專(zhuān)利名稱(chēng)：改進(jìn)的探針探頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種可有效增加電子基板電性探測(cè)精度的改進(jìn)的探針探頭設(shè)計(jì)。
背景技術(shù)：
目前為了降低電子零件的不良率，提升電子產(chǎn)品的可靠性，對(duì)于晶圓上的積體電路或電子基板上的線(xiàn)路，都會(huì)進(jìn)行偵測(cè)，以保證其良用率。常見(jiàn)對(duì)于電子基板的電性探測(cè)，是于電子基板的線(xiàn)路上設(shè)置相對(duì)兩電極測(cè)試點(diǎn)， 通過(guò)探針對(duì)預(yù)設(shè)的測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行接觸，由其導(dǎo)通的狀況，而可偵測(cè)其電性參數(shù)，如電阻、導(dǎo)通率、電容值或電感值等。然而，隨著科技的不斷研發(fā)，產(chǎn)品是越來(lái)越精小，電子基板也隨之越形精密而小巧，此時(shí)該探針除要求細(xì)小外，更要求的是測(cè)試點(diǎn)正確，因自動(dòng)化測(cè)試的動(dòng)作與電子基板的測(cè)試點(diǎn)必然隨其精小而要求的誤差值也提高。要如何使探針準(zhǔn)確而有效的進(jìn)行偵測(cè)及避免積存測(cè)試點(diǎn)焊錫，是業(yè)者所需解決的課題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的主要技術(shù)問(wèn)題在于，克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，而提供一種改進(jìn)的探針探頭，主要是提高對(duì)電子基板電性偵測(cè)的準(zhǔn)確度。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種改進(jìn)的探針探頭，其特征在于，是于探針前端設(shè)有接觸部，外圍高于中心，且接觸部上形成至少平均分布環(huán)設(shè)有數(shù)個(gè)V形切槽；位于接觸部中央凸出的中心榫，中心榫高于接觸部外圍水平面。前述的改進(jìn)的探針探頭，其中V形切槽的共切線(xiàn)，是呈上傾的趨勢(shì)，而止于中心榫
一距離處。前述的改進(jìn)的探針探頭，其中每個(gè)V形切槽中心向兩側(cè)的切夾角，第一側(cè)面切夾角小于第二面切夾角。前述的改進(jìn)的探針探頭，其中第一側(cè)面與中心榫具有一相同切平面。本實(shí)用新型是其于探針探頭位置，設(shè)有接觸部與中央凸出一中心榫，此中心榫高于接觸部，以此中心榫可對(duì)測(cè)試點(diǎn)產(chǎn)生定位作用，并具有引導(dǎo)后續(xù)接觸部的對(duì)電路的電性偵測(cè)。而接觸部呈向中心榫內(nèi)傾，使接觸部外圍較高，但又較中心榫為低，當(dāng)中心榫刺入電子機(jī)板電路測(cè)試點(diǎn)后，外圍即為先壓合測(cè)試點(diǎn)，可具有穩(wěn)定接觸部的偵測(cè)工作。接觸部設(shè)有數(shù)個(gè)V形切槽，每個(gè)V形切槽第一側(cè)面的切夾角小于第二側(cè)面切夾角， 且V形切槽共切線(xiàn)往上止于中心榫一距離。本實(shí)用新型的有益效果是，主要是提高對(duì)電子基板電性偵測(cè)的準(zhǔn)確度。以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1為本實(shí)用新型的主視平面示意圖。圖2為本實(shí)用新型的正視平面示意圖。圖3為本實(shí)用新型的立體示意圖。圖中標(biāo)號(hào)說(shuō)明10中心榫11切平面20接觸面20a V形切槽20b中心21第一側(cè)面22第二側(cè)面Q 內(nèi)傾角X、Y切夾角H 高度N 距離P開(kāi)口夾角Z共切線(xiàn)W 外圍
