一種加速度計及其制造工藝的制作方法
【專利摘要】一種加速度計，包括：測量體、與所述測量體相連接的上蓋板硅片以及下蓋板硅片；所述測量體包括框架、位于所述框架內(nèi)的彈性梁和質(zhì)量塊；所述質(zhì)量塊與所述框架通過多組所述彈性梁相連接，每組所述彈性梁包括兩根彈性折疊梁,所述彈性折疊梁以所述質(zhì)量塊的中線為軸對稱設(shè)置；每組所述彈性折疊梁之間通過一連接臂相互連接。所述測量體的上下表面上均鍵合有帶電極的蓋板硅片。并與測量體之間形成一電容。本發(fā)明的加速度計結(jié)構(gòu)具有極大的模態(tài)隔離比值，進一步降低了MEMS芯片的噪聲。為此，本加速度計具有檢測精確度高、穩(wěn)定性強、噪聲低等優(yōu)點。
【專利說明】一種加速度計及其制造工藝【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及傳感器領(lǐng)域，尤其涉及一種加速度計【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)今，加速度計可適用于諸多應(yīng)用，例如在測量地震的強度并收集數(shù)據(jù)、檢測汽車碰撞時的撞擊強度、以及在手機及游戲機中檢測出傾斜的角度和方向。而在微電子機械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)不斷進步的情況下，許多納米級的小型加速度計已經(jīng)被商業(yè)化廣泛采用。
[0003]常用的MEMS的加速度計分壓阻式和電容式兩種，壓阻式加速度計例如申請?zhí)枮?00480003916.7、
【公開日】為2006年3月15日的中國發(fā)明專利申請。壓阻式加速度計一般有懸臂梁及質(zhì)量塊構(gòu)成，并將力敏電阻設(shè)置在懸臂梁上。質(zhì)量塊會因加速度而運動，使得懸臂梁變形，從而引起電阻值的變化。但在沒有加速度或者加速度幅度比較微小的情況下，懸臂梁不會產(chǎn)生巨大變形。使得電阻值沒有顯著變化。只有當加速度的幅度大至懸臂梁產(chǎn)生變形時，該加速度計才能檢測到加速度。為此，該加速度計有測量不準、精確度不高等缺點。
[0004]電容式加速度計例如美國專利號US6805008
【公開日】為2004年10月19日的美國專利，電容式加速度計也包括懸臂梁及質(zhì)量塊。當有加速度時，加速度計的外框架會向加速度方向運動，而由于慣性的作用，質(zhì)量塊的位移會很小，使得質(zhì)量塊與另一電極間的間隙距離發(fā)生變化并導(dǎo)致電容的變化。這兩種加速度計都通過微加工工藝制成，具有體積小、造價低等特點。然而，懸臂梁為彈性梁，而且只有四根懸臂梁將質(zhì)量塊的四邊與框架相連接。為此，在外框架移動的時候，各個懸臂梁的位移幅度很大。而且各個懸臂梁也不會產(chǎn)生相同的變形及位移。使得這種加速度計的擺動模態(tài)振型不太對稱。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決 的技術(shù)問題在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)之不足，提供一種具有較高的穩(wěn)定性和可靠性的加速度計。
[0006]按照本發(fā)明所提供的一種加速度計，包括:測量體、與所述測量體相連接的上蓋板硅片以及下蓋板硅片；所述測量體包括框架、位于所述框架內(nèi)的彈性梁和質(zhì)量塊；所述質(zhì)量塊與所述框架通過多組所述彈性梁相連接，每組所述彈性梁包括兩根彈性折疊梁，所述彈性折疊梁以所述質(zhì)量塊的中線為軸對稱設(shè)置；每組所述彈性折疊梁之間通過一連接臂相互連接。
