專利名稱：霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
霍爾傳感器的應(yīng)用是基于霍爾芯片在一個(gè)永磁體的磁場內(nèi)工作，由于永磁體的磁鋼強(qiáng)度誤差、霍爾芯片參數(shù)值誤差及霍爾傳感器的制造安裝誤差，會(huì)產(chǎn)生霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)偏差，從而導(dǎo)致霍爾傳感器在被測物體動(dòng)作時(shí)無法輸出正確的信號(hào)。因此，目前亟需一種霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制方法及系統(tǒng)，使霍爾傳感器在被測物體動(dòng)作時(shí)輸出正確的信號(hào)，避免霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)有偏差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制方法及系統(tǒng)，當(dāng)有誤差因素存在時(shí)，能夠在動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變的情況下，使霍爾傳感器在被測物體動(dòng)作時(shí)輸出正確的信號(hào)，避免霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)有偏差。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制方法，所述霍爾傳感器包括相隔第一距離的霍爾芯片和永磁體，所述霍爾芯片上設(shè)有感應(yīng)面，所述霍爾傳感器與被測物體上的剩磁物體的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離，所述方法包括當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第一距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變。進(jìn)一步的,在上述方法中，還包括當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第二距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變。進(jìn)一步的，在上述方法中，由所述永磁體的磁鋼強(qiáng)度誤差、霍爾芯片器的參數(shù)值誤差或霍爾傳感器的制造安裝誤差中的一種或任意組合原因造成所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低。本發(fā)明提供另一種霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制方法，所述霍爾傳感器包括相隔第一距離的霍爾芯片和永磁體，所述霍爾芯片上設(shè)有感應(yīng)面，所述霍爾傳感器與被測物體上的剩磁物體的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離，所述方法包括當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第二距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變。進(jìn)一步的，在上述方法中，由所述永磁體的磁鋼強(qiáng)度誤差、霍爾芯片器的參數(shù)值誤差或霍爾傳感器的制造安裝誤差中的一種或任意組合原因造成所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低。根據(jù)本發(fā)明的另一面，提供一種霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制系統(tǒng)，包括霍爾傳感器、位于被測物體上的剩磁物體和調(diào)節(jié)裝置，其中，所述霍爾傳感器包括相隔第一距離的霍爾芯片和永磁體，所述霍爾芯片上設(shè)有感應(yīng)面；所述霍爾傳感器與被測物體上的剩磁物體的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離；所述調(diào)節(jié)裝置，用于當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第一距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變。進(jìn)一步的，在上述系統(tǒng)中，所述調(diào)節(jié)裝置，還用于當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第二距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變。進(jìn)一步的，在上述系統(tǒng)中，由所述永磁體的磁鋼強(qiáng)度誤差、霍爾芯片器的參數(shù)值誤差或霍爾傳感器的制造安裝誤差中的一種或任意組合原因造成所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低。本發(fā)明還提供另一種霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制系統(tǒng)，包括霍爾傳 感器、位于被測物體上的剩磁物體和調(diào)節(jié)裝置，其中，所述霍爾傳感器包括相隔第一距離的霍爾芯片和永磁體，所述霍爾芯片上設(shè)有感應(yīng)面；所述霍爾傳感器與被測物體上的剩磁物體的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離；所述調(diào)節(jié)裝置，用于當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第二距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變。