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用于制造微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法和微機(jī)械結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):5955166閱讀:207來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):用于制造微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法和微機(jī)械結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于制造微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法和一種微機(jī)械結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
盡管可以應(yīng)用在任意的微機(jī)械元件上,但本發(fā)明及其所基于的問(wèn)題借助加速度傳感器和轉(zhuǎn)速傳感器來(lái)解釋。DE 195 37 814 Al公開(kāi)了一種用于制造微機(jī)械傳感器、例如加速度傳感器和轉(zhuǎn)速傳感器的方法。產(chǎn)生可運(yùn)動(dòng)的硅結(jié)構(gòu),其運(yùn)動(dòng)通過(guò)確定電容變化來(lái)定量地檢測(cè)??蛇\(yùn)動(dòng)的硅結(jié)構(gòu)在蝕刻步驟中產(chǎn)生,其中,在硅層中產(chǎn)生具有大長(zhǎng)寬比的溝槽。在第二步驟中去除微機(jī)械硅功能層下面的犧牲層、例如氧化層。在后續(xù)步驟中將這樣獲得的可運(yùn)動(dòng)的硅結(jié)構(gòu)密·封地封閉,例如通過(guò)晶片罩,該晶片罩通過(guò)密封玻璃釬焊過(guò)程施加。根據(jù)用途而定,在通過(guò)晶片罩封閉的容積內(nèi)部以所期望的或適合的壓力封閉一氣體氛圍。在轉(zhuǎn)速傳感器中一般包含非常低的壓力,例如Imbar數(shù)量級(jí)。其原因是,在這些轉(zhuǎn)速傳感器中,部分可運(yùn)動(dòng)的結(jié)構(gòu)被諧振地驅(qū)動(dòng)。在壓力很低時(shí)可以以相對(duì)較低的電壓由于非常低的阻尼而簡(jiǎn)單地激勵(lì)所期望的振動(dòng)。而在加速度傳感器中一般不期望傳感器陷入振動(dòng),這在施加相應(yīng)的外部加速度時(shí)是可能的。因此這些加速度傳感器在較高的壓力下運(yùn)行,例如在500mbar。附加地也經(jīng)常使這些加速度傳感器的表面設(shè)置有有機(jī)涂層,它們防止可運(yùn)動(dòng)的結(jié)構(gòu)的粘接。如果要制造非常小的且成本有利的轉(zhuǎn)速傳感器與加速度傳感器的組合,可以這樣實(shí)現(xiàn),其方式是,在一個(gè)芯片上不僅集成轉(zhuǎn)速傳感器而且集成加速度傳感器。兩個(gè)傳感器同時(shí)在一個(gè)襯底上制成。通過(guò)晶片罩使這種傳感器組合在襯底水平面上封裝,該晶片罩為每個(gè)芯片提供兩個(gè)分開(kāi)的空穴。轉(zhuǎn)速傳感器和加速度傳感器的空穴中所需的不同壓力例如可以通過(guò)使用吸氣劑實(shí)現(xiàn)。為此在轉(zhuǎn)速傳感器的空穴中局部地裝入適合的吸氣劑。在兩個(gè)空穴中首先包圍一高壓力。接著通過(guò)溫度調(diào)節(jié)步驟激活吸氣劑,然后吸氣劑將轉(zhuǎn)速傳感器的空穴容積泵浦或吸氣到低壓力。