專利名稱：利用熱分析分析光電分層系統(tǒng)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明針對制造用于光電能量產(chǎn)生的設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域并且涉及一種用于評價、定量分析光電分層系統(tǒng)的方法。
背景技術(shù)：
太陽能電池能夠直接把光輻射轉(zhuǎn)換為電流。關(guān)于效率薄層太陽能電池基于多晶體的黃銅礦半導(dǎo)體證明是有益的。在此特別是銅-銦二價硒化物(CuInSe2或者CIS)基于其與太陽光光譜匹配的能帶寬度特征在于特別高的吸收系數(shù)。薄層太陽電池為了足夠的機(jī)械強(qiáng)度需要特殊的支撐基底，其大部分包含無機(jī)玻璃、聚合物或金屬合金并且依賴于層厚度和材料特性可以布置為硬的平板或可彎曲的薄膜。由于單個的太陽能電池典型的僅僅可以提供低于I伏的電壓，通常多個太陽能電池串聯(lián)錯接成一個太陽能模塊，以便通過這種方式獲得技術(shù)可消耗的輸出電壓。對此薄層太陽模塊提供特殊的優(yōu)點(diǎn)，太陽電池在層制造過程中就能夠以集成的形式串聯(lián)錯接。為了確保防止影響環(huán)境，太陽電池通常與無鐵的碳酸氫鈉-鈣鹽玻璃和增加附著力的聚合物薄膜一起組合成一個能經(jīng)受住風(fēng)吹雨打的復(fù)合結(jié)構(gòu)。在制造太陽能模塊時可能會出現(xiàn)各種各樣的缺陷，這些缺陷對內(nèi)部電功率消耗不利并因此降低太陽模塊的效率。如此功率消耗的主要原因例如是導(dǎo)致充電載體的復(fù)合速率局部升高的短路(Shunts)和相對較高的串聯(lián)電阻、其主要由金屬接觸電阻、引線電阻和半導(dǎo)體材料電阻以及金屬-半導(dǎo)體的接觸電阻產(chǎn)生。此外例如機(jī)械缺陷、比如裂紋、斷裂和分層或材料質(zhì)量的變化可能導(dǎo)致功率消耗。在太陽能模塊的批量生產(chǎn)中在滿足調(diào)節(jié)質(zhì)量控制的范圍內(nèi)、特別是為了滿足確定的質(zhì)量規(guī)定、識別出具有較高內(nèi)部功率消耗的太陽能模塊是重要的。已知，為了這個目的使用了特殊的紅外線測量技術(shù)，其中在太陽能模塊中產(chǎn)生一個電流并且借助于紅外線照相機(jī)拍攝太陽能模塊上表面的熱量變化圖。因為在太陽能電池中所有的基本過程始終與熱量消耗聯(lián)系在一起并且比如短路和串聯(lián)電阻的缺陷典型地具有相對較高的損耗功率，因此可以通過太陽能模塊上表面的局部溫度升高識別缺陷。在熱量變化圖中缺陷例如顯現(xiàn)為較亮(較熱)位置(“hotsport”)或區(qū)域。在科學(xué)文獻(xiàn)中該方法已經(jīng)在多個作品中詳細(xì)描述。與此有關(guān)的內(nèi)容僅僅例如參見0.Breitenstein等人在“Progress in Photovoltaics:Research and Applications”(Prog.Photovolt:Res.Appl.2003; 11:515-526)中題目為“Quantitative Evaluation of Shunts in Solar Cells by Lock-1n Thermography，，的專業(yè)論文和其中提到的引文。主要技術(shù)背景可以引用專利申請US 2010/201374 Al和US2010/182421 Al。在太陽能模塊的批量生產(chǎn)中通?？梢曡b定熱量變化圖，其中根據(jù)亮點(diǎn)數(shù)目優(yōu)質(zhì)地、主要基于鑒定經(jīng)驗判斷其質(zhì)量
