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高能光子檢測(cè)器的制作方法

文檔序號(hào):5938014閱讀:424來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:高能光子檢測(cè)器的制作方法
高能光子檢測(cè)器本發(fā)明主要涉及典型地超過(guò)O. 5MeV的高能光子的檢測(cè)器。這樣的檢測(cè)器可用于例如用于臨床或生物學(xué)應(yīng)用的正電子發(fā)射斷層掃描術(shù)(PET)中,用于核物理學(xué)研究中,以及更常用于測(cè)量光子能量。PET主要在例如醫(yī)學(xué)和制藥領(lǐng)域中用于檢測(cè)高能光子,即超過(guò)O. 5MeV的光子,在所述應(yīng)用領(lǐng)域中,具體來(lái)說(shuō),它能夠相對(duì)于特別是人類或動(dòng)物體內(nèi)待獲取的體內(nèi)生物器官或組織進(jìn)行成像。與用于其他核醫(yī)學(xué)檢查的方式相同,執(zhí)行PET檢查需要注射放射性示蹤劑。示蹤劑由分子載體和能夠?qū)λ龇肿釉谏矬w內(nèi)的分布進(jìn)行定位的放射性同位素構(gòu)成。同位素的選擇一方面由決定標(biāo)記概率的化學(xué)性質(zhì)所決定,另一方面由能夠?qū)Πl(fā)射的輻射進(jìn)行外部檢測(cè)的衰減方式所決定。對(duì)于其實(shí)施來(lái)說(shuō),PET與其他核醫(yī)學(xué)技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)之一,在于它具有多種生物學(xué)重要的化學(xué)元素用于在其部署時(shí)進(jìn)行標(biāo)記。事實(shí)上,在生物系統(tǒng)的四種主要組成成分中,正好有三種確實(shí)具有通過(guò)正電子發(fā)射進(jìn)行衰變的同位素碳11,氮13和氧·15。其臨床開(kāi)發(fā)的獲得是由于容易整合到參與代謝的分子中的氟18 (18F)。因此,PET能夠跟蹤這樣的代謝,特別是能夠檢測(cè)具有高葡萄糖消耗的區(qū)域,例如致癌區(qū)域。因此,參考

圖1,PET是基于研究源102中正電子100的發(fā)射,使得該正電子100被湮滅或衰減,產(chǎn)生兩個(gè)各自具有51 IkeV能量的Y光子104和106,所述兩個(gè)、光子在實(shí)踐中從衰減點(diǎn)108沿著相反方向共線發(fā)射。由于圍繞正電子源102的光子檢測(cè)器110,在將檢測(cè)器110的體積中檢測(cè)光子104和106的兩個(gè)點(diǎn)114和116相連的線段112的支持下,可以確定衰減點(diǎn)108。因此,在實(shí)踐中用放射性產(chǎn)物標(biāo)記的生物學(xué)重要分子例如糖(或多巴胺等)對(duì)患者進(jìn)行注射。比正常細(xì)胞活性更高的癌細(xì)胞將優(yōu)先吸收這種不被細(xì)胞代謝的特殊糖。放射性標(biāo)記物、通常為氟18,通過(guò)發(fā)射正電子(電子的反粒子)進(jìn)行衰變,所述正電子反過(guò)來(lái)與來(lái)自于環(huán)境的電子湮滅,同時(shí)沿著兩個(gè)相反方向發(fā)射兩個(gè)Y光子(具有511keV的確定能量)。然后通過(guò)數(shù)百萬(wàn)線段例如線段112的重構(gòu),可以通過(guò)對(duì)比度來(lái)表示高光子發(fā)射區(qū)域與弱光子發(fā)射區(qū)域,這兩個(gè)區(qū)域分別產(chǎn)生存在高濃度同位素的區(qū)域與存在低濃度同位素的區(qū)域。PET儀器的臨床醫(yī)師所需要的結(jié)果與儀器的總體性能有關(guān)(參見(jiàn)下文),但是也與最終圖像的精密度有關(guān)。在這里,在定義引起待獲得的這種精密度的參數(shù)之前,回想一下PET檢測(cè)器中Y光子檢測(cè)的機(jī)制將是有用的。