本發(fā)明涉及一種構(gòu)建有光電倍增管及偏壓電路的光電探測器裝置。

背景技術(shù)：
光電倍增管用于探測光電子并且表現(xiàn)出很高的增益系數(shù)。通常光電倍增管的增益系數(shù)可大于1,000,000。光電倍增管包含光電陰極，所述光電陰極接收光電子并作為回應(yīng)而發(fā)射電子；多個倍增電極，每個倍增電極設(shè)置為從先前倍增電極接收電子并發(fā)射比所接收的電子更多的電子；及陽極，所述陽極設(shè)置為接收由最后倍增電極發(fā)射的電子并輸出電探測信號。通常，構(gòu)建有光電倍增管的光電探測器裝置具有偏壓電路，所述偏壓電路通過一系列串聯(lián)的電阻器而提供偏壓至光電陰極、陽極及倍增電極。電容器可并聯(lián)連接至所述電阻器，以改善在短光脈沖時的輸出線性。當在高增益下工作時，每個倍增電極所消耗的電流(與一倍增電極接收到的電子和所述倍增電極發(fā)射的電子之間的差異等效)在各倍增電極之間變化較大。因此，“弱電流”倍增電極(即光電陰極之后的倍增電極)消耗的電流比“強電流”倍增電極(即陽極之前的倍增電極)小(小幾個數(shù)量級)。Mitchell提交的標題名稱為“Lowpowerstabilizedvoltagedividernetwork(低功率穩(wěn)定分壓器網(wǎng)絡(luò))”的美國專利第7005625號明確地區(qū)分了(a)光電陰極及所述光電陰極之后的“弱電流”倍增電極與(b)陽極及在所述陽極之前的“強電流”倍增電極之間的區(qū)別。前者通過電阻器偏壓，而后者通過晶體管偏壓。因此越來越需要提供一有效的光電探測器，所述光電探測器構(gòu)建有光電倍增管且因而將能夠在寬增益范圍及寬入射光強度范圍下操作。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
根據(jù)本發(fā)明的一實施例，提供了一種光電探測器裝置，所述光電探測器裝置包含：光電倍增管，所述光電倍增管包含多個電極，所述多個電極包含光電陰極、陽極、第一倍增電極、多個中間倍增電極以及最后倍增電極；以及偏壓電路，所述偏壓電路包含一序列的電壓跟隨器元件、分壓器以及電流源；其中所述分壓器是跨高壓電源而耦合；其中不同的倍增電極耦合至所述一序列的電壓跟隨器元件中的不同的電壓跟隨器元件；其中不同電壓跟隨器元件的各控制輸入耦合至所述分壓器的不同接合處；其中所述電流源耦合至所述分壓器、所述序列的電壓跟隨器元件、所述陰極以及所述高壓電源的陰極；以及其中所述陽極耦合至負載元件，所述負載元件耦合至所述高壓電源的正極，并且設(shè)置為接收所述陽極的輸出信號并將所述輸出信號轉(zhuǎn)換為所述光電探測器裝置的輸出信號。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述電流源耦合在第一倍增電極與陰極之間。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述一序列的電壓跟隨器元件中的一電壓跟隨器元件耦合在所述陰極與所述第一倍增電極之間，且所述電流源耦合在高壓電源的負極與所述陰極之間。根據(jù)本發(fā)明的各實施例，所述電壓跟隨器元件包含晶體管，或者包含晶體管與齊納二極管(Zenerdiode)。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述偏壓電路還包含第一序列的電容器，所述電容器各自并聯(lián)耦接至所述分壓器的一序列的電阻器中的一電阻器。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述偏壓電路還包含第一電容器，所述第一電容器并聯(lián)耦合至所述分壓器。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述光電探測器裝置還包含第二序列的電容器，其中所述第二序列的電容器中的每一電容器耦合在一對倍增電極之間。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，所述電流源設(shè)置為供應(yīng)恒定電流至所述分壓器，并且其中無論所述倍增電極消耗的電流如何變化，所述電壓跟隨器元件均設(shè)置為輸出基本上恒定的電壓。