專利名稱：基于cmos工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體的講是涉及一種基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件的制作一般使用絕緣娃(Silicon on insulator, SOI)、塊狀娃(BulkSilicon)、或者鍺(Germanium, Ge)為襯底。典型的半導(dǎo)體器件包括二極管、三極管。半導(dǎo)體器件，在工作時(shí)會產(chǎn)生熱量，從而使包括半導(dǎo)體器件內(nèi)部的溫度升高，為此，人們想測得半導(dǎo)體器件的溫度值。由于半導(dǎo)體器件的溫度是有限度的，當(dāng)溫度達(dá)到一定數(shù)值時(shí)，半導(dǎo)體器件就會被擊穿，從而失去了半導(dǎo)體器件的功能作用。如圖I所示，現(xiàn)有技術(shù)中，基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，一般是采用高低不同的電壓值V加載到三極·管的柵極電阻的兩個(gè)固定端，經(jīng)過多次測量后計(jì)算出每個(gè)電壓值施加到三極管的柵極電阻的兩個(gè)固定端的電流值，再通過電流和溫度的換算關(guān)系，得到半導(dǎo)體器件的溫度值的。此種半導(dǎo)體器件的溫度的測量方法，其缺點(diǎn)在于高低不同的電壓值始終施加在CMOS三極管的柵極電阻的兩個(gè)固定端，由此CMOS三極管一直處于高電平狀態(tài)，則此CMOS三極管可能會被多次加入的高低不同的電壓值擊穿，則使半導(dǎo)體器件過早的失去了相應(yīng)的功能作用。也就是說，此種測量方法，對半導(dǎo)體器件的使用壽命影響較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供了一種基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，該溫度測量方法對半導(dǎo)體器件的使用壽命影響較小。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是一種基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，所述半導(dǎo)體器件，包括CMOS三極管，采用相同或不同的電壓值加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個(gè)非固定端；再根據(jù)歐姆定律計(jì)算出每次施加在所述柵極電阻的兩個(gè)非固定端電壓值后的電流值；之后根據(jù)電流與溫度的換算關(guān)系，計(jì)算出所述半導(dǎo)體器件的溫度值。進(jìn)一步的，所述兩個(gè)非固定端為所述柵極電阻的任意長度區(qū)間。進(jìn)一步的，所述兩個(gè)非固定端，包括第一非固定端和第二非固定端。進(jìn)一步的，所述CMOS三極管的襯底采用硅材料制成。進(jìn)一步的，所述硅材料為絕緣硅。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，也是采用測量電流值，再根據(jù)電流與溫度的換算關(guān)系，之后計(jì)算出半導(dǎo)體器件的溫度值。不同的是，電流值的測試方法不同。本發(fā)明采用相同或不同的電壓值加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個(gè)非固定端；再根據(jù)歐姆定律計(jì)算出每次施加在所述柵極電阻的兩個(gè)非固定端電壓值后的電流值；而現(xiàn)有技術(shù)，是將高低不同的電壓值加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個(gè)固定端。由于本發(fā)明CMOS三極管的柵極電阻在不同的長度區(qū)間被施加電壓值，使CMOS三極管的柵極電阻在不同的電阻值下施加電壓值，而且柵極電阻每個(gè)長度區(qū)間的電阻值不同，因此，本發(fā)明可以避免CMOS三極管的柵極電阻被電壓值加載到相同的固定端，而擊穿CMOS三極管的現(xiàn)象，從而延長了 CMOS三極管的使用壽命。綜上所述，本發(fā)明基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，對半導(dǎo)體器件的使用壽命影響較小。


圖I是現(xiàn)有的基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法的電流值的測試結(jié)構(gòu)示意圖；圖2 — 3是本發(fā)明基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法的電流值的 測試結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述如圖2 — 3所示，本發(fā)明基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，所述半導(dǎo)體器件，包括CMOS三極管，所述CMOS三極管的襯底采用硅材料制成；所述襯底可以采用絕緣硅材料，也可以采用塊狀硅材料。采用相同或不同的電壓值VG加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個(gè)非固定端；所述兩個(gè)非固定端，包括第一非固定端I和第二非固定端2 ；所述兩個(gè)非固定端為所述CMOS三極管的柵極電阻的任意長度區(qū)間；其中，所述柵極電阻為CMOS三極管的柵極電阻；再根據(jù)歐姆定律計(jì)算出每次施加在所述柵極電阻的兩個(gè)非固定端電壓值VG后的電流值；之后根據(jù)電流與溫度的換算關(guān)系，計(jì)算出所述半導(dǎo)體器件的溫度值。本發(fā)明基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，也是采用測量電流值，再根據(jù)電流與溫度的換算關(guān)系，之后計(jì)算出半導(dǎo)體器件的溫度值。本發(fā)明基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，也是采用測量電流值，再根據(jù)電流與溫度的換算關(guān)系，之后計(jì)算出半導(dǎo)體器件的溫度值。不同的是，電流值的測試方法不同。本發(fā)明采用相同或不同的電壓值加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個(gè)非固定端；再根據(jù)歐姆定律計(jì)算出每次施加在所述柵極電阻的兩個(gè)非固定端電壓值后的電流值；而現(xiàn)有技術(shù)，是將高低不同的電壓值加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個(gè)固定端。由于本發(fā)明CMOS三極管的柵極電阻在不同的長度區(qū)間被施加電壓值，使CMOS三極管的柵極電阻在不同的電阻值下施加電壓值，而且柵極電阻每個(gè)長度區(qū)間的電阻值不同，因此，本發(fā)明可以避免CMOS三極管的柵極電阻被電壓值加載到相同的固定端，而擊穿CMOS三極管的現(xiàn)象，從而延長了 CMOS三極管的使用壽命。綜上所述，本發(fā)明基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，對半導(dǎo)體器件的使用壽命影響較小。
權(quán)利要求
1.一種基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，所述半導(dǎo)體器件，包括CMOS三極管，其特征在于 采用相同或不同的電壓值 (Ve)加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個(gè)非固定端； 再根據(jù)歐姆定律計(jì)算出每次施加在所述柵極電阻的兩個(gè)非固定端電壓值(Ve)后的電流值； 之后根據(jù)電流與溫度的換算關(guān)系，計(jì)算出所述半導(dǎo)體器件的溫度值。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，其特征在于所述兩個(gè)非固定端為所述CMOS三極管的柵極電阻的任意長度區(qū)間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，其特征在于所述兩個(gè)非固定端，包括第一非固定端(I)和第二非固定端(2)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，其特征在于所述CMOS三極管的襯底米用娃材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，其特征在于所述硅材料為絕緣硅。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，所述半導(dǎo)體器件，包括CMOS三極管，采用相同或不同的電壓值(VG)加載到CMOS三極管的柵極電阻的兩個(gè)非固定端；再根據(jù)歐姆定律計(jì)算出每次施加在所述柵極電阻的兩個(gè)非固定端電壓值(VG)后的電流值；之后根據(jù)電流與溫度的換算關(guān)系，計(jì)算出所述半導(dǎo)體器件的溫度值。本發(fā)明基于CMOS工藝制作的半導(dǎo)體器件的溫度測量方法，對半導(dǎo)體器件的使用壽命影響較小。
文檔編號G01K7/00GK102901575SQ201210413619
公開日2013年1月30日 申請日期2012年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月25日
發(fā)明者許丹 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司