發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的任務(wù)在于，提供太陽能模塊的定量分析，其能自動分析評估太陽能模塊的質(zhì)量。按照本發(fā)明的建議通過具有獨(dú)立權(quán)利要求特征的方法解決該任務(wù)和另外的任務(wù)。通過從屬權(quán)利要求的特征給出本發(fā)明的優(yōu)選設(shè)計方案。根據(jù)本發(fā)明指出了一個評估、定量分析、用于光電能量生成的分層系統(tǒng)的方法。在分層系統(tǒng)中例如通過內(nèi)部電場分離所產(chǎn)生的載流子和激子。分層系統(tǒng)主要包含至少一個形成異質(zhì)結(jié)或者Pn結(jié)、也就是說不同導(dǎo)通型區(qū)域的順序的半導(dǎo)體層。光電分層系統(tǒng)例如可能涉及一個(單個)太陽能電池、多個串聯(lián)或錯接為陣列的太陽能電池或涉及一個包含多個串聯(lián)錯接的太陽電池的太陽能模塊。太陽能模塊可能特別涉及薄層太陽能模塊，在薄層太陽能模塊中太陽電池例如以集成方式串聯(lián)錯接。如此的薄層太陽能模塊典型地包含至少一個支撐基底、以及一個第一電極層、一個第二電極層和至少一個在兩個電極層之間布置的半導(dǎo)體層。通常半導(dǎo)體層摻雜雜質(zhì)。半導(dǎo)體層可以備選摻雜一種通過固有缺陷形成導(dǎo)致固有摻雜的物質(zhì)、例如鈉。半導(dǎo)體層主要包括黃銅礦化合物、其中特別涉及由一組銅-銦-鎵-二價硫化物/ 二價硒化物(Cu ( InGa) (SSe) 2)、例如銅-銦二價硒化物(CuInSe2或者CIS)、摻雜鈉的Cu(InGa) (SSe)2或同族化合物形成的1-1I1-VI半導(dǎo)體?？墒枪怆姺窒到y(tǒng)也可能涉及在制造太陽電池或者太陽模塊時的中間產(chǎn)品，其包含至少一個形成Pn結(jié)的半導(dǎo)體層。在用于評估、定量分析光電分層系統(tǒng)的本發(fā)明方法中在分層系統(tǒng)中產(chǎn)生一個電流，通過該電流此外在分層系統(tǒng)的缺陷區(qū)域內(nèi)引起電損耗功率，如此可以通過分層系統(tǒng)上表面的、與周圍溫度相比較升高的溫度可以識別缺陷。可以通過在pn結(jié)的截止方向和/或流通方向上施加一個電壓在分層系統(tǒng)上產(chǎn)生電流?？墒且部梢钥紤]，在分層系統(tǒng)中通過光照射無接觸地產(chǎn)生電流，其中通過本發(fā)明方法以這種方式可以特別簡單地評估、定量分析在制造太陽能模塊時還沒有外部電端子的中間產(chǎn)品。在適合于檢測通過電流流過產(chǎn)生的功率損耗的時間內(nèi)、特別是與電流產(chǎn)生同時或接近，借助于熱量變化圖或者紅外線照相機(jī)產(chǎn)生光電分層系統(tǒng)的上表面熱輻射的位置可分辨的熱量變化圖。對此在太陽能模塊中可能涉及設(shè)置用于光入射的上表面。檢測熱輻射的熱量變化圖典型地基于分層系統(tǒng)的上表面的熱量分布。對此有益地應(yīng)用所謂“鎖定技術(shù)”，其中一種調(diào)制方法用于在分層系統(tǒng)中產(chǎn)生電流。由于這種方法對于理解本發(fā)明不重要并且專業(yè)人員熟知，因此不再詳細(xì)探討。(數(shù)字的)熱量變化圖作為數(shù)字光柵像由多個像素(Pixel)組成。分層系統(tǒng)的上表面相應(yīng)至少想象中可以劃分為多個面積元素，其分別被明確分配熱量變化圖的一個像素。另一方面每個像素根據(jù)附屬面積元素的上表面溫度被分配一個強(qiáng)度值作為像素值。在熱量變化圖中與具有不同表面溫度的上表面的點(diǎn)一致的像素(Pixel)具有彼此不同的強(qiáng)度值。對此相當(dāng)于上表面較熱位置的像素例如顯現(xiàn)為比較明亮并因此具有較高的強(qiáng)度值，而相當(dāng)于較冷位置的像素顯現(xiàn)為較暗并因此具有較低強(qiáng)度值。