自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法，包括以下步驟：S1、在電阻上通入電流Ia，使電阻兩端形成電壓差，設(shè)置測(cè)試量程為Vlim1；S2、在電流Ia下量取電阻兩端的電壓差Va1；S3、在電阻上通入電流Ib，使電阻兩端形成電壓差，以Va1為基數(shù)設(shè)置新的測(cè)試量程Vlim2，其中Va1、Ib、Va1和Ia滿足Vlim2/Ib≥Va1/Ia；S4、在電流Ib下量取電阻兩端的電壓差Va2；S5、根據(jù)Ib和Va2計(jì)算并輸出電阻兩端的阻值。本發(fā)明在保證電壓不超出量程的情況下，提高了電壓測(cè)量的分辨率，進(jìn)而提高電阻的測(cè)量精度，減小了電阻測(cè)試誤差，滿足了工藝需要。
【專(zhuān)利說(shuō)明】自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電阻測(cè)試【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有針對(duì)阱電阻，孔電阻，方塊電阻等兩端電阻測(cè)試方法為:在任意端(高端)加電流，另一端(低端)接地，并設(shè)置各端的量程。等待0.1秒后，量取高端的電壓值，電阻=電壓/電流/系數(shù)，其中系數(shù)可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置，一般與個(gè)數(shù)，寬長(zhǎng)比有關(guān)。
[0003]Ag4070機(jī)臺(tái)的測(cè)試分辨率與設(shè)置的量程值有關(guān)，由于工藝波動(dòng)，電阻類(lèi)型不同，電阻阻值難以把握，故量測(cè)出的電壓范圍不同，測(cè)試輸出值分辨率與量程設(shè)置有關(guān)，量程設(shè)置不當(dāng)會(huì)導(dǎo)致誤差偏大。現(xiàn)有的測(cè)試方法可滿足器件需求，但分辨率不足，誤差大，導(dǎo)致測(cè)試均勻性不好。
[0004]因此，針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，有必要提供一種自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法，其可以更精確地測(cè)試電阻阻值。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下:
[0007]一種自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法，所述方法包括以下步驟:
[0008]S1、在電阻上通入電流Ia，使電阻兩端形成電壓差，設(shè)置測(cè)試量程為Vliml ；
[0009]S2、在電流Ia下測(cè)量電阻兩端的電壓差Val ；
[0010]S3、在電阻上通入電流Ib，使電阻兩端形成電壓差，以Val為基數(shù)設(shè)置新的測(cè)試量程 Vlim2，其中 Val、Ib、Val 和 Ia 滿足 WIb ≥ Val/Ia ；
[0011]S4、在電流Ib下測(cè)量電阻兩端的電壓差Va2 ；
[0012]S5、根據(jù)Ib和Va2測(cè)算并輸出電阻兩端的阻值。
[0013]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述Val、Ib、Val和Ia滿足(Vlim2/Ib)/(Val/Ia)=k，k為常數(shù)且1≤k≤1.2，步驟S3中新的測(cè)試量程Vlim2為k*Val* (Ib/Ia)。
[0014]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述(Vlim2/Ib)/(Val/Ia)=k中，k設(shè)為常數(shù)1.1，步驟S3中新的測(cè)試量程Vlim2為1.lVal*(Ib/Ia)。
[0015]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述電流Ib=Ia，步驟S3中新的測(cè)試量程Vlim2為k*Val。
[0016]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述電流Ib=Ia/k，步驟S3中新的測(cè)試量程Vlim2為Val。
[0017]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述電阻一端通入電流，另一端接零電位。
[0018]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟S5中電阻兩端的阻值為Va2/Ib。
[0019]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述測(cè)試量程為Vliml時(shí)，電阻的測(cè)量分辨率為0.0OOlVliml ;測(cè)試量程為Vlim2時(shí)，電阻的測(cè)量分辨率為0.0OOlVlim20
