專利名稱：用于手動(dòng)探針臺(tái)標(biāo)記晶粒的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，屬于一種標(biāo)記裝置，尤其涉及一種用于手動(dòng)探針臺(tái)標(biāo)記晶粒的裝置。
背景技術(shù)：
手動(dòng)探針臺(tái)是半導(dǎo)體測(cè)試分析中常用的工具，主要用于半導(dǎo)體產(chǎn)品的DC參數(shù)測(cè)試。在使用手動(dòng)探針臺(tái)對(duì)晶圓上各個(gè)晶粒測(cè)試的過程中，如果遇到合適的晶粒需要做后續(xù)的分析就需要對(duì)其進(jìn)行標(biāo)記。由于晶粒太小，標(biāo)記晶粒對(duì)工程師而言是一個(gè)麻煩且容易出錯(cuò)的事情。使用手動(dòng)探針臺(tái)測(cè)試時(shí)，對(duì)晶粒做標(biāo)記的方法主要有兩個(gè)，一種方法是用肉眼看準(zhǔn)需要做標(biāo)記的晶粒，然后移動(dòng)晶圓至合適位置，用記號(hào)筆在晶粒的周圍做標(biāo)記，另一種方法是通過肉眼記錄下晶粒的坐標(biāo)，測(cè)試完后再對(duì)晶粒做標(biāo)記。這兩種方法都存在很多不足， 如肉眼數(shù)晶粒不僅麻煩而且很容易出錯(cuò)；如果晶粒很小，用記號(hào)筆對(duì)晶粒標(biāo)記的過程中可能對(duì)焊盤造成污染，同時(shí)記號(hào)筆標(biāo)記必然要污染周邊的晶粒；而且，記號(hào)筆在晶粒周邊的標(biāo)記如果覆蓋到了多個(gè)晶粒，在后期的分析中容易弄錯(cuò)晶粒。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種用于手動(dòng)探針臺(tái)標(biāo)記晶粒的裝置，可以快速準(zhǔn)確地對(duì)晶粒做標(biāo)記。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的用于手動(dòng)探針臺(tái)標(biāo)記晶粒的裝置，包括安裝在探針臺(tái)上的基座和安裝在基座上的標(biāo)記探針，所述標(biāo)記探針為由外殼包裹的墨芯，墨芯的前端伸出外殼并形成有一探針尖，所述基座上設(shè)有調(diào)整標(biāo)記探針位置的旋鈕。進(jìn)一步地，所述旋鈕包括分別調(diào)整標(biāo)記探針三個(gè)方向位置的X旋鈕、Y旋鈕和Z旋鈕。其中優(yōu)選的，所述墨芯固定在中空的外殼中，其前端垂直向下彎折形成探針尖。進(jìn)一步地，所述墨芯的直徑為3mm 10mm，探針尖的直徑為0. 5mm 2mm。其中，所述外殼為金屬外殼或者塑料外殼。本實(shí)用新型通過在手動(dòng)探針臺(tái)上安裝專門用于標(biāo)記的裝置，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，能反復(fù)利用，并且可以快速準(zhǔn)確對(duì)所需晶粒進(jìn)行標(biāo)記，不會(huì)對(duì)焊盤和周邊晶粒造成污染，大大提高了工作效率。
以下結(jié)合附圖
與具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明附圖是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。其中附圖標(biāo)記說明如下1為基座；2為標(biāo)記探針；21為外殼；22為墨芯；23為探針尖；3為X旋鈕；4為Y旋鈕；5為Z旋鈕。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的用于手動(dòng)探針臺(tái)標(biāo)記晶粒的裝置，如附圖所示，該裝置包括安裝在探針臺(tái)上的基座1和安裝在基座1上的標(biāo)記探針2。所述標(biāo)記探針2為由外殼21包裹的墨芯22，墨芯22的前端伸出外殼21并形成有一探針尖23，所述基座1上設(shè)有調(diào)整標(biāo)記探針 2位置的旋鈕。旋鈕包括分別調(diào)整標(biāo)記探針2三個(gè)方向位置的X旋鈕3、Y旋鈕4和Z旋鈕 5，通過調(diào)節(jié)基座1的的三個(gè)旋鈕可以調(diào)整探針尖23在空間中的位置。所述墨芯22固定在中空的外殼21中，其前端垂直向下彎折形成探針尖23。所述墨芯22的直徑為3mm 10mm，探針尖23的直徑為0. 5mm 2mm，墨芯22中含有墨汁，探針尖23與晶粒接觸時(shí)能夠點(diǎn)出墨跡。