專利名稱：磁場(chǎng)電流傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及集成電路，并且更特別地涉及集成電路磁電流傳感器。
背景技術(shù)：
電隔離集成電路(IC)磁場(chǎng)電流傳感器的希望的屬性包括高的磁靈敏度；高的機(jī)械穩(wěn)定性和可靠性；對(duì)芯片邊界附近的霍爾傳感器元件的低應(yīng)力影響；高的熱均勻性和低的熱梯度；高的隔離電壓；最小化的電遷移問題；以及低的制造成本。常規(guī)的電流傳感器可以包括一個(gè)或多個(gè)特征或者以旨在解決這些希望的屬性的方式制造。例如，一些電流傳感器使用引線框架作為電流引線。其他的電流傳感器也包括磁芯。然而，這樣的傳感器可能制造起來(lái)是昂貴的。其他的電流傳感器包括附加的層，諸如硅管芯之上的特殊磁層或者隔離層上形成的厚金屬層。這些傳感器也是昂貴的，并且前者可能對(duì)干擾場(chǎng)是敏感的并且可能遭受與IC 外部的電流引線的定位有關(guān)的缺陷。因此，需要一種具有希望的屬性同時(shí)最小化缺陷的電隔離IC磁場(chǎng)電流傳感器。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施例中，一種形成用于磁場(chǎng)電流傳感器的導(dǎo)體夾具(clip)的方法包括 形成足跡(footprint)部分；形成第一和第二接觸部分；以及形成分別將第一和第二接觸部分耦合到足跡部分的第一和第二支柱(pillar)部分，所述第一和第二支柱部分具有恒定的高度并且與第一和第二接觸部分以及足跡部分成近似直角。在另一個(gè)實(shí)施例中，一種磁場(chǎng)電流傳感器包括半導(dǎo)體管芯，具有至少一個(gè)磁場(chǎng)傳感器元件；無(wú)機(jī)絕緣層，在其第一表面上具有至少一個(gè)可焊接金屬板；以及電流導(dǎo)體，通過電流導(dǎo)體與所述至少一個(gè)可焊接金屬板之間的焊接連接經(jīng)由絕緣層耦合到半導(dǎo)體管芯，使得當(dāng)電流施加到傳感器時(shí)，少于大約10%流經(jīng)焊接連接。在另一個(gè)實(shí)施例中，一種方法包括在銅晶片的第一表面中形成凹槽網(wǎng)格；將銅晶片的第一表面耦合到半導(dǎo)體晶片的第一表面；在銅晶片的第二表面中形成凹槽網(wǎng)格，第一表面中形成的凹槽網(wǎng)格與第二表面中形成的凹槽網(wǎng)格對(duì)準(zhǔn)，使得銅晶片的一部分可以被移除以留下耦合到半導(dǎo)體晶片的第一表面的多個(gè)銅塊；以及切割半導(dǎo)體晶片，使得所述多個(gè)銅塊中的每一個(gè)都耦合到半導(dǎo)體管芯。


考慮以下結(jié)合附圖的對(duì)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的詳細(xì)描述，可以更加完整地理解本發(fā)明，在附圖中
圖1繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的電流導(dǎo)體夾具；
圖2A繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器部件；
圖2B繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器封裝；
圖3A繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器部件的頂視圖:3B繪出了圖3A的傳感器部件的側(cè)截面圖4A繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器部件的頂視圖4B繪出了圖4A的傳感器部件的側(cè)截面圖5A繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器部件的頂視圖5B繪出了圖5A的傳感器部件的側(cè)截面圖6以局部視圖繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的電流導(dǎo)體夾具的仿真結(jié)果；
圖7繪出了磁場(chǎng)與圖6的導(dǎo)體夾具的ζ位置的關(guān)系的仿真結(jié)果；
圖8以局部視圖繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的電流導(dǎo)體夾具的仿真結(jié)果；
圖9以局部視圖繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的電流導(dǎo)體夾具的仿真結(jié)果；
圖10繪出了圖9的導(dǎo)體夾具的通量密度的仿真結(jié)果；
圖11以局部視圖繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的電流導(dǎo)體夾具的仿真結(jié)果；
圖12以局部視圖繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的電流導(dǎo)體夾具的仿真結(jié)果；
圖13A繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器部件的頂視圖13B繪出了圖13A的傳感器部件的側(cè)截面圖14A繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器部件的頂視圖14B繪出了圖14A的傳感器部件的側(cè)截面圖15為依照一個(gè)實(shí)施例的制造工藝的流程圖16為依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器封裝的側(cè)截面圖17為依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器封裝的側(cè)截面圖18為依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器封裝的側(cè)截面圖19為依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器封裝的側(cè)截面圖20為依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器封裝的側(cè)截面圖21為依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器封裝的側(cè)截面圖22為依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器封裝的側(cè)截面圖23為依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器封裝的側(cè)截面圖M為依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器封裝的側(cè)截面圖25為依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器封裝的側(cè)截面圖26為依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器封裝的側(cè)截面圖27為依照一個(gè)實(shí)施例的安裝到PCB的傳感器封裝的側(cè)截面圖觀為依照一個(gè)實(shí)施例的安裝到PCB的傳感器封裝的側(cè)截面圖四為依照一個(gè)實(shí)施例的安裝到PCB的傳感器封裝的側(cè)截面圖30A繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的安裝到匯流條的傳感器部件的側(cè)截面圖30B繪出了圖13A的傳感器部件的頂視圖31A繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器部件的側(cè)截面圖；圖31B繪出了圖31A的傳感器部件的頂視圖32為依照一個(gè)實(shí)施例的夾具片狀金屬的頂視圖33為依照一個(gè)實(shí)施例的夾具片狀金屬的頂視圖34為依照一個(gè)實(shí)施例的夾具片狀金屬的頂視圖35為依照一個(gè)實(shí)施例的制造工藝的流程圖36A繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器部件的頂視圖36B繪出了圖36A的傳感器部件的側(cè)截面圖37A繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器部件的頂視圖37B繪出了圖37A的傳感器部件的側(cè)截面圖38A為依照一個(gè)實(shí)施例的電流傳感器部件的分解視圖38B為圖38A的電流傳感器部件的頂視圖38C為圖38A和圖38B的電流傳感器部件的底視圖39為依照一個(gè)實(shí)施例的包括銅塊的電流傳感器的透視圖40為依照一個(gè)實(shí)施例的用于制造包括銅塊的電流傳感器的工藝的流程圖41為依照一個(gè)實(shí)施例的在切割之前安裝到一塊硅晶片上的銅塊的透視圖42為依照一個(gè)實(shí)施例的耦合到硅管芯和導(dǎo)體的銅塊的視圖43為依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器部件的局部側(cè)截面圖44A繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的電流傳感器封裝的頂視圖44B繪出了圖44A的電流傳感器封裝的底視圖44C繪出了圖44A和圖44B的傳感器的傳感器部件；
