專利名稱：瞬變電磁數(shù)據(jù)快速準(zhǔn)確的邊框影響校正方法
瞬變電磁數(shù)據(jù)快速準(zhǔn)確的邊框影響校正方法
技術(shù)領(lǐng)域 本發(fā)明屬于地球物理勘探技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種瞬變電磁數(shù)據(jù)快速準(zhǔn)確的邊框影響校正方法。
背景技術(shù)：
瞬變電磁法簡稱TEM，是近年來廣泛應(yīng)用于資源勘查、工程物探、水文勘探等領(lǐng)域的一種電磁類勘探方法。該方法在施工時，為提高工作效率和提高分辨率，一般采用大定源的發(fā)射方式，在發(fā)射框中心1/9區(qū)域內(nèi)進(jìn)行觀測，用中心回線方法解釋資料的工作方法。由于在該觀測范圍內(nèi)一次垂直磁場的不均勻性，其將引起渦流場的差異，也即觀測的渦流場值與發(fā)射線框內(nèi)的位置有關(guān)系。而該方法計算視電阻率采用的中心回線晚期計算公式為
權(quán)利要求
1. 一種瞬變電磁數(shù)據(jù)快速準(zhǔn)確的邊框影響校正方法，其特征在于通過以下步驟實(shí)現(xiàn)(1)、根據(jù)野外實(shí)測數(shù)據(jù) ，利用中心回線晚期視電阻率計算公式
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種瞬變電磁數(shù)據(jù)快速準(zhǔn)確的邊框影響校正方法，其特征在于所述的步驟(8)中的值為相對實(shí)測值差上3個以上數(shù)量級的數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種瞬變電磁數(shù)據(jù)快速準(zhǔn)確的邊框影響校正方法，其特征在于所述的步驟(8)中的En的值為0. 00001。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種瞬變電磁數(shù)據(jù)快速準(zhǔn)確的邊框影響校正方法。本發(fā)明根據(jù)野外實(shí)測數(shù)據(jù)，利用中心回線晚期視電阻率計算公式、趨膚深度估算公式計算相應(yīng)視深度構(gòu)建厚度—電阻率正演模型，根據(jù)給定模型通過公式計算發(fā)射回線中心位置和實(shí)際位置的頻域電磁場，通過公式計算該點(diǎn)在發(fā)射回線中心位置和實(shí)際位置的正演時域二次場值，根據(jù)公式求取修正參數(shù)，根據(jù)公式計算校正后實(shí)測歸一化感應(yīng)電動勢，預(yù)先指定的一個數(shù)，若誤差滿足條件則完成修正過程，若不滿足，重復(fù)整個重復(fù)步驟，直到滿足為止。本發(fā)明可以快速有效消除定性解釋中由于邊框效應(yīng)帶來的影響，大大提高瞬變電磁法資料處理速度及解釋精度，從而推動該方法技術(shù)的大幅度發(fā)展及應(yīng)用。
文檔編號G01V3/38GK102621585SQ20121007976
公開日2012年8月1日 申請日期2012年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月23日
發(fā)明者范濤 申請人:中煤科工集團(tuán)西安研究院