專利名稱：壓敏放大器級(jí)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種包括改進(jìn)的惠斯通電橋的壓敏放大器級(jí)。
背景技術(shù)：
眾所周知以MOS晶體管連接成的惠斯通電橋的方式來(lái)連接微機(jī)械式的壓カ傳感器。這種電橋電路在例如 EP-A-0006740、EP-B-1152232 (DE-T-69917943)、US-A-4275406、 US-A-4459856、US-A-4522072、DE-C-4311298、DE-A-4444808和DE-U-7828255中有所描述。當(dāng)使用MOS晶體管用作微機(jī)械式傳感器中的壓カ傳感器時(shí)，例如，通常需要將以惠斯通電橋方式連接的多個(gè)這樣的壓カ傳感器的輸出信號(hào)組合，以便減少或抑制與不同情形相關(guān)的機(jī)械張カ對(duì)測(cè)量量的影響。為此目的，以惠斯通電橋方式連接的各個(gè)壓カ傳感器通常以串聯(lián)電路和并聯(lián)電路的組合的方式連接。多個(gè)惠斯通電橋的輸出信號(hào)的這種組合的效果在于，根據(jù)期望的極性，電橋?qū)?huì)被切換成并聯(lián)或反并聯(lián)的配置。這種布置方式具有的不足在于，多個(gè)所述惠斯通電橋的組合的總有用信號(hào)沒有單個(gè)的壓カ傳感器或單個(gè)的惠斯通電橋的有用信號(hào)強(qiáng)。因此，換言之，出現(xiàn)的是信號(hào)強(qiáng)度的平均而非疊加，盡管后者是所期望的。本發(fā)明的目的是提供ー種可級(jí)聯(lián)的壓敏放大器級(jí)。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供ー種可級(jí)聯(lián)的壓敏放大器級(jí)，所述壓敏放大器級(jí)包括四個(gè)單極型壓カ傳感器晶體管，所述四個(gè)單極型壓カ傳感器晶體管每個(gè)包括控制端子和設(shè)置在另外的第一端子與另外的第二端子之間的電流路徑，所述電流路徑對(duì)機(jī)械張力(也稱為機(jī)械應(yīng)カ)敏感，所述四個(gè)壓カ傳感器晶體管被連接成具有兩個(gè)電橋臂的壓カ測(cè)量電橋，所述電橋臂中的每個(gè)包括關(guān)于電流路徑串聯(lián)連接的第一壓カ傳感器晶體管和第二壓カ傳感器晶體管，兩個(gè)單極型控制晶體管，所述兩個(gè)單極型控制晶體管每個(gè)具有控制端子和設(shè)置在另外的第一端子與另外的第二端子之間的電流路徑，所述兩個(gè)控制晶體管的相應(yīng)的第一端子以及第二端子成對(duì)連接，并且所述控制晶體管的控制端子每個(gè)與所述兩個(gè)電橋臂的壓カ傳感器晶體管之間的節(jié)點(diǎn)連接，并且所述兩個(gè)并聯(lián)連接的控制晶體管的互連的第二端子與所述兩個(gè)電橋臂的第二壓力傳感器晶體管的控制端子連接，
第一電源，所述第一電源ー方面連接在第一電源電壓(VDD)與所述兩個(gè)電橋臂的第一壓カ傳感器晶體管的第一端子之間，另一方面連接在第一電源電壓(VDD)與所述控制晶體管的互連的第一端子之間，所述第一電源被提供用于產(chǎn)生第一電流，以及第二電源，所述第二電源ー方面連接在第二電源電壓(VSS)與所述控制晶體管的互連的第二端子之間，另一方面連接在第二電源電壓(VSS)與所述兩個(gè)電橋臂的第二壓カ傳感器晶體管的控制端子之間，所述第二電源被提供用于產(chǎn)生第二電流，所述兩個(gè)電橋臂的第一壓カ傳感器晶體管的控制端子用干與相應(yīng)的操作輸入電壓連接，并且在所述兩個(gè)電橋臂的相應(yīng)的壓力傳感器晶體管之間能夠檢測(cè)測(cè)量輸出電壓，并且所述壓カ測(cè)量電橋的所述測(cè)量輸出電壓能夠連接到用于級(jí)聯(lián)所述壓カ測(cè)量電橋的另ー壓力測(cè)量電橋的兩個(gè)電橋臂的第一壓カ傳感器晶體管的控制端子。

