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用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站的制作方法

文檔序號(hào):5969745閱讀:122來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
此實(shí)用新型 是在電力專業(yè)內(nèi)以動(dòng)力半導(dǎo)體技術(shù)為基礎(chǔ),可以當(dāng)成正反并聯(lián)可控硅閥組TCR,異步電機(jī)軟啟動(dòng)及其它設(shè)備的等效電流源和電壓源使用,并對(duì)其進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
背景技術(shù)
眾所周知用于可控娃閥組TCR的實(shí)驗(yàn)檢測(cè)(Baoliang Sheng, Senior Member,IEEE; Marcio Oliveira, Member, IEEE; Hans-Ola Bjarme, “Synthetic Test Circuitsfor the Operational Tests of TCR and TSC Thyristor Valves,,· - IEEE-PES T&DConference, Chicago, Illinois, USA, April 21-22,2008),(見圖 1),包括用于連接被檢測(cè)可控硅閥組(Vtl+/Vtl_)的接地母線和等電位母線,并且有電壓振蕩回路(Cs,LI ηVa3/Va4),電流回路(G/Lg, Ls, Val+/Val_, Arrester, Filter banks h Shunt banks)和沖擊回路(Imp. Gen);直流電壓源(DC Source);連接在直流電壓源(DC Source)輸出端的電容器C2以及其它。此實(shí)驗(yàn)臺(tái)在以下情況下有很多的不足及缺點(diǎn)。如果電流回路中的交流電壓源G/Lg在低壓側(cè),被檢測(cè)可控硅閥組的Vtl+/Vtl_是通過驅(qū)動(dòng)板來(lái)提供能量的,交流電壓是由可控硅上RC保護(hù)回路得到的,那么由于最開始驅(qū)動(dòng)板上沒有能量而無(wú)法啟動(dòng)電壓振蕩回路。并且因?yàn)闊o(wú)法做到電流回路中的設(shè)備都為大功率(Filter banks, Shunt banks和Ls)并且保證其輸出電壓與被檢測(cè)可控硅閥組電壓相對(duì)應(yīng),所以很難使交流電壓源G/Lg為高電壓。毫無(wú)疑問要解決這個(gè)問題就必需在被檢測(cè)可控硅閥組Vtl+/Vtl并聯(lián)一個(gè)不帶驅(qū)動(dòng)板的輔助可控硅閥組,這個(gè)閥組是用于電壓振蕩回路啟動(dòng)的。在進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)也一定要給被檢測(cè)可控硅閥組的驅(qū)動(dòng)板上給予交流電壓。之后被檢測(cè)可控硅閥投入工作,這個(gè)輔助可控硅閥組則退出運(yùn)行。而這又增加了另一個(gè)難題。除此之外,當(dāng)可控硅閥組Val+/Val_在控制失控的情況下實(shí)驗(yàn)臺(tái)電流回路中用于保護(hù)電流回路中低壓側(cè)原器件限制過電壓的避雷器(Arrester)必需是大功率的,舉例說(shuō)明,比如在投入沖擊回路的時(shí)刻。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站,該檢測(cè)實(shí)驗(yàn)站在簡(jiǎn)化了設(shè)備的同時(shí),大大提高了實(shí)驗(yàn)的安全運(yùn)行。