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熱釋電型紅外線傳感器的制造方法

文檔序號:6167327閱讀:267來源:國知局
熱釋電型紅外線傳感器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種小型、廣視角、高輸出功率的熱釋電型紅外線傳感器。熱釋電型紅外線傳感器包含:傳感器元件(1)、覆蓋該傳感器元件(1)的屏蔽殼(8)、紅外線透射濾光器(7)、對該傳感器元件(1)的輸出信號進行阻抗變換后加以輸出的輸出電路、以及至少1個反射膜(9)。在這種熱釋電型紅外線傳感器中,在裝設(shè)于屏蔽殼(8)上的紅外線透射濾光器(7)與正面電極(2a、2b)之間,設(shè)有至少1個以上的使紅外線反射的反射膜(9),并將紅外線透射濾光器(7)配置于緊鄰正面電極(2a、2b)的附近。
【專利說明】熱釋電型紅外線傳感器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明關(guān)于一種熱釋電型紅外線傳感器,尤其是關(guān)于一種在數(shù)米的范圍內(nèi)獲得充分的偵測能力的熱釋電型紅外線傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]熱釋電型紅外線傳感器是紅外線傳感器的一種,并具備在熱釋電體基板的正面背面設(shè)置有電極而成的熱釋電元件,以作為檢測像素。
[0003]在熱釋電體基板的正面存在自發(fā)極化的表面電荷。通常表面電荷會吸引周圍的浮游電荷,因此若熱釋電體基板周圍的溫度固定,則熱釋電體基板正面的電荷保持電中性的狀態(tài)。
[0004]當(dāng)熱釋電體基板周圍的溫度變化時,熱釋電體基板中的自發(fā)極化的狀態(tài)隨之變化。自發(fā)極化的狀態(tài)變化,比存在于熱釋電體基板周圍的浮游電荷的反應(yīng)更快,因此在熱釋電體基板正面,電中性狀態(tài)崩解。其結(jié)果,在熱釋電體基板正面上產(chǎn)生表面電荷。從電極將該表面電荷作為輸出信號取出,由此可將熱釋電元件作為傳感器使用。大部分的熱釋電型紅外線傳感器,將如上所述的熱釋電元件作為檢測像素使用,并以由多個熱釋電元件所構(gòu)成的傳感器元件群所構(gòu)成。
[0005]作為熱釋電型紅外線傳感器的例子,在專利文獻I中揭示了稱為補償單一型的熱釋電型紅外線傳感器。該熱釋電型紅外線傳感器,包含:偵測紅外線的電極(受光主部件),以及監(jiān)視周圍的溫度變化來修正溫度變化的電極(溫度補償部件)。
[0006]在專利文獻I中,在紅外線濾光器的屏蔽殼(外裝罐)的窗部設(shè)有濾光器。此濾光器以紅外線僅入射至受光主部件的方式使紅外線透射。溫度補償部件受到遮蔽,以避免受從外部照射的紅外線影響。
[0007]另外,在專利文獻2中,揭示了將極化方向互不相同的2個集電元件串聯(lián)或并聯(lián)連接的雙重型的紅外線傳感器。
[0008][先行技術(shù)文獻]
[0009][專利文獻]
[0010]專利文獻1:日本實用新型登錄第3043381號公報
[0011]專利文獻2:日本特開昭62-187277號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012][發(fā)明要解決的問題]
[0013]專利文獻I以及專利文獻2所揭示的受光主部件以及溫度補償部件的構(gòu)造(形狀、尺寸),受限于屏蔽殼的大小、以及紅外線所透射的開口部的面積。
[0014]例如,若將形成于屏蔽殼頂面部的開口部加大來增加紅外線的照射量,擴大傳感器的視角,則有可能紅外線回繞至溫度補償部件而影響到傳感器的靈敏度。另一方面,若縮小開口部,則不僅會限制紅外線的照射范圍或照射量,還會使傳感器的視角變得狹小,使傳感器輸出降低。