當(dāng)Y光子穿透到檢測(cè)器中時(shí),它通過(guò)幾種方式與檢測(cè)介質(zhì)相互作用。最通常情況下,Y光子通過(guò)康普頓效應(yīng)相互作用并在電子上散射而不執(zhí)行其能量的總體轉(zhuǎn)移。有時(shí)使用由康普頓效應(yīng)引起的相互作用,但總體來(lái)說(shuō),它們是低效率的來(lái)源。被稱為“光電作用”的相互作用傳遞正電子衰減的信號(hào)這種相互作用迅速散逸來(lái)自入射光子的任何能量(51IkeV)。用于比較不同檢測(cè)器的重要參數(shù)之一是“光電比”,即光電吸收橫截面與總橫截面的比率。它取決于檢測(cè)器中使用的介質(zhì)。另一種參數(shù)是Y光子在與介質(zhì)相互作用之前所覆蓋的距離。該距離用“衰減長(zhǎng)度”來(lái)表示,跨越的介質(zhì)越稠密,它越小。在光電相互作用期間產(chǎn)生的光電子一般在短距離內(nèi)被檢測(cè)介質(zhì)吸收。它可能與其中存在的分子反應(yīng),以-將它們電離并導(dǎo)致“電離電子”的形成,-激發(fā)它們并產(chǎn)生“閃爍光子”。在常規(guī)的PET裝置中,通過(guò)“光探測(cè)器”器件檢測(cè)閃爍光子能夠計(jì)算沉積在無(wú)機(jī)閃爍晶體中的能量并對(duì)檢測(cè)進(jìn)行計(jì)時(shí)。被定義為每MeV沉積的能量所產(chǎn)生的閃爍光子數(shù)量的“閃爍產(chǎn)率”也是一個(gè)重要參數(shù),因?yàn)閷?duì)于某些PET系統(tǒng)來(lái)說(shuō),它影響能量分辨率(能夠排除能量不對(duì)應(yīng)于正電子衰減特有的511keV的光子的分辨率)。這種閃爍現(xiàn)象產(chǎn)生的光子具有 由被稱為閃爍衰減時(shí)間常數(shù)的指數(shù)性衰減時(shí)間常數(shù)τ s所描述的時(shí)間分布。發(fā)光閃爍衰減的時(shí)間常數(shù)^和閃爍產(chǎn)率對(duì)“時(shí)間分辨率”具有直接影響,所述時(shí)間分辨率可以被定義為檢測(cè)器檢測(cè)相互作用的時(shí)間的不確定性。由于它決定了允許檢測(cè)器將來(lái)自正電子衰減的閃爍光子的兩次檢測(cè)相關(guān)聯(lián)(“并發(fā)現(xiàn)象(coincidencephenomenon),,)的時(shí)間窗口的持續(xù)時(shí)間,因此它是重要的參數(shù)。在某些原型檢測(cè)器(液態(tài)氙、CdTe)中,“電離電子”被收集在電荷收集平板(plane)上,以便能夠根據(jù)情況進(jìn)行幾何參照和/或測(cè)量收集的能量。臨床醫(yī)師所需要的結(jié)果不僅與最終圖像的精密度相關(guān),而且與有效性(即檢測(cè)到的正電子衰減的百分率)相關(guān),有效性的增加具有減少患者和衛(wèi)生護(hù)理人員的輻射的直接結(jié)果。目前的PET儀器的有效性很少超過(guò)I至2%。這種水平是非常低的,這是因?yàn)橛烧娮影l(fā)出的大部分Y光子在所研究的生物體中(效率在1%至9%之間變化)或檢測(cè)介質(zhì)中(效率通常低于30%)經(jīng)歷康普頓效應(yīng)。提高PET儀器的“檢測(cè)器”部分的效率,是能夠增加PET儀器的總體產(chǎn)率的方式之一??紤]其運(yùn)行,PET檢測(cè)器固有地依賴于三種分辨率-所執(zhí)行的測(cè)定(線段例如線段112的重構(gòu))的空間分辨率,該空間分辨率受到正電子在被電子湮滅之前在統(tǒng)計(jì)學(xué)上所覆蓋的O. 8mm-l. 5mm量級(jí)上的距離(該值取決于所使用的標(biāo)記物同位素;例如對(duì)氟18來(lái)說(shuō)它是1mm,對(duì)碳11來(lái)說(shuō)是I. 1mm,對(duì)氮13來(lái)說(shuō)是
