用于測量功率半導(dǎo)體溫度的設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施方式涉及用于測量功率半導(dǎo)體的溫度的設(shè)備，該設(shè)備包括用于將交流電壓施加至功率半導(dǎo)體的裝置，并且包括用于測量功率半導(dǎo)體的控制連接端與功率半導(dǎo)體的溝道連接端之間的阻抗的裝置。該阻抗取決于集成在功率半導(dǎo)體中的溫度相關(guān)的控制電阻器。
【專利說明】用于測量功率半導(dǎo)體溫度的設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及用于測量功率半導(dǎo)體溫度的設(shè)備。本發(fā)明的其他實(shí)施方式涉及利用集成在半導(dǎo)體芯片中的串聯(lián)電阻器的溫度相關(guān)性來測量功率半導(dǎo)體的阻擋層溫度。
【背景技術(shù)】
[0002]在由Waleri BerkeI> Thomas Duetermeyer> Gunnar Puk 和 Oliver Schilling 所發(fā)表的“Time Resolved In Situ Tvj Measurements of6.5kV IGBTs during InverterOperation”中，將在逆變器操作期間測量6.5kV IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)的阻擋層溫度的四個(gè)方法彼此進(jìn)行比較，將在下面對(duì)其進(jìn)行簡要描述。
[0003]四個(gè)已知方法中的第一個(gè)方法涉及使用IR(紅外線)照相機(jī)來檢測從IGBT表面發(fā)出的電磁輻射。利用普朗克輻射定律，可通過所發(fā)出的電磁輻射的強(qiáng)度來確定IGBT的表面溫度。然而，這需要將逆變器斷開以進(jìn)行測量并且使用適合的材料覆蓋IGBT表面。然而，由于阻擋層與表面之間的熱敏電阻，故表面溫度僅部分適合于提供關(guān)于阻擋層溫度的信息。
[0004]四個(gè)已知方法中的第二個(gè)方法是使用熱敏元件來測量IGBT的阻擋層溫度。這里，熱敏元件被粘合到IGBT的表面上。然而，這也需要將逆變器斷開，因此使得在逆變器的內(nèi)置狀態(tài)下的測量是不可行的。此外，熱敏元件的時(shí)間常數(shù)在200ms的范圍內(nèi)，使得甚至20Hz負(fù)載電流的溫度波動(dòng)也再能夠得到解決。
[0005]四個(gè)已知方法中的第三個(gè)方法是基于使用IR傳感器來確定IGBT的表面溫度。與在IR照相機(jī)中類似，從IGBT表面發(fā)出的電磁輻射的溫度相關(guān)的強(qiáng)度被用于確定IGBT表面溫度。然而，與IR照相機(jī)相比，由IR傳感器的高的時(shí)間常數(shù)導(dǎo)致溫度波動(dòng)無法得到解決。
[0006]四個(gè)已知方法中的第四個(gè)方法使用IGBT的內(nèi)部柵極電阻器作為測量阻擋層溫度的傳感器。恒定電流施加在內(nèi)部柵極電阻器中，并且測量其兩端的壓降以使用內(nèi)部柵極電阻器的溫度相關(guān)性。然而，這需要改變IGBT的內(nèi)部設(shè)置，以使得內(nèi)部柵極電阻器可與外部接觸。需要將使用修改了布局的特定基板來從外部接觸內(nèi)部柵極電阻器。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的根本目的在于，提供一種在不需要修改功率半導(dǎo)體的情況下，就允許高精度地測量功率半導(dǎo)體的溫度的思想。
[0008]通過根據(jù)權(quán)利要求1的設(shè)備和根據(jù)權(quán)利要求14的方法實(shí)現(xiàn)此目的。
[0009]本發(fā)明實(shí)施方式提供了用于測量功率半導(dǎo)體溫度的設(shè)備，該設(shè)備包括:用于將交流電壓施加至功率半導(dǎo)體的裝置；以及用于測量功率半導(dǎo)體的控制端與功率半導(dǎo)體的溝道端之間的阻抗的裝置，該阻抗取決于集成在功率半導(dǎo)體中的溫度相關(guān)的控制電阻器。
