專利名稱：測試用載體的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及為測試在晶粒芯片上形成的集成電路等電子電路而臨時封裝有關晶粒芯片的測試用載體。
背景技術：
已知的是，測試用載體具有由在聚酰亞胺薄膜上形成的與測試對象的芯片的電極圖案對應的接觸觸頭以及連接于該接觸觸頭的用于與外部的測試裝置取得連接的布線圖案構成的接觸座。(例如參照專利文獻I)現(xiàn)有技術文獻:專利文獻專利文獻1:特開平7-2630504號公報

發(fā)明內容
發(fā)明要解決的技術問題上述的測試用載體中，若接觸座的膜過厚，因該膜的剛性高，觸碰到到芯片邊緣，導致位于邊緣附近的電極圖案不能與接觸觸頭電導通，從而產(chǎn)生接觸不良的問題。另一方面，若接觸座的薄膜過薄，因薄膜自身的伸展以及由于布線時形成的應力而在薄膜上產(chǎn)生的起伏，產(chǎn)生接觸觸頭的位置精度低的問題。本發(fā)明要解決的問題是提供一種在抑制接觸不良發(fā)生的同時也可以確保端子的位置精度的測試用載體。解決技術問題的手段本發(fā)明的測試用載體包含具有與電子元件的電極相接觸的端子的膜狀的第I部件、層疊于所述第I部件上的覆蓋所述電子元件的第2部件以及夾置于所述第I部件和所述第2部件之間的且安裝于所述電子元件周圍的墊片。上述發(fā)明中，所述墊片的厚度，與所述電子元件的厚度實質上相同也是可以的。上述發(fā)明中，所述墊片，在俯視時，與置于所述電子元件輪廓內且所述電極附近的部分鄰接設置也是可以的。上述發(fā)明中，所述墊片，在俯視時，具有全周環(huán)繞所述電子元件的輪廓的環(huán)形形狀也是可以的。上述發(fā)明中，所述墊片，在俯視時，與所述電子元件的輪廓內相對的一對邊鄰接設置也是可以的。上述發(fā)明中，所述電子元件為從半導體晶圓切割而成的晶片也是可以的。上述發(fā)明中，具有在所述第I部件與所述第2部件之間形成的用于容納所述電子元件的容納空間，所述墊片容納于所述容納空間中也是可以的。上述發(fā)明中，所述容納空間的氣壓低于大氣壓也是可以的。發(fā)明的效果
本發(fā)明中，由于墊片置于安裝于所述第I部件與所述第2部件之間的電子元件的周圍，不用使第I部件變薄，就能防止第I部件的端子脫離電子元件的電極，在可以抑制接觸不良的發(fā)生的同時也能保證端子的位置精度。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式的器件制造工序的一部分流程圖。圖2是表示本發(fā)明的實施方式的測試用載體的分解斜視圖。圖3是表示本發(fā)明的實施方式的測試用載體的截面圖。圖4是表示本發(fā)明的實施方式的測試用載體的分解截面圖。圖5是圖4中V部的放大圖。圖6是表示本發(fā)明的實施方式的測試用載體的第I變形例的分解截面圖。圖7是表示本發(fā)明的實施方式的測試用載體的第2變形例的分解截面圖。圖8是表示本發(fā)明的實施方式的測試用載體的墊片與晶片的位置關系的仰視圖。圖9是表示本發(fā)明的實施方式的墊片的變形例的示意圖。圖10 Ca)是圖3的X部的放大圖，圖10 (b)為現(xiàn)有的測試用載體的放大圖。發(fā)明的
具體實施例方式下面根據(jù)

