專利名稱：在磁共振設(shè)備中均勻局部基本磁場的局部線圈的勻場線圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于成像系統(tǒng)的局部線圈。
背景技術(shù)：
由DE10314215B4、US6100695、US6023167公知了用于例如通過磁共振斷層造影檢查患者的磁共振設(shè)備(MRT)。目前，在MR斷層造影中通常利用所謂的局部線圈裝置(Coils，Local Coils)來拍攝具有高信噪比(SNR)的圖像。這些局部線圈裝置是被安裝在緊靠患者的上面(anterior， 前部)或下面(posterior，后部)的天線系統(tǒng)。在MRT測量中，被激勵的核在局部線圈的各個天線中感應(yīng)出電壓，該電壓然后被利用低噪聲前置放大器(LNA，Preamp)放大并且最后被電纜連接地傳輸?shù)浇邮针娮悠骷?。為了也在高分辨率的圖像中改進(jìn)信噪比，采用所謂的高場設(shè)備(I. 5T至12T以及更高)。在許多臨床MR應(yīng)用中BO基本場的均勻性是重要的。在均勻性偏差的情況下會形成偽影或失真，或者諸如脂肪飽和(FatSat)的特定應(yīng)用不再最佳地起作用。脂肪飽和是一種技術(shù)，在該技術(shù)中使用在脂肪中結(jié)合的質(zhì)子的頻率偏移，以便通過在脂肪頻率下的強(qiáng)烈的發(fā)送脈沖(飽和脈沖)使脂肪組織的信號淡出，或者使用兩個信號的頻率或相位偏移，以便使脂肪組織淡出(部分地在圖像后處理中)。因為在水中和脂肪中的質(zhì)子頻率之間的差是非常小的(基本場的幾ppm)，所以該技術(shù)強(qiáng)烈取決于基本場的空間均勻性。這點目前通過例如具有直到大約0. 5ppm的大約30X 30X 30cm (+ — 20cm)的空間實現(xiàn)。在身體區(qū)域中，基于身體組織的磁化率(mu_r或,)的空間上強(qiáng)烈不均勻的分布，能夠形成BO基本場的失真。這通過嵌入到MRT系統(tǒng)中的所謂的勻場線圈(Shimspulen)來校正。目前的勻場線圈被安裝在系統(tǒng)中(空間上在梯度線圈的區(qū)域中)，也就是距離患者相當(dāng)遠(yuǎn)。不同的勻場線圈的數(shù)量、其裝置和控制允許特定數(shù)量的自由度，以便通過常規(guī)銅線圈中的勻場電流來均衡大多超導(dǎo)的基本場磁體的BO不均勻性。例如為了均衡頸部脊柱(HWS)區(qū)域中的不均勻性，在多個已經(jīng)在場中存在的系統(tǒng)的條件下，這些自由度是不夠的。嵌入到系統(tǒng)中的更高階的勻場線圈(強(qiáng)烈局部場變化)(關(guān)于電流或功率對BO變化)是極低效率的。按照至少內(nèi)部(或由http: Il www. satpadinc. com/photos/)公知的目前的解決方案，膠墊可以被放置在待檢查的患者的頸部區(qū)域中，特別是如果勻場階不足，則其剩余磁化率在有利的情況下這樣抵消BO失真，即形成均勻場。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是，優(yōu)化用于成像系統(tǒng)的場均勻性。該技術(shù)問題是按照與公知的技術(shù)方案不同的方式通過本發(fā)明獨立權(quán)利要求的特征來解決的。優(yōu)選的擴(kuò)展在從屬權(quán)利要求以及說明書描述中給出。


本發(fā)明可能的實施方式的其它特征和優(yōu)點通過以下借助附圖對實施例的描述給出。附圖中圖I從縱剖面的一側(cè)示出了患者和按照本發(fā)明的頭部線圈，圖2從縱剖面的一側(cè)示出了按照本發(fā)明的勻場的局部線圈，圖3從縱剖面的一側(cè)示出了另一種按照本發(fā)明的勻場的局部線圈，圖4從縱剖面的一側(cè)示出了另一種按照本發(fā)明的勻場的局部線圈，圖5從縱向剖的一側(cè)示出了具有分別由多個導(dǎo)體組成的局部線圈導(dǎo)體裝置的另一種按照本發(fā)明的勻場的局部線圈，圖6作為詳細(xì)視圖示出了按照本發(fā)明的局部線圈的電源的電路圖，