進(jìn)一步的，在上述系統(tǒng)中，由所述永磁體的磁鋼強(qiáng)度誤差、霍爾芯片器的參數(shù)值誤差或霍爾傳感器的制造安裝誤差中的一種或任意組合原因造成所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明中所述霍爾傳感器包括相隔第一距離的霍爾芯片和永磁體，所述霍爾芯片上設(shè)有感應(yīng)面，所述霍爾傳感器與被測物體上的剩磁物體的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離，所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第一距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變或調(diào)節(jié)所述第二距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變，當(dāng)有誤差因素存在時(shí)，能夠在動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變的情況下，使霍爾傳感器在被測物體動(dòng)作時(shí)輸出正確的信號(hào)，避免霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)有偏差。


圖I是本發(fā)明一實(shí)施例的原理圖；圖2是圖I中沿軸Z的剖面原理圖；圖3是本發(fā)明一實(shí)施例的霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制模塊示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。實(shí)施例一如圖I和2所示所示，本發(fā)明提供一種霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制方法，包括
所述霍爾傳感器I包括相隔第一距離Y的霍爾芯片11和永磁體12，所述霍爾芯片11上設(shè)有感應(yīng)面，所述霍爾傳感器I與被測物體上的剩磁物體2的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離X，所述方法包括當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第一距離Y以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置C和釋放點(diǎn)的位置D保持不變。具體的，霍爾傳感器I將永磁體12和霍爾芯片11封裝進(jìn)行檢測被測物體的位置，實(shí)際運(yùn)用中，要求動(dòng)作點(diǎn)的位置 C和釋放點(diǎn)的位置D保持不變。以常用的霍爾芯片HAL506為例，當(dāng)霍爾芯片的感應(yīng)面的磁感應(yīng)強(qiáng)度大于Bon (閉合點(diǎn)值)時(shí)，霍爾芯片動(dòng)作，此時(shí)為霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)(閉合點(diǎn))；當(dāng)霍爾芯片感應(yīng)面的磁感應(yīng)強(qiáng)度小于Boff (斷開點(diǎn)值)時(shí)，霍爾芯片釋放，此時(shí)為霍爾傳感器的釋放點(diǎn)(斷開點(diǎn))。利用霍爾芯片11的動(dòng)作原理制成的霍爾傳感器I可以檢測被測物體的剩磁物體2的位置，霍爾傳感器I將霍爾芯片11及永磁體12固定在相對(duì)的位置上，被測物體上的剩磁物體2的感應(yīng)塊對(duì)霍爾芯片11的感應(yīng)面做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，以改變霍爾芯片11的感應(yīng)面處的磁感應(yīng)強(qiáng)度，以達(dá)到Bon或BofT，從而觸發(fā)霍爾傳感器I的動(dòng)作點(diǎn)或釋放點(diǎn)，檢測被測物體的位置。如圖2所示，其中霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)距離為A，霍爾傳感器的釋放點(diǎn)的距離為B，安裝后霍爾傳感器I的永磁體12和霍爾芯片11相對(duì)被測物體的剩磁物體2的位置為X，Y為霍爾傳感器I的霍爾芯片11與永磁體12的相對(duì)位置尺寸?；魻杺鞲衅鱅制造過程中，由于永磁體12的磁感應(yīng)強(qiáng)度誤差、霍爾芯片11自身的參數(shù)值誤差以及霍爾傳感器I裝配誤差，導(dǎo)致動(dòng)作點(diǎn)的位置C和釋放點(diǎn)的位置D超出了要求的誤差范圍，為了解決誤差問題，即當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，可以調(diào)節(jié)所述第一距離Y以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置C和釋放點(diǎn)的位置D保持不變，調(diào)節(jié)所述第一距離Y可以改變霍爾芯片11表面的磁感應(yīng)強(qiáng)度。在要求霍爾傳感器I封裝后不允許移動(dòng)的情況下，采用這種方法在進(jìn)行霍爾傳感器I封裝時(shí)，即可使霍爾傳感器I的性能符合要求。綜上，本實(shí)施例中所述霍爾傳感器包括相隔第一距離的霍爾芯片和永磁體，所述霍爾芯片上設(shè)有感應(yīng)面，所述霍爾傳感器與被測物體上的剩磁物體的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離，所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第一距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變，當(dāng)有誤差因素存在時(shí)，能夠在動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變的情況下，使霍爾傳感器在被測物體動(dòng)作時(shí)輸出正確的信號(hào)，避免霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)有偏差。實(shí)施例二如圖I和2所示所示，本發(fā)明提供一種霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制方法，包括所述霍爾傳感器I包括相隔第一距離Y的霍爾芯片11和永磁體12，所述霍爾芯片11上設(shè)有感應(yīng)面，所述霍爾傳感器I與被測物體上的剩磁物體2的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離X，所述方法包括當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第二距離X以使霍以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置C和釋放點(diǎn)的位置D保持不變。
