專利名稱：高壓偏移檢測電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于ー種高壓橋式驅(qū)動器電路，特別是關(guān)于ー種用于高壓橋式驅(qū)動器電路的聞壓偏移檢測電路。
背景技術(shù)：
高壓半橋和全橋驅(qū)動器電路使用于多種應用，例如電機、安定器、雙電感單電容轉(zhuǎn)換器及冷陰極管等，其需要將某些邏輯信號從低壓轉(zhuǎn)為高壓，以控制高壓元件。例如在圖1的半橋驅(qū)動器電路中，控制信號Hin及Lin分別用來切換串聯(lián)在高壓端VIN及低壓端GND之間的高位側(cè)開關(guān)Ml及低位側(cè)開關(guān)M2，但直流供應電壓VIN是很高的電壓，可能高達600伏特(V)以上，而產(chǎn)生控制信號Hin及Lin的是使用低壓電源VCC(例如5V或12V)的邏輯電路，所以需要將控制信號Hin從低壓準位平移到高壓準位。更具體而言，通過低位側(cè)電路
10、位準平移電路12及高位側(cè)電路14的運作，從控制信號Hin產(chǎn)生控制信號S4給高壓驅(qū)動器20，以產(chǎn)生控制信號UG控制開關(guān)Ml。控制信號Lin則直接給低壓驅(qū)動器22，以產(chǎn)生控制信號LG控制開關(guān)M2。在高位側(cè)開關(guān)Ml打開(on)而低位側(cè)開關(guān)M2關(guān)閉(off)期間，浮接節(jié)點24的電壓VS等于直流供應電壓VIN，相反的，在高位側(cè)開關(guān)Ml關(guān)閉而低位側(cè)開關(guān)M2打開期間，浮接節(jié)點24的電壓VS等于接地電壓GND。假設(shè)電壓VS = 600V而電壓GND=0V,則在開關(guān)Ml及M2切換時，其上的跨壓可能高達600V，而開關(guān)Ml及M2的導通阻值通常為m Q等級，因此在開關(guān)Ml及M2切換時可能產(chǎn)生kA等級的大電流，因而損毀開關(guān)Ml或M2。這種開關(guān)Ml及M2出現(xiàn)高跨壓的情況稱為硬切換(hard switching)。為了避免硬切換，使用高壓偏移檢測電路16檢測浮接節(jié)點24的電壓VS，產(chǎn)生零電壓切換(Zero Voltage Switching ；ZVS)信號S5，供控制信號產(chǎn)生器18判斷是否發(fā)生硬切換，若發(fā)生硬切換，則觸發(fā)信號S6給低位側(cè)電路10以調(diào)整開關(guān)Ml及M2的失效時間(deadtime)。此外，信號S6也可以用來調(diào)整電感LI及電容Cl的共振頻率或關(guān)閉驅(qū)動器電路。然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，例如美國專利號7，049，767，高壓偏移檢測電路只能在高位側(cè)開關(guān)關(guān)閉期間檢測電壓VS。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一，在于提出一種高壓偏移檢測電路，以檢測高壓橋式驅(qū)動器電路的浮接節(jié)點的電壓。本發(fā)明的目的之一，在于提出一種高壓偏移檢測電路，在高位側(cè)開關(guān)打開期間檢測高壓橋式驅(qū)動器電路的浮接節(jié)點的電壓。根據(jù)本發(fā)明，一種用于高壓橋式驅(qū)動器電路的高壓偏移檢測電路包括高壓元件及零電壓切換產(chǎn)生器。該高壓橋式驅(qū)動器電路包含浮接節(jié)點、高壓端及低壓端供連接高位側(cè)開關(guān)在該高壓端及浮接節(jié)點之間，以及低位側(cè)開關(guān)在該低壓端及浮接節(jié)點之間，靴帶電容連接在高位側(cè)電源及浮接節(jié)點之間，高壓驅(qū)動器提供第一控制信號控制該高位側(cè)開關(guān)，以及低壓驅(qū)動器提供第二控制信號控制該低位側(cè)開關(guān)。該高壓元件具有輸入端、輸出端、控制端以及寄生電容在該輸入端及輸出端之間。該輸入端接收ー個與該浮接節(jié)點的電壓相關(guān)的電壓，該控制端接收電壓以使該高壓元件在關(guān)閉狀態(tài)。該零電壓切換產(chǎn)生器在該高位側(cè)開關(guān)打開或該低位側(cè)開關(guān)關(guān)閉時檢測該輸出端的電壓以觸發(fā)零電壓切換信號。根據(jù)本發(fā)明，ー種用于高壓橋式驅(qū)動器電路的高壓偏移檢測電路包括電容及零電壓切換產(chǎn)生器。