I.4mm,對(duì)氧15來(lái)說(shuō)是I. 5mm)的限制;-時(shí)間分辨率(如上所定義),其典型在幾納秒的量級(jí)上;-能量分辨率,其能夠排除能量不對(duì)應(yīng)于正電子衰減所特有的511keV的光子。典型情況下,這種被排除的光子例如通過(guò)康普頓效應(yīng)產(chǎn)生,所述康普頓效應(yīng)產(chǎn)生于光子107在源102上散射而不執(zhí)行其能量的總體轉(zhuǎn)移時(shí),使得同樣的光子107作為由此偏離的光子軌跡而產(chǎn)生隨后的假性檢測(cè)109。圖2的表顯示了隨著用于檢測(cè)的介質(zhì)的不同,PET檢測(cè)器的不同物理參數(shù)。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是,在PET中使用的大部分檢測(cè)器110是基于使用與光探測(cè)器件(例如光電倍增管或雪崩光電二極管ADP)偶聯(lián),以及可能不久之后與作為“半導(dǎo)體光電倍增管”家族的一部分的多像素光子計(jì)數(shù)器(MPPC)偶聯(lián)的基于晶體的無(wú)機(jī)閃爍劑(例如化學(xué)式為Bi3Ge4O12的BGO或化學(xué)式為L(zhǎng)u2SiO5 = Ce的LS0)。這些晶體特別以高密度為特征,以便增加物質(zhì)與待吸收光子的相互作用機(jī)會(huì)(密度一般大于6,單位為g. cm-3)。這種密度允許低的衰減長(zhǎng)度(對(duì)于LSO來(lái)說(shuō),在2. 2cm的活性厚度上光電轉(zhuǎn)化率典型為95% )。LSO具有在40ns量級(jí)上的衰減時(shí)間常數(shù),由于其優(yōu)越的閃爍產(chǎn)率(在每MeV沉積的能量30000個(gè)閃爍光子的級(jí)別上),能夠達(dá)到I至3納秒的時(shí)間分辨率。在檢測(cè)后,檢測(cè)器在被稱為空載時(shí)間(dead time)的短時(shí)間段內(nèi)不能進(jìn)行第二次檢測(cè)。在這種情況下,LSO晶體表現(xiàn)出短的空載時(shí)間(在IOOns的量級(jí)上,相當(dāng)于衰減時(shí)間常數(shù)τ s的兩或三倍),其能夠有效地監(jiān)測(cè)PET儀器所需的檢測(cè)頻率(在每cm2幾KHz的量級(jí)上)。然而,LSO類型的基于晶體的無(wú)機(jī)閃爍劑存在某些困難,特別是低的光電比——目前為30%,這導(dǎo)致由康普頓效應(yīng)接收的光子損失70%。此外,由晶體閃爍產(chǎn)率決定的能量分辨率仍然不足,在511keV時(shí)在15%的量級(jí)上。 此外,相互作用的定位與所使用的晶體的尺寸直接關(guān)聯(lián)。一般使用橫向維度在cm量級(jí)上的晶體;使用更小的晶體涉及執(zhí)行晶體沉積物的分級(jí),引起顯著的成本超支。基于使用半導(dǎo)體例如CdTe的PET檢測(cè)器也是已知的。然而,這樣的檢測(cè)器與晶體檢測(cè)器、特別是LSO檢測(cè)器相比表現(xiàn)出更少的所需特性。因此,CdTe檢測(cè)器需要5cm的活性厚度才能轉(zhuǎn)化95 %的光子,并表現(xiàn)出非常低和甚至抑制性的光電比,其在15 %的量級(jí)上。基于使用液態(tài)氙的PET檢測(cè)器也是已知的;這樣的檢測(cè)器與晶體檢測(cè)器、特別是LSO檢測(cè)器相比也表現(xiàn)出更少的所需特性。因此,液態(tài)氙檢測(cè)器顯示出高的衰減長(zhǎng)度,并需要IOcm量級(jí)上的活性厚度才能轉(zhuǎn)化95 %的光子,光電轉(zhuǎn)化概率在21 %的量級(jí)上;此外,這些檢測(cè)器需要使用難以實(shí)施的具有液體純化系統(tǒng)的復(fù)雜低溫系統(tǒng)。最后應(yīng)該指出,在所有情形中,閃爍劑不能或不能良好地將Y光子的相互作用點(diǎn)在三個(gè)維度上定位,而是只能在兩個(gè)維度上定位。