如在每個(gè)常規(guī)的惠斯通電橋中的情形一祥，根據(jù)本發(fā)明的壓敏放大器級(jí)也包括以單極型壓カ傳感器晶體管形式實(shí)現(xiàn)的四個(gè)壓カ傳感器。因此，這些晶體管是被設(shè)計(jì)成PMOS晶體管、NMOS晶體管或JFET晶體管的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。根據(jù)本發(fā)明的壓カ傳感器晶體管對(duì)機(jī)械張カ(變形)敏感(下文也被稱為壓敏)，并且被設(shè)計(jì)用于例如壓阻式或電容式操作。所述晶體管中的每個(gè)包括控制端子以及另外的第一端子和另外的第二端子，壓敏電流路徑在所述另外的第一端子與所述另外的第二端子之間延伸，通過將操作電壓施加到所述控制端子而激活所述壓敏電流路徑。四個(gè)壓カ傳感器被連接成具有兩個(gè)電橋臂的壓カ測(cè)量電橋。在所述兩個(gè)電橋臂之間，連接兩個(gè)單極型控制晶體管，它們中的每個(gè)包括控制端子和延伸在另外的第一端子與另外的第二端子之間的電流路徑。所述兩個(gè)控制晶體管的所述另外的第一端子相互連接。同樣地，所述兩個(gè)控制晶體管的所述另外的第二端子相互連接。所述兩個(gè)控制晶體管的控制端子每個(gè)與所述電橋臂的壓カ傳感器晶體管之間的兩個(gè)節(jié)點(diǎn)中的ー個(gè)相互連接。因此，由兩個(gè)電橋臂的節(jié)點(diǎn)處的電位控制所述兩個(gè)控制晶體管。關(guān)于電流路徑并聯(lián)連接的所述兩個(gè)控制晶體管的互連的第二端子與所述兩個(gè)電橋臂的第二壓カ傳感器晶體管的控制端子相連接，而所述兩個(gè)并聯(lián)連接的控制晶體管的互連的第一端子與所述電橋臂的所述兩個(gè)第一壓カ傳感器晶體管的互連的第一端子相連接。電橋臂的分別被互連的端部與第一電流源和相應(yīng)的第二電流源相連接，所述電流源中的每個(gè)又被施加第一電源電壓和相應(yīng)的第二電源電壓。例如，電橋電路被施加來(lái)自于第一電流源的電流，所述電流將會(huì)在所述兩個(gè)電橋臂以及所述兩個(gè)并聯(lián)連接的控制晶體管之中被分流。在所述兩個(gè)控制晶體管的下游和所述兩個(gè)電橋臂的端部處，電流將會(huì)向第二電源電壓和相應(yīng)的第二電流源放電。如果現(xiàn)在施加操作電壓到所述兩個(gè)電橋臂的第一壓カ傳感器晶體管的控制端子，則能夠在所述兩個(gè)電橋臂的節(jié)點(diǎn)處感測(cè)形成測(cè)量輸出電壓的輸出電壓。為了級(jí)聯(lián)本發(fā)明的多個(gè)壓敏放大器級(jí)，可以將所述測(cè)量輸出電壓施加到另ー放大器級(jí)的第一壓カ傳感器晶體管的控制端子。利用本發(fā)明電路的發(fā)明構(gòu)思，其中所述電路包括具有四個(gè)壓カ傳感器晶體管的惠斯通測(cè)量電橋且在上述設(shè)置中還包括兩個(gè)控制晶體管和電流源，盡管進(jìn)行級(jí)聯(lián)，每個(gè)壓敏放大器級(jí)也在測(cè)量電橋的第一壓カ傳感器晶體管處被提供相同的操作輸入電壓。因此，將不會(huì)出現(xiàn)測(cè)量信號(hào)的減弱。以此方式，實(shí)現(xiàn)有用信號(hào)的疊加(以及相應(yīng)的相減)，使得測(cè)量范圍可以加寬，信噪比可以提高。根據(jù)本發(fā)明的另ー個(gè)有益的實(shí)施例，提供了壓カ傳感器晶體管和控制晶體管被定標(biāo)為基本上相同，且第一電流的量基本上是第二電流的量的二倍。因此，例如，第一電流源所施加的電流將會(huì)以均勻的方式分配到所述兩個(gè)電橋臂和所述兩個(gè)并聯(lián)連接的控制晶體管上。