圖45A繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的電流傳感器封裝的頂視圖45B繪出了圖45A的電流傳感器封裝的底視圖45C繪出了圖45A和圖45B的傳感器的傳感器部件；
圖46A為依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器部件的透視圖46B為圖46A的傳感器部件的半透明側(cè)截面圖47為依照一個(gè)實(shí)施例的傳感器部件側(cè)截面圖。盡管本發(fā)明順應(yīng)各種修改和可替換的形式，但是其細(xì)節(jié)在附圖中通過實(shí)例方式而示出并且將詳細(xì)地加以描述。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，目的不在于將本發(fā)明限于所描述的特定實(shí)施例。相反，目的是覆蓋落入由所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的所有修改、等效物和可替換方案。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明涉及具有三維電流導(dǎo)體的IC磁場(chǎng)電流傳感器。在實(shí)施例中，三維導(dǎo)體可以避免增大內(nèi)部電阻的長(zhǎng)的橫向尺寸并且也可以被定位成更靠近管芯以便最大化傳感器元件位置處的磁場(chǎng)。此外，由單件制造的三維電流導(dǎo)體可以減輕或者消除電遷移問題。實(shí)施例也可以保持電阻為低(諸如在一個(gè)實(shí)施例中約為大約ΙΟΟμΩ )并且提供良好的電隔離(諸如在實(shí)施例中高達(dá)大約10kV)。實(shí)施例也可以包括設(shè)置在不同的電平的低電壓傳感器引腳和電流接觸。實(shí)施例由此可以以相對(duì)低的成本提供顯著的電壓隔離。圖1繪出了依照一個(gè)實(shí)施例的電流導(dǎo)體夾具100。在一個(gè)實(shí)施例中，夾具100包括中心或足跡部分102、第一支柱部分104、第一接觸106、第二支柱部分108和第二接觸110。在一個(gè)實(shí)施例中，足跡部分102包括一個(gè)或多個(gè)切口 112?？梢栽诔叽?、形狀和/ 或位置方面配置切口 112以定形和放大通過夾具100且在磁場(chǎng)傳感器附近的電流流動(dòng)。在圖1的實(shí)施例中，切口 112為大約0. 3mm X大約0. 5mm。如所繪出的，切口 112的內(nèi)端為圓形，盡管這在其他實(shí)施例中可以改變。在其他實(shí)施例中，切口 112可以更長(zhǎng)或更短、更窄或更寬、非對(duì)稱，可以包括通過足跡部分102的孔徑，或者可以具有某種其他配置。足跡部分102通常這樣確定尺寸和形狀，使得它足夠大以與它安裝于其上的管芯形成良好的機(jī)械接觸并且也在制造期間支撐夾具100而不使其傾斜(tip)或跌落，同時(shí)保持小于管芯，因?yàn)閵A具100應(yīng)當(dāng)置于相距管芯的鋸切邊沿的足夠橫向距離處以便實(shí)現(xiàn)希望的或要求的電壓隔離。在實(shí)施例中，電壓隔離處于大約IkV至大約IOkV的范圍內(nèi)，其中足跡部分102與管芯的鋸切邊沿分開大約0. Imm X大約1mm。如圖1中所繪出的，足跡部分 102為大約Imm X大約1mm。如果它安裝于其上的管芯為例如大約2. 7mm X大約2. 7mm, 并且夾具100安裝在近似中心處，則足跡部分102與管芯的鋸切邊沿之間的橫向距離為大約0. 85mm。因此，利用管芯之上的適當(dāng)模具化合物，該距離足以耐受大約IOkV的電壓。第一和第二支柱部分104和108將足跡部分102分別耦合到第一和第二接觸106 和110，并且與足跡部分102以及接觸106和110成近似直角。在實(shí)施例中，第一和第二支柱部分104和108具有單調(diào)的高度，使得它們分別使第一和第二接觸106、110與足跡部分分開豎直距離并且足夠長(zhǎng)以提供接觸106和110與管芯的鋸切邊沿之間的足夠距離，因?yàn)榻佑|106和110中的一者或二者可以與鋸切邊沿重疊而不會(huì)不必要地增大夾具100中的電流路徑長(zhǎng)度。關(guān)于第一和第二支柱部分104和108的單調(diào)性質(zhì)，夾具100僅在單個(gè)方向上從接觸106和110延伸到足跡部分102，而不反轉(zhuǎn)方向或者向上且然后向下彎曲。換言之， 如果接觸106和110處于第一高度并且足跡部分102處于第二高度，則描述高度與橫向尺寸關(guān)系的函數(shù)在數(shù)學(xué)意義上是單調(diào)的，意味著它的導(dǎo)數(shù)不改變符號(hào)。在圖1的實(shí)施例中，夾具100的總體高度為大約0. 7mm，其中厚度為大約0. 2mm。因此，接觸106和110與夾具100安裝于其上的管芯(其在圖1中未示出)的鋸切邊沿之間的豎直距離為大約0. 5mm。然而，夾具100的高度不應(yīng)當(dāng)太大，因?yàn)檫@可能增大夾具100的電阻以及因而增大功耗和溫度的影響。在一個(gè)實(shí)施例中，接觸106和110是相同的。接觸106和110應(yīng)當(dāng)足夠大以提供足夠的表面并且希望地是比管芯大。因此，如圖1中所繪出的，接觸106和110可以與管芯 (未繪出)的鋸切邊沿重疊并且為大約3mm X大約1. 2mm。如前面所提到的，圖1中的夾具100的厚度為大約0. 2mm。夾具100應(yīng)當(dāng)足夠厚以在組裝期間以及在隨后的器件操作期間確保機(jī)械穩(wěn)定性。較厚的夾具也降低夾具的內(nèi)部電阻。另一方面，夾具100的厚度由夾具的可制造性限制夾具100被沖壓和壓制、彎曲或者以其他方式形成形狀并且需要以合理的精確度這樣做，這限制了總體厚度。此外，如果夾具 100包括切口 112，則切口 112的寬度典型地等于或大于夾具100的厚度，而不管切口 112 是通過沖壓、蝕刻還是某種其他方法而形成的。因此，在圖1的實(shí)施例中，夾具100為大約 0. 2mm厚，其與所繪出的切口 112的寬度相同。然而，對(duì)于大的電流范圍，夾具100不需要包括切口 112，并且切口 112的省略可以簡(jiǎn)化制造且允許更厚的夾具，諸如在實(shí)施例中高達(dá)大約Imm或更大。
通常，夾具100包括為良好的電和熱導(dǎo)體且無(wú)磁性的材料，諸如具有小于0. 1%的鐵磁雜質(zhì)。有益的是，該材料足夠柔軟以有利于制造期間的沖壓、形成、壓制、修整和其他步驟。在一個(gè)實(shí)施例中，夾具100包括銅。在另一個(gè)實(shí)施例中，夾具100包括鋁。圖2繪出了包括夾具100的傳感器封裝200。圖2A繪出了模制之前的封裝200， 而圖2B繪出了模制之后的封裝220。在圖2A中，夾具100耦合到管芯202，該管芯進(jìn)而耦合到基板或管芯槳板 (paddle) 203。在實(shí)施例中，管芯202通過粘合劑、焊膏或者某種其他適當(dāng)?shù)难b置而耦合到管芯槳板203。管芯槳板203是傳導(dǎo)基板，并且由于夾具100中的磁場(chǎng)可以在管芯槳板中感應(yīng)渦流，因而在一個(gè)實(shí)施例中，管芯202制造得盡可能厚以最大化夾具100與管芯槳板203 之間的距離。如所繪出的，夾具100耦合到管芯202的頂部，盡管在其他實(shí)施例中可以使用管芯202的底部。在一個(gè)實(shí)施例中，電隔離層204位于夾具100與管芯202之間。在圖2A中也繪出了信號(hào)輸出、地和電源電壓參考引腳206a、206b和206c及相關(guān)的接合線208a、208b 和208c以及兩個(gè)電容器信號(hào)引腳206a與接地引腳206b之間的210a和接地引腳206b與電源引腳206c之間的210b。在圖2B中，繪出了模制之后的傳感器封裝200。模具主體212包封傳感器封裝200 的部件，其中接觸106和110以及傳感器引腳206a、206b和206c保持在模具主體212的外部。圖3繪出了夾具100和管芯202。圖3A為頂部平面圖，并且圖為沿著圖3A中所示的A-A’截取的橫截面圖。管芯202包括多個(gè)磁場(chǎng)傳感器214a、214b和2Hc。在一個(gè)實(shí)施例中，磁場(chǎng)傳感器214a、214b和2Hc為霍爾板，其對(duì)垂直于管芯202表面的磁場(chǎng)分量敏感。