專利名稱：一種缺陷檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及ー種缺陷檢測方法。
背景技術(shù)：
由于集成電路制造エ藝的復(fù)雜度在不斷的提高，為了能夠在生產(chǎn)過程中及時的發(fā)現(xiàn)問題并采取相應(yīng)的措施，一般都會在制造過程配置一定數(shù)量的光學(xué)和電子的缺陷檢測設(shè)備。圖I是本發(fā)明背景技術(shù)中傳統(tǒng)缺陷檢測方法里將電路光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)灰階圖像的示意圖；圖2是本發(fā)明背景技術(shù)中傳統(tǒng)缺陷檢測方法里在水平方向的相鄰芯片的比較的示意圖；圖3是本發(fā)明背景技術(shù)中傳統(tǒng)缺陷檢測方法里在垂直方向的相鄰芯片的比較 的示意圖。如圖I所示，傳統(tǒng)缺陷檢測方法的工作原理是將芯片上的光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成為可由不同亮暗灰階表示的數(shù)據(jù)圖像，即將ー個光學(xué)顯微鏡下的圖像11轉(zhuǎn)換成為數(shù)據(jù)圖像12特征，再通過相鄰芯片上的數(shù)據(jù)比較來檢測缺陷的位置，采用如圖2所示的在水平方向上于晶圓I上相鄰芯片的比較或如圖3所示的在垂直方向的相鄰芯片的比較エ藝。但是隨著晶圓尺寸的増大，在晶圓上線路尺寸或薄膜厚度不能做到完全的一致性，這就會給缺陷的檢測帶來很大的難度。例如，需要檢測ー個信號較弱的缺陷時，就必須要設(shè)定ー個很小的缺陷閾值，這樣就會把本來不需要的很多背景的差異都作為缺陷輸出，從而為后續(xù)的數(shù)據(jù)分析造成困擾。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開了ー種缺陷檢測方法，其中，包括以下步驟
步驟SI :在一待檢測晶圓上根據(jù)エ藝需求設(shè)置多個缺陷檢測區(qū)域；
步驟S2 :根據(jù)不同的缺陷檢測區(qū)域的エ藝需求設(shè)置每個缺陷檢測區(qū)域相應(yīng)的缺陷閥
值；
步驟S3 :根據(jù)設(shè)定的缺陷閥值對相應(yīng)的檢測區(qū)域進(jìn)行檢測。上述的缺陷檢測方法，其中，所述步驟S2中根據(jù)缺陷檢測區(qū)域中線路尺寸或薄膜厚度設(shè)置相應(yīng)的缺陷閥值。上述的缺陷檢測方法，其中，所述缺陷檢測區(qū)域的最小單元為3個芯片。上述的缺陷檢測方法，其中，所述缺陷閥值的最小設(shè)定單元為3個芯片。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明提出ー種缺陷檢測方法，通過對檢測晶圓設(shè)置多個檢測區(qū)域，再根據(jù)エ藝需求設(shè)置每個檢測區(qū)域的缺陷閥值，最后根據(jù)設(shè)定的檢測區(qū)域及對應(yīng)的缺陷閥值對晶圓進(jìn)行缺陷檢測，從而有效避免晶圓上線路尺寸或薄膜厚度均勻性差的區(qū)域的背景信號干擾其他好的檢測區(qū)域，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高精度和靈活的缺陷檢測。


圖I是本發(fā)明背景技術(shù)中傳統(tǒng)缺陷檢測方法里將電路光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)灰階圖像的不意圖2是本發(fā)明背景技術(shù)中傳統(tǒng)缺陷檢測方法里在水平方向的相鄰芯片的比較的示意
圖3是本發(fā)明背景技術(shù)中傳統(tǒng)缺陷檢測方法里在垂直方向的相鄰芯片的比較的示意
圖4是本發(fā)明缺陷檢測方法中設(shè)定多個缺陷檢測區(qū)域的示意圖； 圖5-6是本發(fā)明缺陷檢測方法中根據(jù)薄膜厚度設(shè)定缺陷檢測區(qū)域及缺陷閥值的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)ー步的說明
