專利名稱：用于模擬固體絕緣內(nèi)部缺陷的電極間隙的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及ー種模擬電極間隙，尤其是涉及ー種用于模擬固體絕緣內(nèi)部缺陷的電極間隙。
技術(shù)背景 氣體絕緣組合電器(Gas Insulated Substation,簡稱GIS)是電カ系統(tǒng)的重要大型設(shè)備之一，它對于整個電カ系統(tǒng)的安全運行至關(guān)重要。GIS結(jié)構(gòu)緊湊、占地面積小、不易受外界環(huán)境影響，運行可靠性高、檢修周期長而得到了越來越廣泛的應(yīng)用。但加工、運輸、現(xiàn)場裝配等多種原因使得GIS不可避免地存在絕緣缺陷而影響其長期可靠性。這些缺陷在電場作用下誘發(fā)局部放電，長期的局部放電使絕緣劣化并逐步擴大，甚至造成整個絕緣擊穿或沿面閃絡(luò)，從而對設(shè)備的安全運行造成威脅。在對GIS局部放電進行測試吋，需要用到ー些模擬電極間隙。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供ー種可準確模擬GIS中固體絕緣內(nèi)部缺陷的用于模擬固體絕緣內(nèi)部缺陷的電極間隙。本實用新型的目的可以通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)ー種用于模擬固體絕緣內(nèi)部缺陷的電極間隙，包括第一球形電極、第二球形電極和有機玻璃筒，所述的第一球形電極、第ニ球形電極均設(shè)置在有機玻璃筒內(nèi)，且相對設(shè)置，所述的第一球形電極與第二球形電極通過固態(tài)絕緣體粘接。所述的第二球形電極上設(shè)有圓孔。所述的圓孔為直徑I. 5mm、深度O. 3mm的圓孔。所述的固態(tài)絕緣體為環(huán)氧樹脂。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型在電極上鉆圓孔用以模擬GIS中固體絕緣內(nèi)部缺陷，模擬效果佳。

圖I為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型進行詳細說明。實施例如圖I所示，ー種用于模擬固體絕緣內(nèi)部缺陷的電極間隙，包括第一球形電極I、第二球形電極2和有機玻璃筒3，第一球形電極I、第二球形電極2均設(shè)置在有機玻璃筒3內(nèi)，且相對設(shè)置，第一球形電極I與第二球形電極2通過固態(tài)絕緣體粘接，本實施例的固態(tài)絕緣體采用環(huán)氧樹脂絕緣。在第二球形電極上設(shè)有直徑I. 5mm、深度O. 3mm的圓孔，保持圓孔中為空氣，以模擬固體絕緣內(nèi)部缺陷?！?br> 權(quán)利要求1.ー種用于模擬固體絕緣內(nèi)部缺陷的電極間隙，其特征在于，包括第一球形電極、第二球形電極和有機玻璃筒，所述的第一球形電極、第二球形電極均設(shè)置在有機玻璃筒內(nèi)，且相對設(shè)置，所述的第一球形電極與第二球形電極通過固態(tài)絕緣體粘接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種用于模擬固體絕緣內(nèi)部缺陷的電極間隙，其特征在干，所述的第二球形電極上設(shè)有圓孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ー種用于模擬固體絕緣內(nèi)部缺陷的電極間隙，其特征在干，所述的圓孔為直徑I. 5mm、深度O. 3mm的圓孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ー種用于模擬固體絕緣內(nèi)部缺陷的電極間隙，其特征在干，所述的固態(tài)絕緣體為環(huán)氧樹脂。
專利摘要本實用新型涉及一種用于模擬固體絕緣內(nèi)部缺陷的電極間隙，包括第一球形電極、第二球形電極和有機玻璃筒，所述的第一球形電極、第二球形電極均設(shè)置在有機玻璃筒內(nèi)，且相對設(shè)置，所述的第一球形電極與第二球形電極通過固態(tài)絕緣體粘接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有可準確模擬GIS中固體絕緣內(nèi)部缺陷等優(yōu)點。
文檔編號G01R1/00GK202502110SQ20122011729
公開日2012年10月24日 申請日期2012年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月25日
發(fā)明者倪浩, 高凱 申請人:上海市電力公司, 華東電力試驗研究院有限公司