該高壓橋式驅(qū)動器電路包含浮接節(jié)點、高壓端及低壓端供連接高位側(cè)開關(guān)在該高壓端及浮接節(jié)點之間，以及低位側(cè)開關(guān)在該低壓端及浮接節(jié)點之間，靴帶電容連接在高位側(cè)電源及浮接節(jié)點之間，高壓驅(qū)動器提供第一控制信號控制該高位側(cè)開關(guān)，以及低壓驅(qū)動器提供第二控制信號控制該低位側(cè)開關(guān)。該電容的第一端接收ー個與該浮接節(jié)點的電壓相關(guān)的電壓，該零電壓切換產(chǎn)生器在該高位側(cè)開關(guān)打開或該低位側(cè)開關(guān)關(guān)閉時檢測該電容的第二端的電壓以觸發(fā)零電壓切換信號。根據(jù)本發(fā)明，一種用于高壓橋式驅(qū)動器電路的高壓偏移檢測電路包括高壓元件及零電壓切換產(chǎn)生器。該高壓橋式驅(qū)動器電路包含浮接節(jié)點、高壓端及低壓端供連接高位側(cè)開關(guān)在該高壓端及浮接節(jié)點之間，以及低位側(cè)開關(guān)在該低壓端及浮接節(jié)點之間，靴帶電容連接在高位側(cè)電源及浮接節(jié)點之間，高壓驅(qū)動器提供第一控制信號控制該高位側(cè)開關(guān)，以及低壓驅(qū)動器提供第二控制信號控制該低位側(cè)開關(guān)。該高壓元件具有輸入端、輸出端及控制端。該控制端接收電壓以使該高壓元件在打開狀態(tài)，該輸入端接收ー個與該浮接節(jié)點的電壓相關(guān)的電壓，該零電壓切換產(chǎn)生器在該高位側(cè)開關(guān)打開或該低位側(cè)開關(guān)關(guān)閉時檢測該輸出端的電壓以觸發(fā)零電壓切換信號。根據(jù)本發(fā)明，一種用于高壓橋式驅(qū)動器電路的高壓偏移檢測電路包括高壓元件、控制器及零電壓切換產(chǎn)生器。該高壓橋式驅(qū)動器電路包含浮接節(jié)點、高壓端及低壓端供連接高位側(cè)開關(guān)在該高壓端及浮接節(jié)點之間，以及低位側(cè)開關(guān)在該低壓端及浮接節(jié)點之間，靴帶電容連接在高位側(cè)電源及浮接節(jié)點之間，高壓驅(qū)動器提供第一控制信號控制該高位側(cè)開關(guān)，以及低壓驅(qū)動器提供第二控制信號控制該低位側(cè)開關(guān)。該高壓元件具有輸入端、輸出端及控制端。該輸入端接收ー個與該浮接節(jié)點的電壓相關(guān)的電壓，該零電壓切換產(chǎn)生器在該高位側(cè)開關(guān)打開或該低位側(cè)開關(guān)關(guān)閉時檢測該輸出端的電壓以觸發(fā)零電壓切換信號。該控制器連接該控制端，在該零電壓切換產(chǎn)生器檢測該輸出端的電壓時，選擇性關(guān)閉該高壓元件。根據(jù)本發(fā)明，ー種用于高壓橋式驅(qū)動器電路的高壓偏移檢測電路包括高壓元件及零電壓切換產(chǎn)生器。該高壓橋式驅(qū)動器電路包含浮接節(jié)點、高壓端及低壓端供連接高位側(cè)開關(guān)在該高壓端及浮接節(jié)點之間，以及低位側(cè)開關(guān)在該低壓端及浮接節(jié)點之間，靴帶電容連接在高位側(cè)電源及浮接節(jié)點之間，高壓驅(qū)動器提供第一控制信號控制該高位側(cè)開關(guān)，低壓驅(qū)動器提供第二控制信號控制該低位側(cè)開關(guān)，以及位準平移電路平移低壓邏輯信號的位準以產(chǎn)生該第一控制信號。該高壓元件具有輸入端、輸出端及控制端，該輸入端及控制端連接該位準平移電路。該輸入端接收ー個與該浮接節(jié)點的電壓相關(guān)的電壓，該零電壓切換產(chǎn)生器在該高位側(cè)開關(guān)打開或該低位側(cè)開關(guān)關(guān)閉時檢測該輸出端的電壓以觸發(fā)零電壓切換信號。


圖1是半橋驅(qū)動器電路；
圖2是本發(fā)明的第一實施例；圖3是圖1的半橋驅(qū)動器電路使用圖2的高壓偏移檢測電路的時序圖；圖4是圖2中的ZVS產(chǎn)生器的第一實施例；圖5是圖2中的ZVS產(chǎn)生器的第二實施例；圖6是圖2中的ZVS產(chǎn)生器的第三實施例；圖7是本發(fā)明的第二實施例；圖8是本發(fā)明的第三實施例；圖9是本發(fā)明的第四實施例；圖10是本發(fā)明的第五實施例；圖1lA及圖1lB顯示圖10中電壓Vdet的波形；圖12是本發(fā)明的第六實施例；以及圖13是本發(fā)明的第七實施例。

:10低位側(cè)電路12位準平移電路14高位側(cè)電路16高壓偏移檢測電路18控制信號產(chǎn)生器20高壓驅(qū)動器22低壓驅(qū)動器24浮接節(jié)點30可程序化負載元件32 ZVS 產(chǎn)生器34 電流源36比較器38邏輯電路40 及閘42 D型正反器44偏壓電路46 電容Cr的第一端48 電容Cr的第二端50控制器
