專(zhuān)利名稱(chēng)：一種測(cè)試單元以及陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于液晶顯示器領(lǐng)域，涉及液晶顯示器制作過(guò)程中對(duì)薄膜晶體管進(jìn)行檢測(cè)過(guò)程中用到的測(cè)試單元以及采用該測(cè)試單元的陣列基板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(IXD)是目前主流的顯示器。液晶顯示器主要由陣列基板、彩膜基板、周邊電路及背光組件等部分構(gòu)成。其中，陣列基板是采用特定規(guī)格的玻璃基板(例如:
2.2m*2.5m),在該玻璃基板上經(jīng)過(guò)鍍膜、曝光、刻蝕等一系列工藝制成一定數(shù)量的薄膜晶體管(TFT)，該TFT是液晶顯示器中控制液晶偏轉(zhuǎn)方向的控制開(kāi)關(guān)。液晶顯示器的生產(chǎn)工藝，尤其是陣列基板的制造工藝非常復(fù)雜，所以在制造過(guò)程中，不可避免的會(huì)因?yàn)楣に囌`差而發(fā)生各種缺陷。為了盡可能的降低缺陷發(fā)生率從而提高產(chǎn)品良率，在制造過(guò)程中的關(guān)鍵工藝后通常會(huì)設(shè)置相應(yīng)的檢測(cè)工序，以便能及時(shí)地發(fā)現(xiàn)缺陷并采取相應(yīng)措施杜絕缺陷大范圍擴(kuò)散或?qū)⑷毕輲胂乱还に嚥襟E。其中，陣列基板工藝完成后，在繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)工藝之前一般需要進(jìn)行陣列檢測(cè)，即對(duì)按矩陣規(guī)則排列的多個(gè)薄膜晶體管的性能進(jìn)行檢測(cè)。檢測(cè)方式之一是通過(guò)設(shè)置測(cè)試單元，為陣列中的TFT加入電信號(hào)，從而檢測(cè)玻璃基板上的所有TFT是否都有效。如圖1所示，為了提高生產(chǎn)效率，在一張玻璃基板7上，通常會(huì)根據(jù)不同尺寸要求形成一定數(shù)量的單元陣列基板1，不同單元陣列基板I之間預(yù)留有一定間隙區(qū)域，在該間隙區(qū)域中測(cè)試單元對(duì)陣列基板進(jìn)行測(cè)試，例如:引入測(cè)試信號(hào)線對(duì)TFT的性能進(jìn)行檢測(cè)。如圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)探針為T(mén)FT加載測(cè)試信號(hào)的測(cè)試單元的局部放大示意圖。所述測(cè)試單元包括有接收電信號(hào)的襯底6與測(cè)試信號(hào)線5，所述襯底6與測(cè)試信號(hào)線5連接，所述測(cè)試信號(hào)線5與TFT的信號(hào)輸入端連接，所述測(cè)試電信號(hào)經(jīng)由襯底6、測(cè)試信號(hào)線5加載到TFT相應(yīng)的管腳上，從而進(jìn)行TFT性能的測(cè)試。目前，為T(mén)FT加入測(cè)試電信號(hào)一般采用點(diǎn)接觸的方式，即，通過(guò)探針將測(cè)試電信號(hào)經(jīng)測(cè)試信號(hào)線加載到襯底6上。在通常情況下，襯底6的面積僅為l_2mm2，相比整塊玻璃基板的大小使得對(duì)襯底6的識(shí)別并非易事，因此在實(shí)際檢測(cè)過(guò)程中采用具有相同測(cè)試電信號(hào)的兩根探針同時(shí)接觸同一襯底，以確保探針能準(zhǔn)確地定位到襯底6上，保證測(cè)試電信號(hào)能有效輸入，圖2中還同時(shí)示出了所述測(cè)試信號(hào)線和襯底與探針4的位置關(guān)系。在檢測(cè)過(guò)程中，所需的測(cè)試信號(hào)通過(guò)探針4先傳輸至所述襯底6，繼而通過(guò)所述測(cè)試信號(hào)線5將測(cè)試電信號(hào)輸入到數(shù)據(jù)信號(hào)線2及掃描信號(hào)線3，實(shí)現(xiàn)對(duì)TFT性能的測(cè)試。