[0007]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案還具有以下附屬特征:
[0008]所述連接臂為彈性連接臂。
[0009]所述彈性折疊梁的兩末端位于同一直線上。
[0010]所述彈性折疊梁的一端分別與所述質(zhì)量塊的轉(zhuǎn)角處相連接。
[0011]所述測量體為雙面絕緣體上外延娃(SOI)結(jié)構(gòu),包括上娃層、中間娃層及下娃層；每兩層硅層之間分別設(shè)置有二氧化硅層。所述雙面絕緣體上外延硅結(jié)構(gòu)也簡稱為雙面SOI結(jié)構(gòu)。[0012]多個所述彈性梁分別成對稱地形于所述上硅層和所述下硅層，構(gòu)成雙層結(jié)構(gòu)。
[0013]所述測量體、所述上蓋板硅片及所述下蓋板硅片上分別設(shè)置有電極。
[0014]按照本發(fā)明所提供的加速度計的制造工藝，包括以下步驟:
[0015]第一步，在雙面SOI硅片的上下硅層上分別通過光刻、深度刻蝕及刻蝕形成多個深至中間硅層的孔；
[0016]第二步，在所述孔內(nèi)沉積多晶硅至中間硅層并填滿所述孔，形成電通路；然后在所述雙面SOI娃片的上下娃層的表面生長出二氧化娃層；并進行拋光打磨；
[0017]第三步，在所述雙面SOI硅片的上下硅層上通過光刻、深度刻蝕及刻蝕形成多組相互對稱的彈性折疊梁；并通過高溫氧化在所述彈性折疊梁的露置在外的表面上生長出二氧化硅，或者用化學(xué)沉積(CVD)方法在所述彈性梁的露置在外的表面上淀積一層二氧化硅層；
[0018]第四步，通過光刻及刻蝕將露置在外的所述中間硅層上的二氧化硅去除，并深度刻蝕所述中間硅層至一定深度；
[0019]第五步，將框架與質(zhì)量塊之間的中間硅層同時在垂直方向以及水平方向進行腐蝕，從而形成自由運動的彈性梁及連接臂；
[0020]第六步，將露置在外的所述二氧化硅腐蝕；
[0021]第七步，將上蓋板硅片、處理后的所述雙面SOI硅片、以及下蓋板硅片進行一次性鍵合。
[0022]按照本發(fā)明提供的加速度計的制造工藝中，還進一步包括以下步驟:
[0023]對所述上蓋板硅片及下蓋板硅片的加工工藝還包括:
[0024]A、在所述上蓋板硅片或下蓋板硅片上通過光刻、深度刻蝕及刻蝕形成一個通孔；
[0025]B、在所述上蓋板硅片和所述下蓋板硅片的鍵合面上分別通過光刻、深度刻蝕及刻蝕在所述上蓋板硅片和所述下蓋板硅片的鍵合面上各自形成一個凹陷區(qū)；
[0026]C、與所述雙面SOI硅片鍵合之前，對所述上蓋板硅片及所述下蓋板硅片進行清洗；
[0027]D、與所述雙面SOI硅片鍵合之后，在所述上蓋板硅片、所述下蓋板硅片的表面上淀積金屬并引出電極，通過所述上蓋板硅片或下蓋板硅片上的所述通孔在所述雙面SOI硅片的表面上淀積金屬，并通過所述通孔弓I出電極。
[0028]本發(fā)明中的上述加工工藝中的二氧化硅層起到保護其所覆蓋的硅層，使其不被刻蝕或腐蝕。
[0029]所述深度刻蝕及所述刻蝕的方法為以下方法中的一種或多種方法:干法刻蝕或濕法刻蝕，所述干法刻蝕包括:硅的深度反應(yīng)離子刻蝕及反應(yīng)離子刻蝕。所述用于腐蝕硅層的腐蝕劑為以下腐蝕劑中的一種或多種的組合:氫氧化鉀、四甲基氫氧化氨、乙二胺磷苯二酚或氣態(tài)的二氟化氙。
[0030]所述用于腐蝕二氧化硅層的腐蝕劑為以下腐蝕劑中的一種或多種的組合:緩沖氫氟酸、49%氫氟酸或氣態(tài)的氟化氫。二氧化硅層也可以用反應(yīng)離子刻蝕進行干法去除。