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種用于可控硅閥組檢測(cè)實(shí)驗(yàn)站,包括有用于連接被檢測(cè)可控硅閥組的接地母線和等電位母線;直流電壓源;連接在直流電壓源輸出端的電容器;連接在等電位母線上的電壓振蕩回路;連接在接地母線和等電位母線之間的電流回路,在電流回路上串聯(lián)有交流電壓源,限流電抗器和主要可控硅閥組,在對(duì)被檢測(cè)可控硅閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)電流回路上并聯(lián)有由交流電壓源和限流電抗器串聯(lián)而成的回路。在電流回路中還包括一個(gè)輔助可控硅閥組,該輔助可控硅閥組的可控硅是以正反并聯(lián)形式出現(xiàn)的,帶有門檻電路,門檻電路的輸入端與可控硅動(dòng)力極連接,輸出端與可控硅的控制極連接,所述門檻電路由傳感器提供能量。在我們申請(qǐng)的專利中電流回路里的主要可控硅閥組和輔助可控硅閥組在進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)啟動(dòng)電壓 振蕩回路并與被檢測(cè)閥組同時(shí)工作,此時(shí)交流電壓源是斷切不投入的。當(dāng)在被檢測(cè)可控硅閥組上驅(qū)動(dòng)板得到了允許工作的交流電壓時(shí)主要可控硅閥組和輔助可控硅閥組退出運(yùn)行,被檢測(cè)閥組進(jìn)行工作狀態(tài)。即啟動(dòng)實(shí)驗(yàn)臺(tái)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。之后投入交流電壓源并且電壓振蕩回路與帶有主要可控硅閥組的電流回路同時(shí)工作。輔助可控硅閥組的電壓不大于lkv,除上述功能之外,還要做到當(dāng)主要可控硅閥組控制失控或者輔助可控硅閥組丟失控制信號(hào)的情況下對(duì)過電壓進(jìn)行保護(hù)。之后門檻電路工作,并使電流回路中低壓側(cè)的元器件安全運(yùn)行,在此時(shí)傳感器發(fā)出信號(hào)閉鎖所有可控硅閥組并切斷交流電壓源。如果對(duì)單方向不對(duì)稱可控硅閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn),電壓振蕩回路在過充電時(shí)可控硅反方向功能由電流回路中的主可控硅閥組和輔助可控硅閥組自身完成。本實(shí)用新型的有益效果是該檢測(cè)實(shí)驗(yàn)站在簡(jiǎn)化了實(shí)驗(yàn)臺(tái)設(shè)備的同時(shí)也大大提高它的安全運(yùn)行。該全能實(shí)驗(yàn)站是以對(duì)可控硅閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)為目的而實(shí)用新型的。以動(dòng)力半導(dǎo)體技術(shù)為基礎(chǔ),可以當(dāng)成正反并聯(lián)可控硅閥組的等效電流源和電壓源使用,并對(duì)閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。輔助可控硅閥組是并聯(lián)有帶有串聯(lián)變壓器二次繞組和限流電抗器的回路,這個(gè)回路是保證給由驅(qū)動(dòng)板給可控硅提供電壓的閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)電壓振蕩回路的啟動(dòng)和主要可控硅閥組的安全保護(hù)。實(shí)驗(yàn)站可對(duì)單方向不對(duì)稱可控硅閥組和雙方向?qū)ΨQ可控硅閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。