圖7示意性示出了 MTR系統(tǒng)。
具體實施例方式圖7 (特別是作為背景)示出了(位于屏蔽的空間或法拉第籠F中的)具有全身線圈102的成像的磁共振設(shè)備MRT101，該全身線圈具有此處為管狀的空間103，可以將患者臥榻104與例如(具有或沒有局部線圈裝置106的)檢查對象(例如患者)105的身體一起沿著箭頭z的方向移動進(jìn)入該管狀的空間，以便通過成像的方法產(chǎn)生患者105的拍攝。此處在患者身上布置了局部線圈裝置106，利用該局部線圈裝置可以在MRT的局部區(qū)域(也稱為視野F0V)中產(chǎn)生FOV中身體105的部分區(qū)域的拍攝。局部線圈裝置106的信號可以由例如經(jīng)由同軸電纜或經(jīng)由無線電(167)等連接到局部線圈裝置106的MRTlOl的分析裝置(168、115、117、119、120、121等)來分析(例如轉(zhuǎn)換為圖像，存儲或顯示)。為了利用磁共振設(shè)備MRTlOl借助磁共振成像來檢查身體105 (檢查對象或患者)，將不同的在其時間和空間特性中彼此最準(zhǔn)確調(diào)諧的磁場入射到身體105。在具有此處為隧道形開口 103的測量室中，強(qiáng)磁體(通常是低溫磁體107)產(chǎn)生靜態(tài)的強(qiáng)的主磁場Btl，該主磁場例如是O. 2特斯拉至3特斯拉或者更強(qiáng)。位于患者臥榻104上的待檢查的身體105被駛?cè)胫鞔艌鯞O的觀察區(qū)域FOV (“視野”)中大致均勻的區(qū)域。通過磁高頻激勵脈沖BI (x,y,z, t)激勵身體105的原子核的核自旋，通過在此作為(例如多部分=108a, 108b, 108c的)身體線圈108非常簡化示出的高頻天線(和/或必要時的局部線圈裝置)入射該高頻激勵脈沖。高頻激勵脈沖例如由通過脈沖序列控制單元110控制的脈沖產(chǎn)生單元109產(chǎn)生。在通過高頻放大器111放大之后，高頻激勵脈沖被導(dǎo)向高頻天線108。在此示出的高頻系統(tǒng)僅僅是示意性的。通常在一個磁共振斷層造影設(shè)備101中會使用多于一個脈沖產(chǎn)生單元109、多于一個高頻放大器111以及多于一個高頻天線108a、108b、108c。此外，磁共振設(shè)備101還具有梯度線圈112x、112y、112z，在測量時利用它們?nèi)肷溆糜谶x擇層激勵和用于對測量信號進(jìn)行位置編碼的磁梯度場。梯度線圈112x、112y、112z由梯度線圈控制單元114控制，后者與脈沖產(chǎn)生單元109 —樣與脈沖序列控制單元110連接。由被激勵的(檢查對象中的原子核的)核自旋發(fā)出的信號，由身體線圈108和/或至少一個局部線圈裝置106接收，通過對應(yīng)的高頻前置放大器116放大，并由接收單元117進(jìn)一步處理和數(shù)字化。所記錄的測量數(shù)據(jù)被數(shù)字化并作為復(fù)數(shù)的數(shù)值存入k空間矩陣。從該填充有值的k空間矩陣中，可以借助多維傅里葉變換來重建相關(guān)聯(lián)的MR圖像。
對于既可以在發(fā)送模式中運行又可以在接收模式中運行的線圈，如身體線圈108或局部線圈106，通過前面接入的發(fā)送接收轉(zhuǎn)換器118來調(diào)節(jié)正確的信號傳輸。圖像處理單元119從測量數(shù)據(jù)中產(chǎn)生圖像，將該圖像通過操作控制臺120顯示給用戶和/或存儲在存儲單元121中。中央計算機(jī)單元122控制各個設(shè)備組件。目前，在MR斷層造影中通常利用所謂的局部線圈裝置(Coils，Local Coils)來拍攝具有高信噪比(SNR)的圖像。這些局部線圈裝置是被安裝在緊靠身體105的上面(前部)或下面(后部)或附近或內(nèi)部的天線系統(tǒng)。