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材料熔化體積膨脹率/熔融態(tài)密度的測量裝置及方法

文檔序號:6114834閱讀:1194來源:國知局
專利名稱:材料熔化體積膨脹率/熔融態(tài)密度的測量裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及材料熱膨脹系數(shù)測量領(lǐng)域,尤其是材料發(fā)生固-液相變后,體積膨脹率、熔融態(tài)密度測定領(lǐng)域。
背景技術(shù)
熱膨脹系數(shù)是材料重要熱物性之一。熱力學(xué)溫度在OK以上的晶體中,原子在平衡位置附近熱振動。隨著溫度的升高,振動能量增加,振幅和頻率增大。但是勢能曲線關(guān)于原子間距初始平衡位置不對稱,原子動能衰減量在向原子間距增大方向比向原子間距變小方向小,所以振動平衡位置間距增大,即原子間距增大,體積膨脹。另一個原因是溫度越高,原子能量越高,產(chǎn)生的空穴數(shù)目越多,從而使材料發(fā)生膨脹。當(dāng)溫度達(dá)到熔點時,首先從勢能較高的晶界開始熔化,材料狀態(tài)發(fā)生改變,由具有固定形狀的固態(tài)變?yōu)榫哂辛鲃有缘囊簯B(tài), 材料體積發(fā)生突變。研究材料熔化體積膨脹系數(shù)具有重要意義。比如在鑄造領(lǐng)域及鑄造CAD/CAE方面,這一參數(shù)控制著鑄件冷/熱應(yīng)力和各種鑄造缺陷分布狀態(tài)。在新能源領(lǐng)域,高溫儲熱技術(shù)是太陽能光熱利用的核心技術(shù)之一,而被認(rèn)為最有潛力的無機鹽高溫相變儲熱材料被封裝在承壓容器中,服役過程中,在高達(dá)上千攝氏度下往往經(jīng)歷上萬次熔化-凝固循環(huán),分析其熔化體積變化率對儲熱容器設(shè)計、安全運行等具有決定性意義。純金屬或純無機非金屬材料的熱膨脹系數(shù)或許可以從資料中查到。但是,眾多合金及不同成分種類、不同成分含量的混合無機鹽的熱膨脹系數(shù)難以查到,實驗研究中,需要一種便捷的測量方法。目前,對熱膨脹系數(shù)的測量可以采用頂桿熱膨脹儀,實質(zhì)上測得的是材料線膨脹系數(shù),方法是采用比樣品長幾倍的頂桿與試樣接觸,把試樣的長度變化傳遞給加熱爐外的與其接觸的位移傳感器。也可以采用干涉膨脹儀測量,它是一種光學(xué)非接觸、絕對測量方法,測量準(zhǔn)確度高。但是,以上兩種方法都僅限于固體材料,而且后者商業(yè)化產(chǎn)品最高測量溫度700°C,裝置和操作復(fù)雜,設(shè)備昂貴。目前難以測量固體材料加熱熔化為液態(tài)時體積膨脹率。盡管有研究者(Jurgen Blumm, Jack B Henderson)通過改進(jìn)頂桿熱膨脹儀,設(shè)計了可以測量金屬從固態(tài)熔化為液態(tài)的體積變化率的裝置,但不僅裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜,而且要求樣品容器相對液態(tài)金屬密封、容器尺寸必須很精確等條件,這在幾百甚至上千攝氏度條件難以 兩足。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種材料熔化體積膨脹率/熔融態(tài)密度的測量裝置及方法。本發(fā)明是材料熔化體積膨脹率/熔融態(tài)密度的測量裝置及方法,其裝置中的樣品室201是一個有底、開口的筒形容器,盛裝待測樣品101后放置在加熱座301中間的加熱腔內(nèi),加熱腔是加熱座301中心的一個豎直盲孔,加熱座301上方蓋有頂蓋304,加熱座301側(cè)壁靠近底部有一個與加熱腔連通的小徑通孔;加熱座301上靠近加熱腔的圓周上均布有豎直盲孔,加熱棒安裝在盲孔中,盲孔上面有一個環(huán)形保護(hù)塊303 ;環(huán)形保護(hù)塊303上面蓋有頂蓋304,頂蓋304中間并排有3個小徑通孔,左側(cè)通孔插入保護(hù)氣體通入管501 ;中心通孔的孔徑比探針401直徑大;探針401是一根筆直細(xì)長桿,固定在夾持機構(gòu)701的夾持端,夾持機構(gòu)701固定在導(dǎo)桿702上,間隙配合,通過夾緊螺釘703夾緊;導(dǎo)桿702固定在上箍圈 703和下箍圈704上,上箍圈704和下箍圈705套在加熱座301外圍,由上圓周緊固螺栓708 和下圓周緊固螺栓709固定;在上箍圈704和下箍圈705上分別通過螺紋連接一個上徑向調(diào)整螺釘706和下徑向調(diào)整螺釘707,上徑向調(diào)整螺釘706和下徑向調(diào)整螺釘707端部與加熱座301外壁抵觸;右側(cè)通孔插入測溫?zé)犭娕?01,測溫?zé)犭娕?01與PID智能溫控儀602 溫度輸入端連接,PID智能溫控儀602控制輸出端與繼電器模塊603線圈連接,220V交流電源分別通過溫顯開關(guān)Kl、負(fù)載開關(guān)KO后與PID智能溫控儀602和繼電器模塊603連接,從繼電器模塊603引出電源線經(jīng)過主熔斷器Rl、次熔斷器R2后與電加熱棒302接線端連接。材料熔化體積膨脹率/熔融態(tài)密度的測量方法,其步驟為(1)稱重并盛裝樣品;(2)矯正實驗裝置,接通保護(hù)氣體;(3)設(shè)定加熱參數(shù),開始加熱;(4)樣品完全熔化后關(guān)閉保護(hù)氣體,探量液面高度;(5)重復(fù)如上所述步驟(1) 步驟(4);(6)數(shù)據(jù)處理通過如下公式計算樣品在Tm+Δ T溫度下熔融態(tài)相對于室
