專利名稱：一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于氣體傳感器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器及其制備方法。
背景技術(shù)：
甲烷在自然界分 布很廣，是天然氣、沼氣、坑氣及煤氣的主要成分之一。甲烷氣體爆炸引發(fā)的事故在礦開采行業(yè)已造成了極大的危害。甲烷爆炸作為煤礦安全問題的主要威脅之一，造成巨大的經(jīng)濟(jì)損失和工作人員的犧牲。甲烷對人基本無毒，屬微毒類，皮膚接觸液化的甲烷，可致凍傷。但濃度過高時，空氣中氧含量會明顯降低，致使人窒息。當(dāng)空氣中甲烷達(dá)25%-30%時，可引起頭痛、頭暈、乏力、注意力不集中、呼吸和心跳加速等。若不及時遠(yuǎn)離，可致窒息死亡。甲烷的燃點(diǎn)只有63°C左右，在空氣中含量為5%-15%時，遇明火就會產(chǎn)生爆炸，當(dāng)含量達(dá)到9. 5%時爆炸最強(qiáng)烈。因此，準(zhǔn)確地檢測周圍環(huán)境甲烷的濃度對保護(hù)工作人員的生命安全具有十分重要的意義。目前，常用的甲烷檢測的方法有光干涉檢測法(比如中國專利CN 201984032 U、CN 201780268 U、CN 1010957318 A、CN 201844973 U、CN 101915123 A,200520033421. 0等)，催化燃燒法(中國專利CN 101695658)，以及氣相色譜法等。其中，光干涉檢測法與催化燃燒法都有著不同程度的成本消耗高的缺點(diǎn)；光干涉法不能進(jìn)行連續(xù)測量，對氣體濃度指示不直觀；雖然催化燃燒法響應(yīng)靈敏度高、對氣體的選擇性好，但測值穩(wěn)定性差、精度較低，而且其響應(yīng)信號容易受到干擾，存在零點(diǎn)漂移和輸出靈敏度的變化。有機(jī)材料價格低廉、材料來源廣泛、與柔性基底相兼容等特點(diǎn)使有機(jī)薄膜晶體管使在氣體傳感器方面的發(fā)展和應(yīng)用引起了人們的廣泛關(guān)注。有機(jī)薄膜晶體管氣體傳感器響應(yīng)速度快、選擇性、可逆性好、可室溫工作，而且能夠微型化、陣列化。OTFT具有獨(dú)特的優(yōu)勢，它能夠提供多參數(shù)的響應(yīng)，比如在甲烷環(huán)境下測量，可以觀察到開關(guān)電流比的變化、閾值電壓的漂移、遷移率的變化等等，從低價格、低功耗、可大規(guī)模生產(chǎn)方面來說，有機(jī)薄膜晶體管氣體傳感器是一個新的發(fā)展視角。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于克服傳統(tǒng)的檢測甲烷傳感器的缺點(diǎn)，提供一種制備工藝簡單，生產(chǎn)成本低廉，用于檢測甲烷并且能夠多參數(shù)響應(yīng)的一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器及其制備方法。一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器，包括玻璃襯底I、柵電極2、柵極絕緣層