在MR測量中，被激勵的核在局部線圈的各個天線中感應(yīng)出電壓，該電壓然后被利用低噪聲前置放大器(例如LNA，Preamp)放大并且最后被傳輸?shù)浇邮针娮悠骷?。為了也在高分辨率的圖像中改進(jìn)信噪比，采用所謂的高場設(shè)備(I. 5T-12T或更高)。如果在MR接收系統(tǒng)上可以連接比現(xiàn)有的接收器更多的單獨的天線，則例如在接收天線和接收器之間設(shè)置開關(guān)矩陣(也被稱為RCCS)。該開關(guān)矩陣將當(dāng)前活躍的接收信道(大多是恰好位于磁體的視野中的接收信道)路由到現(xiàn)有的接收器。由此可以連接比現(xiàn)有的接收器更多的線圈元件，因為在整體覆蓋的情況下僅須讀取位于FoV (視野)或磁體的均勻空間中的線圈。 例如局部線圈裝置106 —般是指如下的天線系統(tǒng)該天線系統(tǒng)例如可以由一個或作為陣列線圈由多個天線元件(特別是線圈元件)組成。這些單獨的線圈元件例如實施為環(huán)形天線、蝶形天線、彎形線圈或鞍形線圈。局部線圈裝置例如包括線圈元件、前置放大器、其它電子器件(Mantelwellen-sperren,外罩波陷波器等)、機(jī)殼、托架、以及大多具有帶插頭的電纜，局部線圈裝置可以通過該插頭連接到MRT設(shè)備上。安裝在設(shè)備側(cè)的接收器168對由局部線圈106例如經(jīng)由無線電等接收的信號進(jìn)行濾波和數(shù)字化，并將數(shù)據(jù)傳送到數(shù)字信號處理裝置，該數(shù)字信號處理裝置從通過測量獲得的數(shù)據(jù)中大多導(dǎo)出圖像或光譜，并且例如將其提供給用戶以用于通過用戶進(jìn)行隨后的診斷和/或存儲。在如下文獻(xiàn)中也描述了勻場線圈I. Christoph Juchem et al!Magnetic field homogenization of the humanprefrontal cortex with a set of localized electrical coils, Journal of MagneticResonance Imaging, MRMj63:171-180，20102. GH Glover et al:Mitigation of susceptibility induced signal loss inneuroimaging using localized shim coils, MRM 2005，243-2483. R. Cusack et al: AN evaluation of the use of passive shimming toimprove···. Neuroimage 2005; 24，82—914. JL Wilson et al!Utilization of an intra-oral diamagnetic passive shimin functional MRI scanner of the inferior frontal cortex;MRM 2003，50， 1089-1094圖1-6以側(cè)視圖示出了在患者的頭部和/或頸部上(在區(qū)域/位置PP處)安置的按照本發(fā)明的其中具有一個或多個局部勻場線圈的局部線圈106。如圖I所示的那樣，某些磁化率跳變例如可以在患者的胸部105與頸部/頭部之間的過渡區(qū)域內(nèi)的問題區(qū)域P中存在。例如由于從胸部至相對窄的頸-頸部-頭部(Hals-Nacken-Kopf)區(qū)域的過渡中的空間上不均勻的^ (或磁化率)分布和/或由于在患者的食道/氣管區(qū)域中的空氣可以引起這種磁化率跳變。
