專利名稱：硅杯凹槽結(jié)構(gòu)熱釋電厚膜探測器的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種熱釋電紅外探測器的制造エ藝，尤其涉及ー種具有硅杯凹槽結(jié)構(gòu)的熱釋電厚膜探測器的制備方法，屬于電子材料與元器件技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
熱釋電紅外探測器利用熱釋電材料的熱釋電效應(yīng)工作。熱釋電材料處于低于居里溫度的恒溫環(huán)境時，其自極化電荷密度保持不變，這些電荷被空氣中的帶電離子中和；當(dāng)紅外輻射入射熱釋電材料，被材料吸收后，材料溫度升高，自極化強(qiáng)度變小，即電荷面密度變小。這樣，熱釋電材料表面存在多余的中和電荷，這些電荷以電壓或電流的形式輸出，該輸出信號可以用來探測輻射。相反，當(dāng)截斷該輻射吋，熱釋電材料溫度降低，自極化強(qiáng)度增加，有相反方向的電流或電壓輸出。可見，要提高熱釋電紅外探測器的靈敏度，應(yīng)該提高熱釋電敏感元的材料性能和絕熱性能，這樣在其他條件相同時，可以獲得更高的響應(yīng)信號。 目前，常用的熱釋電材料有BST、PZT、LiTaO3和TGS等；熱釋電材料的形態(tài)有單晶/陶瓷塊體材料、薄膜材料和厚膜材料。單晶/陶瓷塊體材料用晶體外延生長或者傳統(tǒng)陶瓷エ藝制成，其優(yōu)點(diǎn)是材料性能好，熱釋電系數(shù)高，介電損耗小。缺點(diǎn)是在使用塊體材料制作熱釋電紅外探測器件時，塊體材料要經(jīng)過切片、研磨、拋光等エ藝，減薄到幾十微米，エ藝復(fù)雜、成本高，且成品率低；當(dāng)樣品減薄到一定厚度時，材料的機(jī)械性能下降，ー些微缺陷將暴露出來，會損害材料性能。減薄后的熱釋電敏感元通過導(dǎo)電膠和襯底粘接在一起，使得熱絕緣性能差，敏感元吸收的熱量大部分被流失，導(dǎo)致響應(yīng)信號小、探測器靈敏度差。為了獲得更高的器件性能，人們提出了發(fā)展以熱釋電薄膜為敏感元的新型熱釋電紅外探測器。它利用射頻派射(Rf-Sputtering)法、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法、溶膠-凝膠(Sol-gel)法以及分子束外延(MBE)法等在硅襯底上制備厚度為幾十——幾百納米厚的薄膜材料，再利用硅微細(xì)加工的辦法，形成微橋、懸臂梁等結(jié)構(gòu)，提高熱釋電薄膜敏感元的絕熱性能。其優(yōu)點(diǎn)是一方面采用熱絕緣結(jié)構(gòu)減小了熱損耗，降低了熱串?dāng)_，可以提高器件性能；另ー方面利用成熟的半導(dǎo)體エ藝，簡化了エ藝、降低了成本，為研制陣列數(shù)目更大的探測器提供了保障。缺點(diǎn)是熱釋電薄膜材料性能低、制備エ藝重復(fù)性、一致性差，不利于大批量生產(chǎn)。厚膜材料其厚度在一微米到幾十微米的范圍，制備エ藝成熟，主要的制備方法有絲網(wǎng)印刷(Screen Printing)、新型Sol-gel制備技術(shù)和電泳沉積(ElectrophoreticDeposition)等。厚膜材料兼顧了塊材和薄膜材料的優(yōu)點(diǎn)，它材料性能高，制備エ藝成熟、低廉，エ藝重復(fù)性和一致性好，適合大批量生產(chǎn)；它圖形化能力強(qiáng)，與半導(dǎo)體微細(xì)加工エ藝兼容，能形成性能良好的絕熱結(jié)構(gòu)。正由于厚膜材料這些優(yōu)點(diǎn)，人們對利用厚膜熱釋電材料制備紅外探測器進(jìn)行了深入研究。