于是每個(gè)電橋臂將承載所施加的電流的1/4，而所述兩個(gè)并聯(lián)連接的控制晶體管將會(huì)承載所施加的電流的一半。當(dāng)然，本發(fā)明不限于晶體管的此種定標(biāo)。在電路元件定標(biāo)與上述的電路元件定標(biāo)不同的情況下，第一電流源所產(chǎn)生的電流將會(huì)以不同的方式分配。與之相應(yīng)地，第二電流源所產(chǎn)生的電流量則需被調(diào)整。在本發(fā)明的另ー個(gè)有益的實(shí)施例中，第一電流和第二電流之差與第二電流之比被選擇為對(duì)應(yīng)于所述兩個(gè)電橋臂的第一壓カ傳感器晶體管中的每個(gè)相對(duì)于所述兩個(gè)控制晶體管中的每個(gè)的定標(biāo)。最后，為了防止或抑制壓カ測(cè)量電橋的振蕩，可以在所述兩個(gè)電橋臂的第二壓カ 傳感器晶體管的控制端子與第二電源電壓之間連接電容。本發(fā)明的壓敏放大器級(jí)包括對(duì)機(jī)械張力敏感的四個(gè)晶體管即(壓カ)傳感器晶體管、和兩個(gè)非壓敏晶體管即所述控制晶體管。所述控制晶體管用于保持共模電位，也就是說(shuō)，每個(gè)級(jí)聯(lián)的壓敏放大器級(jí)在所述電橋臂的第一壓カ傳感器晶體管的控制端子處被提供相同的操作輸入電壓。適宜地，所述四個(gè)壓カ傳感器晶體管是PMOS晶體管。所述兩個(gè)控制晶體管也適宜被實(shí)現(xiàn)為PMOS晶體管。第一電流源也可以用PMOS晶體管設(shè)置，而第二電流源包括NMOS晶體管。關(guān)于這兩個(gè)電壓源，總體而言要注意的是，它們包括具有不同極性的單極型晶體管，因?yàn)椹`個(gè)電流源將會(huì)施加電流到電橋電路中，而另ー個(gè)電流源將會(huì)接收從電橋電路流出的電流。要理解上述術(shù)語(yǔ)“壓カ傳感器晶體管”是表示這樣ー種晶體管，所述晶體管的可控電流路徑對(duì)于在例如作用在晶體管上的液壓、靜液壓、氣動(dòng)或機(jī)械壓カ的情況中所產(chǎn)生的機(jī)械張カ敏感。


將在以下的描述中結(jié)合附圖更加詳細(xì)地說(shuō)明使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的包括最佳實(shí)施方式在內(nèi)的本發(fā)明的全面且可行的公開內(nèi)容，在附圖中圖I示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的単獨(dú)的壓敏放大器級(jí)的連接，以及圖2示出利用兩個(gè)放大器級(jí)的串聯(lián)連接而形成兩個(gè)根據(jù)圖I的壓敏放大器級(jí)的級(jí)聯(lián)。
具體實(shí)施例方式在圖I中，描繪了壓敏放大器級(jí)10的總體配置。壓敏放大器級(jí)10包括以具有兩個(gè)電橋臂22、24的惠斯通電橋20的方式連接的四個(gè)壓敏晶體管(壓カ傳感器晶體管)12、14、16、18。每個(gè)壓力傳感器晶體管12、14、16、18包括控制端子12a、14a、16a和相應(yīng)的18a，以及另外的兩個(gè)端子12b與12c、14b與14c、16b與16c和相應(yīng)的18b與18c，其中相應(yīng)的電流路徑12d、14d、16d和18d在上述的另外的兩個(gè)端子之間延伸，所述相應(yīng)的電流路徑12d、14d、16d和18d在本實(shí)施例中是壓阻式電流路徑。四個(gè)壓カ傳感器晶體管被設(shè)計(jì)成例如PMOS晶體管。連接在兩個(gè)電橋臂22、24的節(jié)點(diǎn)22a、24a之間的是兩個(gè)控制晶體管26、28，所述兩個(gè)控制晶體管26、28的非壓敏電流路徑26d、28d并聯(lián)連接。