MRT局部線圈106具有內(nèi)部空間A (例如殼體G中僅在背向z方向上開口的空腔或者殼體G的僅右側(cè)+左側(cè)+頭蓋+下側(cè)或右側(cè)+左側(cè)+下側(cè)等局部線圈環(huán)繞的區(qū)域或空間A)，可以將患者104的頭部K (或頭部K和頸部H)安置在該空間(A)中(例如圖I中局部線圈106中頭部K的位置PP)，例如方法是，患者將局部線圈106像盔帽一樣戴上，或者患者躺到局部線圈的下面部分之上并且將局部線圈的上面部分覆蓋在其臉上，等等。圖2作為本發(fā)明的實施方式的第一變形建議將勻場線圈元件集成到(示意性簡化為矩形表示的)頭部-頸部線圈106中。在此，電流方向也就是電流I可以流入(局部線圈中的)局部勻場線圈元件LS的方向，并且示例性簡化地表示了由局部勻場線圈元件LS產(chǎn)生的場L (特別是靜態(tài)場BO'場)。圖2中在局部線圈中的局部勻場線圈元件LS的多個導(dǎo)體LI、L2 (例如多于兩個導(dǎo)體，其中兩個導(dǎo)體LI、L2僅是示例性示出的)(大約)在頸部區(qū)域和/或嘴部區(qū)域和/或 (大約/部分)患者的問題區(qū)域P下面(_y)(患者以將局部線圈106例如像盔帽一樣戴上)的位置上在患者的頭部K和/或頸部H和/或z軸附近(以例如粗略近似橢圓形的或卵形的或矩形的形狀等)延伸。例如圖2中在頭部K上方示出的截面位置處的導(dǎo)體LI中電流Il從附圖平面向外背向X方向流出(通過導(dǎo)體LI中的點符號表示)，而在頭部K下方示出的截面位置處的導(dǎo)體LI中電流Il從附圖平面向內(nèi)在X方向上流入(通過導(dǎo)體LI中的叉符號表示)，并且圖2中在頭部K上方示出的截面位置處的導(dǎo)體L2中電流12從附圖平面向外背向X方向流出(通過導(dǎo)體L2中的點符號表示)，而在頭部K下方示出的截面位置處的導(dǎo)體L2中電流12從附圖平面向內(nèi)在X方向上流入(通過導(dǎo)體L2中的叉符號表示)。由此得出由在局部線圈106中(具有導(dǎo)體L1、L2等)的局部勻場線圈元件LS產(chǎn)生的磁場該磁場補(bǔ)償了問題區(qū)域P從而優(yōu)化了可通過MRT產(chǎn)生的圖像(其中特別是就BO場成言)。圖2中從y方向看導(dǎo)體LI、L2等位于(患者臥榻上方)相同的高度。同樣，圖3作為本發(fā)明的實施方式的第二變形建議將勻場線圈集成到(示意性簡化為矩形表示的)頭部-頸部局部線圈106中。圖3中從y方向看導(dǎo)體L1、L2等也位于(患者臥榻上方)彼此相同的高度。圖3示出的是，局部線圈106的局部勻場線圈元件LS的導(dǎo)體L1、L2共同布置在從z方向看相對于問題區(qū)域P (患者的頸部區(qū)域)不同的位置上，根據(jù)位置P1、P2這會導(dǎo)致由局部線圈106的局部勻場線圈元件LS產(chǎn)生不同的磁場，特別是在不同的位置上。根據(jù)(在z方向上)勻場線圈中心M (在這里是在此處兩個導(dǎo)體L1、L2之間距彼此最遠(yuǎn)處)與問題區(qū)域P的距離，不同地使用勻場線圈的散射場來補(bǔ)償(由于問題區(qū)域P的)BO不均勻性。例如在局部線圈106中在P1、P2等多個位置上布置導(dǎo)體L1、L2等并且分別僅在一個或幾個位置上向?qū)w施加電流來產(chǎn)生磁場，從而局部線圈與不同的患者相匹配。勻場線圈元件LS的線圈(或其導(dǎo)體)L1、L2可以位于局部線圈106中患者位置PP(該位置應(yīng)當(dāng)設(shè)置在患者的頭部和/或頸部)的前部和/或后部的位置P1、P2上和/或圍繞患者位置PP。圖4作為本發(fā)明的實施方式的第三變形同樣建議將勻場線圈元件集成到(示意性簡化為矩形表示的)頭部-頸部局部線圈106中。圖4中從y方向看導(dǎo)體LI、L2等(相對于問題區(qū)域P和/或在患者臥榻上方)以不相同的高度dl、d2設(shè)置在局部線圈中(例如在其殼體中)。為了均勻化，在此例如主要使用導(dǎo)體LI (或多個導(dǎo)體)的勻場場，該一個或多個導(dǎo)體例如可以直接在問題區(qū)域P旁邊向一個方向傳輸電流，并且從距離問題區(qū)域更遠(yuǎn)處傳輸回來，例如在此從導(dǎo)體L2傳輸回來。其它可能的變形-局部線圈106的勻場電流可以通過局部線圈中的電流控制器和/或通過MRT系統(tǒng)的控制器101、117、168來調(diào)整。-勻場的適配例如可以按照迭代方法進(jìn)行估計勻場電流一調(diào)節(jié)電流，測量均勻性一估計新勻場電流一重復(fù)該過程。 _(局部線圈中的)多個空間上分布的局部勻場線圈可以通過接通/斷開和/或通過電流的控制器來一起/替換地運行，從而其場建設(shè)性地或破壞性地疊加，例如在頭部和/或頸部中和/或在脊柱線圈中的局部勻場線圈。-可以附加地布置用于極端性線圈(Extremitatenspulen)的局部勻場線圈，該極