本發(fā)明的實施方式。圖1是表示本發(fā)明實施方式的器件制造工序的一部分流程圖。本實施方式中，在半導體晶圓切割之后(圖1的步驟S10)之后)到最終封裝之前(步驟S50的前面)對晶片90上制作的電子電路進行測試(步驟S20 S40)。本實施方式中，首先，通過載體裝配裝置(未在圖中示出)將晶片90臨時封裝到測試用載體10中(步驟S20)。接下來，借助該測試用載體10將晶片90電連接于測試裝置(未在圖中示出)，以測試在晶片90上制作的電子電路(步驟S30)。之后，當該測試結束，從測試用載體10中取出晶片90 (步驟S40)，接著通過正式封裝該晶片90，完成最終產(chǎn)品(步驟S50)。下面，針對本實施方式中臨時封裝(暫時封裝)晶片90的測試用載體10的構成，參照圖2 10進行說明。圖2 圖5是表不將晶片90進行臨時封裝的測試用載體的圖，圖6及圖7是表不該測試用載體的變形例的圖，圖8是表示墊片45和晶片90的位置關系的圖，圖9是表示墊片的變形例的圖，圖10 (a)是圖3的X部的放大圖、圖10 (b)是現(xiàn)有的測試用載體的放大圖。本實施方式的測試用載體10，如圖2 圖4所示，包含載置晶片90的基部部件20、安裝于晶片90周圍的墊片45以及疊置于基部部件20上的且覆蓋晶片90及墊片45的蓋子部件50。該測試用載體10，通過在低于大氣壓的狀態(tài)下將晶片90夾置于基部部件20和蓋子部件50之間以保持晶片90。基部部件20包含基部框架30、基膜40。本實施方式的基膜40相當于本發(fā)明的第I部件的一個例子。基部框架30，具有高剛性(至少是高于基膜40和蓋膜70的剛性)，是在中央形成開口 31的剛性基板。作為構成該基部框架30的材料，例如可以列舉出由聚酰胺酰亞胺樹脂、陶瓷、玻璃等構成。另一方面，基膜40是具有可撓性的薄膜，借助粘結劑(未在圖中示出)粘貼在含有中央開口 31的基部框架30的整個面上。本實施方式中，由于在高剛性的基部框架30上貼有可撓性的基膜40上，故能夠提高基部部件20的操作性。另外，省略基部框架30，僅僅由基膜40構成基部部件20也是可以的?；蛘?，省略基膜40，將在不具有開口 31的基部框架上形成有布線圖案42的剛性印刷布線板作為基部部件20使用也是可以的。如圖5所示，該基膜40具有薄膜本體41以及在該薄膜本體41表面形成的布線圖案42。薄膜本體41例如是由聚酰亞胺薄膜等構成的。另外，布線圖案42，例如，是通過刻蝕層壓在薄膜本體41上的銅箔而形成的。再者，薄膜本體41上，例如，通過層壓由聚酰亞胺薄膜構成的蓋層來保護布線圖案42也是可以的，將所謂的多層柔性印刷布線板作為基膜40使用也是可以的。而且，在基膜40的表面通過噴墨印刷實時形成布線圖案42的一部分也是可以的，或者，通過噴墨印刷形成布線圖案42的全部也是可以的。如圖5所示，在布線圖案42的一端，設有與晶片90的電極觸頭91電接觸的突起43。該突起43，例如是由銅(Cu)和鎳(Ni)等構成，例如通過半加成法在布線圖案42的端部之上形成。該突起43，是為和晶片90的電極觸頭91相對應而設置的。本實施方式的晶片90相當于本發(fā)明的電子元件的一個例子，本實施方式的電極觸頭91相當于本發(fā)明的電極的一個例子，本實施方式的突起43相當于本發(fā)明的端子的一個例子。另一方面，布線圖案42的另一端設有外部端子44。在對測試晶片90上制作的電子電路進行測試時(圖1的步驟S30)，測試裝置的接觸器(未在圖中示出)電接觸于該外部端子44，借助測試用載體10，晶片90電接觸于測試裝置。另外，外部端子44的位置，并不限定于上述位置，例如，如圖6所示，使外部端子44形成于基膜40的下表面是可以的，或者，如圖7所示，使外部端子44形成于基部框架30的下表面也是可以。如圖7所示的例子中，通過在基部框架30上形成通孔與布線圖案，使布線圖案42與外部端子44電連接。另外，沒有特別圖示，除了基膜40外，在蓋膜70上形成布線圖案42和外部端子44，在蓋子框架60上形成外部端子44也是可以的。在上述說明的基膜40上，載置有測試對象晶片90，但是，在本實施方式中，除了晶片90外，將墊片45也載置于基膜40上。墊片45，如圖8所示，具有矩形的環(huán)狀形狀、稍大于晶片90的內孔46。墊片45將晶片90容納于該內孔46中，在俯視時，該晶片90的輪廓(外周邊)92可被全周圍繞。另外，本實施方式中的該晶片90的輪廓92的全周，相當于本發(fā)明的“置于電子元件的輪廓內且電極附近的部分”的一個例子。該墊片45，例如，例如是由聚四氟乙烯(PTFE)等樹脂材料，硅(Si)、陶瓷、或者玻璃等構成，如圖4所不，該塾片45的厚度ts與晶片90的厚度td實質上為同一厚度(ts=td)。另外，若基膜40的突起43不從晶片90的電極觸頭91脫離，墊片45的厚度ts稍大于和小于晶片90的厚度td也是可以的。