在一個(gè)實(shí)施例中，傳感器214a、214b和2Hc的有效體積典型地為長(zhǎng)度和寬度大約 20Mm至大約200Mm且厚度小于大約IOMm(諸如大約3Mm)。為了移除偏移，利用自旋電流技術(shù)，諸如利用具有90度對(duì)稱的幾何結(jié)構(gòu)的霍爾板。磁場(chǎng)傳感器214a、214b和2Hc在管芯202上置于這樣的位置處通過夾具100的電流例如沿著夾具100的邊界經(jīng)歷極端值。如果夾具100包括一個(gè)或多個(gè)切口 112，則磁場(chǎng)傳感器214a、214b和/或2Hc的最佳位置臨近切口 112的端部，因?yàn)榍锌?112造成強(qiáng)烈不均勻的電流密度并且因而磁場(chǎng)更加有效地定位在其端部附近。更多關(guān)于切口 112和該效應(yīng)的信息可以見于共同擁有的美國(guó)專利申請(qǐng)No. 12/711471中，該美國(guó)專利申請(qǐng)通過引用全部合并于此。如果磁場(chǎng)傳感器214a、214b和2Hc的有效體積與夾具100的相對(duì)表面之間的距離是小的，諸如在實(shí)施例中大約5Mm至50Mm，則在一個(gè)實(shí)施例中有效體積的一半應(yīng)當(dāng)與夾具100重疊。在包括切口 112的另一個(gè)實(shí)施例中，有效體積可以定位成主要地或者全部地臨近切口 112，使得只有小部分或者沒有任何部分的磁場(chǎng)傳感器214a、214b和/或2Hc與夾具100的傳導(dǎo)材料重疊。為了移除對(duì)磁場(chǎng)傳感器2Ha、214b和2Hc的不希望的背景磁場(chǎng)影響，可以使用諸如共同擁有的美國(guó)專利申請(qǐng)No. 12/630596中描述的高階微分場(chǎng)測(cè)量，該美國(guó)專利申請(qǐng)通過引用全部合并于此。其實(shí)，磁場(chǎng)傳感器2Ha、214b和2Hc不需要每一個(gè)都位于磁場(chǎng)極端處，盡管每一個(gè)經(jīng)歷強(qiáng)磁場(chǎng)可能是有利的。然而，在沒有復(fù)雜的芯片設(shè)計(jì)和夾具100的增大的歐姆電阻的情況下，這并不總是可能的。因此，另一個(gè)可行的選項(xiàng)是將少于全部的磁場(chǎng)傳感器214a、214b和2Hc定位在來(lái)自通過夾具100的電流的最大場(chǎng)點(diǎn)處。這樣的配置是圖 3中所繪出的配置，其中磁場(chǎng)傳感器214b關(guān)于切口 112端部定位并且磁場(chǎng)傳感器21 和 214c定位在其任一側(cè)關(guān)于夾具100中的電流流動(dòng)方向在傳感器214b之后和之前。圖4繪出了夾具100和管芯202的另一個(gè)實(shí)施例，其中磁場(chǎng)傳感器214a、214b和 214c的軸在管芯202的表面上旋轉(zhuǎn)了 90度。如圖4A中可見，磁場(chǎng)傳感器21 和214b之間的距離小于磁場(chǎng)傳感器214b和2Hc之間的距離。在實(shí)施例中，這些距離可以任意地選擇，使得磁場(chǎng)傳感器2Ha、214b和2Hc的位置與由于夾具100中的電流引起的強(qiáng)磁場(chǎng)或極端磁場(chǎng)的一個(gè)或若干位置匹配。為了與更高的電流范圍兼容，夾具100省略了增大夾具100的電阻的切口 112，如圖5中所繪出的。磁場(chǎng)傳感器214a、214b和2Hc的配置類似于圖4中所繪出的實(shí)施例的配置，但是添加了第四磁場(chǎng)傳感器214d。兩個(gè)磁場(chǎng)傳感器214b和2Hc設(shè)置在夾具100中間附近，并且磁場(chǎng)傳感器2Ha、214b、2Hc和214d的信號(hào)可以如下組合
總信號(hào)=(d-a)-3*(c-b)
其中a指的是磁場(chǎng)傳感器21 的信號(hào)，b指的是磁場(chǎng)傳感器214b的信號(hào)，等等，并且磁場(chǎng)傳感器2Ha、214b、2Hc和214d等距地隔開。如果磁場(chǎng)傳感器2Ha、214b、2Hc和214d未等距地隔開，則每個(gè)信號(hào)乘以適當(dāng)?shù)目s放因子，諸如前面提到的美國(guó)專利申請(qǐng)No. 12/630596中所描述的，該美國(guó)專利申請(qǐng)通過引用合并于此?？梢钥吹?，至少一個(gè)優(yōu)點(diǎn)涉及夾具100的實(shí)施例的多功能性和封裝概念。夾具 100的厚度、寬度、切口幾何結(jié)構(gòu)和/或其他特性的小變化可以調(diào)節(jié)或定制夾具100的電阻。此外，如圖3-5中具體地圖解說明的，也可以諸如通過經(jīng)由專用的金屬罩、熔絲、齊納轟擊(zapping)、諸如EEPROM之類的存儲(chǔ)器或者以某種其他適當(dāng)?shù)姆绞竭x擇希望的一個(gè)或多個(gè)傳感器而定制磁場(chǎng)傳感器的數(shù)量和配置以用于信號(hào)處理。也可以調(diào)節(jié)隔離硬度。例如， 對(duì)于低隔離要求(諸如大約lkV)，可以使用廉價(jià)的層，比如聚酰亞胺。對(duì)于更加適度的隔離 (諸如大約4kV)，可以使用更厚的聚酰亞胺或者薄的氮化物或氧化物。對(duì)于最大的隔離(諸如高達(dá)大約10kV)，在一個(gè)實(shí)施例中可以使用諸如大約15ΜΠ1厚的二氧化硅。因此，通常有可能以非常低的成本制造具有例如大約5A至大約500A的滿量程電流范圍的整個(gè)電流傳感器系列。圖6繪出了夾具100的一個(gè)實(shí)施例的仿真結(jié)果。在該實(shí)施例中，只繪出了夾具100 的一半并且省略了切口 112。包括銅的夾具100耦合到匯流條602，該匯流條為大約5mm 寬X大約Imm厚。夾具100的窄部分為大約Imm寬和大約0. 2mm厚，通過其中的電流流線示于圖6中。OV在夾具100的左側(cè)限定，而0.5mV在匯流條602的右側(cè)限定，并且電流為5. 5365A。夾具100耗散的功率為4. 2556mW，并且圖6的實(shí)施例中的夾具100的電阻為 140μΩ。夾具100之下50Mm處的磁通量密度為大約2. 05mT,或者大約370μΤ/Α。在75Α的全電流范圍內(nèi)，夾具100的每側(cè)的磁場(chǎng)(B)為大約27. 8mT。圖6繪出了 Z=-50Mm處的Bz場(chǎng)。 夾具100的底面位于Z=Omm處。在一個(gè)實(shí)施例中，諸如霍爾元件之類的磁場(chǎng)傳感器將定位在該點(diǎn)之下大約20Mm至大約50Mm處。圖7繪出了夾具100的邊沿附近(即在大約y=_0. 5mm處)磁場(chǎng)的下降與ζ位置的關(guān)系。例如，如果ζ改變大約0. Imm,則磁場(chǎng)從大約2mT降低到大約1. 5mT或者大約0. 3%/Mm。如果諸如由于溫度變化或濕度的原因，粘合層以及夾具100的厚度變化，則豎直距離也可能變化，從而可能導(dǎo)致電流傳感器校準(zhǔn)中的誤差。然而，由于厚度的絕對(duì)值也是小的，因而任何百分比的變化將相應(yīng)地是小的。因此，鑒于所使用的薄層，材料膨脹不是一個(gè)顯著的問題。圖8繪出了夾具100的另一個(gè)實(shí)施例的仿真結(jié)果，這次該夾具包括切口 112。在該實(shí)施例中，切口 112為大約0. 2mm寬，使得在夾具100的最窄點(diǎn)處的用于電流的剩余橫截面為大約0.5mm X大約0. 2mm，或者大約0. 1mm2。電流為4. 361A，并且夾具100中的耗散功率為3. 56mW。在該實(shí)施例中，夾具100的電阻為大約187μΩ，其與高達(dá)大約53. 5Α的滿量程電流相應(yīng)。夾具100的足跡102之下50Mm處且在切口 112附近的磁場(chǎng)50為3mT，而夾具 100的相對(duì)邊沿附近的磁場(chǎng)僅為大約_2mT。如果諸如霍爾板之類的第一磁場(chǎng)傳感器設(shè)置在切口 112尖端附近且第二磁場(chǎng)傳感器設(shè)置在足跡102的窄部分的另一側(cè)，并且如果總信號(hào)計(jì)算為其間的差值，則結(jié)果為5mT/4. 361A。如果每個(gè)磁場(chǎng)傳感器具有50μΤ的隨機(jī)殘余偏移誤差，則總信號(hào)中的偏移誤差為大約7 μΤ，并且信號(hào)對(duì)偏移的比率為大約16. 2*ΑΛ因此， 傳感器的偏移誤差為大約0. 062Α。圖8的實(shí)施例也可以用于25Α全范圍，因?yàn)闈M量程磁場(chǎng)為大約20mT。比較其中夾具100包括切口 112的圖8的實(shí)施例以及省略了切口 112的圖 6的實(shí)施例，圖8的實(shí)施例中的磁場(chǎng)幾乎為圖6的實(shí)施例的磁場(chǎng)的兩倍，而電阻的增大僅為 187/140或者大約134%。圖9繪出了夾具100的另一個(gè)實(shí)施例的仿真結(jié)果，其中足跡部分102中的切口 112 包括孔徑。