在一個備選的標(biāo)度中上表面較熱位置也可以與較暗的像素一致并且相應(yīng)較冷的位置與明亮的像素一致。也可以以假顏色顯示熱量變化圖，其中給不同顏色分配不同強(qiáng)度值。另一方面與相同表面溫度的、上表面的位置一致的像素(Pixel)具有相同的強(qiáng)度值。接下來基于熱量變化圖確定熱輻射的、涉及具有相同強(qiáng)度值像素的各自數(shù)目的強(qiáng)度分布。換種說法，為熱量變化圖的每個強(qiáng)度值確定具有該強(qiáng)度值的像素的數(shù)目。從涉及像素數(shù)目的強(qiáng)度分布中接著確定強(qiáng)度平均值或備選確定強(qiáng)度中位數(shù)。此外在強(qiáng)度分布雜散的一個可預(yù)定程度的基礎(chǔ)上確定一個基于強(qiáng)度分布的強(qiáng)度間隔。強(qiáng)度分布雜散的這個可預(yù)定程度基于強(qiáng)度平均值/中位數(shù)。最好將標(biāo)準(zhǔn)偏差或分位數(shù)(Quantil)、特別是強(qiáng)度分布的強(qiáng)度平均值/中位數(shù)的四分位數(shù)(Quartil)確定為強(qiáng)度分布雜散的程度并且基于標(biāo)準(zhǔn)偏差或者分位數(shù)確定強(qiáng)度間隔。強(qiáng)度間隔對此例如相當(dāng)于η倍的標(biāo)準(zhǔn)偏差或分位數(shù)、特別是分位數(shù)(η是十進(jìn)制數(shù)、特別是大于零的整數(shù))，例如一倍或多倍(例如二或三倍)的標(biāo)準(zhǔn)偏差或分位數(shù)、特別是四分位數(shù)。接下來通過對積求和確定特征數(shù)，其中分別通過具有相同強(qiáng)度值的像素的數(shù)目與該強(qiáng)度值相乘給出該積。對此重要的是，僅僅對于這樣的強(qiáng)度值的積求和，即其大于提高了強(qiáng)度間隔的強(qiáng)度平均值或強(qiáng)度中位數(shù)。然后如此確定的特征數(shù)或備選一個基于此的計算值與一個預(yù)定的基準(zhǔn)特征數(shù)比較，其中如果該特證數(shù)大于或等于基準(zhǔn)特征數(shù)，則給分層系統(tǒng)分配一個第一評估結(jié)果，如果該特征數(shù)小于基準(zhǔn)特征數(shù)，則分配一個不同于第一評估結(jié)果的第二評估結(jié)果。第一評估結(jié)果例如可能涉及“分層系統(tǒng)不滿足要求的質(zhì)量”的結(jié)論，第二評估結(jié)果例如可能涉及“分層系統(tǒng)滿足要求質(zhì)量”的結(jié)論。專利申請人的試驗也表明，通過本發(fā)明方法能夠簡單地對光電分層系統(tǒng)、比如太陽電池和太陽能模塊進(jìn)行自動的定量分析并評估其質(zhì)量。該方法能夠可靠并安全地識別基于缺陷而具有不希望的較高內(nèi)部功率損耗的分層系統(tǒng)，如此可以保證質(zhì)量和性能要求。正如已經(jīng)闡述的，在本發(fā)明方法中通過在pn結(jié)的截止方向和/或流通方向上施加一個電壓產(chǎn)生引起損耗功率的電流。如果在截止方向上施加電壓，主要通過半導(dǎo)體層的電阻產(chǎn)生電損耗功率，其中特別顯著地加熱在太陽能模塊中形成用于太陽能電池電串聯(lián)錯接的結(jié)構(gòu)線。另一方面通過在流通方向上施加電壓主要可以識別在光電元件范圍內(nèi)的損耗功率。在本發(fā)明的方法中有益地施加具有不同極性和/或不同電壓值的電壓，以便由此可以特別區(qū)分分層系統(tǒng)中各種各樣的缺陷。在本發(fā)明方法的另一個優(yōu)選設(shè)計方案中例如特征數(shù)除以總特征數(shù)，這樣標(biāo)準(zhǔn)化已確定的特征數(shù)。