具體實施例方式圖2是本發(fā)明的第一實施例，高壓偏移檢測電路16包括NMOS晶體管M3、可程序化負載元件30及ZVS產(chǎn)生器32。NMOS晶體管M3為高壓元件，其控制端G接地，故NMOS晶體管M3 —直維持在關(guān)閉(off)狀態(tài)。NMOS晶體管M3的輸入端D連接浮接節(jié)點24以檢測電壓VS。當輸入端D的電壓VS變化吋，在NMOS晶體管M3的輸入端D及輸出端S之間的寄生電容C2會導致輸出端S的電壓Vdet跟著變化，因此電壓Vdet可以用來判斷浮接節(jié)點24的電壓VS的狀態(tài)，不論高壓側(cè)開關(guān)Ml為打開或關(guān)閉，NMOS晶體管M3皆可檢測電壓VS。從圖1可知，靴帶電容CB連接在高位側(cè)電源VB及浮接節(jié)點24之間，因此當浮接節(jié)點24的電壓VS瞬間變化吋，電壓VB將跟著變化，因此NMOS晶體管M3也可以藉檢測高位側(cè)電源VB來判斷電壓VS，在此半橋驅(qū)動器電路中，靴帶電容CB所連接的高位側(cè)電源VB提供高位側(cè)電壓，當VS = 0時，電源VCC透過ニ極體Dl對靴帶電容CB充電，使電容CB ニ端的跨壓達到VCC-VDl。在其他實施例中，除了電壓VS及VB之外，也可以藉檢測其他端點的電壓來產(chǎn)生電壓Vdet，只要該端點的電壓與電壓VS相關(guān)即可。ZVS產(chǎn)生器32檢測電壓Vdet以產(chǎn)生ZVS信號S5，半橋驅(qū)動器電路根據(jù)ZVS信號S5判斷是否發(fā)生硬切換?？沙绦蚧撦d元件30連接NMOS晶體管M3的輸出端S，其包括電流源34連接在NMOS晶體管M3的輸出端S及接地端GND之間，以及開關(guān)SW與電流源34并聯(lián)，藉控制開關(guān)SW可以改變可程序化負載元件30的負載值。當開關(guān)SW被信號S2打開時，輸出端S的電荷將被釋放到接地端GND。參照圖1及圖2，在高位側(cè)開關(guān)Ml關(guān)閉而低位側(cè)開關(guān)M2打開期間，電感LI的電感電流IL經(jīng)浮接節(jié)點24及低位側(cè)開關(guān)M2流向接地端GND，接著當?shù)臀粋?cè)開關(guān)M2關(guān)閉吋，如圖3的時間tl所示，電感電流IL仍持續(xù)流向浮接節(jié)點24，因而推升電壓VS，同時寄生電容C2將電壓VS的變化量耦合到NMOS晶體管M3的輸出端S，因此電壓Vdet也跟著上升，當電壓Vdet達到預設(shè)的臨界值Vrefl時，ZVS產(chǎn)生器32觸發(fā)ZVS信號S5。如圖3的時間t2所示，若在高位側(cè)開關(guān)Ml打開前觸發(fā)ZVS信號S5，代表非硬切換狀態(tài)。相反的，若在高位側(cè)開關(guān)Ml打開后觸發(fā)ZVS信號S5，如圖3的時間t3所示，表示半橋驅(qū)動器電路發(fā)生硬切換。同理，在高位側(cè)開關(guān)Ml由打開狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)閉狀態(tài)時，電壓VS及Vdet開始下降，在電壓Vdet低于另ー預設(shè)的臨界值Vref2時，觸發(fā)ZVS信號S5。若在低位側(cè)開關(guān)M2打開前觸發(fā)ZVS信號S5，代表非硬切換狀態(tài)。相反的，若在低位側(cè)開關(guān)M2打開后觸發(fā)ZVS信號S5，表示半橋驅(qū)動器電路發(fā)生硬切換。圖4是圖2中的ZVS產(chǎn)生器32的第一實施例，其包括比較器36比較電壓Vdet及臨界值Vrefl，其中臨界值Vrefl等于提供給低壓驅(qū)動器22的電源電壓VCC減去預設(shè)電壓VPl，Vrefl =VCC-VPl,因此此實施例中的臨界值Vref I與電源電壓VCC有夫。在電壓Vdet上升到大于臨界值Vrefl吋，比較器36觸發(fā)ZVS信號S5。圖5是ZVS產(chǎn)生器32的第二實施例，其包括比較器36及邏輯電路38。比較器36比較電壓Vdet及臨界值Vref2，其中臨界值Vref 2等于電源電壓VCC減去預設(shè)電壓VP2，Vref 2 = VCC-VP2，因此臨界值Vref 2與電源電壓VCC有夫。在電壓Vdet下降到低于臨界值Vref2時，比較器36觸發(fā)比較信號Sc，邏輯電路38包括及閘40根據(jù)比較信號Sc及控制信號UG的反相信號UG，產(chǎn)生ZVS信號S5。