另外，例如，如圖9所示，在將一列電極91僅設置于晶片90的約中央位置的情況下，為夾持晶片90，在基膜40上設置2個墊片45B也是可以的。具體的，如圖所示，在俯視時，將一對墊片45B鄰接于置于晶片90的輪廓92內且電極觸頭91附近的一對邊93、94也是可以的。另外，本實施方式的該一對邊93、94相當于本發(fā)明中“置于電子元件的輪廓內且電極附近的部分”的一個例子?；氐綀D2 圖4，蓋子部件50，包含蓋子框架60與蓋膜70。本實施方式的蓋膜70，相當于本發(fā)明的第2部件的一個例子。蓋子框架60，具有高剛性(至少是高于基膜40和蓋膜70的剛性)，是在中央形成開口 61的剛性基板。本實施方式中，該蓋子框架60，與上述基部框架30—樣，由聚酰胺酰亞胺樹脂、陶瓷、玻璃等構成。另一方面，蓋膜70是具有可撓性的薄膜，例如，和上述基膜40的薄膜本體41 一樣，例如是由聚酰亞胺薄膜等構成。該蓋膜70，通過粘結劑(未在圖中示出)粘貼在包含中央開口 61的蓋子框架60的整個面上。本實施方式中，具有可撓性的蓋膜70，由于粘貼于高剛性的蓋子框架60上，故可以提高蓋子部件50的操作性。另外，僅僅由蓋膜70構成蓋子部件50也是可以的?；蛘?，在基部部件20具有基膜40的情況下，僅由未形成開口 61的剛性基板構成蓋子部件50也是可以的。上述說明的測試用載體10，按如下所示進行組裝。首先，在將電極觸頭91對準突起43的狀態(tài)下，將晶片90載置于基部部件20的基膜40上，之后，將晶片90容納于內孔46中，同時將墊片45載置于基膜40上。接下來，在低于大氣壓的環(huán)境下，將蓋子部件50層疊于基部部件20上，將晶片90與墊片45夾持于基部部件20與蓋子部件50之間。此時，為使基膜40與蓋膜70直接接觸，將蓋子部件50疊置于基部部件20上。順便提一下，在晶片90較厚的情況下，沒有特別圖示，為使基部框架30與蓋子框架60直接接觸，將蓋子部件50疊置于基部部件20上也是可以的。然后，保持將晶片90夾持于基部部件20與蓋子部件50之間的狀態(tài)，通過使測試用載體10回到大氣壓環(huán)境中，將晶片90保持在基部部件20與蓋子部件50之間形成的容納空間11 (參照圖3)內。此處，如圖10 (b)所示，在晶片90的周圍未設置墊片45的情況下，若基膜40過厚，基膜40觸碰到晶片90的邊緣95，一部分突起43則從電極觸頭91脫離，置于晶片90的邊緣95附近的電極觸頭91不與突起43電導通，產(chǎn)生接觸不良。另一方面，沒有特別圖示，若基膜過薄，因薄膜自身的伸展以及由于布線形成時的應力而在薄膜上產(chǎn)生的起伏，產(chǎn)生突起的位置精度低的問題。與此相對，本實施方式中，如圖10 Ca)所示，即使在確?；?0指定剛性的情況下，也可通過墊片45，使置于晶片90的邊緣95附近的電極觸頭91遠離基膜40的脫離部分40a，故可抑制突起43的脫離從而抑制接觸不良的發(fā)生。順便提一下，晶片90的電極觸頭91和基膜40的突起43，并不是通過錫焊等固定的。本實施方式中，由于容納空間11的氣壓低于大氣壓，故晶片90被基膜40與蓋膜70推壓，從而晶片90的電極觸頭91與基膜40的突起43相互接觸。