專利名稱：晶振溫度補償芯片的快速校驗方法
晶振溫度補償芯片的快速校驗方法技術領域：
本發(fā)明是關于一種晶振溫度補償芯片，特別是關于晶振溫度補償芯片的快速校驗方法。背景技術：
晶振通常用來提供標準時鐘頻率，通常晶振輸出的頻率在不同的溫度下其輸出頻率會隨溫度的變化產生漂移，為保證晶振輸出的頻率為標準頻率，通常會通過溫度補償芯片對晶振的輸出頻率進行溫度補償。由于晶振輸出頻率隨溫度變化為的函數(shù)為曲線，溫度補償芯片對輸出頻率進行校正時的函數(shù)也需要是相應的曲線才能對溫度漂移進行補償，所以溫度補償芯片的校正函數(shù)通常為多次曲線函數(shù)，例如二次曲線函數(shù)或三次曲線函數(shù)等， 當采用例如3次函數(shù)進行校正補償時,校正函數(shù)為f (x)=a*x3+b*x2+c*x+d, x為溫度傳感器值。若要得到準確的a，b，c，d系數(shù)，需要四個數(shù)據(jù)點，對于溫補芯片來說，需要測試四個不同溫度下的誤差值，在進行批量生產的時候，這四個溫度點成了掣肘產量和成本的關鍵因素。如果能通過測量更少的溫度點，而達到與測試四個點相近的效果，這樣能減少生產成本和加快生產速度。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種不需要測量很多溫度點就能夠快速確定溫度補償芯片校驗函數(shù)的方法。
為達成前述目的，本發(fā)明一種溫度補償芯片的快速校驗方法，其包括建立芯片的溫度頻率數(shù)據(jù)庫；設置待測試芯片的關于溫度的η次頻率校正函數(shù)為 f(x)=d1xn+d2xn-1+d3xn-2……+dn+1，該函數(shù)反映了芯片在不同溫度時的頻率偏差情況，其中X 為溫度或溫度傳感器值，f (X)為X溫度下對標準頻率的頻率偏差的校正函數(shù)，d1, d2，d3…… dn+1為校正函數(shù)的系數(shù)，測量該待測試芯片的k個溫度信息點的頻率值，其中0〈k〈n，根據(jù)測得的k個溫度信息點的頻率值，對數(shù)據(jù)庫進行檢索，檢索出與該待測試芯片的物理特性相似的芯片的信息，因物理特性相似故校正函數(shù)相似，通過檢索到的物理特性相似的芯片的信息計算待測試芯片的其他溫度頻率信息點的信息，進而計算待測試芯片的校正函數(shù)的系數(shù)；
其中所述溫度頻率數(shù)據(jù)庫儲存的信息為
權利要求
1.一種溫度補償芯片的快速校驗方法，其包括建立芯片的溫度頻率數(shù)據(jù)庫；設置待測試芯片的關于溫度的η次頻率校正函數(shù)為fOOzdy+c^H+dZ2……+dn+1，該函數(shù)反映了芯片在不同溫度時的頻率偏差情況，其中X為溫度或溫度傳感器值，f(x)為X溫度下對標準頻率的頻率偏差的校正函數(shù)，Cl1, d2，d3……dn+1為校正函數(shù)的系數(shù)，測量該待測試芯片的 k個溫度信息點的頻率值，其中0〈k〈n，根據(jù)測得的k個溫度信息點的頻率值，對數(shù)據(jù)庫進行檢索，檢索出與該待測試芯片的物理特性相似的芯片的信息，因物理特性相似故校正函數(shù)相似，通過檢索到的物理特性相似的芯片的信息計算待測試芯片的其他溫度頻率信息點的信息，進而計算待測試芯片的校正函數(shù)的系數(shù)；其中所述溫度頻率數(shù)據(jù)庫儲存的信息為
2.如權利要求1所述的溫度補償芯片的快速校驗方法，其特征在于所述測量的點的數(shù)值k=l，所述待測試芯片的關于溫度的校正函數(shù)為F(X)=C^d2(X-a)2+d3(X_a)3+…… +dn(x-a)n，其中Cl1, d2，d3……dn，a為常數(shù)，其中測量的點為接近常溫的溫度點P 1，其包含的信息為( 1^ 17)，其中對于數(shù)據(jù)庫中的第(；個芯片，其校正函數(shù)的常數(shù)項(111與測量點的頻率差值為ti=dl1-Fyl，若數(shù)據(jù)庫中有N個芯片，則t= (tl+t2+t3…+tN)/N，則預測待測試芯片的校正函數(shù)的常數(shù)項dlpl=Ply+t，在數(shù)據(jù)庫中搜索與待測試芯片相似的芯片的條件為