圖I為本實(shí)用新型實(shí)驗(yàn)站的主電氣原理圖;圖2為電流回路中的輔助可控硅閥組電氣原理圖;圖3為申請(qǐng)專利實(shí)驗(yàn)站的時(shí)序圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)驗(yàn)站主電氣原理圖中包括接地母線I和等電位母線2,被檢測(cè)可控硅閥組3,直流電壓源4,第一組電容器5,電壓振蕩回路6,整流環(huán)節(jié)7,電流回路8,沖擊回路9,分布電容回路10,第一個(gè)保護(hù)電抗器11和第二個(gè)保護(hù)電抗器12,控制系統(tǒng)13,電壓互感器14,第一個(gè)電流互感器15和第二個(gè)電流互感器16。被檢測(cè)可控硅閥組3是由正反并聯(lián)可控硅組成的閥組,可控硅正方向?yàn)?7,反方向?yàn)?8,即控制輸入正方向?yàn)?7,反方向?yàn)?8,與被檢測(cè)可控硅閥組3的控制輸入正方向?yàn)?+,反方向?yàn)?-相對(duì)應(yīng)。直流電壓源4在輸出端有正極PV,負(fù)極NV和零極MV,它是由帶有第一個(gè)二極管單元19和第二個(gè)二極管單元20以及一次繞組為vN(t)的自耦變壓器21組成的。S卩,自耦變壓器21的二次繞組第一個(gè)輸出端連接在第一個(gè)陽(yáng)——陰二極管單元19的正極端,它的二次繞組的第二個(gè)輸出端連接在陰極——陽(yáng)極二極管單元20的負(fù)極端,自耦變壓器21的一次繞組電壓為系統(tǒng)電壓vN(t),二次側(cè)繞組的第一個(gè)輸出端通過第一個(gè)二極管單元19結(jié)構(gòu)為陽(yáng)——陰形式與正極PV相連,通過第二個(gè)二極管單元20結(jié)構(gòu)為陰——陽(yáng)形式與負(fù)極NV相連,二次繞組的第二個(gè)輸出端與零極MV相連。第一組電容器5有正極PV,負(fù)極NV和零極MV,它是由22和23兩個(gè)單元組成,第一個(gè)單元22的第一個(gè)輸出端和第二個(gè)單元23的第二個(gè)輸出端的連接保證與正極PV和負(fù)極NV相對(duì)應(yīng),第一個(gè)單元22的第二個(gè)輸出端和第二個(gè)單元23的第一個(gè)輸出端與零極MV相連接。電壓振蕩回路6串聯(lián)有第二組電容器24,電抗器25和第一個(gè)可控硅閥組26,第一個(gè)可控娃閥組26由正方向可控娃27和反方向可控娃28組成,電壓振蕩回路6輸入處的26可控硅閥組正方向標(biāo)識(shí)為6+反 方向標(biāo)識(shí)為6_。整流環(huán)節(jié)7有輸出OUT,正極PV和負(fù)極NV,包含有第二個(gè)可控硅閥組29和第三個(gè)可控硅閥組30,第二個(gè)可控硅閥組29和第三個(gè)可控硅閥組30由正反并聯(lián)的可控硅31和二極管32組成。可控硅31的陽(yáng)極和二極管32的陰極做為一個(gè)回路是整流環(huán)節(jié)7中的可控硅閥組29 (30)第一個(gè)輸出端,可控硅31的陰極和二極管32的陽(yáng)極做為一個(gè)回路為整流環(huán)節(jié)7中的可控硅閥組29 (30)的第二個(gè)輸出端;整流環(huán)節(jié)7的輸出端OUT與第二個(gè)可控硅閥組29的第二個(gè)輸出和第三個(gè)可控壓閥組30的第一個(gè)輸出端連接,正極PV和負(fù)極NV與可控硅閥組29的第一個(gè)輸出和可控硅閥組30的第二個(gè)輸出端連接。整流環(huán)節(jié)7中29單元中的31可控硅正方向標(biāo)識(shí)為7+,30單元中的負(fù)方向標(biāo)識(shí)為7_。電流回路8中包括有串聯(lián)的交流電壓源,即變壓器33,限流電抗器34和主要可控硅閥組35,這個(gè)閥組35是由正反并聯(lián)可控硅組成的,正方向標(biāo)識(shí)為36,反方向?yàn)闃?biāo)識(shí)為37 ;輔助可控硅閥組38,這個(gè)閥組是由正反并聯(lián)可控硅組成的,正方向標(biāo)識(shí)為39,反方向標(biāo)識(shí)為40 ;這里變壓器33的一次側(cè)繞組與帶有電壓為vN (t)的開并41相連接;輔助可控硅閥組38是并聯(lián)有帶有串聯(lián)變壓器33 二次繞組和限流電抗器34關(guān)系的回路;主要可控硅閥組35的控制輸入端正方向?yàn)?6,反方向?yàn)?7,電流回路8中的控制輸入正方向?yàn)?