兩個(gè)控制端子26a和28a與相應(yīng)的不同電橋臂22、24的節(jié)點(diǎn)22a、24a連接。兩個(gè)控制晶體管26和28的另外的第一端子26b和28b相互連接；同樣地，兩個(gè)控制晶體管26和28的另外的第二端子26c和28c相互連接。兩個(gè)第一端子26b和28b另外還與電橋臂22、24的兩個(gè)第一壓カ傳感器晶體管12、14的所述另外的第一端子12b和14b連接?？刂凭w管26或28的另外的兩個(gè)第二端子26c和28c與兩個(gè)第二壓カ傳感器16、18的兩個(gè)控制端子16a、18a中的相應(yīng)的不同的ー個(gè)相連接。在電源電位VDD與壓カ測(cè)量電橋20的兩個(gè)第一壓カ傳感器晶體管12和14之間連接了第一電流源30，用于產(chǎn)生電流I，而控制晶體管26、28的所述另外的第二端子26c、28c具有連接在其之間的另外的第二電流源32，所述第二電流源32由第二電源電位VSS供電。另外，壓カ測(cè)量電橋20經(jīng)由電容34與第二電源電位連接，如圖I所示。

這兩個(gè)電流源30、32例如也用具有相反的導(dǎo)電類型的MOSFET晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)。對(duì)電流源30和32的尺寸以及壓力傳感器晶體管12、14、16和18和控制晶體管26,28的定標(biāo)(scaling)進(jìn)行選擇，使得第一電流源30所施加的電流I的一半將流經(jīng)控制晶體管的電流路徑26d、28d，而所述電流的1/4將分別流經(jīng)兩個(gè)電橋臂22、24中的每個(gè)。如果現(xiàn)在施加操作輸入電壓INP和相應(yīng)的INN(例如，分別為O. 5伏)到兩個(gè)第一壓カ傳感器晶體管12、14的控制端子12a和14a，則電壓還將經(jīng)由用于控制兩個(gè)控制晶體管26、28的節(jié)點(diǎn)22a、24a根據(jù)局部有效的壓力降落于兩個(gè)第一壓カ傳感器晶體管12、14上，其中使用所述兩個(gè)晶體管的電位下游(downstream)，尤其以此方式使得平均上相同的電壓將會(huì)施加在輸出端OUTN和OUTP處(例如，在OUTN處為O. 4伏而在OUTP處為O. 6伏)。因此，平均上，輸出電壓與輸入電壓ー樣大。OUTN與OUTP處的電位與INP和INN相比的差量之差表示所測(cè)量到的壓カ以及相應(yīng)的作用于壓カ測(cè)量電橋20的所測(cè)量到的機(jī)械張力。因此，如上面所說(shuō)明的，壓敏放大器級(jí)10從其輸入端(在INP和INN處)傳送不變的共模電位到其輸出端(0UTN和0UTP)。這使得可以以例如圖2所示的方式來(lái)級(jí)聯(lián)多個(gè)圖I的放大器級(jí)10。在圖2中，還示出了可以進(jìn)ー步放大第二放大器級(jí)10’的輸出端處的電壓差的一個(gè)實(shí)例(0UTN例如為O. 3伏而OUTP例如為O. 7伏)。同樣，明顯的是，共模電位(0UTN和OUTP處的電壓的平均值)保持相同。本發(fā)明的壓敏放大器級(jí)利用壓カ傳感器晶體管12、14、16和18其自身來(lái)放大有用信號(hào)，使得可以級(jí)聯(lián)放大器級(jí)，并且有用信號(hào)將會(huì)疊加。并且，實(shí)際的惠斯通電橋(壓カ測(cè)量電橋20)保持不變。只不過是四個(gè)壓カ傳感器晶體管12、14、16和18的控制端子12a、14a、16a和18a要以不同的方式連接，且要增加數(shù)個(gè)另外的非壓敏晶體管，即，兩個(gè)控制晶體管26、28(并且，如果使用用于電流源30、32的晶體管，則還有這些晶體管)。