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明,提出一種用于制造微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法,具有以下步驟在由第一材料制成的第一微機(jī)械功能層中形成通道;用由第二材料制成的覆蓋層封閉所述溝道,以便形成具有第一端部和第二端部的被掩埋的通道;在所述覆蓋層上方形成由第三材料制成的第二微機(jī)械功能層;在第二微機(jī)械功能層中結(jié)構(gòu)化一微機(jī)械傳感器結(jié)構(gòu)和一邊緣區(qū)域,其中,該邊緣區(qū)域包圍所述傳感器結(jié)構(gòu)并且定義包含所述傳感器結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)和背離所述傳感器結(jié)構(gòu)的外側(cè),其中,所述第一端部位于該外側(cè)并且所述第二端部位于該內(nèi)側(cè);在第一蝕刻步驟中在第一和第二端部上打開(kāi)所述被掩埋的通道,其中,第一蝕刻介質(zhì)通過(guò)結(jié)構(gòu)化的第二微機(jī)械功能層引導(dǎo)到第一和第二端部上并且對(duì)于第一微機(jī)械功能層和對(duì)于第二微機(jī)械功能層選擇性地蝕刻覆蓋層;在所述邊緣區(qū)域上形成一罩,由此,打開(kāi)后的被掩埋的通道形成所述外側(cè)與所述內(nèi)側(cè)之間的流體連通。根據(jù)本發(fā)明,還提出一種微機(jī)械結(jié)構(gòu),具有由第一材料制成的第一微機(jī)械功能層,該第一微機(jī)械功能層具有被掩埋的通道,該被掩埋的通道具有第一端部和第二端部;在第二微機(jī)械功能層中的具有封罩的微機(jī)械傳感器結(jié)構(gòu),該第二微機(jī)械功能層設(shè)置在第一微機(jī)械功能層之上;在第二微機(jī)械功能層中的邊緣區(qū)域,其中,該邊緣區(qū)域包圍所述傳感器結(jié)構(gòu)并且定義包含該傳感器結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)和背離該傳感器結(jié)構(gòu)的外側(cè);其中,該第一端部位于所述外側(cè),該第二端部位于所述內(nèi)側(cè)。本發(fā)明的基本思想是,在罩的邊緣區(qū)域的下面設(shè)置被掩埋的通道,使得該通道形成被封罩的容積與周?chē)g的流體連通。如果要成本有利地制成傳感器組合(例如轉(zhuǎn)速傳感器與加速度傳感器),則通過(guò)按 照本發(fā)明的方法能夠?qū)崿F(xiàn),設(shè)置一具有兩個(gè)空穴區(qū)域的罩式傳感器(Kappensensor),首先這樣安置晶片罩(Kappenwafer),使得加速度傳感器的空穴在期望的低壓下被氣密地封閉。接著通過(guò)按照本發(fā)明的被掩埋的通道在轉(zhuǎn)速傳感器的空穴區(qū)域中產(chǎn)生期望的氛圍,然后將被掩埋的通道封閉。按照本發(fā)明的制造方法與用于加速度傳感器和轉(zhuǎn)速傳感器或其它已知的、具有罩的微機(jī)械傳感器的已知制造工藝兼容。按照本發(fā)明的制造技術(shù)是成本有利的、簡(jiǎn)單且可靠的。


下面借助實(shí)施例結(jié)合附圖詳細(xì)解釋本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)。附圖示出圖la),b),c)至圖11a),b),c)用于解釋按照本發(fā)明實(shí)施方式的用于制造微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法的示意性橫截面圖,其中,各圖a)分別示出沿著線A-A’的橫剖面圖,各圖b)分別示出沿著線B-B’的部分剖面圖,各圖c)分別示出俯視圖。