[0031]按照本發(fā)明所提供的一種加速度計及其制造工藝具有如下優(yōu)點:首先，通過在質(zhì)量塊與框架之間分別設(shè)置上下兩層相互對稱的彈性折疊梁使得整體結(jié)構(gòu)更加對稱、穩(wěn)定。在有加速度的情況下，每根彈性梁的位移幅度也相對較小。此外，通過在兩根彈性折疊梁之間設(shè)置一根連接臂進一步的限制了每根彈性梁的位移幅度。使得擺動模態(tài)振型完全以質(zhì)量塊的中心對稱，從而可以檢測出最細微的加速度。再次，本發(fā)明的設(shè)計具有很大的模態(tài)隔離比值，而且質(zhì)量塊的高階模態(tài)振型對稱，彈性梁的共振頻率與基頻相比非常高，可以進一步降低MEMS芯片的噪聲。為此，本加速度計具有檢測精確度高、穩(wěn)定性強、噪聲低等優(yōu)點。
[0032]而本發(fā)明中所提及的制造工藝使用了雙面SOI硅片和一次性的三片硅片鍵合技術(shù)，通過在雙面SOI硅片上腐蝕而成的彈性梁和質(zhì)量塊能非常精準的對準以及形成高度對稱的結(jié)構(gòu)。相比起現(xiàn)有技術(shù)所使用的鍵合工藝所制造的雙層梁，本工藝所制造的加速度計精度高、誤差小等特點，成品率也得到了較大的提升。而且由于腐蝕工藝較為簡單，本產(chǎn)品生產(chǎn)工藝的生產(chǎn)效率極高、成本也較低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]圖2為本發(fā)明中的測量體的立體圖。
[0035]圖3為本發(fā)明中的測量體的俯視圖。
[0036]圖4為本發(fā)明中的制造方法的第一步至第三步示意圖。
[0037]圖5為本發(fā)明中的制造方法的第四步至第六步示意圖。
[0038]圖6為本發(fā)明中的制造方法的第七步示意圖。
【具體實施方式】
[0039]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步的詳述:
[0040]參照圖1，一種加速度計，包括:測量體1、與所述測量體I相連接的上蓋板硅片2以及下蓋板硅片3 ;所述測量體1、所述上蓋板硅片2及所述下蓋板硅片3上分別設(shè)置有電極4 ;所述測量體I為雙面SOI結(jié)構(gòu)，包括上硅層5、中間硅層6及下硅層7 ;每兩層硅層之間分別設(shè)置有二氧化硅層8。多個所述彈性梁12分別成形于所述上硅層5和所述下硅層7。
[0041]參照圖2及圖3，所述測量體I包括:框架11、位于所述框架11內(nèi)的彈性梁12和質(zhì)量塊13 ;所述質(zhì)量塊13與所述框架11通過多組所述彈性梁12相連接，每組所述彈性梁12包括兩根彈性折疊梁121，所述彈性折疊梁121以所述質(zhì)量塊13的中線為軸對稱設(shè)置；每組所述彈性折疊梁121之間通過一連接臂122相互連接。其中，所述連接臂122為彈性連接臂122。所述彈性折疊梁121的兩個末端位于同一直線上。
[0042]參照圖2及圖3,優(yōu)選地,所述質(zhì)量塊13為矩形體,所述質(zhì)量塊13的橫截面為正方形。多組所述彈性梁12分別在上硅層5和下硅層7中。優(yōu)選地，每層硅層中對稱地設(shè)有四組彈性梁12。每組所述彈性梁12包括兩根彈性折疊梁121。而每根所述彈性折疊梁121的一端分別與所述質(zhì)量塊13的轉(zhuǎn)角處131相連接。使得質(zhì)量塊13在沒有加速度的情況下保持在水平狀態(tài)。當檢測到加速度時，設(shè)置在轉(zhuǎn)角處131的彈性折疊梁121也會限制質(zhì)量塊13的活動區(qū)域，防止測量出高于最大限額或者錯誤的數(shù)據(jù)。本發(fā)明中質(zhì)量塊13也可為其他形狀，例如六邊形、八邊形或圓形等。而且本發(fā)明中的彈性梁12、也可以為多層、多組結(jié)構(gòu)，并不限制于兩層，每層四組的結(jié)構(gòu)。