[0020]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明通過(guò)大量程對(duì)電阻進(jìn)行測(cè)試，根據(jù)電阻兩端的電壓值和電流估測(cè)出待測(cè)電阻的阻值，然后根據(jù)估測(cè)出待測(cè)電阻的阻值重新設(shè)置通入的電流大小及電壓測(cè)量量程，在保證電壓不超出量程的情況下，提高了電壓測(cè)量的分辨率，進(jìn)而提高電阻的測(cè)量精度，減小了電阻測(cè)試誤差，滿足了工藝需要。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為本發(fā)明自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法的具體流程圖；
[0023]圖2為本發(fā)明一實(shí)施方式手動(dòng)驗(yàn)證數(shù)據(jù)中Ia-Va的折線圖；
[0024]圖3為本發(fā)明一實(shí)施方式手動(dòng)驗(yàn)證數(shù)據(jù)中R-Va的折線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為了使本【技術(shù)領(lǐng)域】的人員更好地理解本發(fā)明中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0026]參圖1所示，本發(fā)明的一種自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法，其包括以下步驟:
[0027]S1、在電阻上通入電流Ia，使電阻兩端形成電壓差，設(shè)置測(cè)試量程為Vliml。其中電阻一端(高端)通入電流，另一端(低端)接零電位；
[0028]S2、在電流Ia下測(cè)量電阻兩端的電壓差Val。Val即電阻高端測(cè)量到的電壓值；
[0029]S3、在電阻上通入電流Ib，使電阻兩端形成電壓差，電阻一端(高端)通入電流，另一端(低端)接零電位，以Val為基數(shù)設(shè)置新的測(cè)試量程Vlim2，其中Val、Ib、Val和Ia滿足Vliffl2/Ib ≤ Val/Ia。定義(Vliffl2/Ib) / (Val/Ia) =k，其中 k 為常數(shù)，新的測(cè)試量程 Vliffl2 為 k*Val* (Ib/Ia)。優(yōu)選地，在本發(fā)明中k的取值范圍設(shè)置為I≤ k≤ 1.2 ;
[0030]S4、在電流Ib下測(cè)量電阻兩端的電壓差Va2。Va2即電阻高端測(cè)量到的電壓值；
[0031]S5、根據(jù)Ib和Va2計(jì)算并輸出電阻兩端的阻值。電阻兩端的阻值為Va2/Ib。
[0032]本發(fā)明首先通過(guò)步驟SI和S2能估測(cè)出待測(cè)電阻的阻值，然后步驟S3和S4根據(jù)待測(cè)電阻的阻值再設(shè)置新的量程進(jìn)行測(cè)量。測(cè)試量程為Vliml時(shí)，電阻的測(cè)量分辨率為
0.0OOlVliml,測(cè)試量程為Vlim2時(shí)，電阻的測(cè)量分辨率為0.0001Vlim2。新的量程進(jìn)行測(cè)量Vlim2小于測(cè)試量程Vliml的值，因此電阻的測(cè)量分辨率也較小，如此可以增加電阻阻值的測(cè)量精確度。
[0033]在步驟SI和S2中，估測(cè)得到待測(cè)電阻的阻值為Val/Ia，設(shè)置新的量程Vlim2后，理論上能測(cè)量的最大電阻阻值為Vlim2/Ib，根據(jù)Val/Ia = Vlim2/Ib設(shè)置新的量程vlim2?？紤]到估測(cè)的電阻阻值與真實(shí)的電阻阻值有一定的誤差，需要將新的量程Vlim2設(shè)定的稍大一點(diǎn)。故設(shè)定一個(gè)大于或等于I的比例系數(shù)k，定義(Vlim2/Ib)/(Val/Ia)=k，k≤ 1，則新的測(cè)試量程Vlim2為k*Val*(Ib/Ia)。優(yōu)選地，本發(fā)明實(shí)施方式中k的取值范圍設(shè)置為KkSl.2，再進(jìn)一步地，本發(fā)明實(shí)施方式中k的取值設(shè)為1.1。[0034]新的測(cè)試量程Vlim2為k*Val*(Ib/Ia)，本發(fā)明的一實(shí)施方式可以為:
[0035]SI’、在電阻上通入電流Ia，使電阻兩端形成電壓差，設(shè)置測(cè)試量程為Vliml ；
[0036]S2’、在電流Ia下量取電阻兩端的電壓差Val ；
[0037]S3’、在電阻上通入電流Ib，其中電流Ib=Ia，使電阻兩端形成電壓差，以Val為基數(shù)設(shè)置新的測(cè)試量程Vlim2，Vlim2=k*Val，優(yōu)選地，Vlim2=L IVal ；