3、漏電極4源電極5、具有氣體探測功能的有機(jī)層6組成，其特征在于柵極絕緣層3位于刻蝕有柵極2的襯底I上，源電極5和漏電極6位于柵極絕緣層3之上，有機(jī)層6連接源電極5和漏電極4，有機(jī)層6既作為有機(jī)薄膜場效應(yīng)晶體管器件的基本結(jié)構(gòu)組成部分又作為敏感功能層。進(jìn)一步的說，所述有機(jī)層6以p型半導(dǎo)體材料并苯類為原料，由并三苯、并四苯、并五苯、6，13- 二三異丙酯娃基乙炔并五苯、3，4-苯并花、六苯并苯、6，13-五并苯醌中的至少一種構(gòu)成。進(jìn)一步的說，所述有機(jī)層6的厚度為5-500 nm。進(jìn)一步的說，所述襯底I由硅片、玻璃、聚合物薄膜或金屬箔制成。進(jìn)一步的說，所述柵電極2、源電極5和漏電極4由低電阻的金屬及其合金材料、金屬氧化物或?qū)щ姀?fù)合材料制成，源電極5和漏電極4的厚度為10-300 nm。進(jìn)一步的說,所述柵極絕緣層3的厚度為20-2000 nm。一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器的制備方法，包括以下步驟
①先對襯底(I)進(jìn)行徹底的清洗，清洗后干燥；
②在襯底表面制備柵電極(2)；
③在柵電極(2)上面制備柵極絕緣層(3)并對絕緣層進(jìn)行處理；
④在所述柵極絕緣層(3)上制備源電極(5 )和漏電極(4 );
⑤在源電極(5)和漏電極(4)之間制備用于探測甲烷氣體的有機(jī)層(6)。進(jìn)一步說，制備方法中所述柵電極(2)、源電極(5)、漏電極(4)通過真空熱蒸鍍、磁控濺射、等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積、絲網(wǎng)印刷、打印或旋涂中的任一方法制備。 進(jìn)一步說，制備方法中所述柵極絕緣層(3)通過等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積、熱氧化、旋涂或者真空蒸鍍中的任一方法制備。進(jìn)一步說，制備方法中所述有機(jī)層(6)通過等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積、熱氧化、旋涂、真空蒸鍍、旋涂、滴膜、壓印、印刷或氣噴中的任一方法制備。進(jìn)一步說，制備方法中所述旋涂工藝為前轉(zhuǎn)400轉(zhuǎn)/分鐘、后轉(zhuǎn)1000轉(zhuǎn)/分鐘的速度旋涂柵極絕緣層(3)，厚度為20-2000nm ;所述退火溫度為150°C，時間為I小時。
進(jìn)一步說，制備方法中所述蒸鍍有機(jī)層(6)速率為0. 01-0. 03納米/秒，厚度為5-500納米。進(jìn)一步說，制備方法中所所述的蒸鍍源電極(5)和漏電極(6)時速度在0. 1-0. 6納米/秒，厚度為10-300納米。本發(fā)明具有以下有益效果
一、采用多種制備工藝，大大簡化器件制備過程，器件能夠集成化、陣列化、微型化，適合大規(guī)模生產(chǎn)。二、并苯類及并苯類衍生物有機(jī)材料成本低廉、可大面積形成薄膜，并且能夠和柔性襯底相兼容。三、相對其他有機(jī)半導(dǎo)體材料，并苯類材料制備的有機(jī)薄膜晶體管器件具有好的電學(xué)特性，可產(chǎn)生較大的響應(yīng)電流，便于實(shí)現(xiàn)對分析物的檢測。四、基于有機(jī)薄膜晶體管的甲烷氣體傳感器可以快速的對甲烷氣體做出響應(yīng)。五、能夠?qū)λ鶞y量的分析物產(chǎn)生多參數(shù)響應(yīng)。


圖I為本發(fā)明氣體傳感器的示意 圖2為本發(fā)明的甲烷傳感器暴露在IOOppm甲烷氣體中的源漏電流和時間的響應(yīng)曲線.圖中I為襯底，2為柵極，3為柵極絕緣層，4為漏電極，5為源電極，6為有機(jī)層。