在其他實施例中，也可以用控制信號LG來取代反相信號UG’。圖6是ZVS產(chǎn)生器32的第三實施例，其與圖5的電路同樣包括比較器36及邏輯電路38，但是邏輯電路38包括D型正反器根據(jù)比較信號Sc及反相信號UG，產(chǎn)生ZVS信號S5。將圖2中的可程序化負載元件30以偏壓電路44取代，成為圖7的實施例。偏壓電路44包括電壓源V1、V2及V3以及電流源Il串聯(lián)在電源輸入端VCC及接地端GND之間，除了對輸出端S提供偏壓以外，還可以提供與電源電壓VCC相關(guān)的臨界值Vrefl或Vref2給ZVS產(chǎn)生器32。將圖7中的偏壓電路44改為多個串聯(lián)的電阻R1、R2及R3，成為圖8的實施例。電阻Rl、R2及R3分壓電源電壓VCC產(chǎn)生偏壓給輸出端S以及產(chǎn)生與電源電壓VCC相關(guān)的臨界值Vrefl或Vref2給ZVS產(chǎn)生器32。圖9是本發(fā)明的第四實施例，高壓偏移檢測電路16包括電容Cr具有第一端46檢測電壓VS或VB，可程序化負載元件30或偏壓電路44連接電容Cr的第二端48，以及ZVS產(chǎn)生器32檢測電容Cr的第二端的電壓Vdet以觸發(fā)ZVS信號S5。當電壓VS或VB瞬間變化時，電容Cr的第二端的電壓Vdet將隨著變化，因此可從電壓Vdet判斷浮接節(jié)點24的電壓VS。將圖9中的電容Cr以NMOS晶體管M3取代，成為圖10的實施例。NMOS晶體管M3的輸入端D接收電壓VS或VB，可程序化負載元件30或偏壓電路44連接NMOS晶體管M3的輸出端S，ZVS產(chǎn)生器32檢測NMOS晶體管的輸出端S的電壓Vdet以觸發(fā)ZVS信號S5。圖1lA及圖1lB顯示圖10中電壓Vdet的波形，NMOS晶體管M3的柵極G接受電源電壓VCC，因而使NMOS晶體管M3 —直維持打開狀態(tài)，因此在圖1中的高位側(cè)開關(guān)Ml關(guān)閉而低位側(cè)開關(guān)M2打開時，NMOS晶體管M3的輸出端S的電壓Vdet為VCC-Vthnm3，其中Vthnm3是NMOS晶體管M3的臨界電壓，在低位側(cè)開關(guān)M2關(guān)閉而高位側(cè)開關(guān)Ml未打開期間，電壓VS或VB上升，因而使電壓Vdet跟著上升，若在電壓Vdet達到臨界值Vrefl時，高位側(cè)開關(guān)Ml未打開，表示非硬切換狀態(tài)，如圖1lA所示。若在電壓Vdet在高位側(cè)開關(guān)Ml打開后才到臨界值Vrefl，表示發(fā)生硬切換，如圖1lB所示。圖12是本發(fā)明的第六實施例，在高壓偏移檢測電路16中，NMOS晶體管M3的輸入端D接收電壓VS或VB，可程序化負載元件30或偏壓電路44連接NMOS晶體管M3的輸出端S，ZVS產(chǎn)生器32在NMOS晶體管M3關(guān)閉時檢測NMOS晶體管的輸出端S的電壓Vdet以決定ZVS信號S5，控制器50提供控制信號Soff給NMOS晶體管M3的控制端G以選擇性的關(guān)閉NMOS晶體管M3。如前所述，當NMOS晶體管M3關(guān)閉吋，寄生電容C2將使電壓Vdet隨輸入端D的電壓VS或VB變化，因此可從電壓Vdet判斷浮接節(jié)點24的電壓VS。圖13是本發(fā)明的第七實施例，高壓偏移檢測電路16中的NMOS晶體管M3的輸入端D連接位準平移電路12中的NMOS晶體管M4的漏極VBl，NMOS晶體管M3的控制端G連接NMOS晶體管M4的柵極，可程序化負載元件30或偏壓電路44連接NMOS晶體管M3的輸出端S，ZVS產(chǎn)生器32在NMOS晶體管M3關(guān)閉時檢測NMOS晶體管的輸出端S的電壓Vdet以決定ZVS信號S5。在NMOS晶體管M3及M4被低位側(cè)電路10的信號Slreset關(guān)閉的期間，NMOS晶體管M4的漏極電壓VBl與電壓VB相關(guān)，因此電壓VS的瞬間變化會導致電壓VBl也跟著變化，而NMOS晶體管M3的寄生電容C2使電壓Vdet隨輸入端D的電壓VBl變化，從電壓Vdet可判斷浮接節(jié)點24的電壓VS。NMOS晶體管M3可以利用NMOS晶體管M4的結(jié)構(gòu)中的一部分來實現(xiàn)，以減少積體電路的面積。位準平移電路12的操作及原理是現(xiàn)有技術(shù)，不再贅述。在其他實施例中，NMOS晶體管M3的輸入端D及控制端G也可以改為分別連接位準平移電路12中NMOS晶體管M5的漏極及柵極，且在此情況下，NMOS晶體管M3也可以利用NMOS晶體管M5的結(jié)構(gòu)中的一部分來實現(xiàn)。