+,反方向?yàn)?-;輔助可控硅閥組38的控制輸入端正方向?yàn)?9,反方向?yàn)?0,電流回路中輔助可控硅閥組38的控制輸入端正方向?yàn)?d,反方向?yàn)镾b。沖擊回路9有電流脈沖形成器(電壓脈沖形成器)??刂葡到y(tǒng)13由模似——數(shù)字帶有程序芯片的元器件構(gòu)成。直流電壓源4和第一組電容器5極性彼此相對(duì)應(yīng)的連接(PV,MV,和NV)。第一組電容器5的零極MV和直流電壓源4通過第二個(gè)電流互感器16和接地母線I連接,并且通過第一個(gè)保護(hù)電抗器11和第二個(gè)保護(hù)電抗器12根據(jù)相對(duì)應(yīng)的極性(PV和NV)與整流環(huán)節(jié)7相連接。整流環(huán)節(jié)7的輸出端OUT由電壓振蕩回路6和等電位母線2相連接。電流回路8的第一個(gè)輸出端與等電位母線2相接,第二個(gè)輸出端經(jīng)過第一個(gè)電流互感器15與接地母線I相連。被檢測(cè)可控硅閥組3,沖擊回路9和分布電容回路10連接在等電位母線2和接地母線I之間。電壓互感器14輸出端與控制系統(tǒng)13的輸入端相連接,電壓互感器14的輸入端電壓為vN(t),第一個(gè)電流互感器15的輸出端和第二個(gè)電流互感器16的輸出端與控制系統(tǒng)13的輸入端相連接,被檢測(cè)可控硅閥組3的控制輸入端,電壓振蕩回路6,整流環(huán)節(jié)7和電流回路8它們的信號(hào)分別以3+,3_,6+,6_,7+,7_,8+,8_,8d和8b來(lái)表示并進(jìn)入控制系統(tǒng)。除此之外被檢測(cè)可控硅閥組3上的驅(qū)動(dòng)板READY的輸出狀態(tài),輔助可控硅閥組38的保護(hù)輸出FAULT以及在電流回路8中的開關(guān)41的0N/0FF的狀態(tài)也進(jìn)入控制系統(tǒng)13的輸入端,控制輸出端的OFF與電流回路8中的開關(guān)41的輸入端相連。在圖2中具體的描述了在電流回路8上的輔助可控硅閥組38。輔助可控硅閥組38包括有正反并聯(lián)可控硅構(gòu)成的回路,正方向可控硅39,反方向可控硅40,并聯(lián)在可控硅39和40上的RC保護(hù)回路42 ;門檻電路43 ;第一個(gè)驅(qū)動(dòng)板44和第二個(gè)驅(qū)動(dòng)板45,它們的輸出端與正方向39的可控娃和反方向40的可控娃相連接并對(duì)其進(jìn)行p-n的控制轉(zhuǎn)換。輔助可控硅閥組38上的第一個(gè)驅(qū)動(dòng)板44和第二個(gè)驅(qū)動(dòng)板45的輸入端分別為控制正方向39可控娃和反方向40可控娃的輸入信號(hào)8d和8b對(duì)應(yīng);門濫電路43中Cl和C2分別為正反可控娃陰極的輸入端,第一個(gè)輸出端Gl和第二個(gè)輸出端G2與控制輸出相連,并保持與正方向可控硅39和反方向可控硅40相一致。在門檻電路43中還包括兩個(gè)保護(hù)回路分別是46和47,二極管整流回路48,傳感器49,兩個(gè)二極管分別為50和51,BOD——二極管52和第一個(gè)電阻53,并且門檻回路43中Cl的第一個(gè)輸入端與第一個(gè)二極管50的正方向相連接,第一個(gè)電阻53,二極管整流回路48的交流輸出端Γ)和第二個(gè)二極管51在反方向上與門檻回路43中C2上的第二個(gè)輸入端相連接。保護(hù)回路46和47都包括有電容54,第三個(gè)二極管55,第一個(gè)穩(wěn)壓管56和第二個(gè)電阻57,在第一個(gè)保護(hù)回路46和第二個(gè)保護(hù)回路47中電容54和第二個(gè)電阻57并聯(lián)著第一個(gè)二極管50和第二個(gè)二極管51,陰極與第一個(gè)穩(wěn)壓管56反方向上相連接,保護(hù)回路46和47上的第三個(gè)二極管55正方向上與門檻電路43的第一個(gè)輸出端Gl和第二個(gè)輸出端G2相連。