半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種可高速地測定半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光狀況，并根據(jù)其測定結(jié)果檢查該半導(dǎo)體發(fā)光元件的半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置。半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置(3)為對從LED(101)發(fā)射的發(fā)光狀況進行檢查的LED(101)檢查裝置(3)，具有：CCD(105)，其配置于LED(101)的發(fā)光中心軸上，且與LED(101)相向配置，其接收從LED(101)發(fā)射的光，可在多個地點測定每個地點所接收的受光狀況；反射部(123)，其反射從LED(101)發(fā)射的光，并將其導(dǎo)光至CCD(105)；存儲部(161)，其存儲作為比較基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信息，用于與CCD(105)所得到的多個地點的受光狀況相關(guān)的受光信息進行比較；以及檢測器(151)，其將基準(zhǔn)信息與受光信息進行比較檢查。
【專利說明】半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置，其接收來自LED等的半導(dǎo)體發(fā)光元件的光，并根據(jù)其發(fā)光狀況檢查該半導(dǎo)體發(fā)光元件。
【背景技術(shù)】
[0002]專利文獻I及專利文獻2中公開了為測定與發(fā)光中心軸所成的角度的光強度即發(fā)光強度的分布(發(fā)光強度分布)，每次測定一個地方的技術(shù)。
[0003]專利文獻3中公開了為測量發(fā)光強度分布，同時測定多個地方的技術(shù)。
[0004]【專利文獻I】日本專利文獻特開平5— 107107號公報
[0005]【專利文獻2】日本專利文獻特開平8—114498號公報
[0006]【專利文獻3】日本專利文獻特開2005— 172665號公報
[0007]但是，專利文獻1、專利文獻2及專利文獻3中任一記載的方法，為了以球坐標(biāo)立體地測定半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光狀況(以下，只稱為「發(fā)光狀況」)，并且按此測定結(jié)果檢查半導(dǎo)體發(fā)光元件，必須經(jīng)過非常多次的測定。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的，其中一個目的在于提供一種可以高速地測定半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光狀況，并根據(jù)其測定結(jié)果檢查該半導(dǎo)體發(fā)光元件的半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置。
[0009]本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置，用以接收半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)射的光并進行發(fā)光狀況的檢查，具有:受光單元，其配置于所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光中心軸上，且與所述半導(dǎo)體發(fā)光元件相向配置，其接收從所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)射的光，可在多個地點測定所接收的受光狀況；反射部，其反射從所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)射的光，并將其導(dǎo)光至所述受光單元；存儲單元，其存儲作為比較基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信息，用于與所述受光單元所得到的多個地點的光強度相關(guān)的受光信息進行比較；以及檢查單元，其將所述基準(zhǔn)信息與所述受光信息進行比較檢查。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明的第I實施方式中的LEDlOl發(fā)光狀況的說明圖。
[0011]圖2是發(fā)光強度分布的說明圖。
[0012]圖3是cos型LED的平面發(fā)光強度分布的說明圖。
[0013]圖4是環(huán)型LED的平面發(fā)光強度分布的說明圖。
[0014]圖5是用于對第I實施方式中的LEDlOl進行檢查的發(fā)光元件用受光模塊I的第一狀態(tài)的說明圖。
[0015]圖6是圖5(b)側(cè)面的說明圖。
[0016]圖7是半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置的示意說明圖。[0017]圖8是入射至CXD的光的狀況的說明圖。
[0018]圖9是對圖8的補充說明圖。
[0019]圖10是使用CXD接收cos型LED的光時所得到的受光信息(圖像信息)的說明圖。
[0020]圖11是使用CXD接收環(huán)型LED的光時所得到的受光信息(圖像信息)的說明圖。
[0021]圖12是說明第2實施方式的說明圖。
【具體實施方式】
[0022]<第I實施方式>
[0023]以下，使用圖1詳細(xì)說明本發(fā)明的第I實施方式。