具體實(shí)施例方式在附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的或功能相同的部件。參考圖Ia)至C),附圖標(biāo)記I表示硅半導(dǎo)體襯底,例如硅晶片。在硅半導(dǎo)體襯底I上首先沉積一絕緣層2、例如氧化硅層。接著將呈多晶硅層3形式的第一微機(jī)械功能層在絕緣層2上沉積、摻雜并在多晶娃區(qū)域3a, 3b, 3c, 3d中相應(yīng)于要形成的微機(jī)械傳感器布局來(lái)結(jié)構(gòu)化。此外參考圖2a)至2c),在結(jié)構(gòu)化的、具有區(qū)域3a,3b,3c,3d的第一微機(jī)械功能層3上沉積另一絕緣層4,例如也是一氧化硅層,使得區(qū)域3a,3b, 3c, 3d被掩埋在其下面。該絕緣層4在進(jìn)一步的工藝過(guò)程中用作掩膜層。如在圖3a)至3c)中所示,接著在區(qū)域3a上直到其右邊緣例如通過(guò)相應(yīng)的光刻工藝在以后要形成的被掩埋的通道的長(zhǎng)度范圍上形成具有第一寬度BI的長(zhǎng)形開(kāi)口 5。有利地,開(kāi)口 5的寬度BI選擇在多晶硅制成的第一微機(jī)械功能層3的層厚的數(shù)量級(jí)或者甚至選擇得更小些。按照?qǐng)D4a)至4c),在形成長(zhǎng)形開(kāi)口 5之后,在使用絕緣層4作為掩膜層的情況下,例如用SF6等離子蝕刻位于掩膜層下的第一微機(jī)械功能層3的區(qū)域3a。蝕刻過(guò)程可以有利地穿透整個(gè)第一微機(jī)械功能層3實(shí)施,但不是必須的。在選擇適合的蝕刻介質(zhì)的情況下,蝕刻過(guò)程自動(dòng)地停止在位于下面的絕緣層2上。如尤其由圖4b)看出,通過(guò)蝕刻過(guò)程形成的通道6這樣設(shè)置,使得它具有第二寬度B2,該寬度大于位于上面的開(kāi)口 5的第一寬度BI。這在以后的工藝過(guò)程中導(dǎo)致,可以封閉開(kāi)口 5,而不會(huì)完全地或意外強(qiáng)烈地填塞位于下面的溝道6。參考圖5a)至5c),在下一工藝步驟中沉積一覆蓋層7、例如另一氧化硅層,并由此封閉通道6,即形成被掩埋的通道6’,它在縱向上具有第一端部El和第二端部E2。如上所述,被掩埋的通道6’在覆蓋層7的高度上封閉,因?yàn)榈谝粚挾菳I相對(duì)較小。這樣制造的被掩埋的通道6’形成以后的用于對(duì)被罩住的容積或部分容積供給流體的通風(fēng)通道的基礎(chǔ)。此外,參考圖6a)至6c),在下一工藝步驟中在覆蓋層7中形成接觸開(kāi)口 9a,9b,9c,9d,它們向下延續(xù)直到薄的第一微機(jī)械功能層1,使得該功能層以后可以被位于上面的功能 層接觸。如在圖7a)至7c)中所示,接著在具有接觸區(qū)域9的覆蓋層7的上面沉積一由多晶硅構(gòu)成的相對(duì)厚的第二微機(jī)械功能層11并摻雜。接著沉積一金屬層并結(jié)構(gòu)化,由此對(duì)外建立用于傳感器結(jié)構(gòu)SI,S2以后的電連接的鍵合面10。然后將第二微機(jī)械功能層11結(jié)構(gòu)化。尤其在第二微機(jī)械功能層11中設(shè)置一第一傳感器裝置SI以及一第二傳感器裝置S2,第一傳感器裝置SI在本例中形成加速度傳感器,第二傳感器裝置S2在本例中形成轉(zhuǎn)速傳感器。此外圍繞具有傳感器裝置S1,S2的傳感器結(jié)構(gòu)設(shè)置一邊緣區(qū)域R以及設(shè)置一中間區(qū)域MI,該邊緣區(qū)域包圍傳感器結(jié)構(gòu),該中間區(qū)域?qū)鞲衅鹘Y(jié)構(gòu)分成兩個(gè)傳感器SI,S2,這兩個(gè)傳感器以后用作罩的接觸區(qū)域。該邊緣區(qū)域R尤其定義包含傳感器結(jié)構(gòu)SI,S2的內(nèi)側(cè)RI和背離傳感器結(jié)構(gòu)SI,S2的外側(cè)RA,其中,被掩埋的通道6’的第一端部位于外側(cè)RA而第二端部E2位于內(nèi)側(cè)RI。如尤其由圖7a)看到的那樣,覆蓋層7在兩個(gè)端部E1,E2上露出,或者說(shuō)第二微機(jī)械功能層11在其上面被去除,使得第一和第二端部E1,E2在以后的蝕刻過(guò)程中可以從上側(cè)達(dá)到。如在圖8a)至Sc)中所示,接著進(jìn)行犧牲層蝕刻過(guò)程,例如通過(guò)HF氣相蝕刻,它部分地去除絕緣層2,4和覆蓋層7。通過(guò)該蝕刻過(guò)程尤其釋放傳感器裝置SI,S2,S卩,使其在所期望的位置上可運(yùn)動(dòng)。