專利名稱：測量觸摸屏上導(dǎo)電膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及觸摸屏制作領(lǐng)域技木，尤其是指一種觸摸屏制程中測量觸摸屏上導(dǎo)電膜之均勻度和厚度的方法。
背景技術(shù)：
在觸摸屏制程中，在玻璃上涂覆導(dǎo)電膜后，若不進(jìn)行良率測試，則只有至觸摸屏成品階段測試才進(jìn)行良率測試，一旦出現(xiàn)不良品，則需要銷毀整個(gè)觸摸屏，極為浪費(fèi)。再者，目前市面上導(dǎo)電膜電阻的測量主要采用光學(xué)的方法量測薄膜厚度，而這種設(shè)備成本較高，量測時(shí)間較長。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要目的是提供一種測量觸摸屏上導(dǎo)電膜的方法，以解決前述現(xiàn)有技術(shù)測量方法所存在的成本高和時(shí)間長的問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下之技術(shù)方案 一種測量觸摸屏上導(dǎo)電膜的方法，包括如下步驟
a)預(yù)設(shè)不同面電阻值所對應(yīng)的膜厚度值；
b)利用陣列排列的探針于導(dǎo)電膜上采集η個(gè)電阻值，各電阻值分別為相鄰兩探針之間的電阻值，形成電阻值集合；
c)摒棄邊緣區(qū)域之控針的的電阻值；
d)在非邊緣區(qū)的電阻值中任選至少三個(gè)相鄰探針的電阻值，計(jì)算出該所選之電阻值形成的面電阻值，依該方法重復(fù)對前述非邊緣區(qū)的其它電阻值進(jìn)行選擇計(jì)算，獲得m個(gè)面電阻值；
e)比較上述m個(gè)面電阻值，若各個(gè)面電阻值的差值在闕值范圍內(nèi)，則視為導(dǎo)電膜的厚度為均勻，否則為不均勻；
f)將上述m個(gè)面電阻值進(jìn)行優(yōu)化計(jì)算，獲得面電阻值的平均值并依前述步驟a)的預(yù)設(shè)找出對應(yīng)的膜厚度值，完成導(dǎo)電膜厚度的測量。優(yōu)選的，于前述步驟d)中，所選擇的電阻值為正方形的四個(gè)相鄰探針的電阻值。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果，具體而言，由上述技術(shù)方案可知，其采用量測面電阻值的方法來判定薄膜的均勻度與厚度，此種測量方法簡單、方便、 時(shí)間短、效率高；并且，采用本發(fā)明的測量方法完全可以在玻璃涂覆導(dǎo)電膜后即進(jìn)行不良率測試，若出現(xiàn)不良品，則只需在玻璃上洗去導(dǎo)電膜即可，大大降低了生產(chǎn)成本。為更清楚地闡述本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征和功效，下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施例來對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。


圖1是本發(fā)明之實(shí)施例中電阻值集合的排布示意圖。
具體實(shí)施例方式請參照圖1所示，詳細(xì)說明本發(fā)明的測量觸摸屏上導(dǎo)電膜的方法，其包括如下步驟
a)預(yù)設(shè)不同面電阻值所對應(yīng)的膜厚度值，例如面電阻值ml所對應(yīng)的膜厚度值為hl，面電阻值m2所對應(yīng)的膜厚度值為h2等；
b)利用陣列排列的探針于導(dǎo)電膜上采集η個(gè)電阻值，各電阻值分別為相鄰兩探針之間的電阻值，形成電阻值集合K，如圖1中的電阻值al、a2……，電阻值bl.M……，……電阻值H、f2……；
c)摒棄邊緣區(qū)域之控針的的電阻值，如圖1中的電阻值al、a2……等；