[0015]另外,只要開口部的面積不改變,當(dāng)受光主部件與開口部的距離越長,則傳感器的視角越狹??;當(dāng)受光主部件與開口部的距離越短,則傳感器的視角變得越寬廣??墒?,在開口部與傳感器元件的空間配置用以提升傳感器靈敏度的遮光板或聚光鏡時,在屏蔽殼與傳感器元件之間需要一定的空間。該空間的存在,乃是在實際的設(shè)計中限制視角的可設(shè)定范圍的主要原因,會妨礙到傳感器的小型化。
[0016]因此,本發(fā)明的目的在于提供一種小型、廣視角且可得到充分的輸出的熱釋電型紅外線傳感器。
[0017][解決問題的技術(shù)手段]
[0018]本發(fā)明的一實施態(tài)樣,是作為第I熱釋電型紅外線傳感器,可得到一熱釋電型紅外線傳感器,其包含:傳感器元件、覆蓋所述傳感器元件的屏蔽殼、紅外線透射濾光器、對所述傳感器元件的輸出信號進行阻抗變換后加以輸出的輸出電路、以及至少I個反射膜。所述傳感器元件具有至少I個熱釋電元件。所述熱釋電元件包含:熱釋電體基板,具有成為受光面的正面以及所述正面的相反面即背面;正面電極,設(shè)置于所述正面;以及背面電極,設(shè)置于所述背面之中對應(yīng)所述正面電極的位置。所述屏蔽殼具有開口部。所述開口部以位于所述正面電極上方的方式形成。所述紅外線透射濾光器設(shè)置于所述開口部。所述反射膜使從外部入射的紅外線反射。所述反射膜的至少一部分位于所述紅外線透射濾光器與所述正面電極之間的區(qū)域。
[0019]在此,由于正面電極與背面電極是夾持熱釋電體基板而互相對置配置的,故形成電容器。為了使正面電極對應(yīng)于紅外線的受光量而取得盡量大的表面電荷,宜將電極面積加大。通過將電極面積加大,從而傳感器元件的靜電電容變大,傳感器的S/N比提升。
[0020]另外,根據(jù)需要對正面電極的正面涂布氧化鈦或碳等紅外線吸收膜,因此紅外線的吸收效率提升,即,得到熱效率高、抗外來噪聲能力強、高靈敏度的紅外線傳感器。
[0021]在熱釋電體基板的背面,除了背面電極之外還設(shè)有將傳感器的輸出信號導(dǎo)出的輸出電極。輸出電極宜配置成盡量遠離正面電極以及背面電極。因此,可減少由正面電極所吸收的熱的釋放。
[0022]屏蔽殼宜使用電磁屏蔽性能高且線膨脹系數(shù)低的42合金??墒?,作為代替使用,也可使用通過Ni鍍等對低價的Fe類金屬或非磁性類的金屬施以表面處理后的產(chǎn)物。
[0023]紅外線透射濾光器是在硅或鍺等紅外線透射材料上,多層形成硫化鋅等的層所制成的??赏干浼t外線透射濾光器的紅外線的波長宜為5μπι?15μπι左右。如有需要可進一步多層形成反射防止膜來提升透射率。
[0024]輸出電路宜僅以接合型電場效應(yīng)晶體管所構(gòu)成??墒牵部筛鶕?jù)需要將電阻值高(數(shù)GQ?數(shù)十GQ左右)的電阻器與傳感器元件并聯(lián)連接。由此,抑制基準(zhǔn)電壓的變動,得到穩(wěn)定的傳感器輸出。
[0025]另外,根據(jù)本發(fā)明的另一實施態(tài)樣,作為第2熱釋電型紅外線傳感器,可得到一熱釋電型紅外線傳感器,如第I熱釋電型紅外線傳感器,其中,該正面電極具有:至少2個區(qū)域、以及連接該2個區(qū)域的連接部;該反射膜以與該連接部對置的方式設(shè)置。
[0026]另外,根據(jù)本發(fā)明的另一實施態(tài)樣,作為第3熱釋電型紅外線傳感器,可得到一熱釋電型紅外線傳感器,如第I或第2熱釋電型紅外線傳感器,其中,該反射膜由濺鍍法或真空蒸鍍法所形成。
[0027]另外,根據(jù)本發(fā)明的另一實施態(tài)樣,作為第4熱釋電型紅外線傳感器,可得到一熱釋電型紅外線傳感器,如第I或第2熱釋電型紅外線傳感器,其中,該反射膜由印刷法、涂布法、轉(zhuǎn)印法或浸潰法所形成。