對于強(qiáng)度分布的所有強(qiáng)度值對相同強(qiáng)度值的像素數(shù)目與強(qiáng)度值相乘給出的積求和，這樣計算總特征數(shù)。在這種情況下此外有益的是，在特證數(shù)和總特征數(shù)之間的商確定為用于與基準(zhǔn)特征數(shù)比較的、基于特征數(shù)的計算值。備選這是有益的，即在特證數(shù)和總特征數(shù)之間的差確定為用于與基準(zhǔn)特征數(shù)比較的、基于特征數(shù)的計算值。在本發(fā)明方法的另一個優(yōu)選設(shè)計方案中為分層系統(tǒng)的上表面的多個彼此不同的部分分別確定一個獨(dú)立的特征數(shù)。為分層系統(tǒng)的不同上表面部分確定的特征數(shù)能夠分部分評估光電分層系統(tǒng)的質(zhì)量，由此特別對于這種情況、即在確定的部分中出現(xiàn)較高數(shù)目的缺陷、通過關(guān)于空間位置的信息可以在制造時采取有針對性的、改善分層系統(tǒng)質(zhì)量的措施。在分層系統(tǒng)的這個設(shè)計方案中這是特別有益的，即這些部分分別包含至少一個用于構(gòu)造分層系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)線，因為缺陷經(jīng)常出現(xiàn)在結(jié)構(gòu)線的區(qū)域內(nèi)。有益地也可以如此形成這些部分，其在該區(qū)域內(nèi)分離，即該區(qū)域僅僅包含結(jié)構(gòu)線和如此僅僅包含光電元件部分的區(qū)域。本發(fā)明此外涉及如上所述的方法用于評估分析太陽能模塊、特別是薄層太陽能模塊，其半導(dǎo)體層包括黃銅礦化合物、特別是Cu (In，Ga) (S，Se)。


下根據(jù)實施例詳細(xì)闡述本發(fā)明，其中參考附圖進(jìn)行說明。附圖簡化、不按比例示出:
圖1 實施本發(fā)明方法示范結(jié)構(gòu)的示意 圖2A-2B具有較低缺陷數(shù)(圖2A)和較高缺陷數(shù)(圖2B)的太陽能模塊的熱量變化圖； 圖3 圖2A-2B的熱量變化圖的強(qiáng)度分布的圖表。
具體實施例方式在圖1中圖解闡明了用于實施本發(fā)明方法的示范結(jié)構(gòu)I。該結(jié)構(gòu)I因此包含一個要分析的薄層太陽能模塊5，其通常具有多個集成方式串聯(lián)錯接的、用于光電能量生成的太陽能電池，這在圖1中沒有詳細(xì)示出。正如從圖1的薄層太陽能模塊5的放大圖中可以看出的，薄層太陽能模塊I的每個太陽能電池例如包含如下的分層系統(tǒng):在一個例如包括具有相對較低透光性的玻璃的、絕緣的第一基底11上布置一個例如包括透光金屬、比如鑰的反向電極層12。在反向電極層12上離析一個由摻雜半導(dǎo)體形成的、光電活性吸收層13。該吸收層13例如包括一個P型導(dǎo)電的黃銅礦半導(dǎo)體、特別是一組Cu ( InGa) (SSe)2化合物、例如摻雜鈉(Na)的銅-銦二價硒化物(CuInSe2)。在該吸收層13上離析一個緩沖層14，其在此例如包括單層的硫化鎘(CdS)和單層的本征氧化鋅(1-ZnO)。在緩沖層14上例如通過汽化滲鍍鍍上一個透明的正向電極層15，其例如包括摻雜的金屬氧化物、例如η型導(dǎo)電的、摻雜鋁(Al)的氧化鋅(ZnO)。由此形成一個異質(zhì)結(jié)，也就是說不同材料類型和相反導(dǎo)通類型的層順序。為了防止影響環(huán)境在正向電極層15上例如涂敷一種例如包括聚乙烯醇縮丁醛(PVB)和/或乙烯-醋酸乙烯聚合物(EVA)的粘合層16。此外設(shè)置一個透日光的第二基底17，其例如包括特別白的、具有較低鐵含量的玻璃。第二基底17與第一基底11通過粘合劑16連接并用于密封分層系統(tǒng)。