被掩埋的用于輸送流體的通道6’也在該蝕刻過(guò)程中被打開(kāi)并且也在其垂直尺寸上被擴(kuò)大,如尤其從圖8b)看到的那樣,在該蝕刻過(guò)程中蝕刻介質(zhì)通過(guò)結(jié)構(gòu)化的第二微機(jī)械功能層11引導(dǎo)到其第一和第二端部El,E2處。因?yàn)樵撐g刻過(guò)程針對(duì)多晶硅選擇性地只蝕刻氧化物,第一和第二微機(jī)械功能層3,11的所形成的微機(jī)械功能結(jié)構(gòu)保持完整。此外參考圖9a)至9c),傳感器結(jié)構(gòu)的微機(jī)械傳感器裝置SI,S2在適合于傳感器裝置S2的壓力和相應(yīng)適合的氣體氛圍下用晶片罩13通過(guò)密封玻璃層12封閉,其中,密封玻璃層12設(shè)置在邊緣區(qū)域R和中間區(qū)域MI上。晶片罩13尤其具有分隔區(qū)域13a,它通過(guò)密封玻璃層12耦合在多晶硅制成的第二微機(jī)械硅功能層11的腳座形中間區(qū)域MI上。由此,這樣實(shí)施用晶片罩13形成封罩,使得形成兩個(gè)空穴區(qū)域14a,14b,它們相互氣密地隔絕。加速度傳感器S I的空穴區(qū)域14a相對(duì)于外側(cè)RA通過(guò)被掩埋的通道6’打開(kāi),而轉(zhuǎn)速傳感器S2的空穴區(qū)域14b相對(duì)于外側(cè)RA并且相對(duì)于加速度傳感器的空穴區(qū)域14a封閉。在封罩過(guò)程之后最終確定轉(zhuǎn)速傳感器S2的壓力和氣氛,例如在轉(zhuǎn)速傳感器S2的空穴區(qū)域14b中存在為了無(wú)損失地驅(qū)動(dòng)所需的Imbar的低壓力?,F(xiàn)在可以通過(guò)相應(yīng)的泵循環(huán)和通風(fēng)循環(huán)通過(guò)被掩埋的通道6’從外側(cè)RA對(duì)加速度傳感器Si設(shè)置(未示出的)有機(jī)防粘附層,或者可以選擇性地只在加速度傳感器SI上應(yīng)用其它的調(diào)整機(jī)制,以保證其無(wú)故障的運(yùn)行可靠性?!ぷ詈?,參考圖IOa)至10c),接著對(duì)加速度傳感器的空穴區(qū)域14a在壓力和氣氛方面進(jìn)行適合的調(diào)整,例如在那里調(diào)整500mbar的壓力,例如通過(guò)加入漆層15或BCB層。這些材料通過(guò)被掩埋的通道6’進(jìn)入第一空穴區(qū)域14a深處。通過(guò)例如在O2等離子中整面回蝕,可以將原先平面地位于整個(gè)結(jié)構(gòu)上的漆層15或BCB層在該裝置的干擾位置上再去除,而在更深的期望的位置上、例如在被掩埋的通道6’的第一端部上被保留,以便最終封閉該通道。如由圖Ila)和lie)看出的那樣,有時(shí)期望的是,保留鍵合面10區(qū)域中的漆層15或BCB層用于絕緣。盡管上面借助于兩個(gè)實(shí)施例解釋了本發(fā)明,但是本發(fā)明不局限于此,而是可以以各種方式變化。盡管借助于優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明,但是本發(fā)明不局限于此。尤其是,上述材料和布局只是示例性的,而不局限于所解釋的示例。通過(guò)用于通風(fēng)的被掩埋的通道的不同的橫截面和/或長(zhǎng)度、例如曲折形狀,或者通過(guò)這種被掩埋的通道的數(shù)量,可以調(diào)整具有加速度傳感器的第一空穴區(qū)域的用氣體充注的速度或者泵抽速度。應(yīng)用領(lǐng)域也是多種多樣的并且不局限于加速度傳感器和轉(zhuǎn)速傳感器。因此例如也可以將微機(jī)械磁場(chǎng)傳感器或者需要低壓力的任意其它傳感器與需要較高壓力的傳感器、例如加速度傳感器組合。同樣可以設(shè)想,在芯片內(nèi)制成具有單獨(dú)的空穴的附加區(qū)域,并且,通過(guò)特殊的氣體通道幾何形狀和適合地控制直到封閉被掩埋的通道的時(shí)間,在多于兩個(gè)的空穴區(qū)域中建立不同的氣氛或者壓力,如在上面的實(shí)施例中存在的那樣,例如對(duì)于第一傳感器裝置建立最小內(nèi)壓力,對(duì)于第二傳感器裝置建立中等壓力,而對(duì)于第三傳感器裝置建立相對(duì)高的壓力