因此,相互作用深度仍然難以獲得,這導(dǎo)致目前在缺省情況下將其視為對(duì)所有事件都是一致的(在檢測(cè)器前部)。這種信息的缺乏正是當(dāng)從斷層掃描圖中心移動(dòng)時(shí)徑向空間分辨率下降的根源。通過(guò)使用小而致密的晶體以便限制它們的活性表面和厚度來(lái)限制誤差,同時(shí)保留合理的檢測(cè)有效性;然而,這樣的檢測(cè)器的成本仍然高(晶體沉積物分級(jí)),并且有效轉(zhuǎn)化光子的活性厚度仍然是無(wú)法降低的技術(shù)限制。在這種情形中,本發(fā)明的目的是通過(guò)提供高能光子檢測(cè)器來(lái)解決前面提到的缺點(diǎn),所述高能光子檢測(cè)器尤其提供了與現(xiàn)有檢測(cè)器相比明顯改進(jìn)的光電效率、低于10%的令人滿意的能量分辨率、幾納秒量級(jí)上的時(shí)間分辨率和具有良好分辨率的相互作用的三維定位,同時(shí)能夠簡(jiǎn)單地實(shí)施,特別是在醫(yī)院背景下。為此,本發(fā)明提出了高能光子檢測(cè)器,其包含-光探測(cè)器裝置;-檢測(cè)介質(zhì),其旨在通過(guò)產(chǎn)生電離電子和并伴隨發(fā)光現(xiàn)象的閃爍光子來(lái)吸收高能光子,通過(guò)所述光探測(cè)器裝置來(lái)檢測(cè);所述檢測(cè)器的特征在于所述檢測(cè)介質(zhì)由存在原子序數(shù)等于或大于72的重原子的分子形成,使得該檢測(cè)介質(zhì)在檢測(cè)器運(yùn)行條件下為液態(tài),所述檢測(cè)器包含-用于漂移由吸收的光子產(chǎn)生的電離電子的裝置;
-收集電荷的裝置,其用于在對(duì)應(yīng)于通過(guò)所述光探測(cè)器裝置檢測(cè)到發(fā)光現(xiàn)象的觸發(fā)時(shí)間的基礎(chǔ)上,確定所述電子漂移至所述電荷收集裝置的時(shí)間。本發(fā)明源自于在后面詳細(xì)描述的令人吃驚的觀察,即包含高原子序數(shù)原子的液體介質(zhì)表現(xiàn)出檢測(cè)光子的顯著特性。本發(fā)明有利地利用了與已知晶體(或其他材料例如CdTe或液態(tài)氙)相比光電比好得多(在57%的量級(jí)上)這一事實(shí)。還應(yīng)該指出,與被當(dāng)作參比晶體的LSO相比,能量分辨率更精確(低于10% )。閃爍被理解為是指產(chǎn)生由高能光子轉(zhuǎn)化而獲得的電子所產(chǎn)生的光的任何過(guò)程。由于這種檢測(cè)器的結(jié)構(gòu),可以在三維上測(cè)量相互作用位置(即閃爍光子的產(chǎn)生),這是由于電荷收集裝置(典型為置于像素化電荷收集板之前的Frisch柵)提供了對(duì)應(yīng)其 表面區(qū)域的兩個(gè)維度的指示,同時(shí)根據(jù)電離電子從閃爍被光探測(cè)器裝置(典型為光電倍增管或APD)檢測(cè)到至到達(dá)收集裝置所需的漂移時(shí)間,可以確定相互作用在檢測(cè)器厚度上的位置。此外,在一方面,使用優(yōu)選為低極性或非極性的液態(tài)檢測(cè)介質(zhì),能夠在相對(duì)大的距離上觀察到電子的位移,從而提高檢測(cè)的分辨率,并且在另一方面能夠獲得納秒量級(jí)上的閃爍衰減時(shí)間。因此,本發(fā)明的檢測(cè)器使用下列部件來(lái)操作-檢測(cè)介質(zhì)(在使用條件下為液態(tài)),其包含典型情況下原子序數(shù)等于或大于72的重原子,所述重原子在分子內(nèi)的質(zhì)量分?jǐn)?shù)優(yōu)選高(有利情況下等于或大于20 %,更有利情況下大于50% )。原子序數(shù)等于或大于72的原子以例如絡(luò)合物或聚集體的形式存在于有機(jī)分子中。這種無(wú)放射性的檢測(cè)介質(zhì)能夠使電離電子漂移。有利情況下它是透亮和閃爍的,即使僅僅輕微地。通過(guò)以低質(zhì)量比例摻入閃爍添加劑,可以將其制造成閃爍的。