圖4是本發(fā)明缺陷檢測方法中設(shè)定多個缺陷檢測區(qū)域的示意 如圖4所示，在待檢測晶圓2上根據(jù)薄膜厚度或線路尺寸設(shè)置缺陷檢測區(qū)域21、缺陷檢測區(qū)域22、缺陷檢測區(qū)域23、缺陷檢測區(qū)域24、缺陷檢測區(qū)域25、缺陷檢測區(qū)域26和缺陷檢測區(qū)域27，在根據(jù)每個缺陷檢測區(qū)域中的エ藝需求，如薄膜厚度或線路尺寸差值設(shè)置缺陷閥值，以進(jìn)行缺陷的檢測エ藝，這樣就能有效的避免晶圓上線路尺寸或薄膜厚度均勻性差的區(qū)域的背景信號干擾其他好的檢測區(qū)域，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)ー種高精度和靈活的缺陷檢測方法；其中，每個檢測區(qū)域的最小單元為3個芯片，且缺陷閥值的最小設(shè)定單元為3個芯片。圖5-6是本發(fā)明缺陷檢測方法中根據(jù)薄膜厚度設(shè)定缺陷檢測區(qū)域及缺陷閥值的示意 如圖5-6所示，在經(jīng)過化學(xué)機(jī)械研磨エ藝后的晶圓3上，根據(jù)覆蓋的薄膜厚度設(shè)定晶圓的多個掃描區(qū)域，即檢測區(qū)域31、缺陷檢測區(qū)域32、缺陷檢測區(qū)域33、缺陷檢測區(qū)域34、缺陷檢測區(qū)域35和缺陷檢測區(qū)域26 ;然后再根據(jù)每個檢測區(qū)域中厚度差值設(shè)置檢測閥值，這樣就能有效的避免晶圓上薄膜厚度均勻性差的區(qū)域的背景信號干擾其他好的檢測區(qū)域。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明實(shí)施例提出ー種缺陷檢測方法，通過對檢測晶圓設(shè)置多個檢測區(qū)域，再根據(jù)エ藝需求設(shè)置每個檢測區(qū)域的缺陷閥值，最后根據(jù)設(shè)定的檢測區(qū)域及對應(yīng)的缺陷閥值對晶圓進(jìn)行缺陷檢測，從而有效避免晶圓上線路尺寸或薄膜厚度均勻性差的區(qū)域的背景信號干擾其他好的檢測區(qū)域，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高精度和靈活的缺陷檢測。通過說明和附圖，給出了具體實(shí)施方式
的特定結(jié)構(gòu)的典型實(shí)施例，基于本發(fā)明精ネ申，還可作其他的轉(zhuǎn)換。盡管上述發(fā)明提出了現(xiàn)有的較佳實(shí)施例，然而，這些內(nèi)容并不作為局限。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權(quán)利要求書應(yīng)看作是涵蓋本發(fā)明的真實(shí)意圖和范圍的全部變化和修正。在權(quán)利要求書范圍內(nèi)任何和所有等價的范圍與內(nèi)容，都應(yīng)認(rèn)為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種缺陷檢測方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟SI :在一待檢測晶圓上根據(jù)工藝需求設(shè)置多個缺陷檢測區(qū)域； 步驟S2 :根據(jù)不同的缺陷檢測區(qū)域的工藝需求設(shè)置每個缺陷檢測區(qū)域相應(yīng)的缺陷閥值； 步驟S3 :根據(jù)設(shè)定的缺陷閥值對相應(yīng)的檢測區(qū)域進(jìn)行檢測。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述步驟S2中根據(jù)缺陷檢測區(qū)域中線路尺寸或薄膜厚度設(shè)置相應(yīng)的缺陷閥值。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述缺陷檢測區(qū)域的最小單元為3個芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述缺陷閥值的最小設(shè)定單元為3個芯片。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種缺陷檢測方法。本發(fā)明提出一種缺陷檢測方法，通過對檢測晶圓設(shè)置多個檢測區(qū)域，再根據(jù)工藝需求設(shè)置每個檢測區(qū)域的缺陷閥值，最后根據(jù)設(shè)定的檢測區(qū)域及對應(yīng)的缺陷閥值對晶圓進(jìn)行缺陷檢測，從而有效避免晶圓上線路尺寸或薄膜厚度均勻性差的區(qū)域的背景信號干擾其他好的檢測區(qū)域，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高精度和靈活的缺陷檢測。
文檔編號G01N21/88GK102735688SQ20121020444
公開日2012年10月17日 申請日期2012年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月20日
發(fā)明者倪棋梁, 郭明升, 陳宏璘, 龍吟 申請人:上海華力微電子有限公司