坐寸ο用于具有兩個(gè)以上不同壓力的傳感器的應(yīng)用例可以是組合的轉(zhuǎn)速、加速度和磁場(chǎng)傳感器,或者也可以是轉(zhuǎn)速傳感器與多軸加速度傳感器的組合,其中,例如z通道的較高阻尼要通過(guò)與x-/y_傳感器相比較小的壓力來(lái)平衡,以便在傳遞特性上實(shí)現(xiàn)可相比的機(jī)械帶寬。
權(quán)利要求
1.一種用于制造微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法,具有以下步驟 在由第一材料制成的第一微機(jī)械功能層(3)中形成通道(6); 用由第二材料制成的覆蓋層(7)封閉所述溝道(6),以便形成具有第一端部(El)和第二端部(E2)的被掩埋的通道(6’ ); 在所述覆蓋層(7)上方形成由第三材料制成的第二微機(jī)械功能層(11); 在第二微機(jī)械功能層(11)中結(jié)構(gòu)化一微機(jī)械傳感器結(jié)構(gòu)(SI, S2)和一邊緣區(qū)域(R),其中,該邊緣區(qū)域(R)包圍所述傳感器結(jié)構(gòu)(S1,S2)并且定義包含所述傳感器結(jié)構(gòu)(S1,S2)的內(nèi)側(cè)(RI)和背離所述傳感器結(jié)構(gòu)(S1,S2)的外側(cè)(RA),其中,所述第一端部(El)位于該外側(cè)(RA)并且所述第二端部(E2)位于該內(nèi)側(cè)(RI); 在第一蝕刻步驟中在第一和第二端部(El,E2)上打開(kāi)所述被掩埋的通道(6’),其中,第一蝕刻介質(zhì)通過(guò)結(jié)構(gòu)化的第二微機(jī)械功能層(11)引導(dǎo)到第一和第二端部(El,E2)上并且對(duì)于第一微機(jī)械功能層(3)和對(duì)于第二微機(jī)械功能層(11)選擇性地蝕刻覆蓋層(7); 在所述邊緣區(qū)域(R)上形成一罩(12,13),由此,打開(kāi)后的被掩埋的通道(6’)形成所述外側(cè)(RA)與所述內(nèi)側(cè)(RI)之間的流體連通。
2.如權(quán)利要求I所述的方法,包括步驟 通過(guò)打開(kāi)后的被掩埋的通道(6’)在具有被封罩的傳感器結(jié)構(gòu)(SI,S2)的內(nèi)部區(qū)域(RI)中形成預(yù)定的氣氛;并且封閉所述第一端部(E1)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,其中,通過(guò)一封閉層(15)的沉積和部分回蝕來(lái)進(jìn)行所述第一端部(El)的封閉。
4.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中,將所述傳感器結(jié)構(gòu)(SI,S2)這樣結(jié)構(gòu)化,使得它具有一具有第一空穴區(qū)域(14a)的第一傳感器裝置(SI)和一具有第二空穴區(qū)域(14b)的第二傳感器裝置(S2),并且,所述封罩(12,13)的形成這樣進(jìn)行,使得第二空穴區(qū)域(14b)相對(duì)于所述外側(cè)(RA)和所述第一空穴區(qū)域(14a)被封閉,由此,打開(kāi)后的被掩埋的通道(6’)形成所述外側(cè)(RA)與所述第一空穴區(qū)域(14a)之間的流體連接。
5.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中,為了形成所述通道(6),在第一微機(jī)械功能層(3)上沉積由第二材料制成的掩膜層(4)并且這樣結(jié)構(gòu)化該掩膜層,使得它具有一開(kāi)口(5),該開(kāi)口在要形成的通道(6)的長(zhǎng)度范圍上具有第一寬度(BI),其中,在第二蝕刻步驟中,第二蝕刻介質(zhì)通過(guò)該開(kāi)口(5)引導(dǎo)到第一微機(jī)械功能層(3)上并且對(duì)該掩膜層(4)選擇性地蝕刻第一微機(jī)械功能層(3)以形成所述通道(6),其中,該通道(6)的第二寬度(B2)大于所述第一寬度(BI)。