具體實(shí)施例方式原理由于并苯類材料能夠形成多晶狀態(tài)的特點(diǎn)和較高的載流子遷移率，因此基于此類材料所制備的有機(jī)薄膜晶體管有著很好的電流響應(yīng)特性。有機(jī)薄膜晶體管氣體傳感器以有機(jī)層作為敏感層，在工作時，有機(jī)薄膜晶體管有機(jī)層吸附分析物，使得分析物和有機(jī)層之間產(chǎn)生物理或化學(xué)吸附，改變薄膜形貌產(chǎn)生勢壘或載流子陷進(jìn)，從而使得器件的參數(shù)發(fā)生改變。通過檢測器件參數(shù)(閾值電壓、開關(guān)電流或者有機(jī)層導(dǎo)電聚合物材料的場效應(yīng)遷移率)的變化而得到所檢測氣體的信息。一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器，包括玻璃襯底、柵電極、柵極絕緣層、漏 電極、源電極、具有氣體探測功能的有機(jī)層組成，其特征在于柵極絕緣層位于刻蝕有柵極的襯底上，源電極和漏電極位于柵極絕緣層之上，有機(jī)層連接源電極和漏電極，有機(jī)層既作為有機(jī)薄膜場效應(yīng)晶體管器件的基本結(jié)構(gòu)組成部分又作為敏感功能層。襯底可采用剛性襯底或者柔性襯底，如硅片、玻璃、聚合物薄膜和金屬箔中的一種，本發(fā)明采用價格低廉的薄膜襯底。柵電極2、源電極5和漏電極4可采用具有低電阻、穩(wěn)定性較好的的材料，如金(Au)、銀(Ag)鎂(Mg)合金、招(Al)、銅(CuXI11KCa)、鋇(Ba)、鎳(Ni)等金屬及其合金材料，如氧化銦錫(IT0)。制備方法可以是真空熱蒸鍍、旋涂、噴霧、磁控濺射等各種成膜方法。所述源電極5和漏電極4的厚度為10-300 nm。柵極絕緣層采用具有良好的介電性能的材料，包括無機(jī)絕緣材料如二氧化硅(Si02)、氮化硅(Si3N4)、氧化鋁(A1203)、等；有機(jī)絕緣材料如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP )、聚乙烯醇(PVA)、聚苯乙烯(PS )等，制備方法可以是真空熱蒸鍍、旋涂、噴霧、磁控濺射等各種成膜方法。所述柵極絕緣層3的厚度為20-2000 nm。有機(jī)層采用并苯類及并苯類衍生物有機(jī)材料制成，包括并三苯(蒽)、并四苯、并五苯或紅熒烯、6，13-五并苯醌、3，4-并苯芘等，制備方法可以是真空熱蒸鍍、旋涂、噴霧、磁控濺射等各種成膜方法。所述甲烷氣體有機(jī)半導(dǎo)體探測層的厚度均為5-500 nm。實(shí)施例I
有機(jī)薄膜晶體管氣體傳感器由玻璃襯底、柵電極、柵極絕緣層、漏電極、源電極、有機(jī)層組成，柵極絕緣層位于刻蝕有柵極的襯底上，源電極和漏電極位于柵極絕緣層之上，有機(jī)層連接源電極和漏電極。有機(jī)層以P型有機(jī)半導(dǎo)體材料并五苯為原料。對濺射好柵電極ITO的玻璃襯底進(jìn)行清洗，首先利用清洗劑擦洗后，清洗劑溶液超聲10分鐘，再用洗滌劑擦洗基片，用去離子水沖洗，去離子水溶液超聲10分鐘，再用丙酮溶液超聲10分鐘，最后放在乙醇溶液中超聲10分鐘。清洗后用氮?dú)獯蹈苫?；設(shè)定前轉(zhuǎn)為500轉(zhuǎn)/分鐘、后轉(zhuǎn)1000轉(zhuǎn)/分鐘的速度旋涂絕緣層PMMA，厚度為500納米；然后在150°C溫度下，退火I個小時；然后利用真空蒸鍍方法，蒸鍍源電極和漏電極，源漏電極均為Au電極，蒸鍍速率0. 1-0. 3納米/秒，厚度為50納米；最后蒸鍍有機(jī)層并五苯，速率為0. 01-0. 02納米/秒，厚度達(dá)到50納米。將上述氣體傳感器至于飽和工作狀態(tài),達(dá)到穩(wěn)定時,暴露在同一濃度為IOOppm的甲烷氣體中，由響應(yīng)曲線(參見圖2)可知，當(dāng)暴露在甲烷氣體中時器件的源漏電流急劇減小，這是因為當(dāng)甲烷吸附與有機(jī)薄膜層時，甲烷表現(xiàn)為弱還原劑，和有機(jī)層薄膜二者發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移，產(chǎn)生勢壘或者陷阱，使得有機(jī)層空穴載流子減少，因此使得源漏電流減小。實(shí)施例2
