三元共聚防垢劑防垢率受鋇離子濃度影響的測試方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種三元共聚防垢劑防垢率受鋇離子濃度影響的測試方法，包括步驟：（a）首先，制備螯合型三元共聚防垢劑溶液和鋇垢樣品備用；（b）選取若干個實驗容器，清洗干燥備用；（c）然后，分別向?qū)嶒炄萜髦屑尤氩煌康墓笜悠?，并加入溶劑混合?gòu)成不同鋇離子濃度的溶液；（d）分別向?qū)嶒炄萜髦屑尤胂嗤康尿闲腿簿鄯拦竸?；（e）將實驗容器分別置于相同溫度的水浴中加熱：（f）通過實驗結(jié)果，分別計算出螯合型三元共聚防垢劑在不同鋇離子濃度下的防垢率。本發(fā)明能成功測試出螯合型三元共聚防垢劑在不同鋇離子濃度下的防垢率，且測試結(jié)果準(zhǔn)確，測試步驟簡單，測試成本低，為螯合型三元共聚防垢劑應(yīng)用于除垢提供了理論基礎(chǔ)。
【專利說明】 三元共聚防垢劑防垢率受鋇離子濃度影響的測試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種三元共聚防垢劑防垢率受鋇離子濃度影響的測試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在油氣田開發(fā)過程中，油氣藏中的流體(油、氣和水)從地層中流出，經(jīng)井筒、井口到地面集輸系統(tǒng)，由于鋇離子濃度、壓力等條件的變化及水的熱力學(xué)不穩(wěn)定性和化學(xué)不相容性，導(dǎo)致油氣水平衡狀態(tài)遭到破壞。往往造成注水地層、油套管、井下、地面設(shè)備及集輸系統(tǒng)出現(xiàn)結(jié)垢。結(jié)垢對油井的正常生產(chǎn)有較大的影響，當(dāng)垢沉積在井筒、油管、抽油泵、注水系統(tǒng)、集輸系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)等設(shè)備上時，會造成設(shè)備不能正常運轉(zhuǎn)，傳熱效率降低，導(dǎo)致生產(chǎn)能力下降，而且結(jié)垢還會引起設(shè)備和管線的腐蝕，給油田造成嚴(yán)重的經(jīng)濟損失。
[0003]現(xiàn)有防垢劑主要有氨基多羧酸鹽類、有機多元膦酸類以及有機聚合物三大類。氨基多羧酸鹽類螯合穩(wěn)定常數(shù)大，能用于較高鋇離子濃度，但用量大，成本高；有機多元膦酸對硫酸鋇、硫酸鍶無防垢效果；而大多使用的是有機聚合物防垢劑，多使用單體與馬來酸酐、丙烯酸共聚以期待提高防垢率，但由于沒有從根本上改變聚合物結(jié)構(gòu)，達不到預(yù)期的防垢效果。
[0004]在原油的開采過程中，結(jié)垢是一種普遍存在的現(xiàn)象，同時結(jié)垢是油田水水質(zhì)控制中遇到的最嚴(yán)重的問題之一。結(jié)垢對油井的正常生產(chǎn)有較大的影響，垢沉積在地層會堵塞地層孔隙、裂縫，造成滲透率降低，使原油產(chǎn)量下降，嚴(yán)重時甚至造成油井停產(chǎn)，對滲透率較低的油層影響更甚；當(dāng)垢沉積在井筒、油管、抽油泵、注水系統(tǒng)、集輸系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)等設(shè)備上時，會造成設(shè)備不能正常運轉(zhuǎn)，傳熱效率降低，導(dǎo)致生產(chǎn)能力下降，而且結(jié)垢還會引起設(shè)備和管線的腐蝕，給油田造成嚴(yán)重的經(jīng)濟損失。
[0005]結(jié)垢的主要原因是由于壓力或鋇離子濃度改變，蒸發(fā)、或兩種不相配伍的水互相混合，使原來以離子狀態(tài)存在于水溶液中的無機鹽(CaC03、CaS04或BaS04)達到過飽和狀態(tài)，超過了他們的溶解度而結(jié)晶出來成垢。結(jié)垢過程是一定濃度的成垢離子在一定的物理化學(xué)條件(如壓力、鋇離子濃度)和設(shè)備表面狀況下結(jié)晶與聚集的過程。平衡狀態(tài)遭破壞是導(dǎo)致結(jié)垢的根本原因。
[0006]化學(xué)防垢劑是油田最為常用的抑制和緩解結(jié)垢的一項工藝技術(shù)。為了防止結(jié)垢，地面流程、油井和注水站需連接或間歇地向系統(tǒng)中投加防垢劑。針對油田的各種結(jié)垢狀況，有兩類解決的辦法:一是除垢；二是防垢。除垢是一種補救措施，除垢時，它已經(jīng)產(chǎn)生了減產(chǎn)和設(shè)備的腐蝕，造成了較大的經(jīng)濟損失，因此，防止垢的生成才是一種好的措施。在防垢的方法中，用化學(xué)劑防垢是人們公認(rèn)的最簡單、有效、方便、經(jīng)濟的方法。因此各油田都針對各自的區(qū)塊特點研究適應(yīng)不同條件的化學(xué)防垢劑。而研制高效的防垢劑就更是各個油田普遍追求的共同目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點和不足，提供一種三元共聚防垢劑防垢率受鋇離子濃度影響的測試方法，該測試方法能成功測試出螯合型三元共聚防垢劑在不同鋇離子濃度下的防垢率，且測試結(jié)果準(zhǔn)確，測試步驟簡單，測試成本低，為螯合型三元共聚防垢劑應(yīng)用于除垢提供了理論基礎(chǔ)。