具體的，霍爾傳感器I將永磁體12和霍爾芯片11封裝進(jìn)行檢測被測物體的位置，實(shí)際運(yùn)用中，要求動(dòng)作點(diǎn)的位置C和釋放點(diǎn)的位置D保持不變。以常用的霍爾芯片HAL506為例，當(dāng)霍爾芯片的感應(yīng)面的磁感應(yīng)強(qiáng)度大于Bon (閉合點(diǎn)值)時(shí)，霍爾芯片動(dòng)作，此時(shí)為霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)(閉合點(diǎn))；當(dāng)霍爾芯片感應(yīng)面的磁感應(yīng)強(qiáng)度小于Boff (斷開點(diǎn)值)時(shí)，霍爾芯片釋放，此時(shí)為霍爾傳感器的釋放點(diǎn)(斷開點(diǎn))。利用霍爾芯片11的動(dòng)作原理制成的霍爾傳感器I可以檢測被測物體的剩磁物體2的位置，霍爾傳感器I將霍爾芯片11及永磁體12固定在相對(duì)的位置上，被測物體上的剩磁物體2的感應(yīng)塊對(duì)霍爾芯片11的感應(yīng)面做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，以改變霍爾芯片11的感應(yīng)面處的磁感應(yīng)強(qiáng)度，以達(dá)到Bon或BofT，從而觸發(fā)霍爾傳感器I的動(dòng)作點(diǎn)或釋放點(diǎn)，檢測被測物體的位置。如圖2所示，其中霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)距離為A，霍爾傳感器的釋放點(diǎn)的距離為B，安裝后霍爾傳感器I的永磁體12和霍爾芯片11相對(duì)被測物體的剩磁物體2的位置為X，Y為霍爾傳感器I的霍爾芯片11與永磁體12的相對(duì)位置尺寸。
霍爾傳感器I制造過程中，由于永磁體12的磁感應(yīng)強(qiáng)度誤差、霍爾芯片11自身的參數(shù)值誤差以及霍爾傳感器I裝配誤差，導(dǎo)致動(dòng)作點(diǎn)的位置C和釋放點(diǎn)的位置D超出了要求的誤差范圍，為了解決誤差問題，即當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，可以調(diào)節(jié)所述第二距離X以使霍以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置C和釋放點(diǎn)的位置D保持不變，調(diào)節(jié)所述第二距離X可以改變霍爾芯片11表面的磁感應(yīng)強(qiáng)度。本實(shí)施例可以在霍爾傳感器I封裝時(shí)，通過調(diào)節(jié)所述第二距離X改變霍爾傳感器I到動(dòng)作點(diǎn)的位置C和釋放點(diǎn)的位置D的距離，使感應(yīng)機(jī)構(gòu)封裝后整體可調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，從而使霍爾傳感器的性能符合要求，例如當(dāng)永磁體磁感應(yīng)強(qiáng)度過高，導(dǎo)致霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)距離A和釋放點(diǎn)的距離B增大，可以在進(jìn)行霍爾傳感器I封裝時(shí)，增大第二距離X值，從而使得動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)位置不變。綜上，本實(shí)施例所述霍爾傳感器包括相隔第一距離的霍爾芯片和永磁體，所述霍爾芯片上設(shè)有感應(yīng)面，所述霍爾傳感器與被測物體上的剩磁物體的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離，當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第二距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變，當(dāng)有誤差因素存在時(shí)，能夠在動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變的情況下，使霍爾傳感器在被測物體動(dòng)作時(shí)輸出正確的信號(hào)，避免霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)有偏差。實(shí)施例三如圖I至3所示，本發(fā)明還提供另一種霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制系統(tǒng)，包括霍爾傳感器I、位于被測物體上的剩磁物體2和調(diào)節(jié)裝置，其中，所述霍爾傳感器I包括相隔第一距離Y的霍爾芯片11和永磁體12，所述霍爾芯片上設(shè)有感應(yīng)面。所述霍爾傳感器I與被測物體上的剩磁物體2的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離X。所述調(diào)節(jié)裝置3用于當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第一距離Y以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置C和釋放點(diǎn)的位置D保持不變。優(yōu)選的，所述調(diào)節(jié)裝置3還用于當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第二距離X以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置C和釋放點(diǎn)的位置C保持不變。