薄層太陽能模塊I可以簡單并且低成本地工業(yè)化批量生產(chǎn)，其中在第一基底11上離析不同的層并且在使用適當(dāng)結(jié)構(gòu)工藝、比如激光打印和例如通過起模與劃割的機(jī)械加工的情況下為了制造串聯(lián)錯接的太陽電池在第一層上構(gòu)造不同的層。對于每個太陽能電池如此的結(jié)構(gòu)典型地包含用于制造三個結(jié)構(gòu)線的三個構(gòu)造步驟，該結(jié)構(gòu)線在圖1的薄層太陽能模塊的放大圖中沒有示出。正如在圖1中可以看出的，薄層太陽能模塊5以其底面安置在一個平面基座4上，如此薄層太陽能模塊5的、光入射方向的上部或者上表面是空的。在兩個彼此相對布置的、與太陽能電池的正向或者反向電極層12、15連接的外部端子9上薄層太陽能模塊I通過第一電導(dǎo)與一個可調(diào)節(jié)電源6連接。在薄層太陽能模塊的、光入射的上表面10上方安置一個紅外照相機(jī)2，通過該紅外照相機(jī)以熱量變化圖位置可分辨地檢測上表面10的熱輻射。熱輻射通常與薄層太陽能模塊I的上表面10的溫度分布一致。沒有示出結(jié)構(gòu)I的光學(xué)成像元件。不僅紅外照相機(jī)2而且電源6經(jīng)過第二電導(dǎo)線8 (數(shù)據(jù)線)與一個基于處理器的控制/操縱設(shè)備3數(shù)據(jù)技術(shù)連接。
為了定量分析薄層太陽能模塊5通過控制/操縱設(shè)備3控制首先經(jīng)過電源6在薄層太陽能模塊5的兩個外部端子9上施加一個電壓。由此在薄層太陽能模塊5中產(chǎn)生電流，通過該電流特別在薄層太陽能模塊I的缺陷區(qū)域引起電功率損耗，這可以看作在薄層太陽能模塊5的上表面的缺陷位置的局部溫度升高。施加的電壓進(jìn)行確定的調(diào)制，在此不再對此詳細(xì)探討。同時或者在與電流生成相關(guān)的適當(dāng)時間內(nèi)借助于紅外照相機(jī)2產(chǎn)生薄層太陽能模塊5的上表面10的熱輻射的、位置可分辨的熱量變化圖。在圖2A和2B中示范性指出了具有較低缺陷數(shù)(圖2A)和具有較高缺陷數(shù)(圖2B)的薄層太陽能模塊5的兩個不同熱量變化圖。在熱量變化圖中缺陷與較冷的環(huán)境相比分別可以看作亮點(diǎn)。對應(yīng)于缺陷的像素(Pixel)因此具有比對應(yīng)較冷缺陷周圍的像素更高的強(qiáng)度值。在這兩個圖中此外可以看出細(xì)小的平行線，其相當(dāng)于太陽能電池串聯(lián)錯接的結(jié)構(gòu)線。然后從熱量變化圖中確定熱輻射的、涉及具有相同強(qiáng)度值像素的各自數(shù)目的強(qiáng)度分布(直方圖)。在圖3中作為圖2A和2B的兩個熱量變化圖的坐標(biāo)圖指出了如此的強(qiáng)度分布。在該坐標(biāo)圖中相關(guān)單元內(nèi)的幅度或者強(qiáng)度作為橫坐標(biāo)A并且像素的數(shù)目N作為縱坐標(biāo)。曲線I相當(dāng)于圖2A，曲線II相當(dāng)于圖2B。很明顯曲線I1-相當(dāng)于較大缺陷數(shù)-在坐標(biāo)圖的中間幅度區(qū)域內(nèi)具有比曲線I高得多的像素。接下來從強(qiáng)度分布圖中在應(yīng)用傳統(tǒng)靜態(tài)方法的情況下確定幅度或者強(qiáng)度平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差。對具有相同強(qiáng)度值的像素數(shù)目與該強(qiáng)度值的乘積求和，這樣在另外的分析中確定特征數(shù)K。在此例如僅僅對大于提高了標(biāo)準(zhǔn)偏差的強(qiáng)度平均值的強(qiáng)度值進(jìn)行求和。結(jié)果是，曲線I的值1=157277，曲線II的值Κπ=273340。根據(jù)較大的缺陷數(shù)Kn顯著大于的K1缺陷數(shù)。