一般的，陣列基板在組裝成液晶面板之前一般還需通過(guò)摩擦工藝形成配向膜，以使組裝后的液晶面板中液晶的排列規(guī)則有序。但是，為了保證探針4與作為測(cè)試信號(hào)輸入端的襯底6之間點(diǎn)接觸的成功率，要求襯底6具有足夠大的面積，且面積越大越好。由于襯底6是由金屬薄膜制成的，襯底6的面積越大，在后續(xù)摩擦工藝中測(cè)試單元與摩擦絨毛接觸面積越大，引起靜電放電幾率也就越高，尤其是在陣列基板的配向膜(PI)的摩擦工藝中，一旦發(fā)生靜電放電現(xiàn)象，大面積的金屬薄膜引起的靜電會(huì)導(dǎo)致摩擦用的絨毛排布發(fā)生異常，最終使陣列基板出現(xiàn)嚴(yán)重的摩擦工藝缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種測(cè)試單元，能在保證測(cè)試信號(hào)有效輸入的同時(shí)，有效地減小靜電放電的產(chǎn)生。解決本實(shí)用新型技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是該測(cè)試單元，該測(cè)試單元包括用于與探針相接觸的末端模塊，所述末端模塊為分叉結(jié)構(gòu)。其中，所述末端模塊包括與所述探針接觸的襯底以及測(cè)試信號(hào)線，所述測(cè)試信號(hào)線的一端與所述襯底連接，另一端與待測(cè)試對(duì)象連接。一種優(yōu)選方案是，所述襯底為由多個(gè)條狀子襯底構(gòu)成的柵狀結(jié)構(gòu)，所述測(cè)試信號(hào)線的所述一端與該多個(gè)子襯底的一端連接。一種優(yōu)選方案是，所述襯底為由多個(gè)條狀子襯底構(gòu)成的樹(shù)狀結(jié)構(gòu)，所述測(cè)試信號(hào)線的所述一端與該樹(shù)狀結(jié)構(gòu)的根節(jié)點(diǎn)連接。一種優(yōu)選方案是，所述測(cè)試信號(hào)線為單條線，該單條線的一端與所述襯底連接，另一端與待測(cè)試對(duì)象連接。一種優(yōu)選方案是，所述測(cè)試信號(hào)線為多條子測(cè)試信號(hào)線，該多條子測(cè)試信號(hào)線的一端與所述襯底連接，另一端聯(lián)結(jié)在一起并與待測(cè)試對(duì)象連接；其中，當(dāng)所述襯底為由多個(gè)條狀子襯底構(gòu)成的柵狀結(jié)構(gòu)時(shí)，所述多條線的一端與所述多個(gè)子襯底一一連接。優(yōu)選的是，相鄰所述子襯底之間的間隔距離設(shè)置為:使得任意相鄰的兩個(gè)子襯底均能夠同時(shí)與所述探針相接觸。進(jìn)一步優(yōu)選的是，相鄰所述子襯底之間的間隔距離相同。一種陣列基板，包括多個(gè)薄膜晶體管以及用于對(duì)所述多個(gè)薄膜晶體管進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試單元，所述測(cè)試單元采用上述的測(cè)試單元。本實(shí)用新型的有益效果是:采用這種測(cè)試單元，既能保證探針與測(cè)試單元點(diǎn)接觸成功率，又能避免在后續(xù)摩擦工藝中該測(cè)試單元與摩擦絨毛接觸面積過(guò)大而產(chǎn)生靜電放電，提聞了廣品良率。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中多個(gè)單元陣列基板與測(cè)試單元的示意圖；圖2為圖1中測(cè)試單元的局部放大示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例1的測(cè)試單元的示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例2的測(cè)試單元的示意圖；圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例3的測(cè)試單元的示意圖。圖中:1 一單兀陣列基板；2 —數(shù)據(jù)信號(hào)線；3 —掃描信號(hào)線；4 一探針；5 —測(cè)試信號(hào)線；6 —襯底；7 —玻璃基板；8 —子襯底；9_子測(cè)試信號(hào)線。