端性線圈位于X方向的遠(yuǎn)端，例如肩部線圈。圖6示出了按照本發(fā)明的局部線圈106的示例性的(通過虛線矩形表示的)電源SV的電路圖。局部線圈的勻場線圈應(yīng)當(dāng)例如通過外罩波陷波器MS或并聯(lián)諧振濾波器(利用例如線圈和電容器)來抑制在HF發(fā)送頻率下的高的電流。在示出的示例中，電流I流過低歐姆的線圈L。電源SV的DC電流源Q例如是可控的。DC源應(yīng)當(dāng)防止由于MRT的梯度場形成高壓場感應(yīng)。保護(hù)電路S例如可以被設(shè)置為
二極管橋。可以設(shè)置DC源-電源中的頻率極低(f <大約IOHz)的低通濾波器。勻場線圈L1、L2、LS等可以機(jī)械固定地與局部線圈(106)殼體G相連，從而可以吸收梯度場的洛侖茲力。局部勻場線圈可以集成在局部線圈中并且由此均衡局部強(qiáng)烈限制的效果。本發(fā)明的實施方式的可能的優(yōu)點在于，勻場線圈元件直接集成在局部線圈內(nèi)的局部BO不均勻性的位置上，并且技術(shù)上實現(xiàn)勻場線圈，從而勻場線圈可以被構(gòu)造為抵抗高的HF交變場和梯度場，并且可以對于患者安全地運行。圖4示出了按照本發(fā)明的具有如下特點的實施例在圖4的右邊在“-X”方向上延伸的(在“-X”方向上傳輸電流12的)導(dǎo)體L2大約或恰好位于頸部成形(Nackenanformung)(頸部區(qū)域P2)下方,另外,在“x”方向上延伸的(在X方向上傳輸電流Il的)導(dǎo)體LI大約或恰好位于肩部區(qū)域(Pl)下方，特別是位于患者的稱為C5/C6的脊柱部位區(qū)域中。例如，如果BO不均勻性是這樣的，即場干擾在頸部區(qū)域和在肩部區(qū)域中具有相反的符號，則該布置是合適的；這例如可以利用至少一個勻場線圈來均衡，方法是為此恰好使用其去導(dǎo)體和回導(dǎo)體(LI，L2)。
在附圖中示意性示出的導(dǎo)體(此處也稱為導(dǎo)體裝置)L1、L2可能但不是必要地分別僅是唯一的導(dǎo)體(或僅是唯一的導(dǎo)線)。其LI、L2特別也可以包括多個并排(例如互相平行地)延伸的導(dǎo)體 Lla, Lib、Lie、Lld 以及 L2a、L2b、L2c、L2d。圖5從縱剖面的一側(cè)示出了按照本發(fā)明的具有局部線圈導(dǎo)體裝置LI、L2的勻場的局部線圈，該局部線圈導(dǎo)體裝置分別具有多個導(dǎo)體(或?qū)Ь€)Lla、Llb、Llc、Lld以及L2a、L2b、L2c、L2d。
圖5中導(dǎo)體(LI和L2)的y距離并且也可能是z距離可以可變地實施的。這點例如可以通過電切換不同的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(例如同時存在于局部線圈中)或通過不同的機(jī)械布置來實現(xiàn)。不同的距離對于最佳地匹配患者單獨的磁化率比是具有優(yōu)勢的。
權(quán)利要求