這種配置可以適合于較低的電流，這時(shí)足跡部分102中的甚至更窄的收縮可能是有益的，并且相對(duì)于其中使用非常長(zhǎng)的窄切口的實(shí)施例提供了優(yōu)勢(shì)，因?yàn)檫@種切口可能降低夾具100的機(jī)械穩(wěn)定性。在圖9的實(shí)施例中，足跡部分102的兩個(gè)連接部分902具有大約0. OSmm2的橫截面。夾具100中的電流為大約4. 43A，功耗為大約3. 6mff,內(nèi)部電阻為大約 185μΩ，這可與上文中討論的其他實(shí)施例相比較。然而，磁場(chǎng)更低，其中極端為大約340μΤ/ Α。也參見圖10。如果諸如在圖5的實(shí)施例中使用了四個(gè)磁場(chǎng)傳感器且將其定位在 y=-0. 6mm、-0. 2mm、0. 2mm和0. 6mm處，則總信號(hào)為大約10. 2mT。如果每個(gè)磁場(chǎng)傳感器具有 50μΤ的隨機(jī)殘余偏移，則信號(hào)中的總體偏移為大約2ΜμΤ，并且信號(hào)偏移比率為10. 3*^。 因此，圖9的實(shí)施例的偏移誤差為大約0. IA0通常，與具有比足跡部分102的至少半寬度更長(zhǎng)的切口的實(shí)施例相比，足跡部分102中具有孔徑902的圖9的實(shí)施例具有大約相同的電阻、多60%的偏移誤差、更好的串?dāng)_抑制以及更大的機(jī)械穩(wěn)定性。在圖11和圖12中繪出了夾具100的另一個(gè)實(shí)施例，其中夾具100更厚，其可以適合于更高的電流。夾具100也更寬，諸如在接觸區(qū)域106和110處大約5mm并且在足跡部分 102處大約2. 3mm。夾具100可以耦合到大約2mm X大約3. 5mm的管芯，其中橫向分隔距離為大約0. 5mm。在該實(shí)施例中，電流為大約16. 42A并且功耗為大約9. 74mW，其中內(nèi)部電阻為大約36μΩ。這樣的實(shí)施例可以適合于至少大約277Α的電流范圍。對(duì)于152μΤ/Α而言， 夾具100的足跡部分102之下50Mm處的磁場(chǎng)在16. 42A處為大約2. 5mT,或者在277A處為大約42mT。如果使用了以大約2. 5mm的距離定位在足跡部分102的左邊和右邊的兩個(gè)磁場(chǎng)傳感器，則得到的信號(hào)為大約304μΤ/Α。如果每個(gè)磁場(chǎng)傳感器的隨機(jī)殘余偏移為50μΤ，則傳感器的偏移誤差為大約7 μΤ，其等效于大約0. 23Α或者277Α的滿量程電流的0. 084%。夾具100的匯流條與接觸部分之間的焊接接點(diǎn)的電流密度為大約100A/mm2至大約300A/mm2。由于在該實(shí)施例中夾具100為400Mm厚，因而不必要保持隔離層小于50Mm厚。因此，如果管芯是薄的，諸如在一個(gè)實(shí)施例中為大約eoMfli，則有可能將夾具loo附接到管芯的后側(cè)。參見例如圖13，該圖繪出了管芯202的更薄的示例實(shí)施例。在圖13的實(shí)施例中，將隔離層204施加到管芯202的底側(cè)，并且將磁場(chǎng)傳感器 2Ha、214b、2Hc和214d設(shè)置在管芯202的頂側(cè)，如所描繪的。這提供了用于制造電流傳感器的新前景，因?yàn)榭梢允褂脝蝹€(gè)引線框架，其包括傳感器的夾具100以及引線(參見例如圖 2)。這可以通過利用僅僅一個(gè)固化工藝以將管芯202附接到夾具100而簡(jiǎn)化制造。此外， 足跡部分102可以更大，因?yàn)閵A具100與接合線(參見例如圖2)之間存在小的短路風(fēng)險(xiǎn)或者不存在短路風(fēng)險(xiǎn)，因?yàn)樗鼈儸F(xiàn)在在管芯202的相對(duì)側(cè)。管芯202上的接合焊盤的放置應(yīng)當(dāng)被選擇成使得接合焊盤由夾具100的足跡102支撐。如果接合焊盤將在管芯202的周界附近，其如前面所提到的那樣可以在夾具100上延伸，則在線接合工藝期間的力可能損壞或破壞管芯202。圖14繪出了夾具100和管芯202的另一個(gè)實(shí)施例，其包括兩個(gè)磁場(chǎng)傳感器21 和214b。在圖14A中可見，磁場(chǎng)傳感器21 位于夾具100的中心而磁場(chǎng)傳感器214b位于更靠近夾具100的邊沿。該實(shí)施例說明了高程度的對(duì)稱性不是必要的，并且磁場(chǎng)傳感器不需要關(guān)于夾具100的中心線對(duì)稱。如在圖14中那樣將兩個(gè)磁場(chǎng)傳感器設(shè)置成比夾具100的寬度更緊密地在一起的優(yōu)點(diǎn)包括更好地排斥背景磁場(chǎng)；由于管芯附接工藝期間的不精確性而引起的小的位置公差對(duì)總信號(hào)的較小影響；以及其中可經(jīng)由數(shù)值仿真技術(shù)發(fā)現(xiàn)的、磁場(chǎng)強(qiáng)度較少依賴于頻率的夾具100下面的位置的潛在可用性。然而，一個(gè)缺點(diǎn)是來(lái)自通過夾具100的電流的較小磁場(chǎng)。然而，通常，如果可以犧牲一定的靈敏度，則可以增大系統(tǒng)的磁帶寬。圖15為如上文中所討論的傳感器封裝的實(shí)施例的示例性制造工藝1500的流程圖。在1502處，提供具有傳感器引腳和增高的管芯槳板的引線框架。在一個(gè)實(shí)施例中，管芯槳板具有比管芯更小的表面面積，使得管芯的鋸切邊沿沿著其周界超出管芯槳板至少大約數(shù)十毫米。在1504處，提供管芯。在一個(gè)實(shí)施例中，該管芯可以具有大約60Mffl的厚度，盡管這在其他實(shí)施例中可以改變。在1506處，在管芯槳板與管芯的底側(cè)之間提供絕緣層。在一個(gè)實(shí)施例中，在切割管芯之前，在晶片級(jí)的半導(dǎo)體制造工藝期間將絕緣層施加到管芯表面。在實(shí)施例中，該絕緣層也可以包括陶瓷、瓷料或玻璃小板或者KAPTON箔。在一個(gè)實(shí)施例中，絕緣層比管芯槳板更大，或者甚至比管芯更大，以確保管芯槳板與管芯的鋸切邊沿之間的電壓隔離。在1508處，利用間質(zhì)隔離層將管芯耦合到管芯槳板。在實(shí)施例中，耦合是通過粘合劑、焊接或者某種其他適當(dāng)?shù)难b置。管芯的頂側(cè)包括磁場(chǎng)傳感器和接合焊盤并且比距管芯底側(cè)更遠(yuǎn)地與管芯槳板隔開。在1510處，將接合焊盤耦合到引線框架的引腳。在一個(gè)實(shí)施例中，該耦合是通過接合線。在1512處，利用模具化合物諸如通過傳遞模制來(lái)包封管芯以及傳感器引腳的部分。
在1514處，在一個(gè)實(shí)施例中，從引線框架切割不包括接地引腳的傳感器引腳， 并且從引線框架切割用于電流夾具的兩個(gè)接觸中的至少一個(gè)。執(zhí)行電流傳感器的下線 (end-of-line)測(cè)試和校準(zhǔn)，并且切割傳感器封裝與引線框架之間的剩余連接。依照實(shí)施例，各種定制也是可能的。例如，如果希望改變焊接接點(diǎn)與磁場(chǎng)傳感器之間的距離，則可以使接觸加長(zhǎng)。如果焊接接點(diǎn)需要鍍鎳，則可能有必要這樣做，所述鎳是有磁性的并且因此可能影響磁場(chǎng)以及因而影響電流傳感器的校準(zhǔn)。鎳的磁性可以例如通過與磷形成合金而降低，或者可以橫向移動(dòng)鍍鎳表面，直到它們關(guān)于磁場(chǎng)傳感器元件以及關(guān)于磁場(chǎng)增大的區(qū)域足夠遠(yuǎn)。也存在用于配置電流接觸和傳感器引腳的許多可能性。在圖16中，傳感器封裝 200被配置用于通孔應(yīng)用，并且在圖17中用于表面安裝應(yīng)用。在圖16和圖17的實(shí)施例中， 管芯槳板203被配置成使得傳感器引腳206處于與管芯202大約相同的高度，從而使得可以使接合線208基本上平坦以便使支柱部分104和108盡可能短。這在表面安裝應(yīng)用中可能是特別有幫助的，在所述表面安裝應(yīng)用中接合線“潛入”夾具接觸的下面。在圖16的實(shí)施例中，接觸106和110不與支柱部分104和108成直角；相反，接觸106和110為支柱部分104和108的延伸，其延伸通過模具主體212。在圖18中，與圖16的實(shí)施例相比，夾具100旋轉(zhuǎn)了 90度，以便提供夾具100的接觸106、110與傳感器引腳206之間的更大的爬電(ere印age)距離以及更顯著的間隙。圖 19繪出了關(guān)于圖17實(shí)施例的夾具100的類似旋轉(zhuǎn)。如圖20和圖21中所繪出的，可以在封裝200的相同表面上或者在不同的表面上可訪問接觸106和110以及傳感器引腳206?？梢岳鐚⑦@種封裝200安裝在印刷電路板 (PCB)的孔中，其中可從PCB的頂側(cè)訪問傳感器引腳206并且可從PCB的底側(cè)訪問夾具接觸 106、110。該P(yáng)CB可以用來(lái)增大傳感器引腳206與夾具接觸106、110之間的爬電距離和間隙距離。在實(shí)施例中，在PCB的底側(cè)可以安裝系統(tǒng)的高電流軌線和電力器件，而將控制和低電壓部件安裝在PCB的頂側(cè)。在其他實(shí)施例中，電流接觸106、110可以如圖22中所繪出的那樣從模具主體212 突出，或者可以如圖23中所繪出的那樣與模具主體齊平，作為所謂的“無(wú)引線”封裝。