具體實(shí)施方式
為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型測(cè)試單元以及陣列基板作進(jìn)一步詳細(xì)描述。[0025]一種測(cè)試單元，該測(cè)試單元包括與探針相接觸的末端模塊，所述末端模塊為分叉結(jié)構(gòu)。一種陣列基板，包括多個(gè)薄膜晶體管以及用于對(duì)所述多個(gè)薄膜晶體管進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試單元，所述測(cè)試單元采用上述的測(cè)試單元。本實(shí)施例中所述的陣列基板是形成有所述測(cè)試單元以待測(cè)試的陣列基板。實(shí)施例1:本實(shí)施例中，測(cè)試單元中的末端模塊為分叉結(jié)構(gòu)，所述末端模塊包括與所述探針接觸的襯底和測(cè)試信號(hào)線，所述測(cè)試信號(hào)的一端與所述襯底連接，另一端與待測(cè)試對(duì)象連接。如圖3所示，所述襯底為由多個(gè)條狀子襯底8構(gòu)成的柵狀結(jié)構(gòu)，所述測(cè)試信號(hào)線的所述一端與該多個(gè)子襯底8的一端連接。其中，所述測(cè)試信號(hào)線為一條，各所述子襯底8的柵狀結(jié)構(gòu)與測(cè)試信號(hào)線5成垂直角度連接。即，各所述子襯底8的排列方向與所述測(cè)試信號(hào)線5的延伸方向垂直。應(yīng)該理解的是，這里子襯底8的柵狀結(jié)構(gòu)與測(cè)試信號(hào)線5成垂直角度連接不是必須的。事實(shí)上，子襯底8的延伸方向與測(cè)試信號(hào)線5的延伸方向相同是最優(yōu)的，即圖3中所示的夾角a越大越利于信號(hào)的傳輸(當(dāng)a=180°時(shí)即為二者延伸方向相同，最有利于信號(hào)傳輸)。圖3所示的使所述子襯底8的柵狀結(jié)構(gòu)與測(cè)試信號(hào)線5成垂直角度連接是從工藝方便考量的。當(dāng)然，本實(shí)施例所述的分叉結(jié)構(gòu)，除了圖3所示的襯底為由多個(gè)條狀子襯底8構(gòu)成的柵狀結(jié)構(gòu)，還可以采用襯底為由多個(gè)條狀子襯底構(gòu)成的樹(shù)狀結(jié)構(gòu)，所述測(cè)試信號(hào)線的所述一端與該樹(shù)狀結(jié)構(gòu)的根節(jié)點(diǎn)連接。優(yōu)選所述子襯底之間的間隔距離設(shè)置為:使得任意相鄰的兩個(gè)子襯底均能夠同時(shí)與所述探針4相接觸，一種方法可以是使相鄰子襯底8之間的間隔距離小于等于探針的探測(cè)面的最大尺寸。這樣，即使當(dāng)探針4誤探入相鄰子襯底之間的間隙時(shí)，也不會(huì)因接觸不到子襯底8而導(dǎo)致信號(hào)無(wú)法輸入，能有效保證探針接入信號(hào)的可靠性。當(dāng)然，所述子襯底之間的間隔距離可同時(shí)參考陣列基板的工藝精度來(lái)做適當(dāng)調(diào)整。為簡(jiǎn)化工藝，相鄰的所述子襯底8之間的間隔距離相同。所述子襯底可以采用現(xiàn)有技術(shù)中制作襯底的金屬薄膜制成。一種陣列基板，包括按矩陣規(guī)則排列的多個(gè)薄膜晶體管以及用于對(duì)所述多個(gè)薄膜晶體管進(jìn)行電性能測(cè)試的測(cè)試單元，所述測(cè)試單元采用上述的測(cè)試單元。其中，在一張玻璃基板7上設(shè)置有多個(gè)單元陣列基板1，多個(gè)單元陣列基板I之間預(yù)留有一定間隙區(qū)域，測(cè)試單元設(shè)置在該間隙區(qū)域中。該陣列基板在分割之前還需通過(guò)摩擦工藝形成配向膜，優(yōu)選所述測(cè)試單元中子襯底的排列方向與所述配向膜的配向方向相同，以減小摩擦工藝中因摩擦產(chǎn)生的靜電放電。