1.一種局部線圈(106)，用于成像系統(tǒng)(101)、特別是MRT( 101)，其特征在于，所述局部線圈(106)是MRT頭部線圈(106)，所述MRT頭部線圈(106)被構(gòu)造(A，LI，L2)用于，能夠?qū)⒒颊叩念^部(K)安置(PP)在所述局部線圈(106) (A)中，并且所述局部線圈(106)具有至少一個勻場線圈(LI，L2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的局部線圈，其特征在于，所述MRT局部線圈(106)被構(gòu)造(A)用于，能夠?qū)⒒颊叩念^部(K)安置(PP)在所述MRT局部線圈(106)中，所述MRT局部線圈(106)具有用于患者(104)的頭部(K)和/或頸部(H)的在該局部線圈(106)中的內(nèi)部空間CA),頭部(K)或頭部和頸部(K和H)能夠被安置(PP)在所述內(nèi)部空間(A)中。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，所述MRT局部線圈(106)可以戴在患者(104)的頭部(K)和/或頸部(H)上。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，所述局部線圈(106)的一個或多個線圈(LI，L2)，位于該局部線圈(106)中頭部(K)和/或頸部(H)的患者位置(PP)的前部和/或后部的位置(Pl，P2)上，和/或圍繞患者的頭部(K)和/或頸部(H)的位置(PP)。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，所述至少一個勻場線圈(LS，LI，L2)被布置在所述局部線圈(106)的殼體(G)中。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，電源(Q)和/或勻場裝置(LS，LI，L2)的控制器被布置在所述局部線圈(106)的殼體(G)中。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，所述局部線圈(106)具有僅僅一個勻場線圈(LI)。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，所述局部線圈(106)具有兩個或多于兩個勻場線圈(LI，L2)。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，所述MRT局部線圈(106)是用于頭部和頸部的頭部-頸部局部線圈的組合。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，在該局部線圈中和/或在MRT系統(tǒng)(SV，101，117，168)中設(shè)置了對所述局部線圈(106)的勻場線圈(LI，L2)中的勻場電流(I)的控制器(SV)。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，在所述局部線圈中的多個空間上分布的局部勻場線圈(L1，L2)能夠通過接通/斷開和/或通過電流(I)的控制器一起和/或彼此替換地運行(SV，101，117，168)。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，所述控制局部線圈的勻場線圈的電源(SV)的電流源(Q)是可控的。
13.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，所述局部線圈的勻場線圈的電源(SV)的電流源(Q)具有保護(hù)電路(S)，特別是防止由于MRT的梯度場形成高壓場的感應(yīng)。
14.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，所述局部線圈具有二極管橋和/或DC源-電源中的頻率小于IOHz的低通濾波器。
15.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，勻場線圈(LI，L2)被構(gòu)造為用于產(chǎn)生恒定的磁場(BLS)。
16.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，勻場線圈(LI，L2)機(jī)械固定地與局部線圈(106)殼體G相連。