二極管整流回路48的正輸出(+ )和它的負(fù)輸出(-)經(jīng)過BOD——二極管52與在傳感器49在正方向的輸入相連。傳感器49包括第三個(gè)電阻58,第四個(gè)電阻59和第五個(gè)電阻60,第二個(gè)穩(wěn)壓管61和光纖傳感器62,光纖傳感器是傳輸輔助可控娃閥組38上保護(hù)輸出信號(hào)FAULT的;在傳感器49的輸入端有第三個(gè)電阻58,在這個(gè)并聯(lián)回路上第四個(gè)電阻59的正方向和第二個(gè)穩(wěn)壓管61反方向串聯(lián),正反并聯(lián)的穩(wěn) 壓管61上串聯(lián)有第五個(gè)電阻60和光纖傳感器62。在圖3的時(shí)序圖中e(t)——電壓振蕩回路的電動(dòng)勢(shì),與第一組電容器5上的第一個(gè)單元22或者第二個(gè)單元23上電壓相等,并且第二組電容器24上的電壓在保護(hù)電抗器電感值為零時(shí)圖I上E點(diǎn)的電壓與vE(t)與e(t)相同,這里Vs——第一組電容器5上正方向或者負(fù)方向上的幅值電壓,Ev——電壓振蕩回路在穩(wěn)定工作狀態(tài)下整流的電動(dòng)勢(shì);iv(t)——電壓振蕩回路6中的電流回路,這里tv——電流的脈沖步長(zhǎng);v24(t)——第二組電容器24上的電壓,這里Vtl, V1, V4和V5——第二組電容器24上在時(shí)間^ t1; t4和t5上的電壓值;v21(t)——自耦變壓器21 二次繞組上的電壓;v22(t)和V23(t)——第一組電容器5的第一個(gè)單元22和第二個(gè)單元23上的電壓,這里AVs——第一個(gè)單元22或者第二個(gè)單元23的放電電壓值;ic(t)和iT(t)——電流回路8的電流值與被檢測(cè)閥組3相對(duì)應(yīng)的電流值;vc(t)和”⑴——電流回路8上電壓和被檢測(cè)閥組3相對(duì)應(yīng)的電壓,這里Vm~在電壓振蕩回路穩(wěn)定工作狀態(tài)下關(guān)斷被檢測(cè)閥組3此時(shí)的過電壓幅值;3+和3_,6+和6_,7+和7_,8+和8_,Sd和Sb——為控制脈沖,這些脈沖信號(hào)分別與被檢測(cè)閥組3,電壓振蕩回路6,整流環(huán)節(jié)7和電流回路8在正方向上的(+,d)和反方向上的(_,b)相對(duì)應(yīng);t——實(shí)際時(shí)
間Atl, t1; t2,----時(shí)間讀數(shù)點(diǎn)。為了方便觀看在時(shí)序圖中沒有顯示出在切斷可控硅閥組
時(shí);[。(1:),;^(1:)和i T(t)的反方向電流尖峰。在時(shí)序圖3中V21 (t), V22 (t)和V23⑴為等比例放大尺寸。我們的實(shí)驗(yàn)臺(tái)按以下順序進(jìn)行檢測(cè)工作電壓互感器14的輸出端電壓信號(hào)為vN(t),第一個(gè)電流互感器15的輸出端帶有電流回路8的電流信號(hào)ic(t),以及第二個(gè)電流互感器16的輸出端帶有電壓振蕩回路6中的電流為iv(t)的信號(hào)共同進(jìn)入控制系統(tǒng)13做為同步進(jìn)行工作??刂葡到y(tǒng)13中的控制脈沖信號(hào)分別為3+,3_,6+,6_,7+,7_,8+,8_,8b和8d(見時(shí)序圖3),這些脈沖分別對(duì)應(yīng)著被檢測(cè)閥組3,電壓振蕩回路6,整流環(huán)節(jié)7和電流回路8并通過它們對(duì)實(shí)驗(yàn)臺(tái)在不同條件下進(jìn)行工作。這些不同的狀態(tài)是通過程序給定的。