上述實施例是以半橋驅(qū)動器電路來解說本發(fā)明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員當知全橋驅(qū)動器電路也可以用相同的方式來實施本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述的高壓偏移檢測電路用以檢測高壓橋式驅(qū)動器電路的浮接節(jié)點的電壓，所述高壓橋式驅(qū)動器電路包含高壓端及低壓端供連接高位側(cè)開關(guān)在所述高壓端及浮接節(jié)點之間，以及低位側(cè)開關(guān)在所述低壓端及浮接節(jié)點之間，靴帶電容連接在高位側(cè)電源及浮接節(jié)點之間，高壓驅(qū)動器提供第一控制信號控制所述高位側(cè)開關(guān)，以及低壓驅(qū)動器提供第二控制信號控制所述低位側(cè)開關(guān)，所述高壓偏移檢測電路包括: 高壓元件，具有輸入端、輸出端及控制端，所述輸入端接收ー個與所述浮接節(jié)點的電壓相關(guān)的第一電壓，所述輸出端有第二電壓，所述控制端接收第三電壓以使所述高壓元件在關(guān)閉狀態(tài)，所述輸入端及輸出端之間有寄生電容使得所述第二電壓隨所述第一電壓變化；以及 零電壓切換產(chǎn)生器，連接所述高壓元件的輸出端，當所述高位側(cè)開關(guān)打開或所述低位側(cè)開關(guān)關(guān)閉時檢測所述第二電壓，井根據(jù)所述第二電壓及一與所述低壓驅(qū)動器的電源電壓有關(guān)的臨界值觸發(fā)零電壓切換信號； 其中，所述高壓元件的輸入端連接所述浮接節(jié)點、所述高位側(cè)電源或其上電壓與所述浮接節(jié)點的電壓相關(guān)的端點。
2.按權(quán)利要求1所述的高壓 偏移檢測電路，其特征在于，所述零電壓切換產(chǎn)生器包括比較器連接所述高壓元件的輸出端，比較所述第二電壓與所述臨界值以觸發(fā)所述零電壓切換信號。
3.按權(quán)利要求1所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述零電壓切換產(chǎn)生器包括: 比較器，連接所述高壓元件的輸出端，比較所述第二電壓與所述臨界值以產(chǎn)生比較信號；以及 邏輯電路，連接所述比較器，根據(jù)所述比較信號以及所述第一控制信號或第二控制信號決定所述零電壓切換信號。
4.按權(quán)利要求1所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述的高壓偏移檢測電路還包括可程序化負載元件連接所述高壓元件的輸出端。
5.按權(quán)利要求4所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述可程序化負載元件包括: 電流源，連接所述高壓元件的輸出端；以及 開關(guān)，與所述電流源并聯(lián)。
6.按權(quán)利要求1所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述的高壓偏移檢測電路還包括偏壓電路連接所述高壓元件的輸出端，提供偏壓給所述高壓元件的輸出端。
7.按權(quán)利要求6所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述偏壓電路包括多個串聯(lián)的電壓源以決定所述偏壓。
8.按權(quán)利要求6所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述偏壓電路包括多個串聯(lián)的電阻分壓所述低壓驅(qū)動器的電源電壓以決定所述偏壓。
9.一種高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述的高壓偏移檢測電路用以檢測高壓橋式驅(qū)動器電路的浮接節(jié)點的電壓，所述高壓橋式驅(qū)動器電路包含高壓端及低壓端供連接高位側(cè)開關(guān)在所述高壓端及浮接節(jié)點之間，以及低位側(cè)開關(guān)在所述低壓端及浮接節(jié)點之間，靴帶電容連接在高位側(cè)電源及浮接節(jié)點之間，高壓驅(qū)動器提供第一控制信號控制所述高位側(cè)開關(guān)，以及低壓驅(qū)動器提供第二控制信號控制所述低位側(cè)開關(guān)，所述高壓偏移檢測電路包括: 電容，具有第一端及第ニ端，所述第一端接收ー個與所述浮接節(jié)點的電壓相關(guān)的第一電壓，所述第二端有第二電壓；以及 零電壓切換產(chǎn)生器，連接所述電容的第二端，當所述高位側(cè)開關(guān)打開或所述低位側(cè)開關(guān)關(guān)閉時檢測所述第二電壓，井根據(jù)所述第二電壓及一與所述低壓驅(qū)動器的電源電壓有關(guān)的臨界值觸發(fā)零電壓切換信號； 其中，所述電容的第一端連接所述浮接節(jié)點、所述高位側(cè)電源或其上電壓與所述浮接節(jié)點的電壓相關(guān)的端點。