17.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，勻場線圈(LI，L2)的一個導(dǎo)體(LI)布置在患者(101)的頸部成形的區(qū)域(P2)中，并且勻場線圈(LI，L2)的一個導(dǎo)體(L2)布置在患者(101)的肩部區(qū)域和/或脊柱部位中的一個，特別是C5或C6的區(qū)域(PD 中。
18.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，所述局部線圈具有兩個或多于兩個勻場線圈(LS)。
19.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，所述局部線圈僅具有一個勻場線圈(LS)。
20.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，所述局部線圈的勻場線圈(LS)具有在不同位置(P1，P2)上的第一導(dǎo)體(LI)和第二導(dǎo)體(L2)，在所述導(dǎo)體(LI ；L2)中電流(II，12)在彼此相反設(shè)置的方向(S, X； O, X )上流過。
21.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，所述局部線圈的勻場線圈(LS)具有第一導(dǎo)體(LI)和第二導(dǎo)體(L2)，在所述導(dǎo)體(LI ；L2)中至少在為安置在患者(105)下方而設(shè)置的局部線圈的區(qū)域(Pl，P2)中電流(II，12)在彼此相反設(shè)置的方向(S，X； 0, -X)上流過。
22.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，在所述局部線圈(105)中的勻場線圈(LS)的導(dǎo)體(L1，L2)是分別具有多個并排延伸和/或位于并排的導(dǎo)線(Lla，Llb ；L2a, L2b)的導(dǎo)體裝置(LI，L2)。
23.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，在所述局部線圈(105)的勻場線圈(LS)中設(shè)置兩個或多于兩個導(dǎo)體裝置(LI，L2，Lla，L2a)，并且第一導(dǎo)體(圖3中LI和L2)的y距離和/或z距離彼此大于或小于第二導(dǎo)體(圖3中LI (a)和L2 (a))的y距離和/或z距離。
24.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的局部線圈，其特征在于，設(shè)置了切換裝置(SV;.168 ;117)以用于電地(II，12)接通在所述局部線圈中存在的不同導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(圖3中L1，L2 ；LI (a), L2 (a))，通過該切換裝置(SV;168;117)僅接通(II，12)第一導(dǎo)體(圖3中LI和L2)以用于勻場，或者僅接通(II，12)第二導(dǎo)體(圖3中LI (a)和L2 (a))以用于勻場，或者接通(II，12)第一導(dǎo)體(圖3中LI和L2)和第二導(dǎo)體(圖3中LI (a)和L2 (a))以用于勻場。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種局部線圈(106)，用于成像系統(tǒng)(101)，特別是MRT(101)，其特征在于，所述局部線圈(106)是MRT頭部線圈(106)，所述MRT頭部線圈(106)被構(gòu)造(A，L1，L2)用于，能夠?qū)⒒颊叩念^部(K)安置(PP)在所述局部線圈(106)(A)中，并且所述局部線圈(106)具有至少一個勻場線圈(L1，L2)。
文檔編號G01R33/3875GK102830377SQ20121020289
公開日2012年12月19日 申請日期2012年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月17日
發(fā)明者S.比伯 申請人:西門子公司