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，所述光電探測器裝置設(shè)置為在一增益下操作，所述增益不超過10,000。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述光電探測器裝置設(shè)置為在一增益下操作，所述增益超過1,000,000。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，提供了一種操作光電探測器裝置的方法，所述方法包含：將照射在光電探測器裝置的光電倍增管的陰極上的光轉(zhuǎn)換為所述光電探測器裝置的輸出信號；及通過所述光電探測器裝置的偏壓電路，維持所述光電倍增管的多個倍增電極中每一倍增電極的電壓基本上恒定，而不論由所述倍增電極消耗的電流如何變化；其中所述多個倍增電極包括第一倍增電極、多個中間倍增電極及最后倍增電極；其中所述光電倍增管還包含陽極及陰極；其中所述偏壓電路包含一序列的電壓跟隨器元件、分壓器及電流源；其中所述分壓器跨高壓電源而耦合；其中不同的倍增電極耦合至所述序列的電壓跟隨器元件中的不同電壓跟隨器元件；其中不同的電壓跟隨器元件的控制輸入耦合至所述分壓器的不同接合處；其中所述電流源耦合至所述分壓器、所述序列的電壓跟隨器元件、所述高壓電源的負極、以及所述陰極；以及其中所述陽極耦合至負載元件，所述負載元件耦合至所述高壓電源的正極，并且設(shè)置為接收所述陽極的輸出信號并將所述輸出信號轉(zhuǎn)換為所述光電探測器裝置的輸出信號。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，所述用于操作光電探測器裝置的方法包含：在一增益下操作所述光電探測器裝置，所述增益不超過10,000。附圖說明將參考附圖，描述本發(fā)明的更多細節(jié)、方面以及實施例(僅為舉例)。在所述附圖中，相同的元件符號用于代表相同或功能相似的元件。為簡便和清晰起見，各附圖中圖示的元件并不一定按比例繪制。圖1圖示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的一種光電探測器裝置；圖2圖示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的一種光電探測器裝置；圖3及圖4圖示根據(jù)本發(fā)明的各實施例的光電探測器裝置中的各元件；圖5圖示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的一種光電探測器裝置；圖6圖示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的一種光電探測器裝置；以及圖7圖示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的一種方法。具體實施方式在本說明書的結(jié)尾部分中特別地指出并清楚地主張了本發(fā)明的主題。然而，在參照附圖閱讀以下詳細描述后，可最佳地理解本發(fā)明的結(jié)構(gòu)、操作方法、目標、特征結(jié)構(gòu)及優(yōu)點。在以下詳細描述中，闡述了許多具體的細節(jié)，以提供對本發(fā)明的透徹理解。然而，本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員將理解可實踐本發(fā)明而無需這些細節(jié)。在其他實例中，并未詳細描述熟知的方法、程序及部件，以免模糊本發(fā)明。本文提供了一種偏壓電路，所述偏壓電路設(shè)置為向光電倍增管(PMT)供能，所述光電倍增管用于具有寬輸入光強度范圍及寬增益范圍的精密光電探測器。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述偏壓電路可符合以下設(shè)計基本標準中的至少一種標準：●在寬入射光強度范圍下，或者相應(yīng)地在寬PMT電極電流范圍下，維持恒定的電極電壓；●最小化常見在快速負荷變化時發(fā)生于高壓(HV)電源的輸出端上的電壓瞬變，或者相應(yīng)地最小化高壓電源電流變化；●在寬PMT增益范圍下維持上述特性；●限制流過PMT的最大電流為最低可能水平，以增加PMT使用壽命；所述PMT電流極限值不應(yīng)取決于PMT增益，也即不應(yīng)取決于所應(yīng)用的高壓?！