在圖 22的實(shí)施例中，突出接觸106、110可以固定到栓接或者超聲焊接到匯流條或者以其他方式適當(dāng)耦合的電流軌線。在實(shí)施例中，支柱部分104和108不需要配置為關(guān)于管芯202的表面成90度。然而，更接近90度的角度可以諸如通過壓制片狀金屬而更容易制造。垂直于管芯202表面的支柱部分104、108的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，支柱部分104、108于是更短，這可以最小化足跡部分 102與接觸部分106和110之間的電阻和熱阻。又一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是接觸部分106和110之間的間隔的更小的橫向尺寸，這可以節(jié)省空間、增大生產(chǎn)期間的每帶的器件數(shù)量并且因而降低制造成本。圖M繪出了其中支柱部分104和108不垂直于管芯202表面而是處于靠近90 度的角度的實(shí)施例。例如，在各種實(shí)施例中，α可以處于大約50度至大約130度的范圍內(nèi)。通常，α應(yīng)當(dāng)被選擇成使得夾具100與管芯202之間的電介質(zhì)強(qiáng)度最大化，其中要考慮兩條電介質(zhì)擊穿路徑通過模具主體212體積的路徑以及沿著模具主體212到隔離層 204的界面的路徑。后者經(jīng)常更弱；因此它典型地應(yīng)當(dāng)更長(zhǎng)。在圖M中，體積貫穿(bulkbreakthrough)被圖解說明為E與C之間的距離，而沿著界面的貫穿被圖解說明為E與F之間的距離。參照?qǐng)D25，如果在管芯202的表面上存在典型地不被絕緣層覆蓋的接合焊盤，并且如果存在也不被絕緣膜涂敷的接合線208，則足跡部分102與管芯202邊沿之間的距離 E-F不是電介質(zhì)擊穿的最壞情況，相反，F(xiàn)與最近的接合線208之間沿著模具主體212與隔離層204之間的界面的距離以及C與最近的接合線208之間通過模具主體212的距離是最壞的情況。為了增大夾具100與接合線208和接合焊盤之間的電壓隔離，可以在接合焊盤與引線之間安裝了接合線208之后施加噴涂隔離，諸如苯并環(huán)丁烷(BCB)。此外或者可替換地，可以利用電介質(zhì)隔離膜來(lái)涂敷面向接合線208和接合焊盤的夾具100表面。在圖沈中，夾具100包括足跡部分102，該足跡部分在與管芯202接觸的點(diǎn)處包括細(xì)長(zhǎng)的體積，其將電流路徑的長(zhǎng)度降低至最小值。在嚴(yán)格的數(shù)學(xué)意義上，足跡部分102與隔離層204之間的接觸在圖沈的實(shí)施例中不再是區(qū)域，而是在特定長(zhǎng)度(夾具100的寬度)上延伸到圖沈的繪圖平面中的接觸線。然而，夾具100的足跡部分102仍然可以被認(rèn)為平行于管芯202的表面，因?yàn)樗鼋佑|線在數(shù)學(xué)的意義上平行于該表面。給定足跡部分102的窄配置，實(shí)施例可選地可以包括諸如支撐螺柱沈02之類的(一個(gè)或多個(gè))支撐結(jié)構(gòu)以支撐管芯202。在各種實(shí)施例中，支撐結(jié)構(gòu)或螺柱沈02可以是導(dǎo)電的或者絕緣的。參照?qǐng)D27，如果夾具100耦合到管芯202的背側(cè)，則可以在倒裝芯片配置中利用引線框架203上的焊接凸點(diǎn)218接觸管芯202。在實(shí)施例中，管芯202應(yīng)當(dāng)是薄的，因?yàn)榇艂鞲衅髟?14在管芯202之上并且夾具100在管芯202之下。封裝200可以包括圍繞其周界的肩部220以諸如在插入到PCB 222中時(shí)幫助改善頂部與底部之間的電壓隔離。在圖 27中，也包括封裝200與PCB 22之間的密封邊緣226，其可以降低夾具100與傳感器引腳之間的爬電。例如也可以將密封膏或油脂和粘合劑施加到PCB 222的邊緣。焊接接觸224 將引腳206耦合到PCB 222的跡線。在另一個(gè)實(shí)施例中，如在圖28中那樣省略了肩部220，使得模具主體212與PCB 222中的孔配合。在圖28的實(shí)施例中，傳感器封裝200包括將引腳206耦合到PCB 222的支架230。在一個(gè)實(shí)施例中，支架230在焊接接觸2M處耦合到PCB 222的頂面。假定密封是沿著封裝200周界上的邊緣226，則在諸如圖觀的實(shí)施例中，當(dāng)與包括肩部220的圖27 的實(shí)施例相比較時(shí)，模具主體212與PCB 222中的孔之間需要更緊密的公差。在圖四中繪出了另一個(gè)實(shí)施例，其中PCB 222被配置成使得如在圖27中那樣在模具主體212上無(wú)需肩部，并且封裝200位于PCB 222的凹口內(nèi)。密封邊緣2 位于封裝 200的頂面處，其中傳感器引腳206位于內(nèi)部。焊接接點(diǎn)232將引腳206耦合到PCB 222。因此，通常，電流傳感器的實(shí)施例受益于電流接觸與接觸引腳之間的良好的隔離。 即使模具化合物和具有高電介質(zhì)強(qiáng)度的隔離層實(shí)現(xiàn)了良好的隔離，接觸與引腳之間的間隙距離以及爬電仍然可能帶來(lái)挑戰(zhàn)。標(biāo)準(zhǔn)化規(guī)則通常要求特定尺寸，這在大于大約5kV的應(yīng)用中可能導(dǎo)致大的封裝。然而，在實(shí)施例中，如果傳感器封裝可以提供兩個(gè)平面，一個(gè)用于電流接觸并且另一個(gè)用于低電壓引線的引腳，其間具有某種形式的密封，則在實(shí)施例中，在將傳感器封裝安裝到諸如PCB之類的模塊中之后，該封裝可以非常小，其中滿足了爬電和間隙要求。在實(shí)施例中，該封裝也可以包括用于在組裝工藝期間將封裝機(jī)械耦合到PCB的某種裝置，諸如帶或夾具。參照?qǐng)D30，繪出了夾具100的另一個(gè)實(shí)施例。如果電流流線無(wú)需在尖銳轉(zhuǎn)角周圍彎曲，則可以降低夾具100的電阻，但是外部匯流條MO (引入的)和對(duì)2 (引出的)典型地比夾具100寬得多，導(dǎo)致不可避免的電流流線彎曲。潛在間斷的區(qū)域在圖30中被圈出，其中圖30A為側(cè)透視圖并且圖30B為頂視圖。用于減少或消除間斷的一個(gè)選項(xiàng)是以恒定角度降低匯流條M0、242和夾具100的寬度，在圖31中繪出了其一個(gè)實(shí)施例。圖32繪出了在將夾具100的片狀金屬101形成到夾具100中之前的片狀金屬。豎直黑線表示片狀金屬101沿著其彎曲以形成夾具100的邊沿。細(xì)虛線表示虛擬圓圈，其限定片狀金屬101的邊沿以便避免電流線中的急劇彎曲。在圖32的實(shí)施例中，足跡部分102省略了切口 112。圖33和圖34繪出了片狀金屬101的可替換形狀，其中圖34的實(shí)施例提供了最小的電阻。通常，圓圈的半徑應(yīng)當(dāng)大于夾具100的高度，該高度為接觸區(qū)域106或110與管芯頂面之間的豎直距離。圓圈也可以退化成橢圓。在操作時(shí)，重要的是夾具100保持安全地耦合到管芯202。為了實(shí)現(xiàn)安全的耦合， 實(shí)施例可以使用粘合劑、焊接或者某種其他適當(dāng)?shù)募夹g(shù)。關(guān)于焊接，可以使用足跡部分102 與管芯202表面之上的金屬層之間的擴(kuò)散焊接。在實(shí)施例中，該金屬層可以通過包括聚酰亞胺、二氧化硅或者氮化硅的電介質(zhì)隔離層與管芯202的其余部分隔離，并且通常僅僅用于與沒有電氣功能的粘合有關(guān)的機(jī)械用途。然而，在實(shí)施例中，該片上金屬層可以用于夾具100關(guān)于管芯202的對(duì)準(zhǔn)。由于半導(dǎo)體制造工藝的高精確度，該片上金屬層典型地關(guān)于管芯202非常精確地對(duì)準(zhǔn)。如果將夾具100焊接到該層，則焊料可以通過其表面張力的作用而將稍微離心安裝的夾具100拖曳到片上金屬層的中心。由于足跡部分102的面積是小的，因而可能在組裝期間帶來(lái)挑戰(zhàn)。例如，施加到夾具100底部和/或管芯202頂部的焊接膏或粘合劑的粘合力可能太小而不能在焊料或粘合劑諸如固化之后形成全部強(qiáng)度之前將夾具100保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。因此，在?shí)施例中，可能有利的是不將單獨(dú)的夾具100附接到單獨(dú)的管芯202，而是將若干夾具100設(shè)置在第二引線框架中。依照常規(guī)的半導(dǎo)體制造工藝將管芯202附接到第一引線框架，并且然后將第二引線框架置于第一引線框架之上。圖35為依照這樣的實(shí)施例的制造工藝3500的實(shí)施例的流程圖。在3502處，將粘合劑施加到第一引線框架的管芯槳板。在3504處，將半導(dǎo)體管芯置于管芯槳板上。固化粘合劑。在3506處，通過接合線將傳感器引腳耦合到接合區(qū)域。在3508處，將粘合劑施加到管芯和/或夾具的足跡部分。在3510處，將具有夾具的第二引線框架置于具有管芯的第一引線框架上。在一個(gè)實(shí)施例中，這被實(shí)施成使得夾具的足跡部分置于管芯頂面上的磁場(chǎng)傳感器元件處或其附近。在另一個(gè)實(shí)施例中，第一和第二引線框架也可以經(jīng)由輔助裝置例如沿著其圓周框架相連接。這在處理過程期間每帶的所有器件的足跡的累加面積太小而不能承受機(jī)械負(fù)荷的情況下可能是有幫助的或者必要的。除別的以外，這些附加的裝置可以包括機(jī)械器具，諸如鉚釘或螺帽；化學(xué)接頭，諸如膠合或焊接；或者物理接頭，例如點(diǎn)焊。固化管芯與夾具之間的粘合劑。