[0024]圖1是在本發(fā)明的第I實施方式中的LEDlOl的發(fā)光狀況的說明圖。
[0025]如圖1(a)所示，LED (Light Emitting Diode) 101 由發(fā)光面 IOla 發(fā)出光。將此LEDlOl的發(fā)光面IOla的法線稱為發(fā)光中心軸(LCA)。此外，將包含發(fā)光面IOla的平面上的一方向當(dāng)作基準(zhǔn)軸(X軸)時，從該平面上的X軸逆時針旋轉(zhuǎn)的角度定義為9。
[0026]另外，在將q>固定的情況下，將與發(fā)光中心軸LCA所成的角度定義為0。
[0027]從LEDlOl的發(fā)光面IOla發(fā)射的光強度會依據(jù)與發(fā)光中心軸LCA所成的角度0等而不同(參照圖2)。
[0028]此外，今后為了更精密地測定LEDlOl的發(fā)光狀況，因此，可以想見更高速地進行LEDlOl分類的必要性將會提高。以下說明能滿足此種需求的半導(dǎo)體發(fā)光元件的檢查裝置。
[0029]一般是以LEDlOl在0相同時會顯示相同的光強度為前提來構(gòu)建檢查過程的。
[0030]但是，有時LEDlOl即使0相同，因9不同光強度也不同。
[0031]為了以視覺方式表現(xiàn)光強度，使用如圖1(b)的圖進行說明。
[0032]在圖1(b)中，X軸與Y軸的交點部份以0=0°表示。
[0033]接著，圓上的各點分別表示0=90°的各個9的位置。
[0034]在圖中，通過按照光強度付予濃淡度來表示光強度。并且，基于此濃淡度可從視覺上理解光強度(參照圖3及圖4)。
[0035]圖1(c)為9值在固定位置的剖面圖。
[0036]如此，在圖1中，將距離LEDlOl相同距離位置上的光強度定義為發(fā)光強度。
[0037]通過測定所制造的LEDlOl的此發(fā)光強度，可判斷LEDlOl的特性。
[0038]所謂特性的判斷是例如做出全體的發(fā)光強度未到達一定程度、在固定e的位置上的發(fā)光強度未達到一定程度等的判斷。
[0039]此外，即使全體的發(fā)光強度到達一定程度，且在固定0的位置上的發(fā)光強度也到達一定程度，依據(jù)其程度等，做出分級等的判斷。
[0040]另外，通過此判斷進行良品與不良品的分類、良品的分級等。
[0041]此外，在以上的說明中，假設(shè)在距離LEDlOl夠遠的位置進行測定，則LEDlOl可被視為是一個點。
[0042]在之后的說明中若無特別記載，皆假設(shè)LEDlOl為一個點。這是因為LEDlOl與一般的CCD105等(參照圖3)相比極為渺小，因此可以做這樣的假設(shè)。
[0043]圖2是發(fā)光強度分布的說明圖。[0044]圖2 (a)與圖1(c)為相同的圖。如圖2(a)所示，從LEDlOl的距離r在固定位置中，在固定0角度下的光強度為發(fā)光強度。
[0045]接著，測定各個0角度的此發(fā)光強度，將其繪制之后為發(fā)光強度分布。此外，測定各個e角度及各個cP角度，以球坐標(biāo)表示的也稱為發(fā)光強度分布(以下將在球坐標(biāo)中的發(fā)光強度分布稱為球面發(fā)光強度分布)。
[0046]如果能求出此球面發(fā)光強度分布，就能夠?qū)EDlOl的特性做精密地掌握及分類
坐寸o
[0047]但是，球面發(fā)光強度分布是以球坐標(biāo)表示，因此，很難直接測量。
[0048]另外，在本實施方式中所要求的并不是球面發(fā)光強度分布的測定，而是能夠進行對LEDlOl是否滿足一定的性能，或是滿足性能時依據(jù)其程度分類的檢查。
[0049]因此，求出精密的球面發(fā)光強度分布并非必要。
[0050]取而代之的是，預(yù)先測量接收滿足一定性能的LEDlOl出射的光的(XD105(ChargeCoupled Device)所輸出的受光信息(圖像信息)，或是通過計算后儲存(將此儲存的信息稱為基準(zhǔn)信息)，將此基準(zhǔn)信息與從接收檢查對象的LEDlOI所出射的光的CCD105輸出的受光信息(圖像信息)進行比較。
[0051]接著，針對比較結(jié)果為與基準(zhǔn)信息的差異在一定范圍內(nèi)的LEDlOl作為滿足相同一定性能進行分類。
[0052]此外，不只儲存基準(zhǔn)信息為滿足一定性能的LEDlOl的信息，也儲存每個分類對象的信息，以使在滿足一定性能之上的分類成為可能。
[0053]在此，一般僅配置接收LEDlOl的光的(XD105接收受光信息(圖像信息)的輸出，但是僅單純?nèi)绱伺渲?，就無法取得比直接入射至CCD105的光范圍的受光信息(圖像信息)的范圍更寬的信息。
[0054]因此，在本實施方式中，通過使用反射部123，取得廣范圍0的受光信息(圖像信息)。另外，基準(zhǔn)信息是在反射部123存在的狀態(tài)下測量或是計算出的。
[0055]如上所述，本實施方式最終是以檢查LEDlOl為目的。
[0056]但是，設(shè)想檢查對象的LEDlOl存在各式各樣特性的LEDlOl。
[0057]因此，作為這些各式各樣的LEDlOl例子，使用圖2(b)的cos型LEDlOl及圖2 (C)的環(huán)型LEDlOl進行本實施方式的說明。
[0058]cos型及環(huán)型的LEDlOl僅為一例，并非限定具有此兩種特性的LEDlOl為測定對象。不過，一般LEDlOl大多具有光的波峰為cos型的LEDlOl以及在0=30°具有光強度的波峰的環(huán)型LEDlOl之間的特性。也就是說，作為檢查對象的一般LEDlOl大多在0為0°?30°的范圍內(nèi)具有光強度的波峰。因此，將圖2(b)所示的cos型LEDlOl與0=30°的環(huán)型LEDlOl作為兩極端例進行說明。
[0059]以下，有助于對本實施方式的理解，首先針對LEDlOl出射的光的特性進行說明。
