)量誤差的方式基于該修正信息控制該光罩的位置。
50.根據(jù)權(quán)利要求31所述的曝光裝置，其特征在于該移動(dòng)體設(shè)有該多個(gè)讀頭，并且在該曝光中在該格子部的下方移動(dòng)。
51.根據(jù)權(quán)利要求31至50中的任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于該移動(dòng)體通過(guò)該多個(gè)讀頭中的與該格子部對(duì)向的3個(gè)或4個(gè)讀頭測(cè)量該位置信息。
52.根據(jù)權(quán)利要求51所述的曝光裝置，其特征在于通過(guò)該移動(dòng)體的移動(dòng)，與該格子部對(duì)向的讀頭從該3個(gè)讀頭與該4個(gè)讀頭的一方變更至另一方。
53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的曝光裝置，其特征在于在從該3個(gè)讀頭至該4個(gè)讀頭的變更中，該4個(gè)讀頭包含該3個(gè)讀頭。
54.根據(jù)權(quán)利要求52所述的曝光裝置，其特征在于通過(guò)該移動(dòng)體的移動(dòng)，與該格子部對(duì)向的讀頭從該4個(gè)讀頭變更至包含與該3個(gè)讀頭不同的1個(gè)讀頭的3個(gè)讀頭。
55.根據(jù)權(quán)利要求31至50中的任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于該多個(gè)讀頭中的該測(cè)量所使用的3個(gè)讀頭，通過(guò)該移動(dòng)體的移動(dòng)，切換成包含與該3個(gè)讀頭不同的1個(gè)讀頭的3個(gè)讀頭，該切換在包含該切換前所使用的3個(gè)讀頭與該1個(gè)讀頭的4個(gè)讀頭與該格子部對(duì)向的狀態(tài)下進(jìn)行。
56.根據(jù)權(quán)利要求55所述的曝光裝置，其特征在于基于通過(guò)該切換前所使用的3個(gè)讀頭測(cè)量的位置信息，決定通過(guò)該1個(gè)讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息。
57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的曝光裝置，其特征在于在該4個(gè)讀頭與該格子部對(duì)向的狀態(tài)下決定通過(guò)該1個(gè)讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息。
58.根據(jù)權(quán)利要求57所述的曝光裝置，其特征在于在該切換時(shí)決定通過(guò)該1個(gè)讀頭應(yīng)測(cè)量的位置信息。
59.根據(jù)權(quán)利要求31至50中的任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于該多個(gè)讀頭中的該測(cè)量所使用的3個(gè)讀頭，通過(guò)該移動(dòng)體的移動(dòng)，切換成與該3個(gè)讀頭至少一個(gè)不同的3個(gè)讀頭；基于通過(guò)該切換前所使用的3個(gè)讀頭測(cè)量的位置信息，決定通過(guò)該切換后所使用的3 個(gè)讀頭中的與該切換前所使用的3個(gè)讀頭不同的至少一個(gè)讀頭測(cè)量的位置信息；該切換及該位置信息的決定在該切換前所使用的讀頭以及該切換后所使用的讀頭與該格子部對(duì)向的狀態(tài)下進(jìn)行。
60.一種組件制造方法，包含光刻過(guò)程，其特征在于在該光刻過(guò)程中，使用權(quán)利要求31至50中的任一項(xiàng)的所述曝光裝置，使載置于該移動(dòng)體的感應(yīng)物體曝光，并在該感應(yīng)物體上形成圖案。
61.一種校正方法，用于測(cè)量實(shí)質(zhì)上沿著規(guī)定平面移動(dòng)的移動(dòng)體的平行于該平面的面內(nèi)的位置信息的編碼器系統(tǒng)，所述校正方法包括取得步驟，使該移動(dòng)體在平行于該平面的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)規(guī)定角度，取得測(cè)量在平行于該平面的測(cè)量方向的該移動(dòng)體的位置信息的該編碼器系統(tǒng)的讀頭的測(cè)量值、及測(cè)量該移動(dòng)體的平行于該平面的面內(nèi)的旋轉(zhuǎn)角度的測(cè)量裝置的測(cè)量值；以及算出步驟，基于取得的該讀頭的測(cè)量值以及用該測(cè)量裝置所測(cè)量的旋轉(zhuǎn)角度，算出從該讀頭射出的測(cè)量光束在平行于該平面的面內(nèi)的垂直于該測(cè)量方向的方向的位置信息。
全文摘要
本發(fā)明提供移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)方法及移動(dòng)體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、圖案形成方法及裝置、曝光方法及裝置、組件制造方法、以及校正方法。通過(guò)控制裝置，使用編碼器系統(tǒng)的包含X編碼器與Y編碼器的至少各一個(gè)的三個(gè)編碼器(Enc1，Enc2，Enc3)測(cè)量載臺(tái)WST在XY平面內(nèi)的位置信息，根據(jù)該位置信息的測(cè)量結(jié)果及該位置信息的測(cè)量所使用的讀頭(編碼器)(Enc1，Enc2及Enc3)的平行于XY平面的面內(nèi)的位置信息(p1，q1)、(p2，q2)及(p3，q3)，在XY平面內(nèi)驅(qū)動(dòng)載臺(tái)WST。據(jù)此，能一邊使用包含多個(gè)讀頭的編碼器系統(tǒng)切換載臺(tái)WST的移動(dòng)中控制所使用的讀頭(編碼器)，一邊高精度控制載臺(tái)的移動(dòng)。
文檔編號(hào)G01B11/00GK102360169SQ20111032243
公開(kāi)日2012年2月22日 申請(qǐng)日期2007年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月1日
發(fā)明者柴崎祐一 申請(qǐng)人:株式會(huì)社尼康