這里應(yīng)該理解的是，其中所述子襯底的柵狀結(jié)構(gòu)或樹(shù)狀結(jié)構(gòu)在玻璃基板上的方向可以任意變化，例如，本實(shí)施例圖3所示為橫向排列，但并非限制為橫向排列，柵狀結(jié)構(gòu)或樹(shù)狀結(jié)構(gòu)的排列方向也可以設(shè)置為縱向排列，甚至可以設(shè)置為斜向排列。該子襯底的柵狀結(jié)構(gòu)或樹(shù)狀結(jié)構(gòu)的排列方向可以根據(jù)陣列基板形成配向膜的摩擦方向進(jìn)行調(diào)整，優(yōu)選以使靜電放電發(fā)生情況降為最低為最佳方向。實(shí)施例2:本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于，本實(shí)施例中測(cè)試單元中的測(cè)試信號(hào)線和襯底均為柵狀結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中所述測(cè)試信號(hào)線為多條子測(cè)試信號(hào)線，該多條子測(cè)試信號(hào)線的一端與所述襯底連接，另一端聯(lián)結(jié)在一起并與待測(cè)試對(duì)象連接。其中，當(dāng)所述襯底為由多個(gè)條狀子襯底構(gòu)成的柵狀結(jié)構(gòu)時(shí)，所述多條線的一端與所述多個(gè)子襯底一一連接。如圖4所示，該所述測(cè)試信號(hào)線為多個(gè)條狀子測(cè)試信號(hào)線9，各子測(cè)試信號(hào)線9的一端聯(lián)結(jié)在一起并與待測(cè)試對(duì)象連接，另一端分別與一個(gè)以上所述子襯底8連接。與實(shí)施例1相同，出于工藝方便考量，多條所述子測(cè)試信號(hào)線沿其延伸方向平行間隔排列，各所述子襯底的排列方向與所述子測(cè)試信號(hào)線的排列方向垂直。本實(shí)施例中測(cè)試單元的其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同，這里不再贅述。一種陣列基板，包括按矩陣規(guī)則排列的多個(gè)薄膜晶體管以及用于對(duì)所述多個(gè)薄膜晶體管進(jìn)行電性能測(cè)試的測(cè)試單元，所述測(cè)試單元采用上述的測(cè)試單元。實(shí)施例3:本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于，本實(shí)施例中測(cè)試單元中僅測(cè)試信號(hào)線為柵狀結(jié)構(gòu)。如圖5所示，所述測(cè)試信號(hào)線為單條線，該單條線的一端與所述襯底連接。即本實(shí)施例中所述測(cè)試信號(hào)線在與所述子襯底連接的一端的多個(gè)條狀子測(cè)試信號(hào)線9，各子測(cè)試信號(hào)線9的一端聯(lián)結(jié)在一起并與待測(cè)試對(duì)象連接，另一端分別與所述襯底6連接。一種陣列基板，包括按矩陣規(guī)則排列的多個(gè)薄膜晶體管以及用于對(duì)所述多個(gè)薄膜晶體管進(jìn)行電性能測(cè)試的測(cè)試單元，所述測(cè)試單元采用上述的測(cè)試單元。本實(shí)用新型中的測(cè)試單元，相比現(xiàn)有技術(shù)而言，將末端模塊中襯底和/或測(cè)試信號(hào)線設(shè)置為分叉結(jié)構(gòu)，在不影響測(cè)試信號(hào)輸入的前提下，有效減小測(cè)試單元金屬薄膜的面積，既保證了探針與測(cè)試單元點(diǎn)接觸的成功率，又避免了在后續(xù)摩擦工藝中因該測(cè)試單元與摩擦絨毛接觸面積過(guò)大而產(chǎn)生靜電放電，有效地降低了摩擦工藝缺陷的發(fā)生，提高了產(chǎn)品良率。本實(shí)用新型實(shí)施例中所述的測(cè)試單元尤其適用于在液晶顯示器制作工藝中，陣列基板中的TFT制作完成后、進(jìn)行后續(xù)摩擦工藝之前，作為引入檢測(cè)TFT所需的測(cè)試信號(hào)使用，也適用于在液晶顯示裝置中作為陣列基板的電信號(hào)引入使用?？