這種檢測(cè)介質(zhì)優(yōu)選是非極性(或輕微極性)和質(zhì)子惰性的,以便能夠更有效地漂移電子;-光探測(cè)器裝置,其參與獲得良好的時(shí)間分辨率和相互作用位置的三維重構(gòu);-電荷收集裝置,其能夠測(cè)量沉積在檢測(cè)器中的能量和相互作用在二維上的位置。單獨(dú)地或按照所有技術(shù)上可能的組合來(lái)考慮,本發(fā)明的檢測(cè)器也可以存在一種或多種下列特征-所述檢測(cè)介質(zhì)是非極性的;-所述檢測(cè)介質(zhì)是質(zhì)子惰性的;-所述重原子(例如W、Hg、Bi、Pb或Au原子)占據(jù)所述分子的大部分含量;-所述分子由結(jié)合于烷基類型配體的金屬原子形成;-所述分子是三甲基鉍或(CH3)3Bi;-所述檢測(cè)介質(zhì)包含閃爍添加劑;這種添加劑可以由與主要檢測(cè)液體具有相同性質(zhì)的分子形成,以便能夠漂移電荷;-所述閃爍添加劑是烷烴;-所述光探測(cè)器裝置由下列器件之一形成O光電倍增管;ο雪崩光電二極管;ο MMPC或多像素光子計(jì)數(shù)器;-所述電荷收集裝置包含F(xiàn)risch柵;
-所述電荷收集裝置包含平板,其配備有能夠?qū)⑵齐娮釉谒銎桨逯卸ㄎ坏亩鄠€(gè)像素。本發(fā)明的另一個(gè)目的是包含至少一種本發(fā)明的檢測(cè)器的正電子發(fā)射斷層掃描設(shè)備。從下面給出的說(shuō)明性而非限制性目的的描述并參考隨附的圖,本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將清楚地出現(xiàn),在所述附圖中-圖I已描述過(guò),其示意顯示了現(xiàn)有技術(shù)的PET的實(shí)施,-圖2已部分描述過(guò),其顯示了可以在PET檢測(cè)器中使用的不同材料的物理參數(shù),并且
-圖3示意并部分顯示了符合本發(fā)明的檢測(cè)器。參考圖3,部分顯示了符合本發(fā)明的檢測(cè)器400,其包含形成電離室的外殼411,所述外殼中填充有高能光子403檢測(cè)器介質(zhì)402或檢測(cè)介質(zhì)。這種檢測(cè)介質(zhì)402由液體形成,所述液體優(yōu)選為非極性的(即具有為零的永久偶極矩),質(zhì)子惰性的(即缺少能夠形成氫鍵的氫原子),并在有利情況下是電子穩(wěn)定的,即軌道是滿的。優(yōu)選情況下,這種液體主要由包含至少一種原子序數(shù)大于72的原子的分子形成,所述原子典型為金屬原子例如鎢(W,Z = 74)、金(Au,Z = 79)、汞(Hg,Z = 80)、鉛(Pb,Z=82)或優(yōu)選為秘(Z = 83)。因此,在這種實(shí)施方案中,這種原子是鉍,其與三個(gè)甲基配體結(jié)合形成分子Bi (CH3)3,也可以表示成TMBi (三甲基鉍),所述分子在通常的慣用使用溫度(即-40°C至60°C)下為液態(tài),并且可以以可工業(yè)化的價(jià)格在市場(chǎng)上獲得。使用的檢測(cè)介質(zhì)402在檢測(cè)器400的運(yùn)行條件下必須是液態(tài)(換句話說(shuō),可以設(shè)想介質(zhì)在檢測(cè)器運(yùn)行條件之外處于另一種相,例如固相)。使用的液體填滿所有外殼411并必須盡可能純(即氧當(dāng)量污染在O. Ippb的量級(jí))。應(yīng)該指出,TMBi在純液態(tài)介質(zhì)中表現(xiàn)出低密度(2,3),這導(dǎo)致更加受限的捕獲光子數(shù)(85% ),對(duì)于晶體(圖3)例如LSO來(lái)說(shuō)相應(yīng)值為95%。然而,與已知晶體(或其他材料例如CdTe或液態(tài)氙)相比,光電比(即光電吸收橫截面與總橫截面的比率)似乎好得多(在57%的量級(jí)上,圖3)。應(yīng)該指出,與被當(dāng)作參比晶體的LSO相比,能量分辨率更精確(低于10% )。此外,TMBi表現(xiàn)出短的發(fā)光閃爍衰減時(shí)間常數(shù)τ s (在納秒的量級(jí)上),減少了并發(fā)時(shí)間窗口,從而擯棄了顯著數(shù)量的隨機(jī)并發(fā)。