[0043]參見圖1及圖3,所述測量體I為雙面SOI結(jié)構(gòu),包括上娃層5、中間娃層6及下娃層7 ;每兩層硅層之間分別設(shè)置有二氧化硅層8。多個所述彈性梁12分別成形于所述上硅層5和所述下硅層7。并在所述測量體1、所述上蓋板硅片2及所述下蓋板硅片3上分別設(shè)置有電極4。在通電之后，測量體I與上蓋板硅片2及下蓋板硅片3之間均會產(chǎn)生一個電容值。在沒有加速度的情況下，測量體I與上蓋板硅片2及下蓋板硅片3彼此之間的電容值恒定。而當檢測到加速度時，所述測量體I中的框架11會因受加速度影響，向加速度方向移動。同時，所述彈性梁12也會產(chǎn)生一定的位移。但因慣性作用，質(zhì)量塊13的位移幅度會相對較小。根據(jù)公式C= εΑ/d，即兩片平行的導(dǎo)電片之間的電容量等于介電系數(shù)乘以正對面積除以垂直間距。當因加速度產(chǎn)生位移時，質(zhì)量塊13與上蓋板硅片2及下蓋板硅片3之間的間距會產(chǎn)生變化。為此，測量體I與上蓋板硅片2及下蓋板硅片3之間的電容量也會產(chǎn)生變化。集成芯片可以通過電容量的變化計算出檢測到的加速度。當加速度消失后，彈性梁12會回到原有狀態(tài)，使質(zhì)量塊13與上蓋板硅片2及下蓋板硅片3彼此之間的電容值歸于恒定值。
[0044]在質(zhì)量塊13和框架11之間設(shè)置兩層、并且多個沿質(zhì)量塊13的中軸對稱的彈性梁12有效的減少了每個彈性折疊梁121因加速度而產(chǎn)生位移時的位移幅度。并使得每根彈性折疊梁121的位移幅度基本相同。而在每根彈性折疊梁121之間通過連接臂122連接更進一步使得每根彈性折疊梁121的位移幅度相同。從而防止了因彈性梁12位移過度而檢測到錯誤數(shù)據(jù)的幾率。此外，由于每根彈性折疊梁121的位移幅度均比較小，每根彈性折疊梁121回到原有狀態(tài)所需的時間也會大大縮短。設(shè)置多根彈性梁12也使得本加速度計可以檢測到較為微小的加速度，增加了本加速度計的檢測精確度。
[0045]接著，根據(jù)圖4、5、6詳細說明用于制造本發(fā)明中的加速度計的制造工藝，包括以下步驟:
[0046]第一步，在雙面SOI硅片的上硅層5和下硅層7上分別涂覆光阻劑。之后按照特定圖案對上硅層5和下硅層7進行曝光，并用顯影液進行顯影。這樣被曝光的圖案就會顯現(xiàn)出來。再用硅的深度反應(yīng)離子刻蝕將上硅層5和下硅層7被曝光的部分深度刻蝕至二氧化硅層8。然后用反應(yīng)離子干法刻蝕或緩沖氫氟酸對被露置在外的二氧化硅層8進行蝕刻。從而形成多個深至中間硅層6的孔。之后將光阻劑層去除。
[0047]第二步，在所述孔內(nèi)沉積多晶硅至中間硅層并填滿所述孔，從而形成電通路；然后在所述雙面SOI硅片的上硅層5和下硅層7的表面生長出二氧化硅層。并通過化學(xué)和機械拋光法將上硅層5和下硅層7的表面進行打磨，達到表面的平滑標準。
[0048]第三步，在所述雙面SOI硅片的上硅層5和下硅層7上分別涂覆光阻劑。之后按照特定圖案對上硅層5和下硅層7進行曝光，并用顯影液進行顯影。這樣被曝光的圖案就會顯現(xiàn)出來。先利用反應(yīng)離子干法刻蝕或緩沖氫氟酸對生長出的二氧化硅層上被曝光的部分進行刻蝕。再利用硅的深度反應(yīng)離子刻蝕將上硅層5和下硅層7深度刻蝕至二氧化硅層
8。最后用反應(yīng)離子干法刻蝕或緩沖氫氟酸對被露置在外的二氧化硅層8進行蝕刻。從而形成多個彈性梁12。并在將光阻劑去除后利用高溫在所述彈性梁12的表面生長出一層二氧化硅層，或者用化學(xué)淀積(CVD)方法在所述彈性梁12的表面淀積一層二氧化硅層。
[0049]第四步，用二氧化硅干法刻蝕去除二氧化硅層8中露置在外的二氧化硅。并再次用硅的深度反應(yīng)離子刻蝕或氣態(tài)的二氟化氙將中間硅層6深度刻蝕至一定深度。
[0050]第五步，使用氫氧化鉀、或四甲基氫氧化氨、或乙二胺磷苯二酚、或氣態(tài)的二氟化氙對被刻蝕至一定深度的中間硅層6進行水平及縱向腐蝕。并根據(jù)中間硅層6中需要被腐蝕的區(qū)域的大小來控制腐蝕時間。中間硅層6被腐蝕后，形成了上下兩層自由運動的多個彈性梁12及連接臂122。