在3512處，模制模具主體。在3514處，完全地或者僅僅在電流輸入或輸出側(cè)沖壓第二引線框架的夾具。也沖壓除了第一引線框架的接地引腳之外的傳感器引腳。如果希望或者需要其中在電流軌線與傳感器引腳之間施加若干kV的電壓的隔離測(cè)試，則可以沖壓傳感器的所有低電壓引腳，使得到主導(dǎo)體的連接不存在。如果器件是大的，則可以省略或者僅僅部分地執(zhí)行步驟3514，其中在3518處執(zhí)行全沖壓。在3516處，執(zhí)行傳感器器件的下線測(cè)試和校準(zhǔn)。在3518處，沖壓剩余的傳感器引腳以切割傳感器器件。如果夾具的接觸部分在與足跡部分的尺寸相比時(shí)是大的，特別是如果足跡部分因?yàn)槠浒ㄒ粋€(gè)或多個(gè)切口以對(duì)電流路徑定形而在機(jī)械上易碎，則將非傳導(dǎo)支撐結(jié)構(gòu)添加到夾具可能是有幫助的或者必要的。在實(shí)施例中，這可以例如為附接到接觸部分的粘合箔、或者在塑料封裝中可以模制夾具耦合之后足跡部分的不與隔離層接觸的那些部分。在其他實(shí)施例中，夾具包括多層，諸如接觸層和足跡層。在實(shí)施例中，每層可以與片狀金屬分開地沖壓并且通過焊接或熔焊(諸如UV焊接)進(jìn)行耦合。在另一個(gè)實(shí)施例中，接觸層從片狀金屬?zèng)_壓，而足跡部分諸如經(jīng)由電解沉積而電生長(zhǎng)在接觸層之上。這避免了諸如焊料之類的其他材料并且可以建立各層之間的全表面接觸，從而避免點(diǎn)焊。優(yōu)點(diǎn)包括接觸之間的甚至小于層厚度的更小的分隔距離、以及兩個(gè)層具有不同厚度的可能性。層厚度對(duì)于電壓隔離是重要的，因?yàn)樽阚E部分的厚度與在接觸的底面與管芯表面之間的豎直距離相等。此外，電流密度與接觸的厚度與匯流條的厚度的比率有關(guān)。如果匯流條是厚的并且接觸是薄的，則電流傾向于豎直地流經(jīng)接觸的中心部分，導(dǎo)致如圖36中所繪出的電流密度分布在焊接區(qū)域中心附近的強(qiáng)峰值。匯流條602與接觸部分106和110的接觸層之間的焊接層3602中的高電流密度的區(qū)域也被圖解說明。如果匯流條602比接觸層更薄，則包括橫向流經(jīng)接觸層的電流，這降低了匯流條 602與接觸層之間的焊接層3602中的過高的電流密度，因?yàn)殡娏髟诤附訉?602上更均勻地散布。如圖37中所繪出的，電流密度在焊接層602中幾乎均勻。在實(shí)施例中，接觸部分106和100可以與管芯202上的接合焊盤重疊或不重疊。在這些各種實(shí)施例中，可以為了足夠的豎直距離和隔離而調(diào)節(jié)接合回路的長(zhǎng)度、高度和其他特性。在一個(gè)實(shí)施例中，接觸層的厚度可以小于或大于足跡層的厚度以便將焊接層602中的峰值電流密度拖曳出豎直中心平面。在圖38中繪出了另一個(gè)實(shí)施例，其中封裝200被配置用于插入到PCB中的孔中， 匯流條在PCB的第一(高電壓、高電流)側(cè)并且傳感器引腳206在PCB的第二(低電壓、低電流)側(cè)，其間具有密封環(huán)。圖38A為夾具100、加強(qiáng)模具3802、隔離層204、管芯202、接觸焊盤和傳感器引線206的分解視圖。在實(shí)施例中，加強(qiáng)模具3802包括適當(dāng)?shù)慕^緣材料，諸如在一個(gè)實(shí)施例中為模具化合物材料。夾具100可以由接觸層形成，其中每個(gè)接觸部分106和110分開地沖壓。然后，可以將接觸部分106、110安裝到模具腔體中，其中澆鑄加強(qiáng)模具3802以填充部分106與110 之間的間隙。然后，可以在頂部上電解生長(zhǎng)包括足跡部分102的足跡層。然后，可以安裝管芯202，其中隔離層204介于其間。在一個(gè)實(shí)施例中，該制造以接觸層固定在框架中來(lái)執(zhí)行。 然后，可以將框架置于另一個(gè)模具工具中以利用模具主體212覆蓋管芯202，這示于圖38B中。在實(shí)施例中，根據(jù)足跡部分102中的切口 212的配置、接觸和足跡層的厚度和配置以及接觸表面的尺寸，這樣的器件可以適合于大約5A至大約500A或更大(諸如大約1000A) 的范圍內(nèi)的電流。在實(shí)施例中，電壓隔離可以高達(dá)大約10kV，其中爬電距離通過封裝200插入其中的PCB的重疊部分進(jìn)行設(shè)計(jì)。在圖39中繪出的無(wú)磁芯磁電流傳感器的另一個(gè)實(shí)施例中，用銅塊3900代替夾具 100。包括銅塊3900的實(shí)施例可以帶來(lái)優(yōu)點(diǎn)，包括具有低電阻、可靠近磁傳感器元件定位同時(shí)與管芯的鋸切邊沿隔開并且制造相對(duì)廉價(jià)，這部分地歸因于與常規(guī)半導(dǎo)體制造技術(shù)的兼容性。圖40繪出了用于制造銅塊3900的實(shí)施例的工藝4000。在一個(gè)實(shí)施例中，使用大約400Mm厚的銅晶片。在4002處，在銅晶片的第一側(cè)形成凹槽網(wǎng)格。在實(shí)施例中，凹槽通過蝕刻或鋸切來(lái)形成。對(duì)于400Mm厚的晶片而言，凹槽可以大約IOOMffl深。在4004處，將現(xiàn)在被開槽的銅晶片的第一側(cè)耦合到硅晶片。在實(shí)施例中，通過焊接、膠合或者某種其他適當(dāng)?shù)难b置而將銅晶片耦合到硅晶片。在實(shí)施例中，硅晶片可以包括隔離層，銅塊耦合到該隔離層上。在一個(gè)實(shí)施例中，隔離層包括氧化硅并且為大約12ΜΠ1厚。在4006處，在銅晶片的第二側(cè)形成凹槽網(wǎng)格。在其中銅晶片為400Mffl厚的實(shí)施例中，凹槽為300Mm深并且與在銅晶片的第一側(cè)形成的第一凹槽網(wǎng)格對(duì)準(zhǔn)，使得框架結(jié)構(gòu)可以被釋放和丟棄，從而在硅晶片的表面上留下隔開的銅塊陣列。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)銅塊為大約1.9mm X大約1. 9mm X大約0. 4mm，盡管在其他實(shí)施例中這些尺寸可以改變。在4008處，可選地在剩余的銅塊中形成凹槽。在一個(gè)實(shí)施例中大約300Mm深和大約IOOMffl寬、但是在其他實(shí)施例中具有其他深度的這樣的凹槽可能有助于在低電流應(yīng)用中增大電流密度。在一個(gè)實(shí)施例中，凹槽用鋸切刀片形成。在一個(gè)實(shí)施例中，諸如如果無(wú)需保持銅塊3900與管芯的鋸切邊沿之間的橫向距離，則可以組合4006和4008。這可以適合于具有低電壓隔離要求的實(shí)施例。在這一點(diǎn)上，在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)是如圖41中所繪出的，其中多個(gè)銅塊3900具有安裝到硅晶片3904上的凹槽3902。隔離層3905在晶片3904上形成。在4010處，可以清潔接合焊盤3906 (圖41)并且切割單獨(dú)的芯片3910。這可以在一個(gè)或多個(gè)步驟中執(zhí)行，圖40中繪出的特定順序只是一個(gè)非限制性實(shí)施例。在一個(gè)實(shí)施例中，在切割之后，每個(gè)芯片或管芯3910為大約2. 8mm X大約2. 5mm X大約0. 5mm，并且每個(gè)銅塊3900具有到隔離層3905的邊沿，即到管芯3910的鋸切邊沿或者到接合線(圖 39)的標(biāo)稱周界為大約300Mm的間隙，其中帶被保留用于接合焊盤3906。在一個(gè)實(shí)施例中， 該帶為大約200Mm。圖39中繪出的實(shí)施例可以是諸如圖44C中所示的完整傳感器的一部分，其中頂面暴露在封裝之外。這樣的實(shí)施例適合于高達(dá)大約30A的電流，但是由于電遷移問題而可以限制為高于該范圍。在4012處，可以諸如圖42中所繪出的那樣將銅塊3900耦合到引線框架3912。在一個(gè)實(shí)施例中，引線框架3912可以為大約0. 4mm厚。耦合可以通過膠合、焊接或者其他適當(dāng)?shù)难b置來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，通過大約IOMffl厚的大約一層導(dǎo)電膏或管芯附接而將銅塊3900耦合到引線框架3912。在4014處，可以在引線框架3912和銅塊3900上施加銅涂層。