專利名稱：校驗(yàn)表適配器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種校驗(yàn)表適配器，尤其是ー種利用ARM9設(shè)計(jì)的I型專變交采部件獨(dú)立校驗(yàn)表適配器，屬于電カ設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前在I型專變(專用變壓器)的生產(chǎn)過(guò)程中，對(duì)其交采部件(采集終端)進(jìn)行校驗(yàn)表是ー個(gè)較繁瑣的環(huán)節(jié)由于交采部件無(wú)法獨(dú)立運(yùn)行，通常在交采部件裝至I型專變整機(jī)后進(jìn)行校驗(yàn)表過(guò)程，而I型專變體積較大，校驗(yàn)表時(shí)會(huì)占用2-3個(gè)基本エ位，而這會(huì)極大地降低校驗(yàn)表臺(tái)的利用率，限制產(chǎn)能的提高。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在干針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，提出一種校驗(yàn)表適配器，可將I型專變交采部件獨(dú)立接至校驗(yàn)表臺(tái)進(jìn)行校驗(yàn)表環(huán)節(jié)，不需要先將交采部件裝入專變整機(jī)，可減少占用空間，有利于提聞效率和廣能。為了達(dá)到以上目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下一種校驗(yàn)表適配器，包括控制器和供控制器讀寫的存儲(chǔ)器，其特征是，所述控制器的數(shù)據(jù)接ロ作為第一接ロ、與待測(cè)部件的數(shù)據(jù)接ロ連接，所述控制器的通訊接ロ作為第二接ロ、與校驗(yàn)表臺(tái)的報(bào)文傳輸接ロ連接，所述控制器的讀寫接ロ作為第三接ロ、與待測(cè)部件的只讀存儲(chǔ)器連接。本實(shí)用新型可使I型專變交采部件在脫離專變整機(jī)的情況下實(shí)現(xiàn)校驗(yàn)表，可減少占用空間，有利于提高效率和產(chǎn)能。采用本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)后，可以采用普通多功能校驗(yàn)表臺(tái)即可完成校驗(yàn)表過(guò)程，無(wú)需采購(gòu)專用校驗(yàn)表臺(tái)，從而節(jié)省設(shè)備經(jīng)費(fèi)。
以下結(jié)合附圖
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)ー步的說(shuō)明。圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例本實(shí)施例的校驗(yàn)表適配器基本結(jié)構(gòu)如圖I所示，包括控制器(本實(shí)施例為AT91SAM9260，即ATMEL公司高性能ARM9核心CPU)和供控制器讀寫的存儲(chǔ)器(本實(shí)施例為分別與控制器連接的SDRAM和NAND FLASH)，控制器經(jīng)SPI接ロ與待測(cè)部件(本實(shí)施例為I型專變交采部件)的數(shù)據(jù)接ロ(如ATT7022)連接，控制器經(jīng)RS-485接ロ與校驗(yàn)表臺(tái)的報(bào)文傳輸接ロ連接，控制器還經(jīng)I2C接ロ與待測(cè)部件(本實(shí)施例為I型專變交采部件)的只讀存儲(chǔ)器(如EEPROM)連接。控制器經(jīng)降壓回路與電源連接，電源為12V直流電，降壓回路包括與電源連接的5V穩(wěn)壓?jiǎn)卧?V穩(wěn)壓?jiǎn)卧来谓?jīng)3. 3V穩(wěn)壓?jiǎn)卧?、I. 8V穩(wěn)壓?jiǎn)卧c控制器連接?？刂破鬟€與以太網(wǎng)PHY芯片連接，用以與外部通信；與LED指示燈連接，用以指示運(yùn)行狀態(tài)。 本實(shí)施例適配器還具有外売，外殼背面設(shè)有磁鐵或雙面膠，便于固定。運(yùn)行時(shí)，將適配器的SPI接ロ與交采部件的ATT7022連接，將適配器的RS-485接ロ與校驗(yàn)表臺(tái)的報(bào)文傳輸接ロ連接；控制器與交采部件進(jìn)行數(shù)據(jù)交互及采樣，同時(shí)控制器解析從校驗(yàn)表臺(tái)獲取的規(guī)約報(bào)文，并與采樣得到的數(shù)據(jù)進(jìn)行誤差計(jì)算校準(zhǔn)參數(shù)；然后，控制器通過(guò)I2C接ロ將校準(zhǔn)參數(shù)保留至交采部件的EEPR0M，待組裝入專變整機(jī)后供專變主控調(diào)用。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例產(chǎn)品配合校檢表臺(tái)可使I型專變交采部件在脫離專變整機(jī)的情況下實(shí)現(xiàn)校驗(yàn)表，減少占用空間，有利于提聞效率和廣能。采用本實(shí)施例產(chǎn)品后，可以采用普通多功能校驗(yàn)表臺(tái)即可完成校驗(yàn)表過(guò)程，無(wú)需 采購(gòu)專用校驗(yàn)表臺(tái)，從而節(jié)省設(shè)備經(jīng)費(fèi)。例如按臺(tái)體單價(jià)30萬(wàn)元算，對(duì)于年產(chǎn)2萬(wàn)臺(tái)以上