TMBi以及更通常來(lái)說(shuō)所定義的檢測(cè)介質(zhì)402還表現(xiàn)出在形成的液體中,電荷漂移能夠在150微米量級(jí)上的距離內(nèi)將相互作用定位在電荷收集板中的優(yōu)點(diǎn)。由于這樣的特性,這種介質(zhì)表現(xiàn)出特別顯著的用于檢測(cè)光子的性質(zhì)。事實(shí)上,液體的非極性、質(zhì)子惰性和電子穩(wěn)定性質(zhì),允許其具有與液體稀有氣體的行為接近的行為,其能夠使電荷漂移并產(chǎn)生電離信號(hào)與特別縮短的閃爍衰減時(shí)間(參見(jiàn)圖2 :對(duì)于氙來(lái)說(shuō)為4ns)的組合。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn),除了所使用的吸收劑材料之外,本發(fā)明的檢測(cè)器400與現(xiàn)有檢測(cè)器的區(qū)別還在于它不使用閃爍來(lái)定量檢測(cè)器中沉積的能量或直接確定相互作用的定位,而是對(duì)相互作用計(jì)時(shí)(正如我們將在說(shuō)明書的剩余部分中解釋的),然后如果需要,在檢測(cè)器的厚度中重構(gòu)相互作用位置。因此,電離室411的檢測(cè)介質(zhì)402位于彼此面對(duì)的兩塊板之間-第一塊是光探測(cè)板404(這塊板404使用例如光電倍增管或雪崩光電二極管APD或 MMPC);-第二塊板406是位于像素化電路之前的Frisch柵類型的板(像素410典型地具有mm量級(jí)上的尺寸,其定義了相對(duì)于相互作用定位的空間分辨率)。第一塊板的光探測(cè)器裝置404的重要參數(shù)是量子效率、增益和脈沖上升時(shí)間。光電倍增管在增益和上升時(shí)間方面出色,但是體積大并且通常不是非常高效?,F(xiàn)在優(yōu)選使用APD來(lái)檢測(cè)閃爍光子。AdvancedPhotonix 公司銷售具有非常令人關(guān)注的結(jié)果的APD,例如 具有下列參考號(hào)的APD :SD630-70-74-500。電源裝置使得能夠在兩塊板404與406之間施加電勢(shì)差(在這里為-IOkV-OkV),以便在電離室411內(nèi)產(chǎn)生電場(chǎng)。所述電場(chǎng)基本上垂直于板404和406。本發(fā)明的檢測(cè)器400的運(yùn)行原理如下。檢測(cè)介質(zhì)402從正電子湮滅接收Y光子,并基本上通過(guò)光電效應(yīng)將Y光子403的能量轉(zhuǎn)變成光408 (閃爍光子)和電荷(自由離子-電子對(duì),被稱為電離)。然后第一塊光探測(cè)板404檢測(cè)閃爍光子408,以在檢測(cè)器400中傳遞相互作用的“信號(hào)”(在相互作用后幾納秒)。由此第一塊板404能夠?qū)ο嗷プ饔眠M(jìn)行定時(shí)(觸發(fā)時(shí)間的確定)。由電離輻射釋放的電離電子405在電場(chǎng)作用下向板406漂移,它們?cè)谀抢锉皇占?br> 和定量。因此,在光子403被檢測(cè)介質(zhì)402吸收后形成的電荷(電離電子),以與它們相對(duì)于像素化電路的距離D成比例的持續(xù)時(shí)間漂移。電離電子在特定像素410上的收集能夠使得在兩個(gè)維度上(即作為板404和406的平面的平面Z-X中)對(duì)相互作用進(jìn)行定位。對(duì)于由第二塊板406形成的電荷收集裝置來(lái)說(shuō),當(dāng)人們希望通過(guò)測(cè)量收集到的電荷獲得良好的能量分辨率時(shí),F(xiàn)risch柵是特別有用的。位于Frisch柵后面的電荷收集平板可以被精細(xì)地像素化。如果人們希望讀取稠密像素化的電荷收集平板,可以求助于ASIC技術(shù)。此外,如上所述,從光探測(cè)板404檢測(cè)到閃爍開(kāi)始測(cè)量電離電子405在電離室411中的漂移時(shí)間。