[0060]LEDlOl原本特性的球面發(fā)光強度分布是以球坐標(biāo)來表不，因此在使用圖不表不上有困難。
[0061]因此，如后述的圖3(b)及圖4(b)，使用平面表示的圖示(以下將其稱為平面發(fā)光強度)并可視化，使其可利用人類的感覺補捉。此外，此平面發(fā)光強度分布只是用以方便說明LEDlOl的特性，在本實施方式中，并不進行對其的計算(檢測、測定)。[0062]另外，圖8(a)、圖10(c)及圖11(c)也使用與此平面發(fā)光強度分布類似的圖，但是此圖8(a)、圖10(c)及圖11(c)與平面發(fā)光強度分布為不同的圖。
[0063]在本實施方式中，此圖8 (a)、圖10(c)及圖11(c)為(XD105實際接收、輸出的受光信息(圖像信息)的圖。
[0064]為了得到此圖8 (a)、圖10(c)及圖11 (C)，使用了圖5?圖7的半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置3 (光元件用受光模塊I)。
[0065]而且，通過此半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置3檢查及分類LEDlOl。
[0066]圖2?圖4為說明LEDlOl所出射光的特性的圖，以下針對圖2?圖4進行說明。
[0067]圖2 (b)是當(dāng)0為O。時發(fā)光強度為最強的LEDlOl (cos型)的例子，圖2 (c)是當(dāng)0為30°附近時發(fā)光強度為最強的LEDlOl (環(huán)型)的例子。
[0068]此外，通常當(dāng)0=90°的發(fā)光強度為零。
[0069]另外，在此圖2中，0的角度的最大值為0=90°，也可測定0的角度在90°以上的發(fā)光強度。例如，可測定9的角度在0°?135°為止的范圍。此外，0的角度的測定角度的最大值理所當(dāng)然是180°。
[0070]如上所述，例如原本想制造出具有如圖2(b)般的cos型LED101，卻因為制造誤差等原因，而制造出如圖2(c)般的環(huán)型LED101。
[0071]即使在固定的cP的角度上具有如圖2(b)般的cos型的發(fā)光強度分布，在其他9的角度上也可能會變成如圖2(c)般的環(huán)型的發(fā)光強度分布。
[0072]并且，也可能存在具有更復(fù)雜(不均勻)的發(fā)光強度分布的LED101，因此需要高速地檢查出具有如此發(fā)光強度分布的LEDlOl。
[0073]圖3是cos型LEDlOl的平面發(fā)光強度分布的說明圖。
[0074]圖3 (b)是在所有的cP的角度測定如圖3 (a)般的cos型LEDlOl的發(fā)光強度分布，并且利用圖1(b)的方法將其結(jié)果可視化之后的圖。
[0075]如圖3(b)所示，具有如圖3(a)般的cos型的發(fā)光強度分布的LED101，其0的角度為0°時發(fā)光強度為最高(以濃度較淡來表現(xiàn))，隨著0的角度越大，其發(fā)光強度越低(以濃度較濃來表現(xiàn))。
[0076]圖4是環(huán)型LEDlOl的平面發(fā)光強度分布的說明圖。
[0077]圖4(b)是在所有的cP的角度測定如圖4(a)般的環(huán)型LEDlOl的發(fā)光強度分布，并且利用圖1(b)的方法將其結(jié)果可視化之后的圖。
[0078]如圖4(b)所示，具有如圖3(a)般的cos型的發(fā)光強度分布的LED101，比起0的角度為0°時的發(fā)光強度，0的角度為30°附近時的發(fā)光強度為最高(以濃度較淡來表現(xiàn))。
[0079]并且，隨著此0的角度從30°附近到0的角度越大，其發(fā)光強度越低(以濃度較濃來表現(xiàn))。
[0080]圖5是用于對第I實施方式中的LEDlOl進行檢查的發(fā)光元件用受光模塊I的第I狀態(tài)的說明圖。
[0081]圖5的發(fā)光元件用受光模塊I用于取得為了進行LEDlOl檢查的數(shù)據(jù)。
[0082]以下，說明圖5的發(fā)光元件用受光模塊I的構(gòu)造。
[0083]如圖5(a)所示，在本實施方式中，發(fā)光元件用受光模塊I具有工件102(樣品放置臺)、CCD105、保持部107、信號線111、圖像處理部113、通信線115、間隔物117、探針109以及反射部123。不過，這些所有構(gòu)造并不是發(fā)光元件用受光模塊I必須的構(gòu)造，只須至少具有CCD105即可。
[0084]LEDlOl配置在水平設(shè)置的工件102上。
[0085]保持部107隔著一個空間，設(shè)置在與上述工件102相對的位置上。
[0086]在保持部107的內(nèi)部配置有(XD105。
[0087]LED101、工件102以及(XD105互相平行設(shè)置。
[0088]在進行受光狀況測定及電氣特性測定時，探針109接觸LEDlOl的電極，并施加電壓至LEDlOl上。
[0089]可以在工件102及LEDlOl固定的狀態(tài)下，移動探針109，使探針109與LEDlOl接觸。相反的，也可以在探針109固定的狀態(tài)下，移動工件102及LED101，使探針109與LEDlOl接觸。
[0090]此外，探針109與電氣特性測定部119連接。
[0091]探針109與LEDlOl的發(fā)光面IOla大致平行，沿與LEDlOl的法線呈直角的方向放射狀延伸。
[0092]保持部107具有圓筒狀的側(cè)面部107b。
[0093]側(cè)面部107b具有圓筒狀，具有向0 = 0°方向延伸的形狀。
[0094]屏蔽部107a及側(cè)面部107b的中心在0 = 0°的方向，與LEDlOl的發(fā)光面IOla的發(fā)光中心軸相同。