具體的，霍爾傳感器I將永磁體12和霍爾芯片11封裝進(jìn)行檢測被測物體的位置，實(shí)際運(yùn)用中，要求動(dòng)作點(diǎn)的位置C和釋放點(diǎn)的位置D保持不變。以常用的霍爾芯片HAL506為例，當(dāng)霍爾芯片的感應(yīng)面的磁感應(yīng)強(qiáng)度大于Bon (閉合點(diǎn)值)時(shí)，霍爾芯片動(dòng)作，此時(shí)為霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)(閉合點(diǎn))；當(dāng)霍爾芯片感應(yīng)面的磁感應(yīng)強(qiáng)度小于Boff (斷開點(diǎn)值)時(shí)，霍爾芯片釋放，此時(shí)為霍爾傳感器的釋放點(diǎn)(斷開點(diǎn))。利用霍爾芯片11的動(dòng)作原理制成的霍爾傳感器I可以檢測被測物體的剩磁物體2的位置，霍爾傳感器I將霍爾芯片11及永磁體12固定在相對(duì)的位置上，被測物體上的剩磁物體2的感應(yīng)塊對(duì)霍爾芯片11的感應(yīng)面做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，以改變霍爾芯片11的感應(yīng)面處的磁感應(yīng)強(qiáng)度，以達(dá)到Bon或BofT，從而觸發(fā)霍爾傳感器I的動(dòng)作點(diǎn)或釋放點(diǎn)，檢測被測物體的位置。如圖2所示，其中霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)距離為A，霍爾傳感器的釋放點(diǎn)的距離為B，安裝后霍爾傳感器I的永磁體12和霍爾芯片11相對(duì)被測物體的剩磁物體2的位置為X，Y為霍爾傳感器I的霍爾芯片11與永磁體12的相對(duì)位置尺寸。
霍爾傳感器I制造過程中，由于永磁體12的磁感應(yīng)強(qiáng)度誤差、霍爾芯片11自身的參數(shù)值誤差以及霍爾傳感器I裝配誤差，導(dǎo)致動(dòng)作點(diǎn)的位置C和釋放點(diǎn)的位置D超出了要求的誤差范圍，為了解決誤差問題，即當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，可以調(diào)節(jié)所述第一距離Y以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置C和釋放點(diǎn)的位置D保持不變，調(diào)節(jié)所述第一距離Y可以改變霍爾芯片11表面的磁感應(yīng)強(qiáng)度。在要求霍爾傳感器I封裝后不允許移動(dòng)的情況下，采用這種方法在進(jìn)行霍爾傳感器I封裝時(shí)，即可使霍爾傳感器I的性能符合要求。另外，當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，也可以調(diào)節(jié)所述第二距離X以使霍以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置C和釋放點(diǎn)的位置D保持不變，調(diào)節(jié)所述第二距離X可以改變霍爾芯片11表面的磁感應(yīng)強(qiáng)度。本實(shí)施例可以在霍爾傳感器I封裝時(shí)，通過調(diào)節(jié)所述第二距離X改變霍爾傳感器I到動(dòng)作點(diǎn)的位置C和釋放點(diǎn)的位置D的距離，使感應(yīng)機(jī)構(gòu)封裝后整體可調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，從而使霍爾傳感器的性能符合要求，例如當(dāng)永磁體磁感應(yīng)強(qiáng)度過高，導(dǎo)致霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)距離A和釋放點(diǎn)的距離B增大，可以在霍爾傳感器I時(shí)，增大第二距離X值，從而使得動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)位置不變。綜上，本實(shí)施例中所述霍爾傳感器包括相隔第一距離的霍爾芯片和永磁體，所述霍爾芯片上設(shè)有感應(yīng)面，所述霍爾傳感器與被測物體上的剩磁物體的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離，所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第一距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變或調(diào)節(jié)所述第二距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變，當(dāng)有誤差因素存在時(shí)，能夠在動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變的情況下，使霍爾傳感器在被測物體動(dòng)作時(shí)輸出正確的信號(hào)，避免霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)有偏差。本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對(duì)于實(shí)施例公開的系統(tǒng)而言，由于與實(shí)施例公開的方法相對(duì)應(yīng)，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法部分說明即可。專業(yè)人員還可以進(jìn)一步意識(shí)到，結(jié)合本文中所公開的實(shí)施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或者二者的結(jié)合來實(shí)現(xiàn)，為了清楚地說明硬件和軟件的可互換性，在上述說明中已經(jīng)按照功能一般性地描述了各示例的組成及步驟。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來執(zhí)行，取決于技術(shù)方案的特定應(yīng)用和設(shè)計(jì)約束條件。專業(yè)技術(shù)人員可以對(duì)每個(gè)特定的應(yīng)用來使用不同方法來實(shí)現(xiàn)所描述的功能，但是這種實(shí)現(xiàn)不應(yīng)認(rèn)為超出本發(fā)明的范圍。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包括這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制方法，其特征在于，所述霍爾傳感器包括相隔第一距離的霍爾芯片和永磁體，所述霍爾芯片上設(shè)有感應(yīng)面，所述霍爾傳感器與被測物體上的剩磁物體的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離，所述方法包括 當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第一距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變。