在一個(gè)實(shí)施例中， 在引線框架3912和銅塊3900上均勻地電鍍大約50Mm厚的銅涂層。該銅涂層在每個(gè)方向上使在塊3900與硅管芯3910的鋸切邊沿及接合焊盤3906之間的距離降低大約50Mm，而引線框架3912變厚大約lOOMm。凹槽3902的深度和寬度也降低。圖43繪出了圖42的結(jié)構(gòu)的放大的局部橫截面圖，其中銅涂層示于3914處。銅塊 3900與引線框架3912之間的焊料3916在電鍍之前彼此附貼，但是對(duì)于電流運(yùn)送而言是不必要的，因?yàn)殡姎饨佑|由銅涂層3914制成。因此，焊料3916不影響電遷移。在另一個(gè)實(shí)施例中，如果使凹槽3902通過塊3902，則銅塊3900可以包括兩個(gè)不同的部分。諸如鋁或者電力銅之類的金屬層可以在下面形成，并且如果與塊3902接觸的話， 也被電鍍，包括在塊3900的各部分之間。在該實(shí)施例中，可以生長(zhǎng)任意薄層并且根據(jù)需要也橫向地圖案化該任意薄層。實(shí)施例和工藝4000的優(yōu)點(diǎn)包括比常規(guī)解決方案更精確地且更廉價(jià)地生產(chǎn)結(jié)構(gòu)， 這部分地歸因于可以使用整個(gè)硅晶片并且可以在晶片級(jí)更精確地形成所述結(jié)構(gòu)。特別地， 可以實(shí)現(xiàn)精確的位置公差。在實(shí)施例中，其他的變型也是可能的。例如，可以將銅塊耦合到晶片的前側(cè)、背側(cè)或者兩側(cè)。銅塊的頂側(cè)可以準(zhǔn)備用于焊接，盡管電遷移于是可能變成限流器?？梢灾T如通過焊接將形成引線框架的部分的大的接觸耦合到銅塊的頂側(cè)。這可以在封裝組裝期間執(zhí)行。 如果使用了擴(kuò)散焊接，則焊接接點(diǎn)可以容忍更高的電流密度，諸如高達(dá)大約60A。大的接觸也可以由導(dǎo)電膠或其他焊料耦合并且至少部分地涂敷以確保諸如在電鍍槽中與銅塊的良好的電氣接觸。在實(shí)施例中，涂層為大約IOMffl至大約50Mm厚，并且包括良導(dǎo)體，諸如銅。如前面所提到的，銅塊3900可以代替夾具100。因此，包括銅塊3900的用于電流感測(cè)應(yīng)用的實(shí)施例也可以包括至少一個(gè)磁場(chǎng)傳感器。實(shí)施例也可以包括放大器和信號(hào)調(diào)節(jié)電路系統(tǒng)。磁場(chǎng)傳感器可以包括霍爾平板，其可以設(shè)置在銅塊的筆直或彎曲的邊沿附近以及在銅塊的具有最小橫截面面積(以及因而最高電流密度)的部分附近。 在4008之后，可以改為諸如通過膠合而將管芯耦合到管芯槳板或者引線框架，其中然后利用施加的模具化合物和接合線在引線與接合焊盤之間制成連接。在圖44中繪出了一個(gè)示例實(shí)施例。圖44A為模具主體4400和傳感器引線4402 的頂視圖。圖44B為模具主體4400和傳感器引線4402的底視圖，其中銅塊3900可見。圖 44C省略了模具主體，使得可以看見管芯3904和管芯槳板4404以及將接合焊盤3906耦合到引線框架4408的接合線4406。在圖44B中，可以看出凹槽3902填充有模具化合物以在將接觸(塊3900的暴露的表面)焊接到匯流條、PCB或者其他結(jié)構(gòu)時(shí)避免短路。在一個(gè)實(shí)施例中，可以通過首先利用厚刀片形成凹槽3902并且然后利用薄刀片更深地鋸切而在封裝的表面使得凹槽3902更寬。 在另一個(gè)實(shí)施例中，凹槽3902也可以通過蝕刻并且然后鋸切(或者以相反的順序)而形成。圖45繪出了另一個(gè)實(shí)施例，其中大的接觸耦合到銅塊。類似于圖44，圖45A為頂視圖，圖45B為底視圖，并且圖45C省略了模具主體。在一個(gè)實(shí)施例中，大的接觸4500可以是引線框架的一部分，使得單獨(dú)的管芯槳板不是必要的。在實(shí)施例中，這可以增大傳感器的帶寬。如果接觸4500通過諸如擴(kuò)散焊接之類的具有高熔點(diǎn)的焊接技術(shù)進(jìn)行耦合，則焊接接點(diǎn)的電遷移限制也比圖44實(shí)施例的更高。類似于圖44的實(shí)施例，接觸4500之間的間隙 4502填充有模具化合物以避免短路，但是在間隙寬度足夠的情況下可以不填充延伸超出模具主體4400的間隙4502的部分。參照?qǐng)D45C，在實(shí)施例中，接合線4406的高度盡可能低以保持接觸4500與模具主體4400表面之間的距離更大。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，線4406向下彎曲，使得其頂點(diǎn)為與管芯3904上的接合焊盤大約相同的高度。接觸4500的厚度可以類似于傳感器引線4402的厚度，這可以降低引線框架4408 的價(jià)格。在一個(gè)實(shí)施例中，引線框架包括具有非常低(諸如小于0.1%)的鐵含量的銅。然而，銅塊3900的優(yōu)點(diǎn)在于，它可以由具有低電阻率的高純度銅制成以便降低傳感器的耗散和自發(fā)熱。如前面在各種上下文中且關(guān)于本文通篇討論的各種實(shí)施例所提到的，導(dǎo)體與(一個(gè)或多個(gè))磁場(chǎng)傳感器之間的距離也是重要的，因?yàn)樵摼嚯x在傳感器的壽命內(nèi)保持穩(wěn)定這一事實(shí)。常規(guī)的解決方案經(jīng)常使用半導(dǎo)體制作期間制造的薄導(dǎo)體層，這些薄導(dǎo)體層在壽命內(nèi)具有明確限定的位置并且通常是穩(wěn)定的。然而，薄導(dǎo)體是限流器。用于更高電流應(yīng)用的其他常規(guī)解決方案使用粘合劑、膠、模具化合物或者其他材料來(lái)將導(dǎo)體固定到管芯。盡管這樣的配置可以處理較高的電流，但是固定材料較不穩(wěn)定，易受濕氣、因長(zhǎng)期暴露于高溫而引起的化學(xué)反應(yīng)以及其他可能改變材料厚度并且從而影響傳感器精確度的因素的影響。因此，例如在其中使用了大塊導(dǎo)體的高電流應(yīng)用中，實(shí)施例可以利用焊接技術(shù)來(lái)耦合主導(dǎo)體和半導(dǎo)體管芯。在實(shí)施例中，焊料不是用來(lái)攜帶電流，而是建立導(dǎo)體與具有磁場(chǎng)傳感器元件的半導(dǎo)體管芯之間的機(jī)械連接，其中電流在導(dǎo)體中流動(dòng)。因此，導(dǎo)體關(guān)于(一個(gè)或多個(gè))磁場(chǎng)傳感器元件的相對(duì)位置僅由諸如半導(dǎo)體、金屬、陶瓷、玻璃、瓷料、焊料等等之類的無(wú)機(jī)高穩(wěn)定材料確定。參照?qǐng)D46，在一個(gè)實(shí)施例中，在半導(dǎo)體管芯4604上形成絕緣層4602。在實(shí)施例中，絕緣層4602是無(wú)機(jī)的，并且可以包括氧化硅、氮化物或者某種其他適當(dāng)?shù)牟牧稀＝饘賹?4606(圖46B)在絕緣層4602上形成并且可以包括銅、鋁或者某種其他適當(dāng)?shù)牟牧稀？梢孕纬珊?或制備金屬層4606，使得它是可焊接的，例如在封裝組裝工藝中可焊接到金屬部分。 在一個(gè)實(shí)施例中，可以在前端半導(dǎo)體制造期間形成絕緣層4602和金屬層4606 二者。在制造期間切割出單獨(dú)的半導(dǎo)體管芯4604之后，可以在金屬層4606處將每一個(gè)管芯4604焊接到主導(dǎo)體4608。在圖46所繪出的實(shí)施例中，導(dǎo)體4608包括夾具。該夾具可以包括單個(gè)金屬件或者諸如上文中所討論的其他配置。在其他實(shí)施例中，導(dǎo)體4608可以包括其他配置，諸如上文中討論的銅塊。因此，這里將不詳細(xì)地討論夾具的特定配置，改為參照上文中關(guān)于各種實(shí)施例的討論。特別地參照?qǐng)D46B，可以看到絕緣層4602和金屬層4606。絕緣層4602可以是絕緣的且無(wú)機(jī)的，其中無(wú)機(jī)有益于避免濕氣吸收或者以其他方式改變其成分或尺寸。在實(shí)施例中，絕緣層4602包括二氧化硅、氮化物或者某種其他適當(dāng)?shù)牟牧稀＝饘賹?606位于絕緣層4602上，使得層4606不接觸管芯4604并且是電浮動(dòng)的。在一個(gè)實(shí)施例中，金屬層4606 包括鋁、銅或者某種其他適當(dāng)?shù)牟牧?，并且被拋光，使得?606是可焊接的。類似于上文中討論的夾具實(shí)施例，導(dǎo)體4608的足跡部分4610通過金屬層4606處的焊接而機(jī)械耦合到管芯4604。在實(shí)施例中，導(dǎo)體4608比金屬層4606小并且金屬層4606足夠厚以避免來(lái)自可能的制造結(jié)果(包括導(dǎo)體4608上的毛刺)的破壞或者其他影響。在圖47中繪出了另一個(gè)實(shí)施例，其中半導(dǎo)體管芯的表面的一部分由無(wú)需與管芯電氣隔離的金屬板或金屬層覆蓋。圖47為用于方便圖解說明的部分分解視圖。在圖47的實(shí)施例中，可焊接金屬板4702耦合到管芯4704的表面，該管芯在管芯4704的頂側(cè)或底側(cè)包括磁場(chǎng)傳感器元件4706。