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型改進(jìn)的探針探頭，如圖1至圖3所示，基本是于探針前端用與測(cè)試點(diǎn)接觸的探頭部，設(shè)有接觸部20及中央凸出的一中心榫10，此中心榫10凸出一高度H高于接觸部20水平面，當(dāng)進(jìn)行偵測(cè)時(shí)，可以此中心榫10為首先接觸并刺入電子基板電路測(cè)試點(diǎn)，而產(chǎn)生定位作用，并具有引導(dǎo)后續(xù)接觸部20的對(duì)電路的電性偵測(cè)。而接觸部20向中心榫10呈一內(nèi)傾角Q，其目的是使接觸部20外圍W較高，但又較中心榫10為低，當(dāng)中心榫10刺入電子基板電路測(cè)試點(diǎn)后，外圍W即為先壓合測(cè)試點(diǎn)，可具有穩(wěn)定接觸部20的偵測(cè)工作。于接觸部20上形成至少平均分布環(huán)設(shè)有六個(gè)以上V形切槽20a，且每個(gè)V形切槽 20a的角度，是以V形切槽20a中心20b偏向一邊為第一側(cè)面21，而形成的切夾角X，第二側(cè)面與V形切槽20a中心20b形成切夾角Y，切夾角X小于切夾角Y，且切夾角X、Y底端暨V 形切槽20a底端形成的共切線(xiàn)Z是呈上傾的趨勢(shì)，并止于中心榫10 —距離N處，使第一側(cè)面21與中心榫10形成同一切平面11，借此可保證切面與測(cè)試點(diǎn)完全接觸，且該切平面11 可引導(dǎo)測(cè)試點(diǎn)焊錫被刺切時(shí)，其擠迫狀態(tài)得以順利的往V形切槽20a的開(kāi)口紓發(fā)，而不致阻塞于V形切槽20a內(nèi)，造成偵測(cè)動(dòng)作的失準(zhǔn)。其中，V形切槽20a的共切線(xiàn)Z與中心榫10的距離N，因接觸面20的V形切槽20a 可在數(shù)多個(gè)以上，當(dāng)V形切槽20a數(shù)量在6個(gè)時(shí)，其距離N在0. Imm,若增加到12個(gè)時(shí)，其距離N也隨之遞增達(dá)到1. 5mm，此是隨探針探頭直徑的大小而變化。另，接觸部20上所形成至少平均分布環(huán)設(shè)有數(shù)個(gè)以上V形切槽20a，其開(kāi)口夾角P 必等于圓周的均分角，如6個(gè)V形切槽20a，則開(kāi)口夾角P為60度，當(dāng)V形切槽20a有9個(gè)時(shí)，則開(kāi)口夾角P為40度，當(dāng)為12個(gè)時(shí)，其開(kāi)口夾角P為30度。綜上所述，本實(shí)用新型改進(jìn)的探針探頭，切確可提供電子基板一個(gè)高效率的偵測(cè)電性效果的設(shè)計(jì)，經(jīng)濟(jì)又實(shí)用，完全符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展所需，且所揭示的結(jié)構(gòu)亦是具有前所未有的創(chuàng)新構(gòu)造，具有新穎性、創(chuàng)造性、實(shí)用性，符合有關(guān)新型專(zhuān)利要件的規(guī)定，故依法提起申請(qǐng)。以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種改進(jìn)的探針探頭，其特征在于，是于探針前端設(shè)有接觸部，外圍高于中心，且接觸部上形成至少平均分布環(huán)設(shè)有數(shù)個(gè)V形切槽； 位于接觸部中央凸出的中心榫，中心榫高于接觸部外圍水平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)的探針探頭，其特征在于，所述V形切槽的共切線(xiàn)，是呈上傾的趨勢(shì)，而止于中心榫一距離處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)的探針探頭，其特征在于，所述每個(gè)V形切槽中心向兩側(cè)的切夾角，第一側(cè)面切夾角小于第二面切夾角。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改進(jìn)的探針探頭，其特征在于，所述第一側(cè)面與中心榫具有一相同切平面。
專(zhuān)利摘要一種改進(jìn)的探針探頭，是于探針前端設(shè)有接觸部，外圍高于中心，且接觸部上形成至少平均分布環(huán)設(shè)有數(shù)個(gè)V形切槽；位于接觸部中央凸出的中心榫，中心榫高于接觸部外圍水平面；V形切槽的共切線(xiàn)，是呈上傾的趨勢(shì)，而止于中心榫一距離處；每個(gè)V形切槽中心向兩側(cè)的切夾角，第一側(cè)面切夾角小于第二面切夾角；第一側(cè)面與中心榫具有一相同切平面。本實(shí)用新型主要是提高對(duì)電子基板電性偵測(cè)的準(zhǔn)確度。
文檔編號(hào)G01R1/067GK202133690SQ201120164560
公開(kāi)日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2011年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月23日
發(fā)明者林仕偉 申請(qǐng)人:家原探針工業(yè)有限公司