因此,知道了電離電子的起始時(shí)間和漂移時(shí)間,可以推導(dǎo)出平行于漂移電場(chǎng),即在檢測(cè)器400的厚度中(即沿著y軸)的經(jīng)過(guò)的距離D。因此該距離在檢測(cè)器400的厚度中對(duì)相互作用進(jìn)行定位。由于像素410的柵406提供了關(guān)于對(duì)應(yīng)于其表面區(qū)域的兩個(gè)維度(所示標(biāo)志的軸X和y)的指示,同時(shí)可以容易地確定作為電子在已知電場(chǎng)中所需的漂移時(shí)間的函數(shù)的距離D并由此確定在所示y軸上的相互作用的位置,因此檢測(cè)器能夠?qū)ο嗷プ饔梦恢?即閃爍光子的產(chǎn)生)進(jìn)行三維測(cè)量。通過(guò)將上面描述的介質(zhì)和結(jié)構(gòu)相組合,理論評(píng)估確定了光電有效性為57%,能量分辨率為10%,時(shí)間分辨率為幾納秒,在三維上相互作用定位的精度為I毫米。應(yīng)該指出,在例如TMBi的材料中閃爍產(chǎn)率低得多這一事實(shí)在這里并不太重要(閃爍的出現(xiàn)才是重要的),這是因?yàn)殚W爍僅僅用于確定沿著電場(chǎng)軸的初始電子漂移時(shí)間。還應(yīng)該指出,二維分辨率由像素化分辨率(即位于Frisch柵406后面的電荷收集板上的像素410的尺寸和間隔)提供。因此,符合本發(fā)明的檢測(cè)器表現(xiàn)出比現(xiàn)有檢測(cè)器更高的效率。本發(fā)明能夠進(jìn)行許多改變,特別是在液體中使用的重金屬的種類和數(shù)量方面,盡管已證明鉍是特別有效的候選者。此外,包含重原子的有機(jī)分子的結(jié)構(gòu)可以改變典型情況下,它對(duì)應(yīng)于與一個(gè)或多個(gè)重原子結(jié)合的有機(jī)配體。配體一般對(duì)應(yīng)于烷基或環(huán)烷基鏈。有利情況下,配體不包含可能誘導(dǎo)分子極化的原子。·此外,這些重原子可以以單核或多核絡(luò)合物或亞微米尺寸粒子的形式使用。此外也已清楚,符合本發(fā)明的檢測(cè)器可以應(yīng)用于不同應(yīng)用,特別是對(duì)于大尺寸生物體(人體PET)、中尺寸生物體(人體的一部分的PET)或小尺寸生物體(“小動(dòng)物” PET)來(lái)說(shuō),以及以特別有趣的方式,在臨床前和藥理學(xué)研究的背景中執(zhí)行幾個(gè)小動(dòng)物的同時(shí)成像。事實(shí)上,小動(dòng)物PET占PET裝置的90% ;目前,小動(dòng)物PET在逐個(gè)個(gè)體的基礎(chǔ)上執(zhí)行,而符合本發(fā)明的檢測(cè)器通過(guò)有利地使用三維定位,在個(gè)體從斷層掃描圖中心移動(dòng)時(shí),在徑向空間分辨率降低的源頭處減輕與缺少信息相關(guān)的問(wèn)題,能夠?qū)讉€(gè)個(gè)體同時(shí)進(jìn)行PET。
權(quán)利要求
1.高能光子(403)檢測(cè)器(400),其包括 -光探測(cè)器裝置(404); -檢測(cè)介質(zhì)(402),其旨在通過(guò)產(chǎn)生電離電子(405)和伴隨發(fā)光現(xiàn)象的光子(408)來(lái)吸收高能光子(403),通過(guò)所述光探測(cè)器裝置(404)來(lái)檢測(cè); 所述檢測(cè)器(400)的特征在于所述檢測(cè)介質(zhì)(402)由存在原子序數(shù)等于或大于72的重原子(W、Hg、Bi、Pb、Au)的分子形成,使得該檢測(cè)介質(zhì)(402)在檢測(cè)器運(yùn)行條件下為液態(tài),所述檢測(cè)器(400)包括 -用于漂移由被吸收的光子(403)產(chǎn)生的電離電子(405)的裝置; -收集電荷的裝置(406),其用于在對(duì)應(yīng)于通過(guò)所述光探測(cè)器裝置(404)檢測(cè)到發(fā)光現(xiàn)象的觸發(fā)時(shí)間的基礎(chǔ)上,確定所述電子(405)漂移至所述電荷收集裝置(406)的時(shí)間。