[0010]在實(shí)施方式中，將交流電壓施加至功率半導(dǎo)體，并且測量功率半導(dǎo)體的控制端與功率半導(dǎo)體的溝道端之間的阻抗。該阻抗取決于集成在功率半導(dǎo)體中的溫度相關(guān)的控制電阻器，這樣使得功率半導(dǎo)體在溫度上的變化導(dǎo)致功率半導(dǎo)體的控制端與功率半導(dǎo)體的溝道端之間的阻抗變化。創(chuàng)造性地向功率半導(dǎo)體施加交流電壓允許在沒有修改功率半導(dǎo)體的前提下測量阻抗。此外，該阻抗可在功率半導(dǎo)體的內(nèi)置狀態(tài)下使用，從而在沒有斷開逆變器自身的前提下，示例性地允許在逆變器中測量功率半導(dǎo)體的溫度。此外，測量取決于集成在功率半導(dǎo)體中的溫度相關(guān)的控制電阻器的阻抗，從而允許高精度地測量功率半導(dǎo)體的溫度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]隨后將參考附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明，附圖中:
[0012]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的用于測量功率半導(dǎo)體的溫度的設(shè)備的方塊電路圖；
[0013]圖2示出了包括集成的控制電阻器的功率半導(dǎo)體的方塊電路圖；
[0014]圖3示出了針對(duì)12個(gè)不同的溫度，IGBT柵極端與IGBT發(fā)射極端之間的阻抗作為施加至IGBT的交流電壓頻率變化的函數(shù)的示圖；以及
[0015]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的用于測量功率半導(dǎo)體的溫度的設(shè)備的方塊電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]在本發(fā)明實(shí)施方式的以下描述中，圖中的相同元件或等效元件在圖中設(shè)置有相同的參考標(biāo)號(hào)，這樣使得其在不同實(shí)施方式的描述中可相互交換。
[0017]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的用于測量功率半導(dǎo)體102的溫度的設(shè)備100的方塊電路圖。設(shè)備100包括:裝置104，用于將交流電壓施加至功率半導(dǎo)體102 ;以及裝置106，用于測量功率半導(dǎo)體102的控制端108與功率半導(dǎo)體102的溝道端110之間的阻抗，該阻抗取決于集成在功率半導(dǎo)體102中的溫度相關(guān)的控制電阻器112。
[0018]在實(shí)施方式中，將交流電壓施加至功率半導(dǎo)體102，并且測量功率半導(dǎo)體102的控制端108與功率半導(dǎo)體102的溝道端110之間的阻抗。這里，該阻抗取決于集成在功率半導(dǎo)體中的溫度相關(guān)的控制電阻器112。因此，功率半導(dǎo)體102的溫度的變化導(dǎo)致功率半導(dǎo)體102的控制端108與功率半導(dǎo)體102的溝道端110之間的阻抗變化。在實(shí)施方式中，集成的控制電阻器112例如具有已知的材料相關(guān)性、溫度相關(guān)性，這樣使得該集成的控制電阻器112可用于確定功率半導(dǎo)體102的溫度。
[0019]用于測量阻抗的裝置106可被附加地配置為基于該阻抗來確定功率半導(dǎo)體102的溫度。由于控制電阻器112被集成在功率半導(dǎo)體102中的事實(shí)，故可高精度地測量功率半導(dǎo)體102的溫度。此外，集成的控制電阻器112通常被布置為與功率半導(dǎo)體102的阻擋層直接相鄰，因此允許高精度地確定功率半導(dǎo)體102的阻擋層溫度。
[0020]用于施加交流電壓的裝置104可被配置為在功率半導(dǎo)體102的控制端108與功率半導(dǎo)體102的溝道端110之間施加交流電壓。
[0021]功率半導(dǎo)體102可包括介于控制端108與溝道端110之間的寄生電容和/或電感。此外，用于施加交流電壓的裝置104和用于測量阻抗的裝置106可經(jīng)由饋電線耦接至或連接至功率半導(dǎo)體102，該饋電線也包括電感。