褡钚』瘡母邏弘娫吹玫降碾娏?。根據(jù)本發(fā)明的各實施例，所述PMT可在低增益下操作——與PMT的通常使用方法相反。當在低增益下操作所述PMT時，需要考慮由所述倍增電極中的每一倍增電極所消耗的電流。相對于流過所述陽極及所述陽極之前的倍增電極的電流，流過所述光電陰極及所述光電陰極之后的倍增電極的電流無法忽略不計。對于低增益應(yīng)用，使用電阻器以偏壓倍增電極中的一些倍增電極，同時使用晶體管以偏壓其他倍增電極可導致照射在所述光電陰極上的光電子的數(shù)量及/或能量的變化，從而引起由所述PMT的所述電極消耗的電流變化，進而使得所述電極電壓變化，最終導致所述增益發(fā)生不可接受的變化。通過使用電壓跟隨器元件偏壓所述PMT的所有倍增電極，可避免這些不期望的增益變化，使用的所述電壓跟隨器元件為有源元件。電壓跟隨器元件可包含晶體管。使用諸如電壓跟隨器元件之類的有源元件以偏壓所有的倍增電極雖然可能會增加所述偏壓電路的成本，并且甚至與僅使用無源元件時所獲得的使用壽命相比可能會縮短所述偏壓電路的使用壽命，但是使得即使在低增益及強電流模式下操作所述PMT時，仍可維持增益的線性(即無論由倍增電極誘發(fā)的電流變化如何，增益均恒定)。檢查系統(tǒng)可包含多個光電倍增管，所述多個光電倍增管可在結(jié)構(gòu)上彼此相同，但是在不同的增益模式下操作。使用相同的光電倍增管使得檢查工具的維護容易，并且簡化了此類檢查工具的設(shè)計。期望探測明視場(反射)光的光電倍增管可在低增益下操作，而期望探測暗視場或者灰視場(散射而非反射)光的光電倍增管可在高增益下操作。同時應(yīng)注意所述檢查系統(tǒng)可包含在不同增益下操作的光電倍增管(或者具有在不同時間點不同增益下操作的相同光電倍增管)——從而增加動態(tài)探測范圍。所提出的光電探測器裝置提供了線性陽極電流，所述線性陽極電流最高可達由電流源設(shè)定的極限值，并且?guī)缀醪灰蕾囉筛邏弘娫磫卧?yīng)的高壓值。與大部分已知的拓撲結(jié)構(gòu)相比，所述光電探測器裝置的功率需要是最小的，從而減少了功率損耗及光電探測器裝置的管加熱(tubeheating)。所述光電探測器裝置提供固有的特征結(jié)構(gòu)，即在光電倍增管過載的情況下限制陽極電流。所述陽極電流受限于所述電流源所供應(yīng)的電流。所述光電探測器裝置提供由所述電流源設(shè)定的恒定負載電流給所述高壓電源。圖1圖示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的光電探測器裝置10。光電探測器裝置10包含光電倍增管200，所述光電倍增管200包含多個電極，諸如光電陰極C201、陽極A203、第一倍增電極Dy1202(1)、中間倍增電極202(2)-202(K-1)，以及最后倍增電極202(K)。光電探測器裝置10還包含偏壓電路301，所述偏壓電路301包含一序列的電壓跟隨器元件VF1–VFK228；分壓器，所述分壓器包含電阻器R1–R(K+1)224；以及電流源290。電壓跟隨器元件228可具有控制輸入端、輸出端以及另外的輸入端。由電壓跟隨器元件提供的電壓遵照被提供給所述電壓跟隨器元件的控制輸入端的電壓。電壓跟隨器元件228是有源元件，并且可包含晶體管或者晶體管與二極管的組合。圖3圖示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的電壓跟隨器元件228(1)與228(2)的兩個非限定性實例。電壓跟隨器元件228(1)包含MOSFET晶體管312與齊納二極管314，所述齊納二極管314耦合在所述MOSFET晶體管312的柵極與源極之間。所述柵極用作所述電壓跟隨器元件228(1)的控制輸入端。所述源極用作所述電壓跟隨器228(1)的輸出端。電壓跟隨器元件228(2)包含雙極晶體管316與齊納二極管318，所述齊納二極管318耦合在所述雙極晶體管316的基極與發(fā)射極之間。