以上已經(jīng)參照?qǐng)DI和圖2借助于ー個(gè)實(shí)施例描述了本發(fā)明的電路。關(guān)于此實(shí)施例，示出的是這樣ー種組合，其中四個(gè)壓カ傳感器晶體管12、14、16和18雖然具有相同的尺寸，但實(shí)現(xiàn)ー個(gè)差分放大?？刂凭w管26、28與電流源30、32 —起以輸出的共模電位(V_-V_>)/2對(duì)應(yīng)于輸入的共模電位(Vinn+Vinp)/2的方式來(lái)控制兩個(gè)電橋臂22,24的第二壓カ傳感器晶體管16、18的控制端子。因此，可以在增加與壓カ有關(guān)的信號(hào)的同時(shí)通過連接INN、INP到OUTN和OUTP以及相應(yīng)地到OUTP、OUTN來(lái)級(jí)聯(lián)不同的級(jí)。
根據(jù)相應(yīng)的用途，所描述的多個(gè)級(jí)聯(lián)壓敏放大器級(jí)10的組合能夠用作例如壓敏運(yùn)算放大器的輸入級(jí)。替代地，被組合的信號(hào)還可以在最后ー級(jí)處被感測(cè)，并相應(yīng)地被施加到ADC(可選地，在另外的中間放大之后)。盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的具體的說(shuō)明性實(shí)施例描述和說(shuō)明了本發(fā)明，但本發(fā)明并非意圖局限于這些說(shuō)明性實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的準(zhǔn)確范圍的情況下可以進(jìn)行多種變化和修改。因此，本發(fā)明意圖包括落入所附權(quán)利要求的范圍及其等同范圍之內(nèi)的所有這種變化和修改。附圖標(biāo)記列表10壓敏放大器級(jí)10’級(jí)聯(lián)的放大器級(jí)

12壓カ傳感器晶體管12a壓カ傳感器晶體管的控制(柵極)端子12b壓カ傳感器晶體管的另外的(漏極)端子12c壓カ傳感器晶體管的另外的(源極)端子12d壓カ傳感器晶體管的電流路徑14壓カ傳感器晶體管14a壓カ傳感器晶體管的控制(柵極)端子14b壓カ傳感器晶體管的另外的(漏極)端子14c壓カ傳感器晶體管的另外的(源極)端子16壓カ傳感器晶體管16a壓カ傳感器晶體管的控制(柵極)端子16b壓カ傳感器晶體管的另外的(漏極)端子16c壓カ傳感器晶體管的另外的(源極)端子16d壓カ傳感器晶體管的電流路徑18壓カ傳感器晶體管18a壓カ傳感器晶體管的控制(柵極)端子18b壓カ傳感器晶體管的另外的(漏極)端子18c壓カ傳感器晶體管的另外的(源極)端子18d壓カ傳感器晶體管的電流路徑20壓カ測(cè)量電橋22壓カ測(cè)量電橋的電橋臂22a電橋臂中的節(jié)點(diǎn)24壓カ測(cè)量電橋的電橋臂24a電橋臂中的節(jié)點(diǎn)26控制晶體管26a控制晶體管的控制(柵極)端子26b控制晶體管的第一(漏極)端子26c控制晶體管的第二(源極)端子26d控制晶體管的電流路徑
28控制晶體管28a控制晶體管的控制(柵極)端子28b控制晶體管的第一(漏極)端子28c控制晶體管的第二(源極)端子28d控制晶體管的電流路徑30第一電流源32第二電流源

34 電容。
權(quán)利要求
1.一種壓敏放大器級(jí)，包括 四個(gè)單極型壓カ傳感器晶體管，所述四個(gè)單極型壓カ傳感器晶體管每個(gè)包括控制端子和設(shè)置在另外的第一端子與另外的第二端子之間的電流路徑，所述電流路徑對(duì)機(jī)械張カ敏感， 所述四個(gè)壓カ傳感器晶體管被連接成具有兩個(gè)電橋臂的壓カ測(cè)量電橋，所述電橋臂中的每個(gè)包括關(guān)于電流路徑串聯(lián)連接的第一壓カ傳感器晶體管和第二壓カ傳感器晶體管，兩個(gè)單極型控制晶體管，所述兩個(gè)單極型控制晶體管每個(gè)具有控制端子和設(shè)置在另外的第一端子與另外的第二端子之間的電流路徑， 