溫下固相體積膨脹率
權(quán)利要求
1.材料熔化體積膨脹率/熔融態(tài)密度的測量裝置,樣品室O01)是一個有底、開口的筒形容器,盛裝待測樣品(101)后放置在加熱座(301)中間的加熱腔內(nèi),加熱腔是加熱座 (301)中心的一個豎直盲孔,加熱座(301)上方蓋有頂蓋(304),其特征在于加熱座(301) 側(cè)壁靠近底部有一個與加熱腔連通的小徑通孔;加熱座(301)上靠近加熱腔的圓周上均布有豎直盲孔,加熱棒安裝在盲孔中,盲孔上面有一個環(huán)形保護(hù)塊(303);環(huán)形保護(hù)塊(303) 上面蓋有頂蓋(304),頂蓋(304)中間并排有3個小徑通孔,左側(cè)通孔插入保護(hù)氣體通入管 (501);中心通孔的孔徑比探針(401)直徑大;探針001)是一根筆直細(xì)長桿,固定在夾持機構(gòu)(701)的夾持端,夾持機構(gòu)(701)固定在導(dǎo)桿(702)上,間隙配合,通過夾緊螺釘(703) 夾緊;導(dǎo)桿(702)固定在上箍圈(70 和下箍圈(704)上,上箍圈(704)和下箍圈(705)套在加熱座(301)外圍,由上圓周緊固螺栓(708)和下圓周緊固螺栓(709)固定;在上箍圈 (704)和下箍圈(70 上分別通過螺紋連接一個上徑向調(diào)整螺釘(706)和下徑向調(diào)整螺釘 (707),上徑向調(diào)整螺釘(706)和下徑向調(diào)整螺釘(707)端部與加熱座(301)外壁抵觸;右側(cè)通孔插入測溫?zé)犭娕?601),測溫?zé)犭娕?601)與PID智能溫控儀(602)溫度輸入端連接,PID智能溫控儀(60 控制輸出端與繼電器模塊(60 線圈連接,220V交流電源分別通過溫顯開關(guān)K1、負(fù)載開關(guān)KO后與PID智能溫控儀(602)和繼電器模塊(603)連接,從繼電器模塊(603)引出電源線經(jīng)過主熔斷器R1、次熔斷器R2后與電加熱棒(302)接線端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的材料熔化體積膨脹率/熔融態(tài)密度的測量裝置,其特征在于 頂蓋(304)中間孔下端呈喇叭口狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的材料熔化體積膨脹率/熔融態(tài)密度的測量裝置,其特征在于 導(dǎo)桿(70 橫截面是帶有V形凹槽的圓缺形;
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的材料熔化體積膨脹率/熔融態(tài)密度的測量裝置,其特征在于 夾緊螺釘(70 端部呈圓錐形,錐角與導(dǎo)桿(70 橫截面的V形凹槽夾角相同;
5.材料熔化體積膨脹率/熔融態(tài)密度的測量方法,其步驟為(1)稱重并盛裝樣品;(2)矯正實驗裝置,接通保護(hù)氣體;(3)設(shè)定加熱參數(shù),開始加熱;(4)樣品完全熔化后關(guān)閉保護(hù)氣體,探量液面高度;(5)重復(fù)如上所述步驟(1) 步驟;(6)數(shù)據(jù)處理通過如下公式計算樣品在Tm+△T溫度下熔融態(tài)相對于室溫下固相體積膨脹率
全文摘要
材料熔化體積膨脹率/熔融態(tài)密度的測量裝置及方法,該裝置包括樣品室置于電加熱的樣品座中,熱電偶、PID智能溫控儀和繼電器聯(lián)合控制加熱溫度和保溫時間;探針固定在夾持機構(gòu)上,整體沿導(dǎo)桿可以在z向自由運動。該方法包括將盛裝了已知質(zhì)量樣品的樣品室豎直放入樣品座中,蓋上頂蓋,矯正裝置使探針與樣品室底面垂直,通入保護(hù)氣體,打開溫顯開關(guān),設(shè)定加熱參數(shù)后開始加熱。樣品完全熔化后關(guān)閉保護(hù)氣體,探針深入樣品室測得液面高度,再停止加熱,一次測量結(jié)束。重復(fù)測量獲得平均液面高度,根據(jù)公式求得樣品熔化體積膨脹率(負(fù)值為熔化體積收縮率)和熔融態(tài)密度值。
文檔編號G01N9/04GK102507373SQ20111034743
公開日2012年6月20日 申請日期2011年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月7日
發(fā)明者彭國偉, 成波, 王克振, 王軍偉, 王智平, 田禾青, 趙靜, 路陽, 陳丹丹, 馬榕彬 申請人:蘭州理工大學(xué)
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