[0038]S4’、在電流Ia下量取電阻兩端的電壓差Va2 ； [0039]S5’、根據(jù)Ia和Va2計(jì)算并輸出電阻兩端的阻值。
[0040]上述實(shí)施方式中采用恒定電流，也可以采用改變電流的方式，具體為:
[0041]SI”、在電阻上通入電流Ia，使電阻兩端形成電壓差，設(shè)置測(cè)試量程為Vliml ；
[0042]S2”、在電流Ia下量取電阻兩端的電壓差Val ；
[0043]S3”、在電阻上通入電流Ib，使電阻兩端形成電壓差，以Val為基數(shù)設(shè)置新的測(cè)試量程Vlim2，設(shè)定電流Ib=Ia/k，則新的測(cè)試量程Vlim2=Val，優(yōu)選地，電流Ib=Ia/l.1 ；
[0044]S4”、在電流Ib下量取電阻兩端的電壓差Va2 ；
[0045]S5”、根據(jù)Ib和Va2計(jì)算并輸出電阻兩端的阻值。
[0046]除了上述兩種實(shí)施方式外，還可以設(shè)置不同的電流Ib和新的測(cè)試量程Vlim2，只需滿足(Vlim2/Ib)/(Val/Ia)=k≤I即可，為了保證測(cè)量電阻的精確性，將k的取值范圍設(shè)置為I≤k≤1.2。
[0047]下述以k=l.1，Ib=Ia為例，對(duì)本發(fā)明自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明。
[0048]首先進(jìn)行手動(dòng)確認(rèn)，確認(rèn)待測(cè)電阻的真實(shí)值，用于對(duì)比本發(fā)明的測(cè)試結(jié)果。在電阻的高端通入逐漸增大的電流，低端接零電位，測(cè)量各個(gè)電流下的電壓值，得到Va和Ia后計(jì)算電阻阻值R。具體數(shù)據(jù)參表1所示。
[0049]表1:手動(dòng)驗(yàn)證數(shù)據(jù)
[0050]
【權(quán)利要求】
1.一種自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟: 51、在電阻上通入電流Ia，使電阻兩端形成電壓差，設(shè)置測(cè)試量程為Vliml； 52、在電流Ia下測(cè)量電阻兩端的電壓差Val； 53、在電阻上通入電流Ib，使電阻兩端形成電壓差，以Val為基數(shù)設(shè)置新的測(cè)試量程Vlim2，其中 Val、Ib、Val 和 Ia 滿足 Vliffl2/Ib ≥ NJIa ； 54、在電流Ib下測(cè)量電阻兩端的電壓差Va2； 55、根據(jù)Ib和Va2測(cè)算并輸出電阻兩端的阻值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法，其特征在于，所述Val、Ib、Val和Ia滿足(Vlim2/Ib)/(Val/Ia)=k, k為常數(shù)且1≤k≤2，步驟S3中新的測(cè)試量程Vlim2Sk*Val*(Ib/Ia)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法，其特征在于，所述(Vlim2/Ib)/(Val/Ia) =k中，k設(shè)為常數(shù)1.1，步驟S3中新的測(cè)試量程Vlim2為1.lVal*(Ib/Ia)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法，其特征在于，所述電流Ib=Ia,步驟S3中新的測(cè)試量程Vlim2為k*Val。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法，其特征在于，所述電流Ib=Ia/k，步驟S3中新的測(cè)試量程Vlim2為Val。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法，其特征在于，所述電阻一端通入電流，另一端接零電位。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法，其特征在于，所述步驟S5中電阻兩端的阻值為Va2/Ib。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)量程電阻測(cè)試方法，其特征在于，所述測(cè)試量程為Vliml時(shí)，電阻的測(cè)量分辨率為0.0OOlVliml ;測(cè)試量程為Vlim2時(shí)，電阻的測(cè)量分辨率為0.0OOlVlim20
【文檔編號(hào)】G01R27/14GK103792430SQ201210419051
【公開(kāi)日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2012年10月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月26日
【發(fā)明者】陳寒順, 連曉謙 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司