10.按權(quán)利要求9所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述零電壓切換產(chǎn)生器包括比較器連接所述電容的第二端，比較所述第二電壓與所述臨界值以觸發(fā)所述零電壓切換信號。
11.按權(quán)利要求9所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述零電壓切換產(chǎn)生器包括: 比較器，連接所述電容的第二端，比較所述第二電壓與所述臨界值以產(chǎn)生比較信號；以及 邏輯電路，連接所述比較器，根據(jù)所述比較信號以及所述第一控制信號或第二控制信號決定所述零電壓切換信號。
12.按權(quán)利要求9所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述的高壓偏移檢測電路更包括可程序化負載元件連接所述 電容的第二端。
13.按權(quán)利要求12所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述可程序化負載元件包括: 電流源，連接所述電容的第二端；以及 開關(guān)，與所述電流源并聯(lián)。
14.按權(quán)利要求9所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述的高壓偏移檢測電路還包括偏壓電路連接所述電容的第二端，提供偏壓給所述電容的第二端。
15.按權(quán)利要求14所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述偏壓電路包括多個串聯(lián)的電壓源以決定所述偏壓。
16.按權(quán)利要求14所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述偏壓電路包括多個串聯(lián)的電阻分壓所述低壓驅(qū)動器的電源電壓以決定所述偏壓。
17.一種高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述的高壓偏移檢測電路用以檢測高壓橋式驅(qū)動器電路的浮接節(jié)點的電壓，所述高壓橋式驅(qū)動器電路包含高壓端及低壓端供連接高位側(cè)開關(guān)在所述高壓端及浮接節(jié)點之間，以及低位側(cè)開關(guān)在所述低壓端及浮接節(jié)點之間，靴帶電容連接在高位側(cè)電源及浮接節(jié)點之間，高壓驅(qū)動器提供第一控制信號控制所述高位側(cè)開關(guān)，以及低壓驅(qū)動器提供第二控制信號控制所述低位側(cè)開關(guān)，所述高壓偏移檢測電路包括: 高壓元件，具有輸入端、輸出端及控制端，所述輸入端接收ー個與所述浮接節(jié)點的電壓相關(guān)的第一電壓，所述輸出端有第二電壓，所述控制端接收第三電壓以使所述高壓元件在打開狀態(tài)；以及 零電壓切換產(chǎn)生器，連接所述高壓元件的輸出端，當所述高位側(cè)開關(guān)打開或所述低位側(cè)開關(guān)關(guān)閉時檢測所述第二電壓，井根據(jù)所述第二電壓及一與所述低壓驅(qū)動器的電源電壓有關(guān)的臨界值觸發(fā)零電壓切換信號； 其中，所述高壓元件的輸入端連接所述浮接節(jié)點、所述高位側(cè)電源或其上電壓與所述浮接節(jié)點的電壓相關(guān)的端點。
18.按權(quán)利要求17所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述零電壓切換產(chǎn)生器包括比較器連接所述高壓元件的輸出端，比較所述第二電壓與所述臨界值以觸發(fā)所述零電壓切換信號。
19.按權(quán)利要求17所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述零電壓切換產(chǎn)生器包括: 比較器，連接所述高壓元件的輸出端，比較所述第二電壓與所述臨界值以產(chǎn)生比較信號；以及 邏輯電路，連接所述比較器，根據(jù)所述比較信號以及所述第一控制信號或第二控制信號決定所述零電壓切換信號。