對濺射好柵電極ITO的玻璃襯底進(jìn)行清 洗，首先利用清洗劑擦洗后，清洗劑溶液超聲10分鐘，再用洗滌劑擦洗基片，用去離子水沖洗，去離子水溶液超聲10分鐘，再用丙酮溶液超聲10分鐘，最后放在乙醇溶液中超聲10分鐘。清洗后用氮?dú)獯蹈苫?；設(shè)定前轉(zhuǎn)為500轉(zhuǎn)/分鐘、后轉(zhuǎn)1000轉(zhuǎn)/分鐘的速度旋涂絕緣層PS，厚度為20納米；然后在150°C溫度下，退火I個小時；然后利用真空蒸鍍方法，蒸鍍源電極和漏電極，源漏電極均為Au電極，蒸鍍速率0. 1-0. 3納米/秒，厚度為50納米；最后蒸鍍有機(jī)層并五苯，速率為0. 01-0. 02納米/秒，厚度達(dá)到25納米；即得氣體傳感器。實(shí)施例3
對濺射好柵電極ITO的玻璃襯底進(jìn)行清洗，首先利用清洗劑擦洗后，清洗劑溶液超聲15分鐘，再用洗滌劑擦洗基片，用去離子水沖洗，去離子水溶液超聲15分鐘，再用丙酮溶液超聲15分鐘，最后放在乙醇溶液中超聲15分鐘。清洗后用氮?dú)獯蹈苫?；設(shè)定前轉(zhuǎn)為500轉(zhuǎn)/分鐘、后轉(zhuǎn)1000轉(zhuǎn)/分鐘的速度旋涂絕緣層PVA，厚度為2000納米；然后在150°C溫度下，退火I個小時；然后利用真空蒸鍍方法，蒸鍍源電極和漏電極，源漏電極均為Au電極，蒸鍍速率0. 1-0. 3納米/秒，厚度為50納米；最后蒸鍍有機(jī)層并五苯，速率為0. 01-0. 02納米/秒，厚度達(dá)到25納米；即得氣體傳感器。實(shí)施例4
對濺射好柵電極ITO的玻璃襯底進(jìn)行清洗，首先利用清洗劑擦洗后，清洗劑溶液超聲15分鐘，再用洗滌劑擦洗基片，用去離子水沖洗，去離子水溶液超聲15分鐘，再用丙酮溶液超聲15分鐘，最后放在乙醇溶液中超聲15分鐘。清洗后用氮?dú)獯蹈苫?；設(shè)定前轉(zhuǎn)為500轉(zhuǎn)/分鐘、后轉(zhuǎn)1000轉(zhuǎn)/分鐘的速度旋涂絕緣層PMMA，厚度為2000納米；然后在150°C溫度下，退火I個小時；然后利用真空蒸鍍方法，蒸鍍源電極和漏電極，源漏電極均為Au電極，蒸鍍速率0. 1-0. 3納米/秒，厚度為50納米；最后蒸鍍有機(jī)層并五苯，速率為0. 01-0. 02納米/秒，厚度達(dá)到50納米；即得氣體傳感器。實(shí)施例5
對濺射好柵電極ITO的玻璃襯底進(jìn)行清洗，首先利用清洗劑擦洗后，清洗劑溶液超聲15分鐘，再用洗滌劑擦洗基片，用去離子水沖洗，去離子水溶液超聲15分鐘，再用丙酮溶液超聲10分鐘，最后放在乙醇溶液中超聲15分鐘。清洗后用氮?dú)獯蹈苫?；設(shè)定前轉(zhuǎn)為500轉(zhuǎn)/分鐘、后轉(zhuǎn)1000轉(zhuǎn)/分鐘的速度旋涂絕緣層PMMA，厚度為250納米；然后在150°C溫度下，退火I個小時；然后利用真空蒸鍍方法，蒸鍍源電極和漏電極，源漏電極均為Au電極，蒸鍍速率0. 1-0. 6納米/秒，厚度為50納米，前100納米蒸鍍速率為0. 1-0. 3納米/秒，后150納米蒸鍍速率為0. 3-0. 6納米/秒，；最后蒸鍍有機(jī)層并五苯，速率為0. 01-0. 03納米/秒，厚度達(dá)到50納米，前20nm速率為0. 01納米/秒，后30nm為0. 02-0. 03納米/秒;即得氣體傳感器。實(shí)施例6