在該特征數(shù)的基礎(chǔ)上自動評估薄層太陽能模塊5的質(zhì)量，其中該特征數(shù)與一個確定的基準(zhǔn)特征數(shù)比較，其中如果特征數(shù)K大于或等于基準(zhǔn)特征數(shù)，則給薄層太陽能模塊5分配一個第一評估結(jié)果，或如果特征數(shù)K小于基準(zhǔn)特征數(shù)，則分配一個不同于第一評估結(jié)果的第二評估結(jié)果?；鶞?zhǔn)特征數(shù)依賴于對薄層太陽能模塊5的特殊質(zhì)量要求。在本實施例中基準(zhǔn)特征數(shù)例如確定為200000。因此例如給具有圖2Α熱量變化圖的、特征數(shù)1=157277的薄層太陽能模塊分配一個“分層系統(tǒng)滿足要求質(zhì)量”的評估結(jié)果，而具有圖2Β熱量變化圖的、特征數(shù)Κπ=273340的薄層太陽能模塊例如分配一個“分層系統(tǒng)不滿足要求質(zhì)量”的評估結(jié)果并因此淘汰。本發(fā)明提供定量分析太陽電池和太陽能模塊的自動方法，該方法能夠簡單并可靠地評估其質(zhì)量。附圖標(biāo)記列表
1結(jié)構(gòu)
2紅外照相機(jī)
3控制/操縱設(shè)備
4基座
5薄層太陽能模塊
6電源
7第一電導(dǎo)線8第二電導(dǎo)線
9端子
10上表面
11第一基底
12反向電極層
13吸收層
14緩沖層
15正向電極層
16粘合層
17第二基底
權(quán)利要求
1.一種用于評估分析光電分層系統(tǒng)的方法，具有如下步驟； 在分層系統(tǒng)中產(chǎn)生電流； 產(chǎn)生分層系統(tǒng)的上表面的位置可分辨的熱輻射圖像，該圖像具有多個像素，給這些像素分別分配強(qiáng)度值； 確定涉及具有相同強(qiáng)度值像素的各自數(shù)目的、熱輻射強(qiáng)度分布； 從強(qiáng)度分布中確定強(qiáng)度平均值/中位數(shù)； 在強(qiáng)度分布雜散的可預(yù)定程度的基礎(chǔ)上確定強(qiáng)度間隔； 對于所有大于提高了強(qiáng)度間隔的強(qiáng)度平均值/中位數(shù)的強(qiáng)度值，通過對具有相同強(qiáng)度值的像素數(shù)目與該強(qiáng)度值相乘而分別給出的乘積求和來確定特征數(shù)； 特征數(shù)或基于此的計算值與預(yù)定的基準(zhǔn)特征數(shù)進(jìn)行比較，其中如果特征數(shù)大于或等于基準(zhǔn)特征數(shù)，則給分層系統(tǒng)分配第一評估結(jié)果，或如果特征數(shù)小于基準(zhǔn)特征數(shù)，則分配第二評估結(jié)果。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，光電分層系統(tǒng)包含至少一個形成Pn結(jié)的半導(dǎo)體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，通過在pn結(jié)的截止和/或流通方向上施加電壓在分層系統(tǒng)中產(chǎn)生電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，施加具有不同極性和/或不同幅度的電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，通過利用光照射分層系統(tǒng)而在分層系統(tǒng)中產(chǎn)生電流。