[0022]用于測量阻抗的裝置106因此可被配置為基于該阻抗的實(shí)部來確定功率半導(dǎo)體102的溫度。[0023]為了減少所測量的電容性和/或電感性部分，用于施加交流電壓的裝置104可被配置為選擇交流電壓的頻率，這樣使得所測量的電容性和/或電感性部分減少。示例性地，用于施加交流電壓的裝置104可被配置為選擇交流電壓的頻率，這樣使得該頻率是在由電容性和/或電感性部分所限定的諧振頻率范圍內(nèi)。因此，電容性部分可包括功率半導(dǎo)體102的電容，并且電感部分可包括功率半導(dǎo)體102的電感。此外，電容性部分可包括用于施加交流電壓的裝置104和/或用于測量阻抗的裝置106的電容，以及電感性部分可包括用于施加交流電壓的裝置104和/或用于測量阻抗的裝置106的電感。
[0024]在實(shí)施方式中，功率半導(dǎo)體102可以是雙極晶體管102或IGBT102，其中，在IGBT102情況下，控制電阻器112為柵極電阻器112，控制端108為柵極端108，并且溝道端110為發(fā)射極端110。呈現(xiàn)溫度相關(guān)性的柵極電阻器112 (或柵極串聯(lián)電阻器)被集成在功率半導(dǎo)體102中(具體地在IGBT中)。
[0025]本發(fā)明實(shí)施方式描述了一種方法，使用該方法可以在沒有對(duì)功率半導(dǎo)體102的市售結(jié)構(gòu)進(jìn)行修改的前提下，測量柵極電阻器112，從而可確定功率半導(dǎo)體102的溫度。可以在功率半導(dǎo)體102的正常操作期間進(jìn)行測量。根據(jù)本發(fā)明，在柵極端108與發(fā)射極端110之間饋送正弦交流電壓，選擇該正弦交流電壓的頻率，這樣使得柵極電容和饋送電感變?yōu)橹C振并且其阻抗相互抵消。
[0026]如在圖2中所示，在本發(fā)明實(shí)施方式中的功率半導(dǎo)體102為IGBT102，下面將對(duì)其進(jìn)行描述。然而，下面的描述也可被應(yīng)用于包括集成的溫度相關(guān)的控制電阻器112的不同功率半導(dǎo)體102。
[0027]圖3示例性示出了針對(duì)從30°C至140°C的12個(gè)不同的溫度，IGBT102的柵極端108與IGBT102的發(fā)射極端110之間的阻抗隨著施加至IGBT102的交流電壓頻率變化的示圖。這里，縱坐標(biāo)描述阻抗(歐姆)以及橫坐標(biāo)描述頻率(kHz)。
[0028]從圖3中可以認(rèn)識(shí)到，IGBT102的柵極端108與IGBT102的發(fā)射極端110之間的阻抗隨溫度的增加而增加。這可以被歸因于集成的柵極電阻器112的溫度相關(guān)性。此外，例如，從圖3中可以認(rèn)識(shí)到，阻抗在大約540kHz處呈現(xiàn)出最小值，該頻率對(duì)應(yīng)于由電容性和/或電感性部分所限定的諧振頻率。在最小阻抗中，阻抗幅值因此等于待測量的柵極電阻112加上饋送電阻。與溫度成比例的阻抗可使用所測量電流強(qiáng)度進(jìn)行確定。因此，已確定了所期望的量(即，阻擋層溫度)。根據(jù)本發(fā)明，交流電壓因此可被用于測量柵極電阻112。
[0029]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的用于測量功率半導(dǎo)體102的溫度的設(shè)備100的方塊電路圖。設(shè)備100包括:裝置104，用于將交流電壓施加于功率半導(dǎo)體102 ;以及裝置106，用于測量功率半導(dǎo)體102的控制端108與功率半導(dǎo)體102的溝道端110之間的阻抗，該阻抗取決于集成在功率半導(dǎo)體102中的溫度相關(guān)的控制電阻器112。
[0030]在圖4中，例如，功率半導(dǎo)體102為IGBT102，控制端108為柵極端108，以及溝道端110為發(fā)射極端110。然而，本發(fā)明并不限于這樣的實(shí)施方式，而是功率半導(dǎo)體102可以是包括集成的溫度相關(guān)的控制電阻器112的任何功率半導(dǎo)體102。
[0031]在實(shí)施方式中，用于施加交流電壓的裝置104可包括調(diào)頻信號(hào)發(fā)生器105，該調(diào)頻信號(hào)發(fā)生器105被配置為生成交流電壓。此外，用于施加交流電壓的裝置104可被配置為在功率半導(dǎo)體102的控制端108與功率半導(dǎo)體102的溝道端110之間施加交流電壓。因此，用于施加交流電壓的裝置104可經(jīng)由電位電平改變電路114耦接至功率半導(dǎo)體102的控制端108和功率半導(dǎo)體102的溝道端110。電位電平改變電路可以是電感耦合型，諸如變壓器耦合型。