[0051]第六步，將露置在硅表面的所述二氧化硅用緩沖氫氟酸、或49%氫氟酸、或氣態(tài)的氟化氫腐蝕掉。
[0052]第七步，將上蓋板硅片、處理后的所述雙面SOI硅片、以及下蓋板硅片進行一次性鍵合。
[0053]按照本發(fā)明提供的加速度計的制造工藝中，還進一步包括以下步驟:
[0054]對所述上蓋板硅片及下蓋板硅片的加工工藝還包括:
[0055]A、在與所述雙面SOI硅片鍵合之前，在所述上蓋板硅片2或下蓋板硅片3表面上涂覆光阻劑。之后按照特定圖案對其進行曝光，并用顯影液進行顯影。這樣被曝光的圖案就會顯現(xiàn)出來。再利用深度反應(yīng)離子刻蝕、或氫氧化鉀、或四甲基氫氧化氨、或乙二胺磷苯二酚將上蓋板硅片2或下蓋板硅片3被曝光的部分深度刻蝕至二氧化硅層8。然后用緩沖氫氟酸、或49%氫氟酸、或氣態(tài)的氟化氫對被曝光的二氧化硅層8進行蝕刻，并形成一個通孔。并將光驅(qū)劑去除。
[0056]B、在上蓋板硅片2和下蓋板硅片3的鍵合面上涂覆光阻劑，之后按照特定圖案對其進行曝光，并用顯影液進行顯影。這樣被曝光的圖案就會顯現(xiàn)出來。再利用深度反應(yīng)離子刻蝕或氫氧化鉀或四甲基氫氧化氨或乙二胺磷苯二酚，分別將上蓋板硅片2和下蓋板硅片3被曝光的部分深度刻蝕至一定位置。從而在上蓋板硅片2和下蓋板硅片3的鍵合面上各自形成一個凹陷區(qū)，并將光驅(qū)劑去除。
[0057]C、在與所述雙面SOI硅片鍵合之前，對上蓋板硅片2及下蓋板硅片3對進行清洗；
[0058]D、與所述雙面SOI硅片鍵合之后，在所述上蓋板硅片2、所述下蓋板硅片3的表面上淀積金屬并引出電極4，通過所述上蓋板硅片2或下蓋板硅片上3的所述通孔在所述雙面SOI硅片的表面上淀積金屬，并通過所述通孔引出電極4。
[0059]本發(fā)明中的上述加工工藝中的二氧化硅層起到保護其所覆蓋的硅層，使其不被刻蝕或腐蝕。
[0060]本發(fā)明中所述的深度刻蝕及所述刻蝕的方法為以下方法中的一種或多種方法:干法刻蝕或濕法刻蝕，所述干法刻蝕包括:硅的深度反應(yīng)離子刻蝕及反應(yīng)離子刻蝕。
[0061]在制造出本發(fā)明中所述的加速度計后，還需將其與其他電子元件進行封裝，而封裝的方法以及所需的材料、設(shè)備、工藝均采用現(xiàn)有技術(shù)。
[0062]本發(fā)明中的上述方法中所用的材料、設(shè)備、工藝均采用現(xiàn)有技術(shù)，但通過利用這些材料及工藝，尤其是利用了雙面SOI硅片所制造出的加速度計，發(fā)生了質(zhì)的變化，通過在雙面SOI硅片上腐蝕而成的彈性梁13和質(zhì)量塊14能非常精準的對準以及形成高度對稱的結(jié)構(gòu)。相比起現(xiàn)有技術(shù)所使用的鍵合工藝所制造的雙層梁，本工藝所制造的加速度計精度高、誤差小、成品率也得到了較大的提升。而且由于腐蝕工藝較為簡單，本產(chǎn)品生產(chǎn)工藝的生產(chǎn)效率極高、成本也較低。此外，本發(fā)明的幾何結(jié)構(gòu)以及受力振型均為全對稱結(jié)構(gòu)。使得本加速度計的檢測精確度高。
【權(quán)利要求】
1.一種加速度計，包括:測量體、與所述測量體相連接的上蓋板硅片以及下蓋板硅片；所述測量體包括框架、位于所述框架內(nèi)的彈性梁和質(zhì)量塊；其特征在于，所述質(zhì)量塊與所述框架通過多組所述彈性梁相連接，每組所述彈性梁包括兩根彈性折疊梁，所述彈性折疊梁以所述質(zhì)量塊的中線為軸對稱設(shè)置；每組所述彈性折疊梁之間通過一連接臂相互連接。
2.如權(quán)利要求1所述的加速度計，其特征在于，所述連接臂為彈性連接臂。
3.如權(quán)利要求1所述的加速度計，其特征在于，所述彈性折疊梁的兩末端位于同一直線上。