6.一種微機(jī)械結(jié)構(gòu),具有 由第一材料制成的第一微機(jī)械功能層(3),該第一微機(jī)械功能層具有被掩埋的通道(6’),該被掩埋的通道具有第一端部(El)和第二端部(E2); 在第二微機(jī)械功能層(11)中的具有封罩(12,13)的微機(jī)械傳感器結(jié)構(gòu)(SI, S2),該第二微機(jī)械功能層設(shè)置在第一微機(jī)械功能層(3)之上; 在第二微機(jī)械功能層(11)中的邊緣區(qū)域(R),其中,該邊緣區(qū)域(R)包圍所述傳感器結(jié)構(gòu)(SI,S2)并且定義包含該傳感器結(jié)構(gòu)(SI,S2)的內(nèi)側(cè)(RI)和背離該傳感器結(jié)構(gòu)(SI,S2)的外側(cè)(RA);其中,該第一端部(El)位于所述外側(cè)(RA),該第二端部(E2)位于所述內(nèi)側(cè)(RI)。
7.如權(quán)利要求6所述的微機(jī)械結(jié)構(gòu),其中,所述第一和第二端部(E1,E2)是打開(kāi)的并且所述被掩埋的通道(6’ )形成所述外側(cè)(RA)與所述內(nèi)側(cè)(RI)之間的流體連通。
8.如權(quán)利要求7所述的微機(jī)械結(jié)構(gòu),其中,該第一端部(El)是封閉的,并且,在具有被封罩的傳感器結(jié)構(gòu)(SI,S2)的內(nèi)部區(qū)域(RI)中形成預(yù)定的氣氛。
9.如權(quán)利要求7所述的微機(jī)械結(jié)構(gòu),其中,形成有具有第一空穴區(qū)域(14a)的第一傳感器裝置(SI)和具有第二空穴區(qū)域(14b)的第二傳感器裝置(S2),其中,所述封罩(12,13)這樣形成,使得第二空穴區(qū)域(14b)相對(duì)于所述外側(cè)(RA)和所述第一空穴區(qū)域(14a)是封閉的,其中,所述第二端部(E2)在所述第一空穴區(qū)域(14a)中形成。
10.如權(quán)利要求9所述的微機(jī)械結(jié)構(gòu),其中,該第一傳感器裝置(SI)具有加速度傳感器,該第二傳感器裝置(S2)具有轉(zhuǎn)速傳感器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于制造微機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法和一種微機(jī)械結(jié)構(gòu)。該微機(jī)械結(jié)構(gòu)包括由第一材料制成的第一微機(jī)械功能層(3),它具有被掩埋的、具有第一端部(E1)和第二端部(E2)的通道(6');在第二微機(jī)械功能層(11)中的具有封罩(12,13)的微機(jī)械傳感器結(jié)構(gòu)(S1,S2),該第二微機(jī)械功能層設(shè)置在第一微機(jī)械功能層(3)之上;在第二微機(jī)械功能層(11)中的邊緣區(qū)域(R),該邊緣區(qū)域(R)包圍傳感器結(jié)構(gòu)(S1,S2)并且定義包含傳感器結(jié)構(gòu)(S1,S2)的內(nèi)側(cè)(RI)和背離傳感器結(jié)構(gòu)(S1,S2)的外側(cè)(RA);其中,第一端部(E1)位于所述外側(cè)(RA)并且第二端部(E2)位于所述內(nèi)側(cè)(RI)。
文檔編號(hào)G01P15/00GK102951601SQ20121029126
公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月16日
發(fā)明者J·克拉森, J·萊茵穆特, S·京特, P·布斯蒂安-托多羅娃 申請(qǐng)人:羅伯特·博世有限公司
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