除此之外,在控制系統(tǒng)的輸入端有來(lái)自電流回路8的保護(hù)信號(hào)FAULT,被檢測(cè)可控硅閥組驅(qū)動(dòng)板的READY信號(hào)和電流回路8中開關(guān)41的狀態(tài)0N/0FF信號(hào)。在實(shí)驗(yàn)臺(tái)進(jìn)行工作時(shí)必需考慮到以下條件第一組電容器5中的第一個(gè)單元22和第二個(gè)單元23的電容值C22和C23要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于第二組電容器4上的電容值C24 S卩,C22 = C23 = Cs >> C24。保護(hù)電抗器11和12用于保護(hù)限制整流環(huán)節(jié)7上出現(xiàn)的故事電流,電感量值分別為L(zhǎng)11和L12,這兩個(gè)值要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于電抗器25的L25電感量即L11 = L12 << L25O第一組電容器5上的第一個(gè)單兀22和第二個(gè)單元23的充電由直流電壓源4雙方向完成的,電壓等于零,電壓為+Vs和-Vs,可控硅閥組的整流要在時(shí)間間隔之前完成。如果被檢測(cè)可控硅閥組有驅(qū)動(dòng)板,電源是通過特殊回路與等電位母線連接,除了實(shí)驗(yàn)臺(tái)控制系統(tǒng)失控的事故狀態(tài)之外,實(shí)驗(yàn)臺(tái)開始和繼續(xù)工作與如下描述相一致。被檢測(cè)可控硅閥組3上的可控硅由驅(qū)動(dòng)板驅(qū)動(dòng),電壓由可控硅得到。開始時(shí)實(shí)驗(yàn)臺(tái)沒電源,控制系統(tǒng)13給出信號(hào)OFF (繼電器觸點(diǎn))到開關(guān)41,S卩,開關(guān)41是關(guān)斷狀態(tài)。因?yàn)樵趯?shí)驗(yàn)臺(tái)給電源之前和之后驅(qū)動(dòng)板的REDAY信號(hào)在控制系統(tǒng)13的輸入端由于被檢測(cè)可控硅閥組3上沒有交流電壓而無(wú)法控制。所以最開始用開關(guān)41切斷變壓器33并且通過電流回路8中的主要可控硅閥組35和輔助可控硅閥組38啟動(dòng)電壓振蕩回路6。電壓振蕩回路6在穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)見時(shí)序圖3。第一個(gè)可控娃閥組26通過脈沖信號(hào)6_打開反方向回路28的時(shí)間點(diǎn)為 to-(這里V — t0和V < t0,在以下文章中所表達(dá)的意思是相同的)。此時(shí)在第二組電容器24上的電壓為V24UtlJ =~%。電流回路8上的主要可控硅閥組35和輔助可控硅閥組38通過第一個(gè)可控硅閥組26上的反方向回路28和第二個(gè)可控硅閥組29上的二極管回路32疊加了第二組電容器24的電壓-、和第一組電容器5上的22單元電壓+Vs,S卩v c(t0J=e (t0J = Vs-V0 < O。在時(shí)間點(diǎn)h上給與電流回路8和整流環(huán)節(jié)7相對(duì)應(yīng)的控制脈沖信號(hào)8+,8b和7_。電流回路8上有主要可控硅閥組35上的正方向回路36和輔助可控硅閥組38的反方向回路40,電流回路8上的電壓和被檢測(cè)可控硅閥組3上的電壓給到零(時(shí)序圖中vc(t)和vT(t),時(shí)間點(diǎn)h)。整流環(huán)節(jié)7上有第三個(gè)可控硅閥組30上的可控硅回路31,在這個(gè)閥組上通過二極管回路32關(guān)斷第二個(gè)可控硅閥組29。第二組電容器24按以下順序進(jìn)行過充電第三個(gè)可控硅閥組30上的可控硅回路31——第二個(gè)保護(hù)電抗器12——第一組電容器5上的第二個(gè)單元23——第二個(gè)電流互感器16——接地母線I——第一個(gè)電流互感器15——輔助可控硅閥組38上的反方向回路40——主要可控硅閥組35上正方向回路36——等電位母線2——第一個(gè)可控硅閥組26上的反方向回路28——電抗器25(時(shí)序圖