下面是ー種傳統(tǒng)的熱釋電紅外探測器(如附圖I所示)制作方法先在襯底表面制備阻擋層，采用光刻エ藝和濺射技術(shù)，將底電極刻成所需圖案并制備底電極，然后在底電極上制備熱釋電厚膜材料，待厚膜靜置平坦和烘干后，利用等靜壓將厚膜表面壓平，接著高溫?zé)Y(jié)使之成瓷。最后在熱釋電紅外探測單元上面濺射上電極，對厚膜進(jìn)行極化，獲得有一定性能的厚膜材料。上述所制備的紅外探測器存在一定的問題。首先是厚膜材料燒結(jié)溫度高、材料性能差。由于可以通過調(diào)整組份來制備所需性能優(yōu)良的材料，所以在制備厚膜材料時加入了許多相，而材料混合不均勻及致密度較差會導(dǎo)致燒結(jié)溫度高，所獲材料性能較差。其次也是最嚴(yán)重的缺陷厚膜材料容易開裂。為了獲得表面平整度較高的厚膜必須對厚膜材料進(jìn)行等靜壓處理，而在做等靜壓時厚膜會承受一定的壓力，由于厚膜底部有阻擋層材料支撐平衡了向下的壓力，但是厚膜四周側(cè)面沒有支撐體，表面不平整的厚膜受カ就會不均衡，其側(cè)面會承受向外的張力，加之如果所制備的厚膜材料混合不均勻，厚膜中存在不均勻的孔洞和間隙，在厚膜承受壓カ后就很容易發(fā)生開裂。開裂嚴(yán)重?fù)p害厚膜的質(zhì)量，同時也不利于上電極的制備，大大降低紅外探測器的成品率。因此，為了保證厚膜材料的質(zhì)量，獲得性能良好和成品率較高熱釋電厚膜探測器，解決熱釋電厚膜探測器中厚膜燒結(jié)溫度高，材料性能差及厚膜開裂問題至關(guān)重要。

發(fā)明內(nèi)容
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本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供ー種性能良好的硅杯凹槽結(jié)構(gòu)熱釋電厚膜探測器及制備方法。本發(fā)明解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是，硅杯凹槽結(jié)構(gòu)熱釋電厚膜探測器，包括上表面設(shè)有凹槽的硅襯底、底電極和上電極，凹槽內(nèi)填充有熱釋電厚膜材料，底電極通過凹槽側(cè)壁引出，所述硅襯底上表面與設(shè)置有底電極的凹槽側(cè)壁的夾角為鈍角，或者說，所述娃襯底上表面的垂線與設(shè)置有底電極的凹槽側(cè)壁的夾角大于0°。本發(fā)明的硅杯凹槽結(jié)構(gòu)熱釋電厚膜探測器的制備方法包括下述步驟I)清洗硅襯底；2 )沉積ニ氧化硅薄膜；3)在襯底基片上制作帶斜面的硅杯凹槽；4)再次清洗并沉積ニ氧化硅薄膜，在凹槽表面形成阻擋層；5)清洗基片，吹干，光刻底電極圖形，然后在凹槽旁邊和凹槽壁上制備底電極203 ；6)在凹槽內(nèi)，底電極上方沉積熱釋電厚膜材料，烘干，等靜壓，燒結(jié)為陶瓷；7)光刻上電極圖形，磁控濺射制備上電扱。還包括步驟8):背面掏空硅襯底，形成懸空熱絕緣結(jié)構(gòu)。步驟3)中的斜面是指凹槽的該處側(cè)面與硅襯底上表面夾角為鈍角，以便于底電極從斜面引出。本發(fā)明提供了一種新的熱釋電厚膜探測器及其制備方法，采用ー種硅通孔互連制作技術(shù)制備硅杯凹槽結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)可以有效防止厚膜材料的開裂，保護(hù)厚膜完整性，有利于提高厚膜的質(zhì)量和探測器的成品率，使熱釋電厚膜探測器獲得良好的的性能。本發(fā)明具有如下的優(yōu)點(diǎn)和積極效果硅通孔互連制作技術(shù)エ藝成熟，能獲得所要求的凹槽；操作筒便易行，設(shè)備是半導(dǎo)體加工和微細(xì)加工常見而且必備的設(shè)備，利于制備懸空的熱絕緣結(jié)構(gòu)，提高紅外性能。