[0008]本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實現(xiàn):一種三元共聚防垢劑防垢率受鋇離子濃度影響的測試方法，包括步驟:(a)首先，制備螯合型三元共聚防垢劑溶液和鋇垢樣品備用；
(b)選取若干個實驗容器，清洗干燥備用；(c)然后，分別向?qū)嶒炄萜髦屑尤氩煌康墓笜悠?，并加入溶劑混合?gòu)成不同鋇離子濃度的溶液；(d)分別向?qū)嶒炄萜髦屑尤胂嗤康尿闲腿簿鄯拦竸?e)將實驗容器分別置于相同溫度的水浴中加熱:(f)通過實驗結(jié)果，分別計算出螯合型三元共聚防垢劑在不同鋇離子濃度下的防垢率。
[0009]所述反應(yīng)容器為燒杯。
[0010]所述鋇垢為硫酸鋇垢。
[0011]所述鋇離子濃度分別為100mg/L、300mg /L、500mg/L、IOOOmg /L。
[0012]綜上所述，本發(fā)明的有益效果是:能成功測試出螯合型三元共聚防垢劑在不同鋇離子濃度下的防垢率，且測試結(jié)果準(zhǔn)確，測試步驟簡單，測試成本低，為螯合型三元共聚防垢劑應(yīng)用于除垢提供了理論基礎(chǔ)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為螯合型三元共聚防垢劑在不同鋇離子濃度下的防垢率示意圖。
【具體實施方式】
[0014]下面結(jié)合實施例，對本發(fā)明作進一步的詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實施方式不僅限于此。
[0015]實施例:
本發(fā)明涉及的一種三元共聚防垢劑防垢率受鋇離子濃度影響的測試方法，包括步驟:
(a)首先，制備螯合型三元共聚防垢劑溶液和鋇垢樣品備用；(b)選取若干個實驗容器，清洗干燥備用；(C)然后，分別向?qū)嶒炄萜髦屑尤氩煌康墓笜悠?，并加入溶劑混合?gòu)成不同鋇離子濃度的溶液；(d)分別向?qū)嶒炄萜髦屑尤胂嗤康尿闲腿簿鄯拦竸?e)將實驗容器分別置于相同溫度的水浴中加熱:(f)通過實驗結(jié)果，分別計算出螯合型三元共聚防垢劑在不同鋇離子濃度下的防垢率。
[0016]所述反應(yīng)容器為燒杯。
[0017]所述鋇垢為硫酸鋇垢。
[0018]所述鋇離子濃度分別為100mg/L、300mg /L、500mg/L、IOOOmg /L。
[0019]由上述方法測得的結(jié)果如圖1所示，由圖1可知，當(dāng)Ba2+濃度100mg/l，在50 V下只需加入4mg/l共聚物防垢劑即可達到90%以上的防垢率。當(dāng)Ba2+濃度升高到300mg/1，防垢劑的防垢效果有所降低，但仍十分良好，在50°C下要達到90%以上的防垢效果也只需加入8mg/l以上的防垢劑。當(dāng)Ba2+濃度增加到500mg/l，在50°C下達到防垢率90%以上則需要加入防垢劑15mg/l的防垢劑。而Ba2+濃度增加到1000mg/l時，其防垢效果變的更差。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例，并非對本發(fā)明做任何形式上的限制，凡是依據(jù)本 發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)，對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化，均落入本發(fā)明的保護范圍
之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.三元共聚防垢劑防垢率受鋇離子濃度影響的測試方法，其特征在于，包括步驟:(a)首先，制備螯合型三元共聚防垢劑溶液和鋇垢樣品備用；(b)選取若干個實驗容器，清洗干燥備用；(C)然后，分別向?qū)嶒炄萜髦屑尤氩煌康墓笜悠?，并加入溶劑混合?gòu)成不同鋇離子濃度的溶液；(d)分別向?qū)嶒炄萜髦屑尤胂嗤康尿闲腿簿鄯拦竸?e)將實驗容器分別置于相同溫度的水浴中加熱:(f)通過實驗結(jié)果，分別計算出螯合型三元共聚防垢劑在不同鋇離子濃度下的防垢率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三元共聚防垢劑防垢率受鋇離子濃度影響的測試方法，其特征在于，所述反應(yīng)容器為燒杯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三元共聚防垢劑防垢率受鋇離子濃度影響的測試方法，其特征在于，所述鋇垢為硫酸鋇垢。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三元共聚防垢劑防垢率受鋇離子濃度影響的測試方法，其特征在于，所述鋇離子濃度分別為100mg/L、300mg /L、500mg/L、IOOOmg /L。
【文檔編號】G01N33/00GK103837640SQ201210471496
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2012年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月20日
【發(fā)明者】譚正懷 申請人:譚正懷