所述基極用作所述電壓跟隨器元件228(2)的控制輸入端，并且所述發(fā)射極用作所述電壓跟隨器元件228(2)的輸出端。返回參照圖1——所述分壓器與高壓電源230并聯(lián)連接。雖然高壓電源230在圖1中圖示為包含在光電探測器裝置10中；但是高壓電源230可能不屬于光電探測器裝置10，而僅連接到光電探測器裝置10。輸出負載270圖示為包含在光電探測器裝置10中；但是輸出負載270可能不屬于光電探測器裝置10，而僅連接到光電探測器裝置10。輸出負載270連接到偏壓電路301以及所述陽極，并且圖示為從偏壓電路301接收負載電流272并提供負載電流272給陽極203。負載元件270設(shè)置為接收所述陽極的輸出信號并將所述輸出信號轉(zhuǎn)換為光電探測器裝置10的輸出信號。中間倍增電極202(2)-202(K-1)中的不同倍增電極以及最后倍增電極202(K)連接到所述一序列的電壓跟隨器元件中不同的對應(yīng)電壓跟隨器元件VF1–VFK。具體來說，第j個電壓跟隨器元件VFj的輸出節(jié)點連接到第j個倍增電極202(j)，其中j介于2到K的范圍之間。不同電壓跟隨器元件V1-VFK的控制輸入端耦合至所述分壓器的不同對應(yīng)接合處，這些接合處定義于連續(xù)的電阻器R(K+1)至R2之間。電流源290的第一端連接到VF1以及第一倍增電極202(1)，且電流源290的第二端連接到陰極201、R1224的第一端，以及高壓電源230的負極。高壓電源230的正極連接到負載元件270的參考端口(以提供負載電流272)、分壓器中的R(K+1)，以及電壓跟隨器元件VFK。圖1將高壓電源230的正極圖示為接地的，但是高壓電源230的正極可設(shè)置為提供與接地電平電壓不同的電壓。高壓電源230維持分壓器224上的恒定電壓，使得恒定電壓提供給電壓跟隨器元件228的控制輸入端，所述電壓跟隨器元件228的所述控制輸入端設(shè)置為輸出恒定電壓至多個倍增電極——無論這些倍增電極消耗的電流如何變化——從而維持所述PMT的增益基本不變。在光電探測器裝置10中，流經(jīng)電壓跟隨器元件的電流可由提供恒定電流的電流源290設(shè)定。電流電平可設(shè)定為超出最大需要陽極電流10－20％的電平。在全暗情況下，陽極電流與倍增電極電流是可以忽略不計的(暗電流)。在此情況下，由電流源產(chǎn)生的所有電流可經(jīng)由電壓跟隨器，從高壓電源230的正極流向負極。圖2圖示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的光電探測器裝置20。光電探測器裝置20具有偏壓電路302。圖2的光電探測器裝置20與圖1的光電探測器裝置10的區(qū)別在于：(a)具有另外的電壓跟隨器VFC，所述另外的電壓跟隨器VFC連接在第一倍增電極202(1)與陰極201之間；(b)具有電流源290，所述電流源290連接在高壓電源230的負極與陰極201之間，而不是連接在第一倍增電極與陰極201之間；以及(c)具有另外的電阻器RC224，所述附加電阻器RC224連接在所述電流源與所述分壓器的第一電阻器R1224之間。在圖2所圖示的實施例中，陰極201處的電壓也維持恒定，不依賴于陰極電流。此外，陰極電流的瞬變不會施加到高壓電源230的輸出端。因此高壓電源230提供無瞬變的輸出電壓。因此，基本上避免了PMT增益調(diào)制。圖4圖示根據(jù)本發(fā)明的各實施例的電流源290(1)–290(3)。這些電流源可替換圖1或圖2的電流源290，或者被用作圖5以及圖6中的電流源。電流源290(1)包含耗盡型MOSFET晶體管291以及電阻器R'1292。電阻器R'1292連接在耗盡型MOSFET晶體管291的柵極與源極之間。電流源290(2)包含增強型MOSFET晶體管291、電阻器R'1292與R'2293以及齊納二極管D'294。電阻器R'1292連接在增強型MOSFET晶體管291的柵極與漏極之間。齊納二極管294連接在增強型MOSFET晶體管291的柵極與電流源290(2)的輸出節(jié)點之間。電阻器R'2293連接在增強型MOSFET晶體管291的源極與電流源290(2)的輸出節(jié)點之間。