3.如權利要求1所述的溫度補償芯片的快速校驗方法，其特征在于對于搜索到的芯片的剩余n-k個信息點的溫度傳感器值Txi進行修正，得到與待測試芯片相似芯片的其余 n-k個信息點的溫度傳感器值Txi，取測得的k個信息點以及修正后的n-k個信息點的溫度傳感器值Txi及頻率相關值Fyi計算待測試芯片的校正函數(shù)。
4.如權利要求3所述的溫度補償芯片的快速校驗方法，其特征在于所述修正的方法為待測試芯片的剩余的n-k個信息點的溫度傳感器值為Pix=Tx1-t，其中 t=[ (Txl-Plx)+ (Tx2-P2x)+……(Txk-Pkx) ]/k，其中k為已測量的信息點的數(shù)量。
5.如權利要求3所述的溫度補償芯片的快速校驗方法，其特征在于所述修正的方法為對于每個芯片的溫度信息點的溫度傳感器值Txi是關于溫度的一個函數(shù)，搜索到的近似芯片Ci的溫度傳感器Txi值與溫度X的溫度曲線方程為Txi=gl (xkdfxn+ddx1^ 1+d3*xn^2+……+dn*x+dn+1，待測試芯片的其中已測試k個信息點的溫度為tl，t2……tk， 利用已測得的信息(tl，Plx), (t2, P2x)……(tk，Pkx)解出待測試芯片的局部溫度曲線hi (x) =ek*xk_1+ek_1*xk_2+......edx+e:,其中 ei 為常數(shù),對于芯片 Ci,組合其信息點(tl, Txl),(t2, Tx2)......(tk, Txk)，解出其局部溫度曲線 h2 (X) =^xkifkJxk-2+......+f^x+f^,令(1^=(6^^)/2, dn= (e2+f2)/2......dk=(ek+fk)/2 得到待測試芯片的部分溫度曲線Pix=g2(x)=d1*xn+d2*xn_1+d3*xn_2+· * *+dk*xk· · · +dn*xn+dn+1,可以根據(jù)搜索到的近似芯片的剩余n_k個信息點，近似認為待測試芯片的剩余的n-k個信息點的橫坐標為Pnx=g2(tn)。
6.一種溫度補償芯片的快速校驗方法，其包括建立溫度補償芯片的溫度頻率數(shù)據(jù)庫；測量待測試芯片的至少一個溫度點的頻率值，其中測量的點數(shù)少于溫度補償校正函數(shù)的系數(shù)的個數(shù)；根據(jù)已測量的待測試芯片的點數(shù)的溫度頻率值，設定查詢范圍，在所述數(shù)據(jù)庫中找到與待測試芯片相近似的芯片；將搜索到的與待測試芯片相近似的芯片的剩余點數(shù)的溫度頻率值作為待測試芯片的未測量點數(shù)的溫度頻率值，結合待測試芯片已測量的點數(shù)的溫度頻率值，計算出待測試芯片的校正函數(shù)的系數(shù)，以確定待測試芯片的校正函數(shù)。
7.如權利要求6所述的溫度補償芯片的快速校驗方法，其特征在于如果搜索到的結果為多個芯片，則對這些搜索出的芯片的頻率按與待測試芯片測得的某一溫度下的頻率的誤差大小進行分檔，只采用待測試芯片所處的檔位的芯片信息，對最終的有效芯片，取其剩余點數(shù)的平均值，作為待測試芯片的未測量點數(shù)的溫度頻率值，結合待測試芯片已測量的點數(shù)的·溫度頻率值，計算出待測試芯片的校正函數(shù)的系數(shù)，以確定待測試芯片的校正函數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種溫度補償芯片的快速校驗方法。其包括建立芯片的溫度頻率數(shù)據(jù)庫；設置芯片的關于溫度的n次頻率校正函數(shù)，測量該芯片的k個溫度信息點的頻率值，其中0<k<n，根據(jù)測得的k個溫度信息點的頻率值，對數(shù)據(jù)庫進行檢索，檢索出與該待測芯片的校正函數(shù)相似的芯片的信息，通過檢索到的相似芯片的信息計算待測試芯片的其他信息點的信息，進而計算待測試芯片的校正函數(shù)。本發(fā)明的溫度補償芯片的校驗方法只需要測量少數(shù)的信息點的數(shù)據(jù)即可算出校正函數(shù)，能夠降低芯片的制造成本，加快生產速度。
文檔編號G01R31/28GK103064002SQ201210514248
公開日2013年4月24日 申請日期2012年12月5日 優(yōu)先權日2012年12月5日
發(fā)明者馮向光, 從勇, 樓建宇 申請人:無錫輻導微電子有限公司