金屬板4702被配置成耦合到金屬板4708，這些金屬板耦合到絕緣板4710的表面。絕緣板4710進(jìn)而通過金屬板4712耦合到電流軌線或?qū)w4714。接合線4716可以經(jīng)由接合焊盤直接耦合到管芯4704和/或通過板4710頂面上的跡線間接耦合到管芯4704，并且然后耦合到(圖47中未繪出的)引線框架的引線。在實(shí)施例中，絕緣板4710包括陶瓷、玻璃、瓷料、硅或者某種其他適當(dāng)?shù)牟牧?。絕緣板4710可以比管芯4704大并且因此也可以提供更可靠的電壓隔離。此外，在實(shí)施例中，板4710無(wú)需為完全平坦的，因?yàn)榘?710可以通過蝕刻或者某種其他技術(shù)確定外形 (profile)，使得其周界區(qū)域或者部分比中心區(qū)域更厚或更薄。例如，在其中管芯4704置于板4710中心的實(shí)施例中，板4710的更厚的周界部分可以提供增大的電壓隔離。在這樣的實(shí)施例中，金屬層4708不應(yīng)當(dāng)延伸到該更厚的周界部分。在圖47的一個(gè)實(shí)施例中，金屬層4702位于管芯4704的背側(cè)，并且諸如磁場(chǎng)傳感器元件4706之類的電子器件位于管芯4704的相對(duì)前側(cè)。然后，可以經(jīng)由在前側(cè)的接合焊盤通過接合線4716耦合到管芯4704。在另一個(gè)實(shí)施例中，金屬層4702如諸如磁場(chǎng)傳感器元件4706之類的電子器件那樣位于管芯4704的前側(cè)，并且管芯4704被倒裝芯片式安裝到絕緣板4710上?？梢越?jīng)由細(xì)導(dǎo)電跡線4708和接合線4716制成到管芯4704的接觸。將金屬板或金屬層4702、4708和4712制備成是可焊接的，并且在制造期間，可以在單個(gè)步驟或中或者在多個(gè)步驟中執(zhí)行這些層4702、4708和4712的焊接。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，可能希望的是在不同的溫度下使用不同的焊接工藝連續(xù)地焊接。在實(shí)施例中，可以使用諸如擴(kuò)散焊接之類的高溫焊接，這是有利的，因?yàn)樗梢允潜〉牟⑶译S后可以容易地在較低溫度下可焊接封裝接觸，其中導(dǎo)體4714關(guān)于管芯4704的位置保持穩(wěn)定。在實(shí)施例中，導(dǎo)體4714可以包括單一或多個(gè)部件，例如夾具和引線。然而，在管芯 4704的表面處，導(dǎo)體4714包括單個(gè)部分。本文描述了系統(tǒng)、器件和方法的各種實(shí)施例。這些實(shí)施例僅僅通過實(shí)例方式而給出，并不意在限制本發(fā)明的范圍。而且，應(yīng)當(dāng)理解的是，已描述的實(shí)施例的各種特征可以以各種方式加以組合以產(chǎn)生許多附加的實(shí)施例。而且，盡管描述了用于與所公開的實(shí)施例一起使用的各種材料、尺寸、形狀、配置和位置等等，但是可以利用除這些公開的以外的其他材料、尺寸、形狀、配置和位置等而不超出本發(fā)明的范圍。相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明可以包括比上面描述的任何單獨(dú)的實(shí)施例中圖解說明的特征更少的特征。本文描述的實(shí)施例并不意指其中可以組合本發(fā)明的各種特征的方式的詳盡演示。因此，這些實(shí)施例不是特征的互斥組合；相反地，如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所理解的，本發(fā)明可以包括從不同的各個(gè)實(shí)施例中選擇的不同的各個(gè)特征的組合。上面通過引用對(duì)文獻(xiàn)的任何合并受到限制，使得沒有與本文的明確公開相反的主題被合并。上面通過引用對(duì)文獻(xiàn)的任何合并進(jìn)一步受到限制，使得文獻(xiàn)中包含的權(quán)利要求沒有通過引用合并于此。上面通過引用對(duì)文獻(xiàn)的任何合并又進(jìn)一步受到限制，使得文獻(xiàn)中提供的任何定義都不通過引用合并于此，除非明確地包含在本文中。 為了解釋本發(fā)明的權(quán)利要求，明確地意圖的是，除非權(quán)利要求中記載了特定的措
辭“用于……的裝置”或“用于……的步驟”，否則不援引35 U. S. C.第六段第112節(jié)的規(guī)定。
權(quán)利要求
1.一種形成用于磁場(chǎng)電流傳感器的導(dǎo)體夾具的方法，包括形成足跡部分；形成第一和第二接觸部分；以及形成分別將第一和第二接觸部分耦合到足跡部分的第一和第二支柱部分，所述第一和第二支柱部分具有恒定的高度并且與第一和第二接觸部分以及足跡部分成近似直角。
2.權(quán)利要求1的方法，其中足跡部分、第一和第二接觸部分以及第一和第二支柱部分由單件片狀金屬形成。
3.權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括在足跡部分中形成切口。
4.權(quán)利要求3的方法，其中形成切口包括形成切口的具有半徑的端部。
5.權(quán)利要求3的方法，其中形成切口進(jìn)一步包括形成具有等于或大于足跡部分的厚度的長(zhǎng)度的切口。
6.權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括將足跡部分耦合到半導(dǎo)體管芯的第一表面。
7.權(quán)利要求6的方法，其中耦合足跡部分包括將足跡部分耦合到管芯的第一表面，使得第一和第二接觸部分與第一表面以第一和第二支柱部分的高度分開。
8.權(quán)利要求1的方法，其中恒定的高度是單調(diào)的。
9.一種磁場(chǎng)電流傳感器，包括半導(dǎo)體管芯，具有至少一個(gè)磁場(chǎng)傳感器元件；無(wú)機(jī)絕緣層，在其第一表面上具有至少一個(gè)可焊接金屬板；以及電流導(dǎo)體，通過電流導(dǎo)體與所述至少一個(gè)可焊接金屬板之間的焊接連接而經(jīng)由絕緣層耦合到半導(dǎo)體管芯，使得當(dāng)電流施加到傳感器時(shí)，少于大約10%流經(jīng)所述焊接連接。
10.權(quán)利要求9的磁場(chǎng)電流傳感器，其中絕緣層在半導(dǎo)體管芯的表面上形成。
11.權(quán)利要求9的磁場(chǎng)電流傳感器，其中絕緣層包括通過絕緣層的第二表面上的至少一個(gè)金屬板與管芯的表面上的至少一個(gè)板之間的焊接連接而耦合到管芯的表面的板。
12.權(quán)利要求11的磁場(chǎng)電流傳感器，其中該板包括陶瓷、玻璃、瓷料或硅之一。
13.權(quán)利要求11的磁場(chǎng)電流傳感器，其中該板在周界處具有第一厚度并且在中心處具有第二厚度。
14.權(quán)利要求13的磁場(chǎng)電流傳感器，其中第二厚度小于第一厚度。
15.一種方法，包括在銅晶片的第一表面中形成凹槽網(wǎng)格；將銅晶片的第一表面耦合到半導(dǎo)體晶片的第一表面；在銅晶片的第二表面中形成凹槽網(wǎng)格，第一表面中形成的凹槽網(wǎng)格與第二表面中形成的凹槽網(wǎng)格對(duì)準(zhǔn)，使得銅晶片的一部分能夠被移除以留下耦合到半導(dǎo)體晶片的第一表面的多個(gè)銅塊；以及切割半導(dǎo)體晶片，使得所述多個(gè)銅塊中的每一個(gè)都耦合到半導(dǎo)體管芯。
16.權(quán)利要求15的方法，進(jìn)一步包括在切割之前在銅塊中形成凹槽。
17.權(quán)利要求16的方法，其中銅塊中形成的凹槽為大約300Mm深和大約IOOMm寬。
18.權(quán)利要求15的方法，其中銅晶片為大約400μπι厚，第一凹槽網(wǎng)格為大約IOOMffl深， 并且第二凹槽網(wǎng)格為大約300Mm深。
19.權(quán)利要求15的方法，其中所述多個(gè)銅塊中的每一個(gè)為大約1.9mm X大約1. 9mmX 大約 0. 4mm。
20.權(quán)利要求15的方法，其中銅涂層為大約50Mm厚。
21.權(quán)利要求15的方法，進(jìn)一步包括將銅塊耦合到引線框架。
22.權(quán)利要求21的方法，進(jìn)一步包括將銅涂層施加到引線框架和銅塊上。
全文摘要
實(shí)施例涉及磁場(chǎng)電流傳感器。在一個(gè)實(shí)施例中，一種形成用于磁場(chǎng)電流傳感器的導(dǎo)體夾具的方法包括形成足跡部分；形成第一和第二接觸部分；以及形成分別將第一和第二接觸部分耦合到足跡部分的第一和第二支柱部分，所述第一和第二支柱部分具有恒定的高度并且與第一和第二接觸部分以及足跡部分成近似直角。
文檔編號(hào)G01R19/00GK102565507SQ20111040829
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月9日
發(fā)明者J.丹格爾邁爾, U.奧塞萊希納, V.施特魯茨 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司