圖I.是現(xiàn)有技術(shù)熱釋電紅外探測器的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，101是襯底，102是阻擋層，103是底電極，104是熱敏感材料，105是上電極；圖2.是本發(fā)明的熱釋電厚膜探測器的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，201是硅襯底，202是ニ氧化硅薄膜，203是底電極，204是熱釋電材料，205是上電極；圖3是利用本發(fā)明制備方法的各流程示意圖。圖3a是在Si襯底上制備SiO2薄膜阻擋層的示意圖。圖3b是在Si襯底上制備凹槽的示意圖。 圖3c是沉積SiO2薄膜阻擋層的示意圖。圖3d是在SiO2薄膜阻擋層上和凹槽內(nèi)制備Pt/Ti底電極的示意圖。圖3e是在Pt/Ti底電極上和凹槽內(nèi)沉積PZT熱釋電厚膜的示意圖。圖3f是在PZT熱釋電厚膜上制備Pt/Ti上電極的示意圖。圖3g是襯底背面掏空形成懸空熱絕緣結(jié)構(gòu)的示意圖。圖4是利用本發(fā)明所制備的熱釋電厚膜探測器的熱釋電電壓響應(yīng)曲線圖。圖5是利用本發(fā)明所制備的熱釋電厚膜探測器的電壓響應(yīng)曲線圖。其中，301余弦曲線為探測器的電壓響應(yīng)信號，峰值為I. 02V，302方波信號為斬波器的頻率信號，頻率為5. 3Hz，曲線301與302同頻率變化。圖6是利用本發(fā)明所制備的熱釋電厚膜探測器在不同頻率下的探測率曲線圖。
具體實(shí)施例方式為了解決熱釋電厚膜探測器中厚膜材料性能差，燒結(jié)溫度高及厚膜材料易開裂的問題，本發(fā)明的目的是提供一種新的熱釋電厚膜探測器及其制備方法。本發(fā)明基于微機(jī)械エ藝，采用一種硅通孔互連制作技術(shù)在襯底中制備形成有一定坡度和深度的凹槽結(jié)構(gòu)，在凹槽中制備阻擋層和底電極后，沉積熱釋電厚膜材料，使其剛好填滿整個凹槽，厚膜材料的表面與襯底表面的高度正好相同，接著厚膜進(jìn)行等靜壓，高溫?zé)Y(jié)成瓷，最后通過光刻技術(shù)和濺射エ藝引出上電極。為了保證底電極的順利引出，上述所制備的凹槽必須存在一定的坡度，而填充凹槽的厚膜表面與襯底表面高度相同，也有利于用上電極的制備。熱釋電厚膜材料填滿整個凹槽，其底部和側(cè)面都有襯底材料的支撐，在等靜壓時每個面都受カ平衡，很好的保護(hù)了受壓狀態(tài)下的厚膜材料。同時所制備的厚膜材料在等靜壓的情況下膜表面平整且致密度較好，有利于降低燒結(jié)溫度獲得性能良好的厚膜材料。而且制備凹槽結(jié)構(gòu)所用的硅通孔互連制作技術(shù)エ藝成熟，操作簡單，易于制備所需的凹槽結(jié)構(gòu)。參見圖2。本發(fā)明的熱釋電厚膜探測器包括上表面設(shè)有凹槽的硅襯底201、底電極203和上電極205，凹槽內(nèi)填充有熱釋電厚膜材料204，底電極203通過凹槽側(cè)壁引出，所述硅襯底201上表面與設(shè)置有底電極203的凹槽側(cè)壁的夾角為鈍角。本發(fā)明的制備方法包括下述步驟I)清洗硅襯底201;2)沉積ニ氧化硅薄膜202 ；
3)在襯底基片上制作帶斜面的硅杯凹槽；4)再次清洗并沉積ニ氧化硅薄膜，在凹槽表面形成阻擋層；5)清洗基片，吹干，光刻底電極圖形，然后在凹槽旁邊和凹槽壁上制備底電極203 ；6)在凹槽內(nèi)，底電極203上方沉積熱釋電厚膜材料204，烘干，等靜壓，燒結(jié)為陶瓷；7)光刻上電極圖形，磁控濺射制備上電極205。具體的說，為了解決熱釋電厚膜材料開裂的問題，本發(fā)明在襯底形成一定坡度的凹槽結(jié)構(gòu)。凹槽存在一定坡度是為了在制備底電極時能將其順利的引出，因為如果凹槽的