I型專變終端的企業(yè)，設(shè)備可節(jié)約150萬(wàn)元。除上述實(shí)施例外，本實(shí)用新型還可以有其他實(shí)施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種校驗(yàn)表適配器，包括控制器和供控制器讀寫的存儲(chǔ)器，其特征是，所述控制器的數(shù)據(jù)接ロ作為第一接ロ、與待測(cè)部件的數(shù)據(jù)接ロ連接，所述控制器的通訊接ロ作為第二接ロ、與校驗(yàn)表臺(tái)的報(bào)文傳輸接ロ連接，所述控制器的讀寫接ロ作為第三接ロ、與待測(cè)部件的只讀存儲(chǔ)器連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的校驗(yàn)表適配器，其特征是，所述控制器經(jīng)降壓回路與電源連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的校驗(yàn)表適配器，其特征是，所述電源為12V直流電；所述降壓回路包括與電源連接的5V穩(wěn)壓?jiǎn)卧?，所?V穩(wěn)壓?jiǎn)卧来谓?jīng)3. 3V穩(wěn)壓?jiǎn)卧. 8V穩(wěn)壓?jiǎn)卧c控制器連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的校驗(yàn)表適配器，其特征是，所述控制器還分別與以太網(wǎng)PHY芯片、LED指示燈連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的校驗(yàn)表適配器，其特征是，所述校驗(yàn)表適配器還具有外殼，所述外殼背面設(shè)有磁鐵或雙面膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的校驗(yàn)表適配器，其特征是，所述控制器為AT91SAM9260 ;所述存儲(chǔ)器為分別與控制器連接的SDRAM和NAND FLASH。
7.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的校驗(yàn)表適配器，其特征是，所述待測(cè)部件為I型專變交采部件；所述待測(cè)部件的數(shù)據(jù)接ロ為ATT7022 ;所述待測(cè)部件的只讀存儲(chǔ)器為EEPROM。
8.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的校驗(yàn)表適配器，其特征是，所述第一接ロ為SPI接ロ ；所述第二接ロ為RS-485接ロ ；所述第三接ロ為I2C接ロ。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種校驗(yàn)表適配器，屬于電力設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該校驗(yàn)表適配器，包括控制器和供控制器讀寫的存儲(chǔ)器，控制器的數(shù)據(jù)接口作為第一接口、與待測(cè)部件的數(shù)據(jù)接口連接，控制器的通訊接口作為第二接口、與校驗(yàn)表臺(tái)的報(bào)文傳輸接口連接，控制器的讀寫接口作為第三接口、與待測(cè)部件的只讀存儲(chǔ)器連接。本實(shí)用新型可使I型專變交采部件在脫離專變整機(jī)的情況下實(shí)現(xiàn)校驗(yàn)表，可減少占用空間，有利于提高效率和產(chǎn)能。采用本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)后，可以采用普通多功能校驗(yàn)表臺(tái)即可完成校驗(yàn)表過(guò)程，無(wú)需采購(gòu)專用校驗(yàn)表臺(tái)，從而節(jié)省設(shè)備經(jīng)費(fèi)。
文檔編號(hào)G01R35/00GK202649447SQ20122029331
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月20日
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