20.按權(quán)利要求17所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述的高壓偏移檢測電路還包括可程序化負載元件連接所述高壓元件的輸出端。
21.按權(quán)利要求20所述的高 壓偏移檢測電路，其特征在于，所述可程序化負載元件包括: 電流源，連接所述高壓元件的輸出端；以及 開關(guān)，與所述電流源并聯(lián)。
22.按權(quán)利要求17所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述的高壓偏移檢測電路還包括偏壓電路連接所述高壓元件的輸出端，提供偏壓給所述高壓元件的輸出端。
23.按權(quán)利要求22所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述偏壓電路包括多個串聯(lián)的電壓源以決定所述偏壓。
24.按權(quán)利要求22所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述偏壓電路包括多個串聯(lián)的電阻分壓所述低壓驅(qū)動器的電源電壓以決定所述偏壓。
25.一種高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述的高壓偏移檢測電路用以檢測高壓橋式驅(qū)動器電路的浮接節(jié)點的電壓，所述高壓橋式驅(qū)動器電路包含高壓端及低壓端供連接高位側(cè)開關(guān)在所述高壓端及浮接節(jié)點之間，以及低位側(cè)開關(guān)在所述低壓端及浮接節(jié)點之間，靴帶電容連接在高位側(cè)電源及浮接節(jié)點之間，高壓驅(qū)動器提供第一控制信號控制所述高位側(cè)開關(guān)，以及低壓驅(qū)動器提供第二控制信號控制所述低位側(cè)開關(guān)，所述高壓偏移檢測電路包括: 高壓元件，具有輸入端、輸出端及控制端，所述輸入端接收ー個與所述浮接節(jié)點的電壓相關(guān)的第一電壓，所述輸出端有第二電壓，所述輸入端及輸出端之間有寄生電容； 零電壓切換產(chǎn)生器，連接所述高壓元件的輸出端，當所述高位側(cè)開關(guān)打開或所述低位側(cè)開關(guān)關(guān)閉時檢測所述第二電壓，井根據(jù)所述第二電壓及一與所述低壓驅(qū)動器的電源電壓有關(guān)的臨界值觸發(fā)零電壓切換信號；以及 控制器，連接所述高壓元件的控制端，當所述零電壓切換產(chǎn)生器檢測所述第二電壓吋，提供第三控制信號以選擇性關(guān)閉所述高壓元件； 其中，所述高壓元件的輸入端連接所述浮接節(jié)點、所述高位側(cè)電源或其上電壓與所述浮接節(jié)點的電壓相關(guān)的端點。
26.按權(quán)利要求25所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述零電壓切換產(chǎn)生器包括比較器連接所述高壓元件的輸出端，比較所述第二電壓與所述臨界值以觸發(fā)所述零電壓切換信號。
27.按權(quán)利要求25所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述零電壓切換產(chǎn)生器包括: 比較器，連接所述高壓元件的輸出端，比較所述第二電壓與所述臨界值以產(chǎn)生比較信號；以及 邏輯電路，連接所述比較器，根據(jù)所述比較信號以及所述第一控制信號或第二控制信號決定所述零電壓切換信號。
28.按權(quán)利要求25所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述的高壓偏移檢測電路更包括可程序化負載元件連接所述高壓元件的輸出端。
29.按權(quán)利要求28所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述可程序化負載元件包括: 電流源，連接所述高壓元件的輸出端；以及 開關(guān)，與所述電流源并聯(lián)。
30.按權(quán)利要求25所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述的高壓偏移檢測電路更包括偏壓電路連接所述高壓元件的輸出端，提供偏壓給所述高壓元件的輸出端。
31.按權(quán)利要求30所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述偏壓電路包括多個串聯(lián)的電壓源以決定所述偏壓。