坡面近似垂直，在制備底電極時在凹槽坡面可能只有極其稀薄的電極甚至沒有電極，使得凹槽底面的底電極就無法和襯底表面的底電極連接起來，這樣電極就會斷裂開，嚴(yán)重?fù)p害電極的質(zhì)量，因此要求所制備的凹槽有一定的坡度。硅基片滿足以上條件，而且體硅技木工藝簡單，可重復(fù)性高，且與厚膜エ藝兼容性好，因此襯底材料201選用硅基片。襯底201的厚度為O. 3-lmm。要形成一定坡度的凹槽的方法有腐蝕或者干法刻蝕。腐蝕可以通過具有各向異性的腐蝕液來制備有一定坡度的凹槽，各向異性腐蝕液主要有氫氧化鉀(Κ0Η)、有機(jī)溶液EDP、四甲基氫氧化銨(TMAH)等；干法刻蝕同樣可以獲得一定坡度的凹槽，主要有化學(xué)干法等離子體刻蝕、物理干法等離子體刻蝕以及化學(xué)/物理結(jié)合作用的反應(yīng)離子刻蝕(RIE)和高密度等離子體刻蝕(HDP)。制備凹槽的深度為5-50 μ m?？蛇x用的阻擋層材料有=SiO2，或多孔SiO2，或氮化硅(Si3N4);相應(yīng)的制備方法有脈沖激光沉積(PLD)，或金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)，或等離子體化學(xué)氣相沉積(PEVCD);本實(shí)施方式采用ニ氧化硅薄膜作為阻擋層材料，厚度為O. 5-5 μ m ；步驟5)中在阻擋層材料202上和凹槽內(nèi)制備底電極203，底電極203可選用的材料有鉬(Pt)，或金(Au)，或錳酸鍶鑭(LSMO)，或釔鋇銅氧(YBaCuO)等；底電極203的制備方法有濺射，或PLD。底電極203的厚度為IOnm-I μ m。步驟6)中，在底電極203上凹槽里制備熱釋電材料204。熱釋電材料204可選用的材料主要有鋯鈦酸鉛〔Pb (Zr1-Jix) O3),或鋯鈦酸鉛鑭〔PLZT，(Pb, La) (Zr, Ti) O3),或鈦酸鍶鋇(BST)，或聚偏氟こ烯(PVDF)，或PVDF/PZT聚合物，或PVDF/BST聚合物等；熱釋電材料204的制備方法有絲網(wǎng)印刷、電泳沉積、電鍍或者流延法等。對制備的熱釋電材料204進(jìn)行等靜壓以獲得高表面平整度，熱釋電材料204的厚度與步驟I中凹槽深度相同。熱釋電材料204高溫?zé)Y(jié)成瓷。常用的燒結(jié)爐主要有連續(xù)式網(wǎng)帶燒結(jié)爐(1150で)，推桿式燒結(jié)爐(1250で)，鋼帶燒結(jié)爐(1000で)，管式燒結(jié)爐(1400°C )等；燒結(jié)溫度為650-1000°C，保溫時間O. 5-3h。步驟7)在熱釋電材料204上方引出上電極205。上電極205的材料和制備方法與步驟2相同，上電極205的厚度為IOnm-I μ m。步驟8)在襯底背面掏空形成懸空熱絕緣結(jié)構(gòu)。主要的方法與步驟I中的腐蝕和干法刻蝕相同，背面掏空深度為200 μ m-500 μ m。更具體的制備方法的實(shí)施例包括下述步驟(I)對厚度約300μπι(100)晶向的硅襯底201進(jìn)行常規(guī)的集成電路エ藝清洗后，放入1100°c的三管擴(kuò)散爐中熱氧化沉積ー層ニ氧化硅薄膜202，厚度約O. 5 μ m。如附圖3a所示。(2)在硅片的一面利用光刻エ藝開出IX Imm2的腐蝕窗ロ，以49%的HF溶液=NH4F 去離子水=3ml 6g 10ml的比例配制出BOE溶液，將做好光刻膠掩膜的Si片置入BOE溶液中浸泡15分鐘，得到以SiO2為掩膜的腐蝕窗ロ ；(3)配置25wt. %的TMAH溶液對基片進(jìn)行各向異性腐蝕，按3g/100ml的比例加入(NH4) S2O8，溶液溫度為78°C，腐蝕時間I. 5h形成深度約為30 μ m硅杯凹槽。如附圖3b所