[0095]側(cè)面部107b內(nèi)周面所形成的中空空間中配置有(XD105。
[0096]形成圓錐臺形中空部的圓形開口部107c形成在屏蔽部107a的中心部。通過此該圓形開口部107c，(XD105從而可以接收LEDlOl發(fā)射的光。
[0097]由屏蔽部107a內(nèi)周面所形成的中空空間，由傾斜面107d所形成。
[0098]由傾斜面107d所形成的中空空間，為上下顛倒的略圓錐臺形。具有由LEDlOl側(cè)越往CCD105側(cè)其直徑越大的形狀。
[0099]另外，上下顛倒的略圓錐臺形是為了在中空空間中插入拋物線狀的反射部123，因此嚴(yán)格說來具有拋物線狀的曲率。
[0100]形成反射部123的反射面123a具有以發(fā)光中心軸為中心將拋物線360°旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)體的形狀。也就是說，反射部123的剖面形狀為拋物線狀。
[0101]此拋物線形成為使LEDlOl靠近焦點位置(或是焦點位置附近)。也就是說，此拋物線形成為由LEDlOl側(cè)越往CCD105側(cè)其直徑就越大。
[0102]如此一來，反射部123為拋物線狀且LEDlOl配置在拋物線的焦點位置(或是焦點位置附近)，因此，通過反射部123反射的光全都與發(fā)光中心軸平行地前進。
[0103]另外，反射部123可由其本身可反射的材料如不銹鋼、鋁、銀等金屬材料所構(gòu)成，也可在不反射的材料表面上鍍上鋁、銀等反射材料。
[0104]此外，圖5(b)為圖5(a)的LEDlOl附近的擴大圖。
[0105]工件102為圓錐臺形，在此圓錐臺上配置有LED101。
[0106]如圖5(b)所示，反射部123延伸至LEDlOl的與(XD105側(cè)的相反側(cè)位置。
[0107]如此一來，通過反射部123延伸至LEDlOl的與(XD105側(cè)的相反側(cè)位置，往0的角度為90°以上的范圍出射的光也可通過反射部123的反射面123a反射。
[0108]并且，往0的角度為90°以上的方向出射、通過LEDlOl的與(XD105側(cè)的相反側(cè)位置的反射面123a反射的光。與0的角度為90°以下的方向出射、通過反射面123a反射的光同樣地與發(fā)光中心軸平行地前進。
[0109]通過上述構(gòu)造，向(XD105入射的光除了從LEDlOl發(fā)射之后被反射面123a反射后的光，還加上從LEDlOl發(fā)射之后不被反射面123a反射的光。
[0110]圖6為圖5(b)的側(cè)面說明圖。
[0111]如圖6所示，反射部123形成有狹縫部123b。在此狹縫部123b內(nèi)，插入有探針109，施加電壓等至LEDlOl的表面。
[0112]此狹縫部123b及探針109形成為相對較小，因此，對來自配置在工作102上的LEDlOl的光僅有微小的阻礙。
[0113]圖7為半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置3的示意說明圖。
[0114]半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置3除了發(fā)光元件用受光模塊I之外，還具有電氣特性測定部119、存儲部161、顯示部163以及檢測器151 (比較部165)。
[0115]另外，在本實施方式中，發(fā)光元件用光接收模塊I具有工件102(樣品放置臺)、CCD105、保持部107、信號線111、圖像處理部113、通信線115以及間隔物117。
[0116]不過，這些所有構(gòu)造并不是發(fā)光元件用受光模塊I必須的構(gòu)造，只須至少具有CCD105 即可。
[0117]電氣特性測定部119包括HV單元153、ESD單元155、切換單元157以及定位單元159。
[0118](XD105的各個受光元件接收LEDlOl發(fā)射的光。
[0119]接著，將與其受光元件接收到的光強度(信息)的電氣信號作為模擬信號輸出至圖像處理部113。
[0120]此CCD105輸出的光信息為在X方向(橫向)及Y方向(縱向)的位置特定的信息，因此，可作為面的受光信息。
[0121]也就是說，由(XD105輸出的信息為作為面的受光信息，所以也可作為圖像信息。因此，(XD105可為受光單元，也可進一步特定為攝像單元。
[0122]圖像處理部113將此受光信息(圖像信息)從模擬信號轉(zhuǎn)換(圖像處理)為數(shù)字信號。更進一步，圖像處理部113將此受光信息(圖像信息)轉(zhuǎn)換為適用于檢測器151的比較部165的信息。
[0123]具體而言，可按照受光信息(圖像信息)相對于閾值的光強度的高低進行白與黑的二值化。此外，也可按照其他基準(zhǔn)進行二值化。
[0124]更進一步，圖像處理部113也可對受光信息(圖像信息)進行256灰度化處理。
[0125]在進行二值化的情況下，可極力減少比較部165處理的處理量，所以具有在高速下進行處理的優(yōu)點。
[0126]另一方面，在進行256灰度化處理的情況下，能夠以更高的分辨度掌握LEDlOl的發(fā)光狀況，可使比較部165具有更仔細(xì)比較的優(yōu)點。也可通過更進一步細(xì)分的灰度來進行灰度化。
[0127]另外，此轉(zhuǎn)換方法僅為一例，也可通過其他方法進行圖像處理。[0128]在此圖像處理部113轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號、轉(zhuǎn)換(圖像處理)為適用于檢測器151的比較部165的信息經(jīng)由通信線115輸出至檢測器151。
[0129]探針109具有物理性接觸LEDlOl的表面、施加使LEDlOl發(fā)光的電壓的功能。