[0032]為了確定功率半導(dǎo)體102的控制端108與功率半導(dǎo)體102的溝道端110之間的阻抗，用于測量阻抗的裝置也可以被耦接至功率半導(dǎo)體102的控制端108和功率半導(dǎo)體102的溝道端110，其中，用于測量阻抗的裝置106可被配置為基于功率半導(dǎo)體102的控制端108與功率半導(dǎo)體102的溝道端110之間的電壓的電壓測量值和流過功率半導(dǎo)體102的控制端108與功率半導(dǎo)體102的溝道端110之間的阻抗的電流的電流測量值，來測量功率半導(dǎo)體102的控制端108與功率半導(dǎo)體102的溝道端110之間的阻抗。為了測量電流，用于測量阻抗的裝置106可包括測量電阻器Rshunt并且該裝置106被配置為測量已知的測量電阻器Rshunt兩端的壓降，該壓降與流過集成的溫度相關(guān)的控制電阻器112的電流是成比例的。
[0033]用于施加交流電壓的裝置104可被另外地配置為基于電壓和電流來選擇交流電壓的頻率，這樣使得測量的電容性部分和/或電感性部分減少。示例性地，用于施加交流電壓的裝置104可被配置為確定電流與電壓之間相位差，以基于該相位差來選擇交流電壓的頻率，這樣使得電壓與電流之間的相位差減少。當(dāng)電壓與電流之間的相位差為零時(shí)，交流電壓的頻率將與由電容性部分和/或電感性部分所限定的諧振頻率相對(duì)應(yīng)。使用該諧振頻率，阻抗的電容性部分和電感性部分相互抵消，從而使得該阻抗與溫度相關(guān)的控制電阻112加上饋送電阻相對(duì)應(yīng)。
[0034]為了減少電流與電壓之間的相位差，用于施加交流電壓的裝置104可包括比較裝置118，該比較裝置118被配置為提供描述電壓與電流之間的相位差的相位信息，用于施加交流電壓的裝置104被配置為基于該相位信息來選擇交流電壓的頻率。例如，該比較裝置可以是PLL (鎖相環(huán))。使用該P(yáng)LL可檢測到最小阻抗，這是因?yàn)槭褂么祟l率，高頻信號(hào)的電流和電壓是同相的。
[0035]在逆變器中，功率半導(dǎo)體102通常由驅(qū)動(dòng)器電路116的控制電壓來驅(qū)動(dòng)，其中根據(jù)施加至功率半導(dǎo)體102的控制端108的控制電壓，功率半導(dǎo)體102處于導(dǎo)通狀態(tài)或斷開狀態(tài)。
[0036]為了允許精確測量功率半導(dǎo)體102的控制端108與功率半導(dǎo)體102的溝道端110之間的阻抗，功率半導(dǎo)體102處于穩(wěn)定狀態(tài)是有利的。穩(wěn)定狀態(tài)例如可以是穩(wěn)定的導(dǎo)通狀態(tài)。用于測量阻抗的裝置106因此可以被配置為確定功率半導(dǎo)體102處于穩(wěn)定狀態(tài)的時(shí)間段并且在功率半導(dǎo)體102處于穩(wěn)定狀態(tài)的時(shí)間段段內(nèi)測量阻抗。穩(wěn)定狀態(tài)可以基于電壓和/或電流來確定。
[0037]功率半導(dǎo)體102的切換頻率通常在約IOHz至約IOkHz的范圍內(nèi)，然而通過電容性部分和/或電感性部分所限定的諧振頻率在約IOOkHz的范圍內(nèi)。因此，在其中功率半導(dǎo)體102處于準(zhǔn)穩(wěn)定狀態(tài)的兩個(gè)連續(xù)的切換過程之間的時(shí)間段可被用來測量集成的溫度相關(guān)的控制電阻器112的阻抗，并且確定功率半導(dǎo)體102的溫度。
[0038]此外，用于測量阻抗的裝置106可被配置為獲取驅(qū)動(dòng)器電路116的切換信息，并且基于該驅(qū)動(dòng)器電路116的切換信息來確定功率半導(dǎo)體102處于穩(wěn)定狀態(tài)的時(shí)間段。該切換信息可示例性地是施加至驅(qū)動(dòng)器電路116的二進(jìn)制控制信號(hào)或驅(qū)動(dòng)信號(hào)，基于該切換信息，驅(qū)動(dòng)器電路116為功率半導(dǎo)體102提供控制電壓。[0039]此外，用于施加交流電壓的裝置104可被配置為獲取描述功率半導(dǎo)體102處于穩(wěn)定狀態(tài)的時(shí)間段的信息，并且在功率半導(dǎo)體102處于穩(wěn)定狀態(tài)的時(shí)間段期間基于該信息將交流電壓施加至功率半導(dǎo)體102。這允許確保在導(dǎo)通和斷開的過程期間交流電壓未施加至功率半導(dǎo)體102。