另外，如圖3所示，為在防止基部部件20與蓋子部件50位置偏移的同時提高密閉性，通過粘著部80相互固定也是可以的。作為構成該粘著部80的粘結劑81，例如，可以列舉出紫外線固化型粘結劑。該粘結劑81，如圖2、圖4、以及圖5所示，涂布于與基部部件20上與蓋子部件50的外周部分相對應的位置，通過將蓋子部件50覆蓋于基部部件20上后，用紫外線照射使該粘結劑81硬化，從而形成粘著部80。如上述所示組裝而成的測試用載體10，運送到?jīng)]有特別圖示的測試裝置，圖1的步驟S30中，該測試裝置的接觸器電接觸于測試用載體10的外部端子44，借助測試用載體10電接觸于測試裝置和晶片90的電子電路，以進行該電子電路的測試。另外，將基部部件20和蓋子部件50通過粘著部80粘著之后，在測試時從外部推壓測試用載體10，使晶片90的電極觸頭91與突起43接觸的情況下，不對容納空間11減壓也是可以的。如上所述，本實施方式中，由于墊片45安裝于置于基膜40與蓋膜70之間的晶片90的周圍，故不必使基膜40變薄，就可以防止基膜40的突起43的脫離，從而可使在抑制接觸不良發(fā)生的同時保證突起43的位置精度。另外，上述說明的實施方式，是為了使本發(fā)明容易理解而記載的，并不用以限制本發(fā)明，因此，上述實施方式中所揭示的各種要素旨在包含屬于本發(fā)明技術范圍的全部設計變更和等同替換。符號說明10...測試用載體11...容納空間

20...基部部件30...基部框架31...中央開口40...基膜40a...脫離部分41...薄膜本體42.. 布線圖案43...突起44...外部端子45...墊片46.. 內孑L50...蓋子部件60...蓋子框架61...中央開口70...蓋膜80...粘著部81. 粘結劑90.. 晶片91...電極觸頭
92 輪廓93、94 邊95 邊緣
權利要求
1.一種測試用載體，其特征在于，包含具有與電子元件的電極相接觸的端子的薄膜狀第I部件，疊置于所述第I部件上的，覆蓋所述電子元件的第2部件，以及，介于所述第I部件與所述第2部件之間的，設置于所述電子元件周圍的墊片。
2.根據(jù)權利要求1所述的測試用載體，其特征在于，所述墊片的厚度與所述電子元件的厚度實質上相同。
3.根據(jù)權利要求1所述的測試用載體，其特征在于，所述墊片，在俯視時，與置于所述電子元件輪廓內且所述電極附近的部分鄰接設置。
4.根據(jù)權利要求1所述的測試用載體，其特征在于，所述墊片，在俯視時，具有全周圍繞所述電子元件的輪廓的環(huán)狀形狀。
5.根據(jù)權利要求1所述的測試用載體，其特征在于，所述墊片，在俯視時，與所述電子元件的輪廓內相對的一對邊鄰接設置。
6.根據(jù)權利要求1所述的測試用載體，其特征在于，所述電子元件為從半導體晶圓切割而成的晶片。
7.根據(jù)權利要求1 6中任意一項所述的測試用載體，其特征在于，具有在所述第I部件與所述第2部件之間形成的容納所述電子元件的容納空間，所述墊片容納于所述容納空間中。
8.根據(jù)權利要求7所述的測試用載體，其特征在于，所述容納空間的氣壓低于大氣壓。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在抑制接觸不良發(fā)生的同時也可以確保端子的位置精度的測試用載體，該測試用載體10，包含，具有接觸于晶片90的電極觸頭91的突起43的基膜40、層疊于基膜40的覆蓋晶片90的蓋膜70以及安裝于基膜40和蓋膜70之間的，置于晶片90周圍的墊片45。
文檔編號G01R31/28GK103116120SQ20121042742
公開日2013年5月22日 申請日期2012年10月31日 優(yōu)先權日2011年11月16日
發(fā)明者中村陽登, 藤崎貴志 申請人:株式會社愛德萬測試