2.權(quán)利要求I的光子檢測(cè)器(400),其特征在于所述檢測(cè)介質(zhì)(402)是非極性的。
3.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的光子檢測(cè)器(400),其特征在于所述檢測(cè)介質(zhì)(402)是質(zhì)子惰性的。
4.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的光子檢測(cè)器(400),其特征在于所述重原子(W、Hg、Bi、Pb、Au)占所述分子的大部分含量。
5.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的光子檢測(cè)器(400),其特征在于所述分子由結(jié)合于烷基類型配體的金屬原子(W、Hg、Bi、Pb、Au)形成。
6.權(quán)利要求5的檢測(cè)器(400),其特征在于所述分子是三甲基鉍或(CH3)3Bi15
7.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的檢測(cè)器(400),其特征在于所述檢測(cè)介質(zhì)包含閃爍添加劑。
8.權(quán)利要求7的光子檢測(cè)器(400),其特征在于所述閃爍添加劑是烷烴。
9.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的光子檢測(cè)器(400),其特征在于所述光探測(cè)器裝置(404)由下列器件之一形成 -光電倍增管; -雪崩光電二極管; -MMPC或多像素光子計(jì)數(shù)器。
10.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的光子檢測(cè)器(400),其特征在于所述電荷收集裝置(406)包括 Frisch 柵。
11.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的光子檢測(cè)器(400),其特征在于所述電荷收集裝置(406)包括平板,其配備有能夠?qū)⑵齐娮釉谒銎桨逯卸ㄎ坏亩鄠€(gè)像素。
12.正電子發(fā)射斷層掃描設(shè)備,其包括至少一種權(quán)利要求I至11任一項(xiàng)的檢測(cè)器。
全文摘要
本發(fā)明涉及高能光子(403)的檢測(cè)器(400),所述檢測(cè)器包括光探測(cè)器裝置(404)和旨在吸收高能光子(403)并產(chǎn)生電離電子(405)和伴隨發(fā)光現(xiàn)象的光子(408)的檢測(cè)介質(zhì)(402),所述電子和光子通過(guò)所述光探測(cè)器裝置(404)檢測(cè)。所述檢測(cè)介質(zhì)(402)由具有原子序數(shù)大于或等于72的重原子的分子形成,使得所述檢測(cè)介質(zhì)(402)在檢測(cè)器的運(yùn)行條件下為液態(tài)。所述檢測(cè)器(400)還包括用于漂移由被吸收的光子(403)產(chǎn)生的電離電子(405)的裝置,此外還包括收集電荷的裝置(406),以便在對(duì)應(yīng)于通過(guò)所述光探測(cè)器裝置(404)檢測(cè)到發(fā)光現(xiàn)象的觸發(fā)時(shí)間的基礎(chǔ)上,確定將所述電子(405)漂移至所述電荷收集裝置(406)的時(shí)間。
文檔編號(hào)G01T1/29GK102884446SQ201180015449
公開(kāi)日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2011年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月22日
發(fā)明者D·F·M·伊瑪, J·P·雷諾 申請(qǐng)人:法國(guó)原子能及替代能源委員會(huì)
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