電流源290(3)包含雙極晶體管291、電阻器R'1292與R'2293，以及齊納二極管D'294。電阻器R'1292連接在雙極晶體管291的基極與集電極之間。齊納二極管294連接在雙極晶體管291的基極與電流源290(2)的輸出節(jié)點之間。電阻器R'2293連接在雙極晶體管291的發(fā)射極與電流源290(2)的輸出節(jié)點之間。圖5圖示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的光電探測器裝置50。光電探測器裝置50具有偏壓電路305。圖5的光電探測器裝置50與圖1的光電探測器裝置10的區(qū)別在于：a.圖1的電壓跟隨器元件VF1-VFK228(在圖5中)圖示為包含MOSFET晶體管Q1-QK211與齊納二極管D1-DK226。圖5的每一電壓跟隨器元件具有圖3中電壓跟隨器元件228(1)的配置。b.圖1的電流源290(在圖5中)圖示為包含耗盡型MOSFET晶體管QCS210與電阻器Res225。電阻器Res225連接在耗盡型MOSFET晶體管QCS210的柵極與源極之間。c.光電探測器裝置50包含第一序列的電容器，所述第一序列的電容器包含K+1個電容器，所述K+1個電容器表示為CR1-CR(K+1)。所述第一序列并聯(lián)耦合至所述分壓器，其中第j個(j介于1與K+1的范圍之間)電容器CR(j)并聯(lián)連接至分壓器的第j個電阻器R(j)。R(K+1)與CR(K+1)連接在QK的柵極與負載270之間。d.光電探測器裝置50包含第二序列的電容器，所述第二序列的電容器包含K個電容器，所述K個電容器表示為Cdy1-CdyK222。CdyK連接在負載與最后倍增電極DyK之間，并且所述第二序列的每一其他電容器耦合在一對連續(xù)的倍增電極之間。圖6圖示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的光電探測器裝置60。光電探測器裝置60具有偏壓電路306。圖6的光電探測器裝置60與圖2的光電探測器裝置20的區(qū)別在于：a.圖2的電壓跟隨器元件VF1–VFK228與VFC(在圖6中)圖示為包含MOSFET晶體管Q1-QK與QC211、齊納二極管D1-DK以及DC226。圖6的每一電壓跟隨器元件具有圖3的電壓跟隨器元件228(1)的配置。b.圖2的電流源290(在圖6中)圖示為包含耗盡型MOSFET晶體管Qcs291與電阻器Rcs292。電阻器Rcs292連接在耗盡型MOSFET晶體管Qcs291的柵極與源極之間。c.光電探測器裝置60包含第一序列的電容器，所述第一序列的電容器包含K+1個電容器。所述K+1個電容器表示為CR1–CR(K+1)。所述第一序列并聯(lián)耦合至所述分壓器，其中第j個(j介于1與K+1的范圍之間)電容器CR(j)并聯(lián)連接至所述分壓器的第j個電阻器R(j)。R(K+1)與CR(K+1)連接在QK與負載270之間。d.光電探測器裝置60包含第二序列的電容器，所述第二序列的電容器包含K個電容器，所述K個電容器表示為Cdy1-CdyK222。CdyK連接在所述負載與最后倍增電極DyK之間，并且所述第二序列的每一其他電容器耦合在一對連續(xù)的倍增電極之間。在圖5與圖6所圖示的實施例中，第一序列的電容器223減少了由分壓器的電阻器224產(chǎn)生的熱噪音。此優(yōu)點還可以通過跨分壓器或者分壓器的一部分/多個部分耦合電容器來實現(xiàn)。第二序列的電容器222通過針對電壓跟隨器(元件226與211)的有限響應(yīng)時間補償對應(yīng)倍增電極中的電流波動，而用于維持倍增電極202上的恒定電壓。應(yīng)注意的是，所述第一序列的電容器與所述第二序列的電容器中的任意一者可從圖5與圖6的光電探測器裝置中省略，并且光電探測器裝置10與20中的任意一者可包含第一和第二序列的電容器中的至少一者。在圖5與圖6所圖示的實施例中，第一和第二序列的電容器中的每一者包含多個電容器元件。電容器的數(shù)量取決于電壓跟隨器的數(shù)量。本發(fā)明并不限于所圖示的實施例，并且所述序列的電容器可通過使用更少的電容器來實施。