一種GaN基LED的老化測(cè)試工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種GaN基LED的老化測(cè)試工藝，所述工藝步驟如下：芯片選取、點(diǎn)膠、固晶、焊線、老化前測(cè)試、COB老化、老化后測(cè)試。本發(fā)明通過對(duì)老化測(cè)試工藝進(jìn)行改進(jìn)優(yōu)化，能夠明顯的測(cè)試出芯片的可靠性，保證后續(xù)芯片生產(chǎn)的質(zhì)量。
【專利說明】—種GaN基LED的老化測(cè)試工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種GaN基LED的老化測(cè)試工藝，屬于LED檢測(cè)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]LED老化測(cè)試在產(chǎn)品質(zhì)量控制是一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)，但在很多時(shí)候往往被忽視，不能進(jìn)行正確有效的老化，導(dǎo)致老化測(cè)試效果不明顯，無法從根源上控制生產(chǎn)質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有現(xiàn)象，提供一種GaN基LED的老化測(cè)試工藝。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種GaN基LED的老化測(cè)試工藝，所述工藝步驟如下:
Cl)芯片選取:取W、X、Q爐M圈芯片進(jìn)行取樣，通過全檢測(cè)試機(jī)對(duì)取樣芯片進(jìn)行測(cè)試，剔除參數(shù)不良芯片并在顯微鏡下進(jìn)行觀察，選取外觀良好的優(yōu)質(zhì)芯片；
(2)點(diǎn)膠、固晶、焊線:按照COB老化測(cè)試操作規(guī)程將選取的芯片點(diǎn)膠、固晶至老化用PCB上，使用超聲波鋁絲壓焊機(jī)進(jìn)行焊線，焊線后進(jìn)行目檢，剔除焊線不良的芯片；
(3)老化前測(cè)試:使用老化測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)焊線至老化用PCB上的芯片進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試20mA下電壓、波長(zhǎng)、亮度，及反向IOV下的反向漏電流；
(4)COB老化:將測(cè)試完成的PCB板插到老化臺(tái)上，進(jìn)行老化，老化條件為:室溫、30mA，48小時(shí)；
(5)老化后測(cè)試:使用老化測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)老化后的PCB上的芯片進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試20mA下電壓、波長(zhǎng)、亮度，及反向IOV下的反向漏電流。
[0004]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明通過對(duì)老化測(cè)試工藝進(jìn)行改進(jìn)優(yōu)化，能夠明顯的測(cè)試出芯片的可靠性，保證后續(xù)芯片生產(chǎn)的質(zhì)量。
【具體實(shí)施方式】
[0005]以下對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0006]一種GaN基LED的老化測(cè)試工藝，所述工藝步驟如下:
Cl)芯片選取:取W、X、Q爐M圈芯片進(jìn)行取樣，通過全檢測(cè)試機(jī)對(duì)取樣芯片進(jìn)行測(cè)試，剔除參數(shù)不良芯片并在顯微鏡下進(jìn)行觀察，選取外觀良好的優(yōu)質(zhì)芯片；
(2)點(diǎn)膠、固晶、焊線:按照COB老化測(cè)試操作規(guī)程將選取的芯片點(diǎn)膠、固晶至老化用PCB上，使用超聲波鋁絲壓焊機(jī)進(jìn)行焊線，焊線后進(jìn)行目檢，剔除焊線不良的芯片；
(3)老化前測(cè)試:使用老化測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)焊線至老化用PCB上的芯片進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試20mA下電壓、波長(zhǎng)、亮度，及反向IOV下的反向漏電流；
(4)COB老化:將測(cè)試完成的PCB板插到老化臺(tái)上，進(jìn)行老化，老化條件為:室溫、30mA，48小時(shí)； (5)老化后測(cè)試:使用老化測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)老化后的PCB上的芯片進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試20mA下電壓、波長(zhǎng)、亮度，及反向IOV下的反向漏電流。
[0007]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種GaN基LED的老化測(cè)試工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下: Cl)芯片選取:取W、X、Q爐M圈芯片進(jìn)行取樣，通過全檢測(cè)試機(jī)對(duì)取樣芯片進(jìn)行測(cè)試，剔除參數(shù)不良芯片并在顯微鏡下進(jìn)行觀察，選取外觀良好的優(yōu)質(zhì)芯片； (2)點(diǎn)膠、固晶、焊線:按照COB老化測(cè)試操作規(guī)程將選取的芯片點(diǎn)膠、固晶至老化用PCB上，使用超聲波鋁絲壓焊機(jī)進(jìn)行焊線，焊線后進(jìn)行目檢，剔除焊線不良的芯片； (3)老化前測(cè)試:使用老化測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)焊線至老化用PCB上的芯片進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試20mA下電壓、波長(zhǎng)、亮度，及反向IOV下的反向漏電流； (4)COB老化:將測(cè)試完成的PCB板插到老化臺(tái)上，進(jìn)行老化，老化條件為:室溫、30mA，48小時(shí)； (5)老化后測(cè)試:使用老化測(cè)試機(jī)臺(tái)對(duì)老化后的PCB上的芯片進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試20mA下電壓、波長(zhǎng)、亮度，及反向IOV下的反向漏電流。
【文檔編號(hào)】G01N21/95GK103792472SQ201210423750
【公開日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2012年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月30日
【發(fā)明者】王紅亞 申請(qǐng)人:王紅亞