對濺射好柵電極ITO的玻璃襯底進(jìn)行清洗，首先利用清洗劑擦洗后，清洗劑溶液超聲15分鐘，再用洗滌劑擦洗基片，用去離子水沖洗，去離子水溶液超聲15分鐘，再用丙酮溶液超聲15分鐘，最后放在乙醇溶液中超聲15分鐘。清洗后用氮?dú)獯蹈苫?；設(shè)定前轉(zhuǎn)為500轉(zhuǎn)/分鐘、后轉(zhuǎn)1000轉(zhuǎn)/分鐘的速度旋涂絕緣層PVA，厚度為250納米；然后在150°C溫度下，退火I個小時；然后利用真空蒸鍍方法，蒸鍍源電極和漏電極，源漏電極均為Au電極，蒸鍍速率0. 1-0. 3納米/秒，厚度為50納米；最后蒸鍍有機(jī)層并四苯，速率為0. 01-0. 02納米/秒，厚度達(dá)到5納米；即得氣體傳感器。實(shí)施例7
對濺射好柵電極ITO的玻璃襯底進(jìn)行清洗，首先利用清洗劑擦洗后，清洗劑溶液超聲15分鐘，再用洗滌劑擦洗基片，用去離子水沖洗，去離子水溶液超聲15分鐘，再用丙酮溶液超聲15分鐘，最后放在乙醇溶液中超聲15分鐘。清洗后用氮?dú)獯蹈苫?；設(shè)定前轉(zhuǎn)為500轉(zhuǎn)/分鐘、后轉(zhuǎn)1000轉(zhuǎn)/分鐘的速度旋涂絕緣層PVA，厚度為250納米；然后在150°C溫度下，退火I個小時；然后利用真空蒸鍍方法，蒸鍍源電極和漏電極，源漏電極均為Au電極，蒸鍍速率0. 1-0. 3納米/秒，厚度為50納米；最后蒸鍍有機(jī)層并三苯，速率為0. 01-0. 02納米 /秒，厚度達(dá)到500納米；即得氣體傳感器。實(shí)施例8
對濺射好柵電極ITO的玻璃襯底進(jìn)行清洗，首先利用清洗劑擦洗后，清洗劑溶液超聲10分鐘，再用洗滌劑擦洗基片，用去離子水沖洗，去離子水溶液超聲10分鐘，再用丙酮溶液超聲10分鐘，最后放在乙醇溶液中超聲10分鐘。清洗后用氮?dú)獯蹈苫?；設(shè)定前轉(zhuǎn)為500轉(zhuǎn)/分鐘、后轉(zhuǎn)1000轉(zhuǎn)/分鐘的速度旋涂絕緣層PMMA，厚度為200納米；然后在150°C溫度下，退火I個小時；然后利用真空蒸鍍方法，蒸鍍源電極和漏電極，源漏電極均為Cu電極，蒸鍍速率0. 1-0. 3納米/秒，厚度為10納米；最后蒸鍍有機(jī)層并五苯，速率為0. 01-0. 02納米/秒，厚度達(dá)到50納米；即得氣體傳感器。實(shí)施例9
對濺射好柵電極ITO的玻璃襯底進(jìn)行清洗，首先利用清洗劑擦洗后，清洗劑溶液超聲10分鐘，再用洗滌劑擦洗基片，用去離子水沖洗，去離子水溶液超聲10分鐘，再用丙酮溶液超聲10分鐘，最后放在乙醇溶液中超聲10分鐘。清洗后用氮?dú)獯蹈苫?；設(shè)定前轉(zhuǎn)為500轉(zhuǎn)/分鐘、后轉(zhuǎn)1000轉(zhuǎn)/分鐘的速度旋涂絕緣層PS，厚度為200納米；然后在150°C溫度下，退火I個小時；然后利用真空蒸鍍方法，蒸鍍源電極和漏電極，源漏電極均為Al電極，蒸鍍速率0. 1-0. 3納米/秒，厚度為300納米；最后蒸鍍有機(jī)層并五苯，速率為0. 01-0. 02納米/秒，厚度為25納米；即得氣體傳感器。
權(quán)利要求
1.一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器，包括玻璃襯底(I)、柵電極(2)、柵極絕緣層(3)、漏電極(4)源電極(5)、具有氣體探測功能的有機(jī)層(6)組成，其特征在于柵極絕緣層(3)位于刻蝕有柵極(2)的襯底(I)上，源電極(5)和漏電極(6)位于柵極絕緣層(3)之上，有機(jī)層(6)連接源電極(5)和漏電極(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器，其特征在于所述有機(jī)層(6)由并三苯、并四苯、并五苯、6，13-二三異丙酯硅基乙炔并五苯、3，4-苯并芘、六苯并苯、6，13-五并苯醌中的至少一種構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I 