[0130]另外，探針109由定位單元159來固定定位。
[0131]如果為工件102移動的構(gòu)成，則該定位單元159具有將探針109的頂端位置保持在規(guī)定位置的功能。相反，如果為探針109移動的構(gòu)成，則該定位單元159具有將探針109的頂端位置移動至工件102上承載LEDlOl的規(guī)定位置并保持在該位置的功能。
[0132]HV單元153具有施加額定電壓、檢測出LEDlOl相對于該額定電壓的各種特性的作用。
[0133]通常，在來自該HV單元153的電壓的施加狀態(tài)下，(XD105對LEDlOl發(fā)出的光進
行測定。
[0134]HV單元153檢測出的各種特性信息輸出至檢測器151。
[0135]ESD單元155用于在一瞬間施加高電壓至LED101，使其靜電放電，檢查其是否遭受靜電破壞等。
[0136]ESD單元155檢測出的靜電破壞信息輸出至檢測器151。
[0137]切換單元157進行HV單元153與ESD單元155之間的切換。
[0138]S卩，通過該切換單元157，改變經(jīng)由探針109施加至LEDlOl的電壓。而且，根據(jù)該改變，LEDlOl的檢查項目分別變更為檢測在額定電壓的各種特性，或是檢測是否有遭受靜電破壞。
[0139]存儲部161存儲作為比較基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信息。
[0140]此基準(zhǔn)信息用于與(XD105所得到的受光信息(圖像信息)作比較。
[0141]另外，此基準(zhǔn)信息可預(yù)先存儲，也可在必要時作成并且預(yù)先存儲。
[0142]具體而言，例如，存儲部161可預(yù)先計算或測定cos型的受光信息(圖像信息)、在0為5°的位置上形成有波峰的環(huán)型LEDlOl的受光信息(圖像信息)、在0為10。的位置上形成有波峰的受光信息(圖像信息)、在9為15°的位置上形成有波峰的受光信息(圖像信息)、在9為20。的位置上形成有波峰的受光信息(圖像信息)、在0為25°的位置上形成有波峰的受光信息(圖像信息)、在e為30°的位置上形成有波峰的受光信息(圖像信息)等的多個基準(zhǔn)信息(基準(zhǔn)圖像信息)，并且預(yù)先存儲。
[0143]顯示部163顯示受光信息(圖像信息)。更進一步，也可顯示后述的檢測器151的比較、檢查的結(jié)果信息。
[0144]另外，在不同的實施方式中，基于由此顯示部163顯示的信息，檢查者可進行LEDlOl的好壞、分級等判斷。
[0145]檢測器151接收受光信息(圖像信息)、HV單元153檢測出的各種電氣特性信息，以及ESD單元155檢測出的靜電破壞信息的輸入。
[0146]而且，檢測器151根據(jù)此些輸入對LEDlOl的特性進行分析及分類。
[0147]尤其，在本實施方式中，檢測器151接收圖像處理部113轉(zhuǎn)換(圖像處理)之后的圖像信息的輸入。
[0148]并且，檢測器151內(nèi)的比較部165比較存儲于存儲部161中的基準(zhǔn)信息(基準(zhǔn)圖像信息)與此圖像信息。[0149]其比較可藉由各種方式進行，例如，可通過模式匹配等比較來進行檢查。
[0150]更具體而言，如果在使用針對上述存儲部161的說明所例示的多個基準(zhǔn)信息(cos型以及在各0值上具有波峰的環(huán)型LEDlOl的基準(zhǔn)信息)的情況下，將受光信息(圖像信息)與此多個基準(zhǔn)信息(基準(zhǔn)圖像信息)作比較，當(dāng)其差值在規(guī)定范圍內(nèi)時，進行判斷為具有與其基準(zhǔn)信息相同特性的檢查。
[0151]另外，不一定進行光強度的檢查，也可進行利用光學(xué)濾波器等的光波長的檢查。也就是說，只要是由與基準(zhǔn)信息(基準(zhǔn)圖像信息)的差異來進行其一不一致的檢查，并基于其進行良品和不良品的分類、光波長的分類等的檢查即可。
[0152]檢測器151基于檢查結(jié)果，對個別的LEDlOl進行分類。
[0153]具體而言，例如，檢測器151對不具有規(guī)定性能的LEDlOl進行應(yīng)毀棄的分類。并且，對光的每個光量進行分類。
[0154]另外，檢測器151對HV單元153檢測出的各種電器特性信息、ESD單元155檢測出的靜電破壞信息也進行相同的分類。
[0155]此外，物理性分類將在由半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置3進行檢查之后的工序中進行。
[0156]圖8是入射至(XD105的光的狀況的說明圖。圖9是對圖8的補充說明圖。
[0157]如圖8(b)所不,未被反射部123反射的直射光與由反射部123反射的反射光雙方復(fù)合的復(fù)合光入射至(XD105中。
[0158]在此，向A地點的直射光以DLA表示，往A地點的反射光以RLA表示。另夕卜，向A地點的RLA是向0為90°以內(nèi)的方向發(fā)射并被反射的光。
[0159]此外，向B地點的直射光以DLB表示，往A地點的反射光以RLB表示。另外，向B地點的RLB是向0為90°以上的方向發(fā)射并被反射的光。
[0160]0在0 I以內(nèi)范圍的光為直射光，0在0 I?0 2以內(nèi)范圍的光為反射光。
[0161]在此，0 I是從LEDlOl的發(fā)射面向(XD105的最外圍部所拉的直線的9值。
[0162]此外，0 2是圓錐臺狀的工件102側(cè)面的角度。即，工件102會屏蔽在此以上的0角度的光，所以光無法入射至反射部123，也無法被反射，因此，0 2以上角度的光不被(XD105接收。結(jié)果，0 2成為可測定的最大范圍。