2.如權(quán)利要求I所述的霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制方法，其特征在于，還包括當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第二距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變。
3.如權(quán)利要求I所述的霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制方法，其特征在于，由所述永磁體的磁鋼強(qiáng)度誤差、霍爾芯片器的參數(shù)值誤差或霍爾傳感器的制造安裝誤差中的一種或任意組合原因造成所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低。
4.一種霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制方法，其特征在于，所述霍爾傳感器包括相隔第一距離的霍爾芯片和永磁體，所述霍爾芯片上設(shè)有感應(yīng)面，所述霍爾傳感器與被測物體上的剩磁物體的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離，所述方法包括 當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第二距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變。
5.如權(quán)利要求4所述的霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制方法，其特征在于，由所述永磁體的磁鋼強(qiáng)度誤差、霍爾芯片器的參數(shù)值誤差或霍爾傳感器的制造安裝誤差中的一種或任意組合原因造成所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低。
6.一種霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制系統(tǒng)，其特征在于，包括霍爾傳感器、位于被測物體上的剩磁物體和調(diào)節(jié)裝置，其中， 所述霍爾傳感器包括相隔第一距離的霍爾芯片和永磁體，所述霍爾芯片上設(shè)有感應(yīng)面； 所述霍爾傳感器與被測物體上的剩磁物體的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離； 所述調(diào)節(jié)裝置，用于當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第一距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變。
7.如權(quán)利要求6所述霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制系統(tǒng)，其特征在于，所述調(diào)節(jié)裝置，還用于當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第二距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變。
8.如權(quán)利要求6所述霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制系統(tǒng)，其特征在于，由所述永磁體的磁鋼強(qiáng)度誤差、霍爾芯片器的參數(shù)值誤差或霍爾傳感器的制造安裝誤差中的一種或任意組合原因造成所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低。
9.一種霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制系統(tǒng)，其特征在于，包括霍爾傳感器、位于被測物體上的剩磁物體和調(diào)節(jié)裝置，其中， 所述霍爾傳感器包括相隔第一距離的霍爾芯片和永磁體，所述霍爾芯片上設(shè)有感應(yīng)面； 所述霍爾傳感器與被測物體上的剩磁物體的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離； 所述調(diào)節(jié)裝置，用于當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第二距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變。
10.如權(quán)利要求9所述霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制系統(tǒng)，其特征在于，由所述永磁體的磁鋼強(qiáng)度誤差、霍爾芯片器的參數(shù)值誤差或霍爾傳感器的制造安裝誤差中的一種或任意組合原因造成所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的磁路控制方法及系統(tǒng)，所述方法包括所述霍爾傳感器包括相隔第一距離的霍爾芯片和永磁體，所述霍爾芯片上設(shè)有感應(yīng)面，所述霍爾傳感器與被測物體上的剩磁物體的動(dòng)作點(diǎn)的位置之間相隔第二距離，當(dāng)所述感應(yīng)面感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度過高或過低時(shí)，調(diào)節(jié)所述第一距離或調(diào)節(jié)所述第二距離以使霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變。當(dāng)有誤差因素存在時(shí)，本發(fā)明能夠在動(dòng)作點(diǎn)的位置和釋放點(diǎn)的位置保持不變的情況下，使霍爾傳感器在被測物體動(dòng)作時(shí)輸出正確的信號(hào)，避免霍爾傳感器的動(dòng)作點(diǎn)和釋放點(diǎn)有偏差。
文檔編號(hào)G01B7/00GK102879016SQ201210352978
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月19日
發(fā)明者張周良, 范忠良, 蔣富根, 沈文齋, 朱漢平 申請(qǐng)人:上海森太克汽車電子有限公司, 上海德科電子儀表有限公司