2任一項所述的基于有機(jī)薄膜晶體管的甲烷氣體傳感器，其特征在于所述有機(jī)層(6)的厚度為5-500 nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器，其特征在于所述襯底(I)由硅片、玻璃、聚合物薄膜或金屬箔制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器，其特征在于所述柵電極(2)、源電極(5)和漏電極(4)由低電阻的金屬及其合金材料、金屬氧化物或?qū)щ姀?fù)合材料制成，源電極(5)和漏電極(4)的厚度為10-300 nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器，其特征在于所述柵極絕緣層(3)的厚度為20-2000 nm。
7.一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器的制備方法，包括以下步驟 ①先對襯底(I)進(jìn)行徹底的清洗，清洗后干燥； ②在襯底表面制備柵電極(2)； ③在柵電極(2)上面制備柵極絕緣層(3)并對絕緣層進(jìn)行處理； ④在所述柵極絕緣層(3)上制備源電極(5 )和漏電極(4 ); ⑤在源電極(5)和漏電極(4)之間制備用于探測甲烷氣體的有機(jī)層(6)。
8.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器的制備方法，其特征在于所述柵電極(2)、源電極(5)、漏電極(4)通過真空熱蒸鍍、磁控濺射、等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積、絲網(wǎng)印刷、打印或旋涂中的任一方法制備。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器的制備方法，其特征在于所述柵極絕緣層(3)通過等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積、熱氧化、旋涂或者真空蒸鍍中的任一方法制備。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器的制備方法，其特征在于所述有機(jī)層(6)通過等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積、熱氧化、旋涂、真空蒸鍍、旋涂、滴膜、壓印、印刷或氣噴中的任一方法制備。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基于機(jī)薄膜晶體管甲烷氣體傳感器及其制備方法，屬于氣體傳感器應(yīng)用領(lǐng)域，一種新型的檢測甲烷氣體的方法，特點(diǎn)是其低廉的成本和簡單的制備過程。本發(fā)明采用有機(jī)薄膜晶體管底柵底接觸型結(jié)構(gòu)，它包括襯底，位于襯底上的柵電極、位于柵電極上的絕緣層，位于柵極絕緣層上的源電極和漏電極，源漏電極上面為具有氣體探測功能的有機(jī)層。主要用于檢測環(huán)境中的甲烷。
文檔編號G01N27/60GK102636552SQ20121010784
公開日2012年8月15日 申請日期2012年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月13日
發(fā)明者于軍勝, 于欣格, 張霖, 鐘建 申請人:電子科技大學(xué)