[0163]另外，反射部123具有拋物線狀，因此，被此反射部123反射的光全都與發(fā)光中心軸平行地前進。結(jié)果，除了直射光與反射光重疊以外，具有不同e角度的光不會入射至(XD105的各個受光元件。
[0164]例如，入射至A地點的光只有0為0 Al的直射光與0為0A2的反射光，其他0角度的光不會入射至A地點。
[0165]在本實施方式中，利用此拋物線與焦點之間的性質(zhì)，可以從CCD105接收的光的強度信息，計算出在各個9角度中CCD105接收的受光信息(圖像信息)。
[0166]通過具有反射部123，未由反射部123反射的直射光與由反射部123反射的反射光雙方如圖8(a)強度的光入射至(XD105。
[0167]另外，在圖8(a)中，濃度較濃部分的光強度較低，而濃度較淡的部分光強度較高。此外，此圖8(a)的圖是設(shè)想測定的LEDlOl為cos型的LEDlOl0
[0168]圖9 (a)顯示從此圖8 (a)的C地點到D地點為止的光強度。[0169]由圖9(a)可得知，隨著從C地點向外部前進，光強度降低。但是，在E地點的光強度不連續(xù)地急劇上升。而且，隨著從E地點向F地點前進，光強度再次急劇地下降。之后，從F地點到D地點為止，光的強度漸漸下降等。
[0170]另外，在F地點的反射光部分的強度為零，是因為在0 =90°的方向上LEDlOl并未出射光。
[0171]此外，在(XD105的受光地點A、F、E上的光，通過反射部123反射的位置分別相當(dāng)為 A，、F，、E，。
[0172]而E’為反射部123的與工件102側(cè)接觸部分的位置。
[0173]接著，說明從LEDlOl出射的光如何由(XD105受光(參照圖9)。
[0174]首先，0 —旦從0° (相當(dāng)于C地點)?0 I (相當(dāng)于D地點)為止增加，則隨著此e的增加，作為直射光在各個角度被(XD105接收。此外，0 —旦從0 1(相當(dāng)于D地點)?0 2 (相當(dāng)于E地點)為止增加，則作為反射光在各個角度被(XD105接收。
[0175]也就是說，在0=0°?0 I的范圍中，隨著0的角度增加，各個角度的光軌跡也會從C地點經(jīng)由El地點向Dl地點移動。
[0176]接著，在0 = 0 I?0 2的范圍中，一旦0的角度更進一步地增加，則各個角度的光軌跡在D (Dl、D2)地點折返，從D2地點移動至E2地點為止。
[0177]因此，到達E(E1、E2)地點為止只接收直射光，從E(El、E2)地點開始接收直射光及反射光雙方。
[0178]此外，在F地點應(yīng)該有0=90°的反射光，但是，LEDlOl在0=90°的方向上并未出射光，因此，反射光的量為O。
[0179]結(jié)果，例如在A地點會檢測出在0 = 0 Al的直射光強度Pad加上在0 = 0 A2的反射光強度Par的光強度。
[0180]如此一來，一旦測定(XD105接收的受光狀況，則(XD105接收的受光信息中會包含0為0°?0 2的所有受光信息。此外，(XD105具有作為面的受光信息(圖像信息)，因此，包含cP為0°?360°范圍的所有受光信息。
[0181]因此，通過將此受光信息(圖像信息)與基準(zhǔn)信息(基準(zhǔn)圖像信息)作比較，可使其被測定的LEDlOl的檢查成為可能。
[0182]以下利用具體例對受光信息進行說明。
[0183]圖10是使用(XD105接收cos型LEDlOl的光時所得到的受光信息(圖像信息)的說明圖。
[0184]圖11是使用(XD105接收環(huán)型LEDlOl的光時所得到的受光信息(圖像信息)的說明圖。
[0185]使用如圖5所示的發(fā)光元件用受光模組I對cos型LEDlOl的光進行測定時，會得到如圖10(c)所示的受光信息(圖像信息)。
[0186]另外，圖10(c)是當(dāng)光強度為圖9(a)的情況下的受光信息(圖像信息)。圖10(b)與圖9(a)為相同的圖。
[0187]圖10(a)表示cos型LEDlOl的發(fā)光強度。當(dāng)然，也可以測定0為90°以上的范圍(0為90°?0 2的范圍)，因此也記載了 0從90。到0 2的范圍。
[0188]使用如圖5所示的發(fā)光元件用受光模組I對環(huán)型LEDlOl的光進行測定時，會得到如圖11 (C)所示的受光信息(圖像信息)。
[0189]圖11 (b)是表示(XD105所接收的環(huán)型LEDlOl的光強度的圖。圖11 (b)的記載方式與圖10(b)相同
[0190]圖11(a)表示環(huán)型LEDlOl的發(fā)光強度。當(dāng)然，也可以測定0為90°以上的范圍(0為90°?0 2的范圍)，因此也記載了 0從90。到0 2的范圍。
[0191]比較圖10(c)及圖11(c)可得知，按LEDlOl的發(fā)光狀況，受光信息(圖像信息)完全不同。
[0192]另外，在上述的例子中是比較了作為兩極端例的cos型LEDlOl與環(huán)型LED101，但是也可以得到一般LEDlOl的在此兩者之間各自相異的受光信息(圖像信息)。
[0193]并且，與預(yù)先獲得的多個基準(zhǔn)信息(基準(zhǔn)圖像信息)比較之后進行分類。
[0194]因此，通過與基準(zhǔn)信息的比較，可分類出LEDlOl的不良品及分級等。
[0195]〈第2實施方式〉
[0196]圖12是說明第2實施方式的說明圖。
[0197]第I實施方式的重點是可在短時間(高速)內(nèi)取得并處理表示LEDlOl發(fā)光狀況的受光信息(圖像信息)。
[0198]因此，適用于連續(xù)處理多個LEDlOl的情況。
[0199]如圖12所示，對晶圓102c上配置的多個LEDlOl進行連續(xù)測定。
[0200]另外，在第2實施方式中，反射部123形成為反射0為60°的光。
[0201]而且，在此第2實施方式中具有使移動臺102b移動的控制單元，用于在檢查LEDlOl時使LEDlOl配置在拋物線狀的焦點附近。