/Jn ο(4)重復(fù)步驟⑴中的清洗和高溫?zé)嵫趸に?，沉積厚度約I μ m的ニ氧化硅薄膜阻擋層202。如附圖3c所示。(5)硅片依次放入丙酮和酒精中超聲振蕩清洗，各振蕩清洗5min，然后用氮?dú)獯?干，接著通過涂膠、堅膜、曝光、顯影、后烘等光刻エ藝制作出探測器的底電極對應(yīng)的圖形，然后通過直流磁控濺射沉積Pt/Ti底電極203，電極厚度為130nm。如附圖3d所示。(6)在硅杯凹槽內(nèi)和底電極上方用電泳沉積的方法沉積PZT熱釋電厚膜材料204，沉積的厚膜靜置流平后，放入管式爐中烘干，然后等靜壓，最后在管式爐中高溫?zé)Y(jié)成陶瓷。燒結(jié)溫度750°C，保溫時間lh。如附圖3e所示。(8)重復(fù)上述步驟(5)中的光刻エ藝和直流磁控濺射エ藝制備Pt/Ti上電極205，電極厚度為130nm。如附圖3f所示。(9)用氫氧化鉀(KOH)溶液和反應(yīng)離子刻蝕(RIE)背面掏空硅襯底201，形成懸空熱絕緣結(jié)構(gòu)，腐蝕和刻蝕深度約為200 μ m-500 μ m。如附圖3g所示。對上述熱釋電厚膜探測器進(jìn)行熱釋電性能和紅外響應(yīng)性能測試，測試結(jié)果如附圖4和圖5所示。附圖4是熱釋電厚膜探測器的熱釋電電壓響應(yīng)曲線，實(shí)際測得的曲線與模擬曲線是同頻率變化的，且曲線干擾信號較少。通過計算得出的熱釋電系數(shù)為UgXKT8CcnT2K'附圖5是熱釋電厚膜探測器的紅外響應(yīng)波形圖。圖中的余弦曲線301為探測器的電壓響應(yīng)，方波信號302為斬波器的頻率信號。由圖可見，探測器的輸出電壓與斬波器同頻率變化，因此探測器的電壓響應(yīng)是由PZT厚膜的熱釋電引起的光電響應(yīng)曲線。附圖6是熱釋電厚膜探測器的不同頻率下的探測率。根據(jù)公式び:年免r_c■今^!仏通過計算，在調(diào)制頻率為161. 3Hz時，探測率D*達(dá)到最大值為7. 8X 107cm · Hz17V10這表明熱釋電厚膜探測器有良好的紅外響應(yīng)性能。
權(quán)利要求
1.硅杯凹槽結(jié)構(gòu)熱釋電厚膜探測器，包括上表面設(shè)有凹槽的硅襯底[201]、底電極[203]和上電極[205]，凹槽內(nèi)填充有熱釋電厚膜材料[204]，底電極[203]通過凹槽側(cè)壁引出，其特征在于，所述硅襯底[201]上表面與設(shè)置有底電極[203]的凹槽側(cè)壁的夾角為鈍角。
2.硅杯凹槽結(jié)構(gòu)熱釋電厚膜探測器的制備方法，其特征在于，包括下述步驟 1)清洗硅襯底[201]； 2)沉積二氧化硅薄膜[202]； 3)在襯底基片上制作帶斜面的硅杯凹槽； 4)再次清洗并沉積二氧化硅薄膜，在凹槽表面形成阻擋層； 5)清洗基片，吹干，光刻底電極圖形，然后在凹槽旁邊和凹槽壁上制備底電極[203]； 6)在凹槽內(nèi)，底電極[203]上方沉積熱釋電厚膜材料[204]，烘干，等靜壓，燒結(jié)為陶瓷； 7)光刻上電極圖形，磁控濺射制備上電極[205]。
3.如權(quán)利要求2所述的硅杯凹槽結(jié)構(gòu)熱釋電厚膜探測器的制備方法，其特征在于，還包括步驟8):背面掏空硅襯底[201]，形成懸空熱絕緣結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求2所述的硅杯凹槽結(jié)構(gòu)熱釋電厚膜探測器的制備方法，其特征在于，所述步驟3 )中，采用各向異性的腐蝕液腐蝕出凹槽，或者采用干法刻蝕出硅杯凹槽，凹槽的深度為 5-50 μ m。