中電流 iv (t)在從 t。到 & = t0+tv 時(shí)間間隔,這里 ν = π · JL · C ,L = lu+l25 = l12+l25
和c = cs · c24/(cs+c24))。如果電壓振蕩回路在沒有損耗的理想狀態(tài)下工作那么第一組電容器5上的23單元的電壓值和第二組電容器24在過充電之前和之后的電壓值為(具體工作順序祥見本文內(nèi)容)V23 = (t0) -Vs,(I)
2 · nV23(^1) = -Fs + "r :畀'(Ks +κ)= ~vs +AVs,(2)
+。24V24 (t0) =-V0(3)[0021]
權(quán)利要求1.用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站,實(shí)驗(yàn)站包括有用于連接被測(cè)可控硅閥組的接地母線和等電位母線;直流電壓源;連接在直流電壓源輸出端的電容器;連接在等電位母線的電壓振蕩回路,連接在接地母線和等電位母線上的電流回路,本發(fā)明的特征在于,在電流回路上串聯(lián)有交流電壓源、限流電抗器和主要可控硅閥組,在對(duì)被檢測(cè)可控硅閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)電流回路上并聯(lián)有由交流電壓源和限流電抗器串聯(lián)而成的回路。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站,其特征在于,在電流回路中還包括ー個(gè)輔助可控硅閥組,該輔助可控硅閥組的可控硅是以正反并聯(lián)形式出現(xiàn)的,帶有門檻電路,門檻電路的輸入端與可控硅動(dòng)カ極連接,輸出端與可控硅的控制極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站,其特征在于,所述門檻電路由傳感器提供能量。
專利摘要用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站,全能實(shí)驗(yàn)站是以對(duì)可控硅閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)為目的而發(fā)明的。以動(dòng)力半導(dǎo)體技術(shù)為基礎(chǔ),可以當(dāng)成正反并聯(lián)可控硅閥組的等效電流源和電壓源使用,并對(duì)閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)站的主要連接為被檢測(cè)可控硅閥組與等電位母線和接地母線連接,電壓振蕩回路連接在等電位母線上,電流回路連接在等電位母線和接地母線之間,由交流電壓源,限流電抗器和主要可控硅閥組以及輔助可控硅閥組構(gòu)成。輔助可控硅閥組是并聯(lián)有帶有串聯(lián)變壓器二次繞組和限流電抗器的回路,這個(gè)回路是保證給由驅(qū)動(dòng)板給可控硅提供電壓的閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)電壓振蕩回路的啟動(dòng)和主要可控硅閥組的安全保護(hù)。實(shí)驗(yàn)站可對(duì)單方向不對(duì)稱可控硅閥組和雙方向?qū)ΨQ可控硅閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
文檔編號(hào)G01R31/00GK202583338SQ20122002735
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月20日
發(fā)明者施多夫·亞利山大, 許蓓蓓, 張曉輝, 司明起 申請(qǐng)人:榮信電力電子股份有限公司
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