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其特征在于，基于強(qiáng)度分布的平均值/中位數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差或分位數(shù)、特別是四分位數(shù)來計算強(qiáng)度間隔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的方法，其特征在于，采用以下方法對特征數(shù)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化，亦即:對于強(qiáng)度分布的所有強(qiáng)度，從具有相同強(qiáng)度值像素的數(shù)目與該強(qiáng)度值相乘給出的乘積的和中分別得出總特征數(shù)，特征數(shù)除以總特征數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，確定特征數(shù)和總特征數(shù)之間的商作為用于與基準(zhǔn)特征數(shù)比較的計算值。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，確定特征數(shù)和總特征數(shù)之間的差作為用于與基準(zhǔn)特征數(shù)比較的計算值。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的方法，其特征在于，為分層系統(tǒng)上表面的多個彼此不同部分分別確定特征數(shù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，這些部分分別包含至少一個用于構(gòu)造分層系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)線。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，形成分隔的部分，其中按照具有結(jié)構(gòu)線的區(qū)域和具有單純光電元件部分的區(qū)域進(jìn)行分隔。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述方法的應(yīng)用，所述方法用于評估分析太陽能模塊、特別是薄層太陽能模塊，這些模塊的半導(dǎo)體層包括黃銅礦化合物、特別是Cu(In，Ga)(S，Se)2。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于評估分析光電分層系統(tǒng)的方法，其包含至少一個形成pn結(jié)的半導(dǎo)體層，具有如下步驟在分層系統(tǒng)中產(chǎn)生電流；產(chǎn)生分層系統(tǒng)的上表面的位置可分辨的熱量變化圖，該圖像具有多個像素，給這些像素分別分配強(qiáng)度值；確定涉及具有相同強(qiáng)度值像素的各自數(shù)目的、熱輻射強(qiáng)度分布；從強(qiáng)度分布中確定強(qiáng)度平均值/中位數(shù)；在強(qiáng)度分布雜散的可預(yù)定程度的基礎(chǔ)上確定強(qiáng)度間隔；對于所有大于提高了強(qiáng)度間隔的強(qiáng)度平均值/中位數(shù)的強(qiáng)度值，通過對具有相同強(qiáng)度值像素的數(shù)目與該強(qiáng)度值相乘而分別給出的乘積求和來確定特征數(shù)；特征數(shù)或基于此的計算值與預(yù)定的基準(zhǔn)特征數(shù)進(jìn)行比較，其中如果特征數(shù)大于或等于基準(zhǔn)特征數(shù)，則給分層系統(tǒng)分配第一評估結(jié)果，或如果特征數(shù)小于基準(zhǔn)特征數(shù)，則分配第二評估結(jié)果。
文檔編號G01N25/72GK103119426SQ201180046899
公開日2013年5月22日 申請日期2011年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月28日
發(fā)明者T.達(dá)利博爾 申請人:法國圣戈班玻璃廠