5.如權(quán)利要求2所述的硅杯凹槽結(jié)構(gòu)熱釋電厚膜探測器的制備方法，其特征在于，步驟5)中，底電極[203]的材料為鉬，或金，或錳酸鍶鑭，或釔鋇銅氧；底電極[203]的制備方法為濺射或PLD ;底電極[203]的厚度為IOnm-I μ m。
6.如權(quán)利要求2所述的硅杯凹槽結(jié)構(gòu)熱釋電厚膜探測器的制備方法，其特征在于，步驟6)中，燒結(jié)溫度為650-1000°C，保溫時間O. 5-3h。
7.如權(quán)利要求2所述的硅杯凹槽結(jié)構(gòu)熱釋電厚膜探測器的制備方法，其特征在于，步驟7)中，上電極[205]的厚度為IOnm-I μ m。
8.如權(quán)利要求3所述的硅杯凹槽結(jié)構(gòu)熱釋電厚膜探測器的制備方法，其特征在于，各步驟依次為 1)對厚度300Um(IOO)晶向的硅襯底[201]進(jìn)行常規(guī)的集成電路工藝清洗； 2)放入1100°C的三管擴(kuò)散爐中熱氧化沉積一層二氧化硅薄膜[202]，厚度O.5μπι; 3)在硅片的一面利用光刻工藝開出IX Imm2的腐蝕窗口，以49%的HF溶液=NH4F :去離子水=3ml 6g 10ml的比例配制出BOE溶液，將做好光刻膠掩膜的Si片置入BOE溶液中浸泡15分鐘，得到以SiO2為掩膜的腐蝕窗口 ；配置25wt. %的TMAH溶液對基片進(jìn)行各向異性腐蝕，按3g/100ml的比例加入(NH4) S2O8，溶液溫度為78°C，腐蝕時間I. 5h，形成深度為·30 μ m娃杯凹槽； 4)重復(fù)步驟I)和步驟2)的清洗和高溫?zé)嵫趸に?，沉積厚度Iμ m的二氧化硅薄膜阻擋層； 5)依次放入丙酮和酒精中超聲振蕩清洗，各振蕩清洗5min，然后用氮?dú)獯蹈桑ㄟ^光刻工藝制作出探測器的底電極對應(yīng)的圖形，然后通過直流磁控濺射沉積底電極[203]，電極厚度為130nm ；6)在硅杯凹槽內(nèi)和底電極上方用電泳沉積的方法沉積PZT熱釋電厚膜材料[204]，沉積的厚膜靜置流平后，放入管式爐中烘干，然后等靜壓，最后在管式爐中高溫?zé)Y(jié)成陶瓷，燒結(jié)溫度750°C，保溫時間Ih ； 7)采用光刻工藝和直流磁控濺射工藝制備上電極[205]，電極厚度為130nm； 8)用氫氧化鉀溶液和反應(yīng)離子刻蝕背面掏空硅襯底[201]，形成懸空熱絕緣結(jié)構(gòu)，腐蝕和刻蝕深度為200-500 μ m。
全文摘要
硅杯凹槽結(jié)構(gòu)熱釋電厚膜探測器，屬于電子材料與元器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括上表面設(shè)有凹槽的硅襯底、底電極和上電極，凹槽內(nèi)填充有熱釋電厚膜材料，底電極通過凹槽側(cè)壁引出，所述硅襯底上表面與設(shè)置有底電極的凹槽側(cè)壁的夾角為鈍角。本發(fā)明有利于提高厚膜的質(zhì)量和探測器的成品率，使熱釋電厚膜探測器獲得良好的性能。
文檔編號G01J5/10GK102820421SQ201210290319
公開日2012年12月12日 申請日期2012年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月15日
發(fā)明者吳傳貴, 陳沖, 彭強(qiáng)祥, 曹家強(qiáng), 羅文博, 帥垚, 張萬里, 王小川 申請人:電子科技大學(xué)