[0028]另外,根據(jù)本發(fā)明的另一實施態(tài)樣,作為第5熱釋電型紅外線傳感器,可得到一熱釋電型紅外線傳感器,如第I或第2熱釋電型紅外線傳感器,其中,該反射膜形成于薄板的表面;該薄板貼合在該屏蔽殼或該紅外線透射濾光器上。
[0029]進而,將正面電極分割成多個,將相鄰的正面電極成對連接,因此可將其一方以反射膜加以遮蔽來作為溫度補償電極使用,并將另一方作為紅外線偵測電極使用。因此,傳感器元件呈現(xiàn)極性反轉(zhuǎn)而串聯(lián)連接的狀態(tài),可進一步降低干擾光線的影響。
[0030]進而,也可將反射膜與上述成對連接的正面電極的導(dǎo)體圖案以互相對置的方式配置。各個傳感器元件可偵測紅外線的范圍(視角)是根據(jù)集電元件的各個電極與反射膜的位置關(guān)系而確定的。從而,將反射膜與導(dǎo)體圖案以互相對置的方式配置,由此能以視角不會互相交錯的方式配置。
[0031][發(fā)明效果]
[0032]在本發(fā)明的熱釋電型紅外線傳感器中,在紅外線透射濾光器與正面電極之間區(qū)域的一部分,設(shè)置有使從外部入射的紅外線反射的反射膜。另外,紅外線透射濾光器與正面電極的距離相近。其結(jié)果,可將反射膜作為紅外線的遮光板使用。即,對于需要紅外線遮蔽的補償電極,可防止紅外線的回繞,因此能可靠地遮蔽補償電極而不受紅外線影響。
[0033]進而,本發(fā)明的熱釋電型紅外線傳感器包含具有充分的視角的受光側(cè)電極。進而,通過減少屏蔽殼與傳感器元件的間隙,使熱釋電型紅外線傳感器的小型化也變得容易。
[0034]另外,令紅外線透射濾光器與正面電極之間的距離為極短(以極近距離配置紅外線透射濾光器與正面電極),因此得到能自由且高精度地變更視角的熱釋電型紅外線傳感器。例如,在雙重型的熱釋電型紅外線傳感器中,將分割成兩個的正面電極互相連接,并以該正面電極分別可偵測的視角不會互相抵消的方式來予以調(diào)整,因此可將紅外線受光區(qū)域分擔(dān)于經(jīng)分割的各個電極。
[0035]通過采用如此構(gòu)成,相較于以I個電極所構(gòu)成的視角,能得到具有大范圍視角的熱釋電型紅外線傳感器。進而,在能以各個受光電極進行偵測的區(qū)域中,設(shè)置不偵測紅外線的區(qū)域(死區(qū)區(qū)域)來偵測來自受光范圍的出入,因此可得到可偵測更狹小范圍中的移動的熱釋電型紅外線傳感器。
[0036]另外,反射膜也可由濺鍍法或真空蒸鍍法所形成。使用此等方法能使膜厚變薄。膜壓薄的反射膜其熱容量非常少,使散熱性提升。因此,可降低波及到傳感器元件的熱的影響。
[0037]另外,形成于紅外線透射濾光器上的反射膜,也可由印刷法、或涂布法、轉(zhuǎn)印法、浸潰法所形成。通過此類工法,無須使用濺鍍裝置或真空蒸鍍裝置這樣的巨大制造設(shè)備便可形成反射膜。即,能低價地制造熱釋電型紅外線傳感器。
[0038]另外,改變上述方法,將表面形成有反射膜的薄板,貼合在屏蔽殼或該紅外線透射濾光器上,從而使熱釋電型紅外線傳感器的制造更為簡便。
[0039]參照附圖,并檢討對下述最佳實施方式的說明,應(yīng)可正確地理解本發(fā)明的目的,并對其結(jié)構(gòu)更全面性地理解。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0040]圖1是示出本發(fā)明第I實施方式的熱釋電型紅外線傳感器的動作與正面電極的電壓的變化的圖。
[0041]圖2是表示圖1的熱釋電型紅外線傳感器的傳感器元件正面的俯視圖。
[0042]圖3是表示圖1的熱釋電型紅外線傳感器的傳感器元件背面的俯視圖。
[0043]圖4是圖1的熱釋電型紅外線傳感器的紅外線透射濾光器的俯視圖。
[0044]圖5是表示圖1的熱釋電型紅外線傳感器的電路的方塊圖。