[0040]此外，在實(shí)施方式中，測量溫度允許得出功率半導(dǎo)體102的物理狀態(tài)的結(jié)論，諸如老化狀態(tài)。示例性地，如果在焊料層中形成了裂縫，則功率半導(dǎo)體102在相等的功耗下將呈現(xiàn)出更高的溫度。
[0041]本發(fā)明另一實(shí)施方式涉及測量功率半導(dǎo)體的溫度的方法。在第一步驟中，將交流電壓施加于功率半導(dǎo)體。在第二步驟中，測量功率半導(dǎo)體的控制端與功率半導(dǎo)體的溝道端之間的阻抗，該阻抗取決于集成在功率半導(dǎo)體中的溫度相關(guān)的控制電阻器。
[0042]盡管已結(jié)合設(shè)備描述了一些方面，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，這些方面也表示相應(yīng)的方法的描述，這樣使得設(shè)備的塊或元件也應(yīng)當(dāng)被理解為相應(yīng)的方法步驟或方法步驟的特性。以此類推，結(jié)合方法步驟或作為方法步驟所描述的方面也表示相應(yīng)的塊或相應(yīng)的設(shè)備的細(xì)節(jié)或特性的描述。方法步驟中的一些或全部可由硬件裝置(或使用硬件裝置)來執(zhí)行，諸如例如微處理器、可編程計(jì)算機(jī)或電子電路。在一些實(shí)施方式中，最重要方法步驟中一些或幾個(gè)方法步驟可由這樣的裝置執(zhí)行。
[0043]上述實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明的原理。應(yīng)當(dāng)理解，文中描述的布置和細(xì)節(jié)的修改和變化對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說是顯而易見的。因此，其旨在僅由所附專利權(quán)利要求的范圍限定，而不是由通過對(duì)文中的實(shí)施方式的描述和說明而表示的具體細(xì)節(jié)來限定。
【權(quán)利要求】
1.一種用于測量功率半導(dǎo)體(102)的溫度的設(shè)備(100)，包括: 裝置(104)，用于將交流電壓施加至所述功率半導(dǎo)體(102);以及 裝置(106)，用于測量所述功率半導(dǎo)體(102)的控制端(108)與所述功率半導(dǎo)體(102)的溝道端(110)之間的阻抗，所述阻抗取決于集成在所述功率半導(dǎo)體(102)中的溫度相關(guān)的控制電阻器(112); 其中，用于施加所述交流電壓的所述裝置(104)被配置為將所述交流電壓的頻率選擇為使得所測量的電容性部分和/或電感性部分減少，并且使得所述頻率是在由所述電容性部分和/或電感性部分所限定的諧振頻率范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備(100)，其中，所述電容性部分包括所述功率半導(dǎo)體(102)的電容，并且其中所述電感性部分包括所述功率半導(dǎo)體(102)的電感。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項(xiàng)所述的設(shè)備(100)，其中所述電容性部分包括用于施加所述交流電壓的所述裝置(104)的電容和/或用于測量所述阻抗的所述裝置(106)的電容，并且其中所述電感性部分包括用于施加所述交流電壓的所述裝置(104)的電感和/或用于測量所述阻抗的所述裝置(106)的電感。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的設(shè)備(100)，其中，用于施加所述交流電壓的所述裝置(104)被配置為在所述功率半導(dǎo)體(102)的所述控制端(108)與所述功率半導(dǎo)體(102)的所述溝道端(110)之間施加所述交流電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備(100)，其中，用于施加所述交流電壓的所述裝置(104)經(jīng)由電位電平改變電路(114)耦接至所述功率半導(dǎo)體(102)的所述控制端(108)和所述功率半導(dǎo)體(102)的所述溝道端(I 