d)在非邊緣區(qū)的電阻值中任選至少三個(gè)相鄰探針的電阻值(其中以正方形的四個(gè)面電阻值為最佳)，計(jì)算出所選之電阻值所形成的面電阻值R，并依該方法重復(fù)對前述非邊緣區(qū)的所有電阻值進(jìn)行選擇計(jì)算，獲得m個(gè)面電阻值R1、R2……；
e)比較上述m個(gè)面電阻值R1、R2……，若各個(gè)面電阻值的差值在闕值范圍內(nèi)，則視為導(dǎo)電膜的厚度為均勻，否則為不均勻；其中闕值范圍大小可以依需要而設(shè)置；
f)將上述m個(gè)面電阻值R1、R2……進(jìn)行優(yōu)化計(jì)算，獲得面電阻值的平均值并依前述步驟a)的預(yù)設(shè)找出對應(yīng)的膜厚度值h，完成導(dǎo)電膜厚度的測量。綜合而言，本發(fā)明重點(diǎn)在于采用量測面電阻值的方法來判定薄膜的均勻度與厚度，其測量方法簡單、方便、時(shí)間短、效率高；并且，采用本發(fā)明的測量方法完全可以在玻璃涂覆導(dǎo)電膜后即進(jìn)行不良率測試，若出現(xiàn)不良品，則只需在玻璃上洗去導(dǎo)電膜即可，大大降低了生產(chǎn)成本。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明的技術(shù)范圍作任何限制， 故凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何細(xì)微修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種測量觸摸屏上導(dǎo)電膜的方法，其特征在于包括如下步驟a)預(yù)設(shè)不同面電阻值所對應(yīng)的膜厚度值；b)利用陣列排列的探針于導(dǎo)電膜上采集η個(gè)電阻值，各電阻值分別為相鄰兩探針之間的電阻值，形成電阻值集合；c)摒棄邊緣區(qū)域之控針的的電阻值；d)在非邊緣區(qū)的電阻值中任選至少三個(gè)相鄰探針的電阻值，計(jì)算出該所選之電阻值形成的面電阻值，依該方法重復(fù)對前述非邊緣區(qū)的其它電阻值進(jìn)行選擇計(jì)算，獲得m個(gè)面電阻值；e)比較上述m個(gè)面電阻值，若各個(gè)面電阻值的差值在闕值范圍內(nèi)，則視為導(dǎo)電膜的厚度為均勻，否則為不均勻；f)將上述m個(gè)面電阻值進(jìn)行優(yōu)化計(jì)算，獲得面電阻值的平均值并依前述步驟a)的預(yù)設(shè)找出對應(yīng)的膜厚度值，完成導(dǎo)電膜厚度的測量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量觸摸屏上導(dǎo)電膜的方法，其特征在于于前述步驟d) 中，所選擇的電阻值為正方形的四個(gè)相鄰探針的電阻值。
全文摘要
本發(fā)明公開一種測量觸摸屏上導(dǎo)電膜的方法，包括步驟a)預(yù)設(shè)不同面電阻值所對應(yīng)膜厚度值；b)利用陣列排列探針于導(dǎo)電膜上采集n個(gè)電阻值；c)摒棄邊緣區(qū)域之控針的的電阻值；d)在非邊緣區(qū)的電阻值中任選至少三個(gè)相鄰探針的電阻值，計(jì)算出所選之電阻值形成的面電阻值，依該方法重復(fù)對前述非邊緣區(qū)的其它電阻值進(jìn)行選擇計(jì)算，獲得m個(gè)面電阻值；e)比較上述m個(gè)面電阻值，若各個(gè)面電阻值差值在闕值范圍內(nèi)，則視為導(dǎo)電膜的厚度為均勻，否則為不均勻；f)將上述m個(gè)面電阻值進(jìn)行優(yōu)化計(jì)算，獲得面電阻值平均值并依前述步驟a)的預(yù)設(shè)找出對應(yīng)的膜厚度值，完成導(dǎo)電膜厚度的測量。其測量方法簡單、方便、時(shí)間短、效率高且成本低。
文檔編號G01B7/06GK102564288SQ20111042225
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月16日
發(fā)明者楊世光 申請人:東莞中逸電子有限公司