圖5與圖6所圖示的偏壓電路并不限于電壓跟隨器元件的特定實施例228(1)?？梢缘刃У厥褂迷趫D3中圖示的實施例228(2)。此外，可以一起使用不同的電壓跟隨器實施例，并且所有電壓跟隨器元件將不必具有共同的結(jié)構(gòu)。圖5與圖6所圖示的偏壓電路并不限于電流源的特定實施例290(1)。圖4中所圖示的其他實施例及可使用另外的、未圖示的電流源結(jié)構(gòu)中的任意一者。圖7圖示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的一種方法900。方法900包含階段910和920，階段910和920可以與彼此同時執(zhí)行。階段910可包含：將照射在光電探測器裝置的光電倍增管的陰極上的光轉(zhuǎn)換為所述光電探測器裝置的輸出信號；階段920可包含通過所述光電探測器裝置的偏壓電路，維持所述光電倍增管的多個倍增電極中每一倍增電極的電壓基本上恒定，而不論由所述倍增電極消耗的電流如何變化；其中所述多個倍增電極包括第一倍增電極、多個中間倍增電極及最后倍增電極；其中所述光電倍增管還包含陽極及陰極；其中所述偏壓電路包含一序列的電壓跟隨器元件、分壓器及電流源；其中所述分壓器與高壓電源耦合；其中所述中間倍增電極中的不同倍增電極與最后倍增電極耦合至所述一序列的電壓跟隨器元件中的不同電壓跟隨器元件；其中不同的電壓跟隨器元件的控制輸入端耦合至所述分壓器的不同接合處；其中所述電流源耦合至所述分壓器、所述一序列的電壓跟隨器元件，以及所述陰極；以及其中所述陽極耦合至負載元件，所述負載元件設(shè)置為接收所述陽極的輸出信號并將所述輸出信號轉(zhuǎn)換為所述光電探測器裝置的輸出信號。方法900可由光電探測器裝置10、20、50與60中的任意一者執(zhí)行。可執(zhí)行階段910，同時在一增益下操作所述光電探測器裝置，所述增益可為低增益(例如，可低于10,000)、極低增益、中等增益、高增益(例如，可超過一百萬)或者極高增益。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，提供了一種維持光電倍增管電極處的恒定電壓的方法，所述方法包含：通過對應(yīng)串聯(lián)的電壓跟隨器元件供應(yīng)所有的倍增電極電壓；以及將恒定電流從共同的電流源供應(yīng)至所有串聯(lián)的電壓跟隨器元件。所述電壓跟隨器中的每一電壓跟隨器可由一對應(yīng)的電阻分壓器供應(yīng)，其中所有的電阻分壓器是串聯(lián)連接的。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述方法還包含：通過另外的電壓跟隨器供應(yīng)陰極電壓，其中所述電流源連接在所述高壓電源的負極與所述陰極之間。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，所述方法還包含：將所述陰極連接至所述高壓電源的負極，并且將所述電流源連接在所述高壓電源的負極與多個倍增電極中的第一倍增電極之間。根據(jù)本發(fā)明的其他實施例，可實施以下步驟中的一個或多個：在一個或多個相鄰的倍增電極之間提供多個電容器；在所述陰極與相鄰的倍增電極之間提供電容器；在高壓電源的正極與所述相鄰的倍增電極之間提供電容器；將多個電容器并聯(lián)連接至多個電阻元件中的部分電阻元件或者所有電阻元件，或者所述多個電阻元件的任意組合。為了便于解說，本發(fā)明利用K個倍增電極說明各實施例。但應(yīng)理解倍增電極的數(shù)量可根據(jù)特定應(yīng)用的要求而變化。通常，市售的PMT包含6至14個倍增電極，但是這不應(yīng)限制本發(fā)明。本發(fā)明可利用具有任何數(shù)量的倍增電極的PMT實施，倍增電極的數(shù)量從1開始。雖然本文已經(jīng)圖示及描述了本發(fā)明的某些特征結(jié)構(gòu)，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員自此將可進行許多修改、替換以及等效變化。因此，可理解所附權(quán)利要求書旨在覆蓋落入本發(fā)明的真正精神內(nèi)的所有這類修改及變化。