10)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的設(shè)備(100)，其中，用于測量所述阻抗的所述裝置(106)被配置為基于所述阻抗來確定所述功率半導(dǎo)體(102)的溫度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備(100)，其中用于測量所述阻抗的所述裝置(106)被配置為基于所述阻抗的實(shí)部來確定所述功率半導(dǎo)體(102)的溫度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的設(shè)備(100)，其中用于測量所述阻抗的所述裝置(106)被配置為基于所述功率半導(dǎo)體(102)的所述控制端(108)與所述功率半導(dǎo)體(102)的所述溝道端(110)之間的電壓的電壓測量和流過所述功率半導(dǎo)體(102)的所述控制端(108)與所述功率半導(dǎo)體(102)的所述溝道端(110)之間的阻抗的電流的電流測量，來測量所述功率半導(dǎo)體(102)的所述控制端(108)與所述功率半導(dǎo)體(102)的所述溝道端(I 10)之間的阻抗。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備(100)，其中，用于施加所述交流電壓的所述裝置(104)被配置為基于所述電壓和所述電流來選擇所述交流電壓的所述頻率，以使得所述測量的電容性部分和/或電感性部分減少。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的設(shè)備(100)，其中，用于施加所述交流電壓的所述裝置(104)包括比較裝置，所述比較裝置被配置為提供描述所述電壓與所述電流之間的相位差的相位信息，用于施加所述交流電壓的所述裝置(104)被配置為基于所述相位信息來選擇所述交流電壓的所述頻率。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的設(shè)備(100)，其中，用于測量所述阻抗的所述裝置(106)被配置為確定所述功率半導(dǎo)體(102)處于穩(wěn)定狀態(tài)的時(shí)間段，并且在所述時(shí)間段期間測量所述阻抗。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備(100)，其中，用于測量所述阻抗的所述裝置(106)被配置為獲取所述功率半導(dǎo)體(102)的驅(qū)動(dòng)器電路(116)的切換信息，并且基于所述驅(qū)動(dòng)器電路(116)的所述切換信息來確定所述功率半導(dǎo)體(102)處于所述穩(wěn)定狀態(tài)的所述時(shí)間段。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的設(shè)備(100)，其中，用于施加所述交流電壓的所述裝置(104)被配置為獲取描述功率半導(dǎo)體(102)處于所述穩(wěn)定狀態(tài)的所述時(shí)間段的信息，并且在所述時(shí)間段期間基于所述信息將所述交流電壓施加至所述功率半導(dǎo)體(102)。
14.一種測量功率半導(dǎo) 體的溫度的方法，包括: 將交流電壓施加至所述功率半導(dǎo)體；以及 測量所述功率半導(dǎo)體的控制端與所述功率半導(dǎo)體的溝道端之間的阻抗，所述阻抗取決于集成在所述功率半導(dǎo)體中的溫度相關(guān)的控制電阻器； 其中，當(dāng)測量所述阻抗時(shí)，將所述交流電壓的頻率選擇為使得所述測量的電容性部分和/或電感性部分減少，并且使得所述頻率在由所述電容性部分和/或電感性部分所限定的諧振頻率范圍內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括: 基于所測量的溫度來確定所述功率半導(dǎo)體的物理狀態(tài)。
【文檔編號(hào)】G01K7/01GK104024814SQ201280040495
【公開日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2012年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月28日
【發(fā)明者】?？ㄌ亍ず諆?nèi), 托馬斯·鮑曼, 奧列格·蔡特 申請(qǐng)人:電子電力工程研究中心公司