[0202]〈第3實施方式>
[0203]在以上的實施方式中，反射部123為拋物線狀的旋轉(zhuǎn)體，但也可以是例如越往CCD105側(cè)其直徑越大的圓錐臺形。S卩，反射部123不限定是拋物線狀的旋轉(zhuǎn)體。
[0204]即使在此情況下，只要有基準(zhǔn)信息，就可以進行比較及檢查。
[0205]因此，不需要將反射部123的形狀限定為使拋物線旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)體狀。
[0206]此外，不一定要將LEDlOl配置在放射線的焦點位置上。相同的，只要有基準(zhǔn)信息，就可以進行比較及檢查。
[0207]<實施方式的效果>
[0208]本實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置3是用以接收LEDlOl發(fā)射的光并進行發(fā)光狀況檢查的半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置3，具有(XD105，其配置于LEDlOl的發(fā)光中心軸上，且與LEDlOl相向配置，接收從LEDlOl發(fā)射的光，可在多個地點測定所接收的受光狀況。
[0209]此外，半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置3具有反射部123，其反射從LEDlOl發(fā)射的光，并將其導(dǎo)光至(XD105。
[0210]而且，半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置3具有存儲部161，其存儲作為比較基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信息，用于與CCD105所得到的多個地點的受光狀況相關(guān)的受光信息進行比較；以及具有檢測器151，其將基準(zhǔn)信息與受光信息進行比較檢查。
[0211]通過上述構(gòu)造，半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置3可以高速地測定半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光狀況，并根據(jù)其測定結(jié)果檢查該半導(dǎo)體發(fā)光元件。
[0212](XD105由可取得作為面的受光信息即圖像信息的(XD105所構(gòu)成，存儲部161所存儲的基準(zhǔn)信息為基準(zhǔn)圖像信息，檢測器151將基準(zhǔn)圖像信息與圖像信息進行比較檢查。
[0213]通過上述構(gòu)造，可以處理作為圖像的受光信息，也可以更高速地檢查半導(dǎo)體發(fā)光元件。
[0214]具有圖像處理部113，其將(XD105所攝像的圖像信息進行二值化處理并提供至檢測器151。
[0215]通過上述構(gòu)造，檢測器151的比較部165所處理的値只有二值(兩種值)，因此可更高速地檢查半導(dǎo)體發(fā)光元件。
[0216]具有圖像處理部113，其將(XD105所攝像的圖像信息進行256灰度化處理并提供至檢測器151。
[0217]通過上述構(gòu)造，可以使檢測器151的比較部165的處理高速化，并且能高精度地檢查半導(dǎo)體發(fā)光元件。
[0218]將通過所述(XD105取得的圖像信息顯示于顯示部163。
[0219]通過上述構(gòu)造，檢查者可視需要進一步增加目測檢查。
[0220]晶圓102c保持于移動臺102b上，LEDlOl配置于晶圓102c上。具有控制單元，用于在檢查LEDlOl時，使移動臺102b移動。
[0221]通過上述構(gòu)造，可連續(xù)地檢查LEDlOl。
[0222]反射部123配置在LEDlOl與所述受光部之間，其內(nèi)部為以所述發(fā)光中心軸為中心的旋轉(zhuǎn)體，在發(fā)光中心軸上截斷的剖面形狀為拋物線狀。
[0223]通過上述構(gòu)造，可以更容易地取得基準(zhǔn)信息。
[0224]LEDlOl配置于晶圓102c上，晶圓102c保持于移動臺102b上。具有使移動臺102b移動的控制單元，用于在檢查LEDlOl時使LEDlOl配置在拋物線狀的焦點附近。
[0225]通過上述構(gòu)造，可連續(xù)地檢查LEDlOl。
[0226]此外，本發(fā)明不限于以上的實施方式，本發(fā)明可以進行各種各樣構(gòu)造、構(gòu)成的改變和修飾。另外，本發(fā)明不只是進行發(fā)光狀況檢查的發(fā)光元件檢查裝置，也可以是使用該發(fā)光元件檢查裝置的方法。
[0227]更進一步，在本實施方式中雖然未進行光波長的測定，但是當(dāng)然也可以使用光學(xué)濾波器等來測定波長，并且分類其每個波長等。
[0228]而且，還可以通過測定各波長中的光強度以進行分類等。
[0229]〈定義等〉
[0230]本發(fā)明中的受光狀況是指受光的光強度、使用光學(xué)濾波器等的光波長等包含在光中的所有信息。
[0231]本發(fā)明中的發(fā)光信息是指半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光的狀況的信息。具體而言，是半導(dǎo)體發(fā)光元件在各個e的角度、9的角度等所出射的光的狀況的信息。
[0232]本發(fā)明中的受光信息是指受光單元所接收的受光狀況的信息。
[0233]此外，實施方式的(XD105只是本發(fā)明中的受光單元的其中一例。也就是說，只要是具有多個受光元件并且可測定光強度的東西皆可當(dāng)成本發(fā)明中的受光單元。另外，實施方式的CCD105只是本發(fā)明中的攝像單元的其中一例。也就是說，只要是可取得作為面的受光信息的東西皆可當(dāng)成攝像單元。