所述外殼21可以為金屬外殼，也可以為塑料外殼。本裝置在使用中，先將基座1安裝在手動(dòng)探針臺(tái)上，調(diào)節(jié)X旋鈕3和Y旋鈕4，使探針處于所測(cè)量晶粒的正上方；當(dāng)需要對(duì)晶粒進(jìn)行標(biāo)記時(shí)，調(diào)節(jié)Z旋鈕5使探針尖23向下移動(dòng)與晶粒表面接觸，點(diǎn)出墨跡即可完成標(biāo)記；移動(dòng)晶圓到下一個(gè)晶粒進(jìn)行測(cè)試時(shí)，探針會(huì)始終處在所測(cè)晶粒的正上方，而不需要再調(diào)節(jié)X旋鈕3和Y旋鈕4。本實(shí)用新型通過在手動(dòng)探針臺(tái)上安裝專門用于標(biāo)記的裝置，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，能反復(fù)利用，并且可以快速準(zhǔn)確對(duì)所需晶粒進(jìn)行標(biāo)記，不會(huì)對(duì)焊盤和周邊晶粒造成污染，大大提高了工作效率。以上通過具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在不脫離本實(shí)用新型原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可對(duì)基座的結(jié)構(gòu)、標(biāo)記探針的結(jié)構(gòu)、形狀和尺寸等做出許多變形和等效置換，這些也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種用于手動(dòng)探針臺(tái)標(biāo)記晶粒的裝置，其特征在于該裝置包括安裝在探針臺(tái)上的基座⑴和安裝在基座⑴上的標(biāo)記探針O)，所述標(biāo)記探針⑵為由外殼包裹的墨芯(22)，墨芯02)的前端伸出外殼并形成有一探針尖(23)，所述基座(1)上設(shè)有調(diào)整標(biāo)記探針( 位置的旋鈕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于手動(dòng)探針臺(tái)標(biāo)記晶粒的裝置，其特征在于所述旋鈕包括分別調(diào)整標(biāo)記探針⑵三個(gè)方向位置的X旋鈕(3)、Y旋鈕(4)和Z旋鈕(5)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于手動(dòng)探針臺(tái)標(biāo)記晶粒的裝置，其特征在于所述墨芯 (22)固定在中空的外殼中，其前端垂直向下彎折形成探針尖03)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于手動(dòng)探針臺(tái)標(biāo)記晶粒的裝置，其特征在于所述墨芯 (22)的直徑為3mm 10mm，探針尖的直徑為0. 5mm 2mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的用于手動(dòng)探針臺(tái)標(biāo)記晶粒的裝置，其特征在于所述外殼為金屬外殼或者塑料外殼。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于手動(dòng)探針臺(tái)標(biāo)記晶粒的裝置，包括安裝在探針臺(tái)上的基座和安裝在基座上的標(biāo)記探針，所述標(biāo)記探針為由外殼包裹的墨芯，墨芯固定在中空的外殼中，其前端伸出外殼并垂直向下彎折形成探針尖；所述基座上設(shè)有調(diào)整標(biāo)記探針位置的X旋鈕、Y旋鈕和Z旋鈕；所述墨芯的直徑為3mm～10mm，探針尖的直徑為0.5mm～2mm。本實(shí)用新型通過在手動(dòng)探針臺(tái)上安裝專門用于標(biāo)記的裝置，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，能反復(fù)利用，并且可以快速準(zhǔn)確對(duì)所需晶粒進(jìn)行標(biāo)記，不會(huì)對(duì)焊盤和周邊晶粒造成污染，大大提高了工作效率。
文檔編號(hào)G01R31/26GK202307806SQ20112032524
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月1日
發(fā)明者曾志敏, 謝杰, 馬香柏 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司