4.如權(quán)利要求1所述的加速度計，其特征在于，所述彈性折疊梁的一端分別與所述質(zhì)量塊的轉(zhuǎn)角處相連接。
5.如權(quán)利要求1所述的加速度計，其特征在于，所述測量體為雙面絕緣體上外延硅結(jié)構(gòu)，包括上硅層、中間硅層及下硅層；每兩層硅層之間分別設(shè)置有二氧化硅層。
6.如權(quán)利要求5所述的加速度計，其特征在于，多個所述彈性梁分別對稱地成形于所述上硅層和所述下硅層，構(gòu)成雙層結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求1所述的加速度計，其特征在于，所述測量體、所述上蓋板硅片及所述下蓋板硅片上分別設(shè)置有電極。
8.一種加速度計的制造工藝，其特征在于，所述制造工藝包括以下步驟: 第一步，在雙面絕緣體上外延硅硅片的上下硅層上分別通過光刻、深度刻蝕及刻蝕形成多個深至中間硅層的孔； 第二步，在所述孔內(nèi)沉積多晶硅至中間硅層并填滿所述孔；然后在所述雙面絕緣體上外延娃娃片的上下娃層的表面生長出二氧化娃層； 第三步，在所述雙面絕緣體上外`延硅硅片的上下硅層上通過光刻、深度刻蝕及刻蝕形成多組相互對稱彈性折疊梁以及將所述彈性折疊梁相連接的連接臂；并通過高溫氧化在所述彈性折疊梁及所述連接臂的露置在外的表面上生長出二氧化硅，或者用化學(xué)淀積方法淀積一層二氧化硅； 第四步，通過光刻及刻蝕將露置在外的所述中間硅層上的二氧化硅去除，并深度刻蝕所述中間硅層至一定深度； 第五步，將框架與質(zhì)量塊之間的中間硅層腐蝕，從而形成自由運動的彈性梁及連接臂； 第六步，將露置在外的所述二氧化硅腐蝕； 第七步，將上蓋板硅片、處理后的所述雙面絕緣體上外延硅硅片、以及下蓋板硅片進行一次性鍵合。
9.如權(quán)利要求8所述的加速度計的制造工藝，其特征在于，對所述上蓋板硅片及下蓋板硅片的加工工藝還包括: A、在所述上蓋板硅片或下蓋板硅片上通過光刻、深度刻蝕及刻蝕形成一個通孔； B、在所述上蓋板硅片和所述下蓋板硅片的鍵合面上分別通過光刻、深度刻蝕及刻蝕各自形成一個凹陷區(qū)； C、與所述雙面絕緣體上外延硅硅片鍵合之前，對所述上蓋板硅片及所述下蓋板硅片進行清洗； D、與所述雙面絕緣體上外延硅硅片鍵合之后，在所述上蓋板硅片、所述下蓋板硅片的表面上淀積金屬并引出電極，通過所述上蓋板硅片或下蓋板硅片上的所述通孔在所述雙面絕緣體上外延硅硅片的表面上淀積金屬，并通過所述通孔引出電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的加速度計的制造工藝，其特征在于，所述深度刻蝕及所述刻蝕的方法為以下方法中的一種或多種方法:干法刻蝕或濕法刻蝕，所述干法刻蝕包括:硅的深度反應(yīng)離子刻蝕及反應(yīng)離子刻蝕。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的加速度計的制造工藝，其特征在于，所述用于腐蝕硅層的腐蝕劑為以下腐蝕劑中的一種或多種的組合:氫氧化鉀、四甲基氫氧化氨、乙二胺磷苯二酚及氣態(tài)的二氟化氙。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的加速度計的制造工藝，其特征在于，所述用于腐蝕二氧化硅層的腐蝕劑為以下腐蝕劑中的一種或多種的組合:緩沖氫氟酸、氣態(tài)的氫氟酸及成分為49%的氟化氫 水溶液。
【文檔編號】G01P15/125GK103675345SQ201210356542
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月21日
【發(fā)明者】俞度立, 于連忠, 楊長春 申請人:中國科學(xué)院地質(zhì)與地球物理研究所