[0234]此外，LEDlOl只是本發(fā)明中的半導(dǎo)體發(fā)光元件的其中一例。也就是說，只要是可以發(fā)出光的元件皆可當(dāng)成發(fā)光元件。在此，光不限于可見光，也可以例如是紅外線、紫外線
坐寸O
[0235]此外，反射部123只是本發(fā)明中的反射部的其中一例。也就是說，只要是可以反射光的東西皆可當(dāng)成反射部，像是構(gòu)成部件本身若是反射材料，其本身就可以當(dāng)成反射部，或者是通過氣相沉積等鍍膜法所形成的反射部皆可。
[0236]本發(fā)明中的發(fā)光中心軸是指半導(dǎo)體發(fā)光元件在發(fā)光時的成為光的中心的軸。
[0237]本發(fā)明中的存儲單元只要是能存儲的東西即可。例如，ROM、RAM等皆可。
[0238]本發(fā)明中檢查單元的一例為實施方式中的檢測器151。更進ー步地特定本發(fā)明中的檢查單元為實施方式中的比較部165。
[0239]符號說明
[0240]3 半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置
[0241]101 LED(半導(dǎo)體發(fā)光元件)
[0242]102c 晶圓
[0243]105 (XD (受光單元、攝像單元)
[0244]109 探針
[0245]113 圖像處理部
[0246]123 反射部
[0247]151 檢測器(檢查單元)
[0248]161 存儲部
[0249]163 顯示部
[0250]165 比較部(檢查單元)
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置，用以接收半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)射的光并進行發(fā)光狀況的檢查，其特征在于，具有: 受光單元，其配置于所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光中心軸上，且與所述半導(dǎo)體發(fā)光元件相向配置，其接收從所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)射的光，可在多個地點測定所接收的受光狀況； 反射部，其反射從所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)射的光，并將其導(dǎo)光至所述受光單元； 存儲單元，其存儲作為比較基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信息，用于與所述受光單元所得到的多個地點的受光狀況相關(guān)的受光信息進行比較；以及 檢查單元，其將所述基準(zhǔn)信息與所述受光信息進行比較檢查。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置，其特征在于，所述受光單元由可取得作為面的受光信息即圖像信息的攝像單元所構(gòu)成， 所述存儲單元所存儲的基準(zhǔn)信息為基準(zhǔn)圖像信息， 所述檢查單元將所述基準(zhǔn)圖像信息與所述圖像信息進行比較檢查。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置，其特征在于，具有圖像處理部，其將攝像部所攝像的圖像信息進行二值化處理并提供至檢查單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置，其特征在于，具有圖像處理部，其將攝像部所攝像的圖像信息進行256灰度化處理并提供至檢查單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置，其特征在于，將通過所述攝像單元取得的所述圖像信息顯示于顯示部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件配置于晶圓上，所述晶圓保持于移動臺上，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置具有控制單元，用于在檢查所述半導(dǎo)體發(fā)光元件時，移動所述移動臺。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置，其特征在于， 所述反射部配置在所述半導(dǎo)體發(fā)光元件與所述受光部之間，其內(nèi)部為以所述發(fā)光中心軸為中心的旋轉(zhuǎn)體， 在所述發(fā)光中心軸上截斷的剖面形狀為拋物線狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件檢查裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件配置于晶圓上，所述晶圓保持于移動臺上，其特征在于，具有控制單元，用于在檢查所述半導(dǎo)體發(fā)光元件時，移動所述移動臺使所述半導(dǎo)體發(fā)光元件配置在所述拋物線狀的焦點附近。
【文檔編號】G01J1/00GK103443938SQ201180069220
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2011年3月15日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月15日
【發(fā)明者】望月學(xué), 藤森昭一, 廣田浩義, 市川美穗 申請人:日本先鋒公司, 先鋒自動化設(shè)備股份有限公司