梢岳斫獾氖牵陨蠈?shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種測(cè)試單元，該測(cè)試單元包括用于與探針相接觸的末端模塊，其特征在于，所述末端模塊為分叉結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試單元，其特征在于，所述末端模塊包括與所述探針接觸的襯底以及測(cè)試信號(hào)線，所述測(cè)試信號(hào)線的一端與所述襯底連接，另一端與待測(cè)試對(duì)象連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)試單元，其特征在于，所述襯底為由多個(gè)條狀子襯底構(gòu)成的柵狀結(jié)構(gòu)，所述測(cè)試信號(hào)線的所述一端與該多個(gè)子襯底的一端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)試單元，其特征在于，所述襯底為由多個(gè)條狀子襯底構(gòu)成的樹(shù)狀結(jié)構(gòu)，所述測(cè)試信號(hào)線的所述一端與該樹(shù)狀結(jié)構(gòu)的根節(jié)點(diǎn)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)試單元，其特征在于，所述測(cè)試信號(hào)線為單條線，該單條線的一端與所述襯底連接，另一端與待測(cè)試對(duì)象連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)試單元，其特征在于，所述測(cè)試信號(hào)線為多條子測(cè)試信號(hào)線，該多條子測(cè)試信號(hào)線的一端與所述襯底連接，另一端聯(lián)結(jié)在一起并與待測(cè)試對(duì)象連接；其中，當(dāng)所述襯底為由多個(gè)條狀子襯底構(gòu)成的柵狀結(jié)構(gòu)時(shí)，所述多條線的一端與所述多個(gè)子襯底 連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的測(cè)試單元，其特征在于，相鄰所述子襯底之間的間隔距離設(shè)置為:使得任意相鄰的兩個(gè)子襯底均能夠同時(shí)與所述探針相接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的測(cè)試單元，其特征在于，相鄰所述子襯底之間的間隔距離相同。
9.一種陣列基板，包括多個(gè)薄膜晶體管以及用于對(duì)所述多個(gè)薄膜晶體管進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試單元，其特征在于，所述測(cè)試單元采用權(quán)利要求1-8任一所述的測(cè)試單元。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供一種測(cè)試單元，該測(cè)試單元包括用于與探針相接觸的末端模塊，所述末端模塊為分叉結(jié)構(gòu)。其中，所述末端模塊包括與所述探針接觸的襯底以及測(cè)試信號(hào)線，所述測(cè)試信號(hào)線的一端與所述襯底連接，另一端與待測(cè)試對(duì)象連接。還包括一種采用該測(cè)試單元的陣列基板。采用該測(cè)試單元，既能保證探針與測(cè)試單元點(diǎn)接觸成功率，又能避免在后續(xù)摩擦工藝中該測(cè)試單元與摩擦絨毛接觸面積過(guò)大而產(chǎn)生靜電放電，提高了產(chǎn)品良率。
文檔編號(hào)G01R1/06GK202975527SQ20122066162
公開(kāi)日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月4日
發(fā)明者范延江 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司