32.按權(quán)利要求30所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述偏壓電路包括多個串聯(lián)的電阻分壓所述低壓驅(qū)動器的電源電壓以決定所述偏壓。
33.一種高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述的高壓偏移檢測電路用以檢測高壓橋式驅(qū)動器電路的浮接節(jié)點的電壓，所述高壓橋式驅(qū)動器電路包含高壓端及低壓端供連接高位側(cè)開關(guān)在所述高壓端及浮接節(jié)點之間，以及低位側(cè)開關(guān)在所述低壓端及浮接節(jié)點之間，靴帶電容連接在高位側(cè)電源及浮接節(jié)點之間，高壓驅(qū)動器提供第一控制信號控制所述高位側(cè)開關(guān)，低壓驅(qū)動器提供第二控制信號控制所述低位側(cè)開關(guān)，以及位準平移電路平移低壓邏輯信號的位準以產(chǎn)生所述第一控制信號，所述高壓偏移檢測電路包括: 高壓元件，具有輸入端、輸出端及控制端，所述輸入端接收ー個與所述浮接節(jié)點的電壓相關(guān)的第一電壓，所述輸出端有第二電壓，所述輸入端及輸出端之間有寄生電容；以及零電壓切換產(chǎn)生器，連接所述高壓元件的輸出端，當所述高位側(cè)開關(guān)打開或所述低位側(cè)開關(guān)關(guān)閉時檢測所述第二電壓，井根據(jù)所述第二電壓及一與所述低壓驅(qū)動器的電源電壓有關(guān)的臨界值觸發(fā)零電壓切換信號； 其中，所述高壓元件的輸入端及控制端連接所述位準平移電路。
34.按權(quán)利要求33所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述高壓元件的輸入端連接所述位準平移電路的輸入晶體管的輸出端。
35.按權(quán)利要求33所述的高壓偏移檢測電路，其特征在干，所述高壓元件的控制端連接所述位準平移電路的輸入晶體管的控制端。
36.按權(quán)利要求33所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述零電壓切換產(chǎn)生器包括比較器連接所述高壓元件的輸出端，比較所述第二電壓與所述臨界值以觸發(fā)所述零電壓切換信號。
37.按權(quán)利要求33所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述零電壓切換產(chǎn)生器包括: 比較器，連接所述高壓元件的輸出端，比較所述第二電壓與所述臨界值以產(chǎn)生比較信號；以及 邏輯電路，連接所述比較器，根據(jù)所述比較信號以及所述第一控制信號或第二控制信號決定所述零電壓切換信號。
38.按權(quán)利要求33所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述的高壓偏移檢測電路還包括可程序化負載元件連接所述高壓元件的輸出端。
39.按權(quán)利要求38所述 的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述可程序化負載元件包括: 電流源，連接所述高壓元件的輸出端；以及 開關(guān)，與所述電流源并聯(lián)。
40.按權(quán)利要求33所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述的高壓偏移檢測電路還包括偏壓電路連接所述高壓元件的輸出端，提供偏壓給所述高壓元件的輸出端。
41.按權(quán)利要求40所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述偏壓電路包括多個串聯(lián)的電壓源以決定所述偏壓。
42.按權(quán)利要求40所述的高壓偏移檢測電路，其特征在于，所述偏壓電路包括多個串聯(lián)的電阻分壓所述低壓驅(qū)動器的電源電壓以決定所述偏壓。
全文摘要
一種用于高壓橋式驅(qū)動器電路的高壓偏移檢測電路，該高壓橋式驅(qū)動器電路具有高壓端及浮接節(jié)點供高位側(cè)開關(guān)連接于其間，該高壓偏移檢測電路在該高位側(cè)開關(guān)打開時檢測一個與該浮接節(jié)點的電壓相關(guān)的電壓，以觸發(fā)零電壓切換信號。
文檔編號G01R31/28GK103091534SQ20111035520
公開日2013年5月8日 申請日期2011年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
發(fā)明者曾培凱, 唐健夫, 陳曜洲, 何峻徹 申請人:立锜科技股份有限公司