所述兩個(gè)控制晶體管的相應(yīng)的第一端子以及第二端子成對(duì)連接，并且所述控制晶體管的控制端子每個(gè)與所述兩個(gè)電橋臂的壓カ傳感器晶體管之間的節(jié)點(diǎn)連接，并且 所述兩個(gè)并聯(lián)連接的控制晶體管的互連的第二端子與所述兩個(gè)電橋臂的第二壓カ傳感器晶體管的控制端子連接， 第一電源，所述第一電源ー方面連接在第一電源電壓與所述兩個(gè)電橋臂的第一壓カ傳感器晶體管的第一端子之間而另一方面連接在所述第一電源電壓與所述控制晶體管的互連的第一端子之間，所述第一電源被提供用于產(chǎn)生第一電流，以及 第二電源，所述第二電源ー方面連接在第二電源電壓與所述控制晶體管的互連的第二端子之間而另一方面連接在所述第二電源電壓與所述兩個(gè)電橋臂的第二壓カ傳感器晶體管的控制端子之間，所述第二電源被提供用于產(chǎn)生第二電流， 所述兩個(gè)電橋臂的第一壓カ傳感器晶體管的控制端子用干與相應(yīng)的操作輸入電壓連接，并且在所述兩個(gè)電橋臂的相應(yīng)的壓力傳感器晶體管之間能夠檢測(cè)測(cè)量輸出電壓，以及所述壓カ測(cè)量電橋的所述測(cè)量輸出電壓能夠連接到用于級(jí)聯(lián)所述壓カ測(cè)量電橋的另一壓カ測(cè)量電橋的兩個(gè)電橋臂的第一壓カ傳感器晶體管的控制端子。
2.如權(quán)利要求I所述的壓敏放大器級(jí)，其中，所述壓カ傳感器晶體管和所述控制晶體管被定標(biāo)成基本上相同，并且所述第一電流的量基本上是所述第二電流的量的兩倍。
3.如權(quán)利要求I所述的壓敏放大器級(jí)，其中，所述第一電流和所述第二電流之差與所述第二電流的比被選擇為對(duì)應(yīng)于所述兩個(gè)電橋臂的第一壓カ傳感器晶體管中的每個(gè)相對(duì)于所述兩個(gè)控制晶體管中的每個(gè)的定標(biāo)。
4.如權(quán)利要求I至3中的任一項(xiàng)所述的壓敏放大器級(jí)，其中，為了防止或抑制所述壓カ測(cè)量電橋的振蕩，在所述兩個(gè)電橋臂的第二壓カ傳感器晶體管的控制端子與所述第二電源電壓之間連接電容。
5.如權(quán)利要求I所述的壓敏放大器級(jí)，其中，所述四個(gè)壓カ傳感器晶體管每個(gè)被設(shè)計(jì)成PMOS晶體管。
6.如權(quán)利要求I所述的壓敏放大器級(jí)，其中，所述兩個(gè)控制晶體管每個(gè)被設(shè)計(jì)成PMOS晶體管。
全文摘要
本發(fā)明公開一種壓敏放大器級(jí)，包括每個(gè)包括壓阻電流路徑的四個(gè)單極型壓力傳感器晶體管，被連接成具有兩個(gè)電橋臂的壓力測(cè)量電橋，每個(gè)包括關(guān)于電流路徑串聯(lián)連接的第一和第二壓力傳感器晶體管。另外還提供兩個(gè)單極型控制晶體管，每個(gè)具有控制端子和設(shè)置在成對(duì)連接的另外的第一和第二端子之間的電流路徑，控制端子每個(gè)與壓力傳感器晶體管之間的節(jié)點(diǎn)連接，互連的第二端子與第二壓力傳感器晶體管的控制端子連接。放大器級(jí)還包括兩個(gè)電源。第一壓力傳感器晶體管的控制端子用于與相應(yīng)的操作輸入電壓連接，相應(yīng)的壓力傳感器晶體管之間能夠檢測(cè)測(cè)量輸出電壓，其能夠連接到用于級(jí)聯(lián)電橋的另一電橋的兩個(gè)電橋臂的第一壓力傳感器晶體管的控制端子。
文檔編號(hào)G01L1/18GK102680146SQ20121002515
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月7日
發(fā)明者沃爾夫?qū)け热麪?申請(qǐng)人:艾爾默斯半導(dǎo)體股份公司