[0045]圖6是示出本發(fā)明第2實施方式的熱釋電型紅外線傳感器的動作與正面電極的電壓的變化的圖。
[0046]圖7是表示圖6的熱釋電型紅外線傳感器的傳感器元件正面的俯視圖。
[0047]圖8是表示圖6的熱釋電型紅外線傳感器的傳感器元件背面的俯視圖。
[0048]圖9是圖6的熱釋電型紅外線傳感器的紅外線透射濾光器的俯視圖。
[0049]圖10是示出本發(fā)明第3實施方式的熱釋電型紅外線傳感器的動作與正面電極的電壓的變化的圖。
[0050]圖11是表示圖10的熱釋電型紅外線傳感器的傳感器元件正面的俯視圖。
[0051]圖12是表示圖10的熱釋電型紅外線傳感器的傳感器元件背面的俯視圖。
[0052]圖13是圖10的熱釋電型紅外線傳感器的紅外線透射濾光器的俯視圖。
[0053]圖14是表示本發(fā)明第4實施方式的紅外線傳感器的傳感器元件正面的俯視圖。
[0054]圖15是表示本發(fā)明第4實施方式的熱釋電型紅外線傳感器的傳感器元件背面的俯視圖。
[0055]圖16是本發(fā)明第4實施方式的熱釋電型紅外線傳感器的紅外線透射濾光器的俯視圖。
【具體實施方式】
[0056]關(guān)于本發(fā)明,可借著多樣變形或各種形態(tài)使其實現(xiàn),作為其一例,就附圖所示的特定實施方式,在以下加以詳細說明。附圖及實施方式并不限定為本發(fā)明在此揭示的特定形態(tài),在權(quán)利要求所解釋的范圍內(nèi)的全部變形例、均等物、替代例等,皆包含于其對象。
[0057](第I實施方式)
[0058]本實施方式的紅外線傳感器,例如以如下方式所利用。如圖1的上部所示,當(dāng)測量對象物(人)從圖的左側(cè)進入紅外線傳感器的視角Ila時,正面電極2a附近的電中性狀態(tài)崩解,而以Vout的電壓為基準(zhǔn)在負極側(cè)檢測到電位。進而持續(xù)移動而進入視角Ilb時,正面電極2b附近的電中性狀態(tài)崩解,而以Vout的電壓為基準(zhǔn)在正極側(cè)檢測到電位,因此,紅外線傳感器可作為測量對象物出入時的方向偵測來加以利用。
[0059]如圖1所示,本實施方式的紅外線傳感器包含:傳感器元件1、屏蔽殼8、紅外線透射濾光器7、以及反射膜9。
[0060]如圖2所示,本實施方式的傳感器元件I具有I個熱釋電元件。熱釋電元件,包含:具有正面以及背面的熱釋電體基板、設(shè)于正面的正面電極2a以及2b、以及設(shè)于背面的背面電極3a以及3b。在此,熱釋電體基板的正面為受光面。正面電極2a以及2b互相連接,配置于熱釋電體基板的受光面?zhèn)?正面)。正面電極2a作為溫度補償電極使用,正面電極2b作為受光電極使用。另外,如圖3所示,在傳感器元件I的背面配置有背面電極3a以及3b。背面電極3a以及3b以分別與正面電極2a以及2b對置的方式來安置。
[0061]如圖1以及圖3所示,設(shè)于背面電極3a以及3b的輸出電極通過導(dǎo)電粘接劑5而粘接在電路基板6。在電路基板6,安裝有接合型電場效應(yīng)晶體管4,以作為阻抗變換電路。如圖5所示,分別地,接合型電場效應(yīng)晶體管4的柵極輸入電極連接至背面電極3a,GND連接至背面電極3b。接合型電場效應(yīng)晶體管4對傳感器元件I的輸出信號進行阻抗變換后加以輸出。
[0062]如圖1所不,電路基板6的外周由屏蔽殼8所覆蓋。屏蔽殼8具有開口部(窗部)10。開口部10,以位于正面電極2a以及2b上方的方式形成。即,能通過開口部10來目視確認正面電極2a以及2b。在開口部10緊貼有紅外線透射濾光器7。如圖4所示,在紅外線透射濾光器7,設(shè)有反射紅外線的反射膜9。反射膜9位于紅外線透射濾光器7與正面電極2a之間的區(qū)域。即,反射膜9設(shè)于正面電極2a的上方且設(shè)于紅外線透射濾光器7的下方。本實施方式的反射膜的一部分與正面電極2a對置。本實施方式的反射膜9是厚度0.5μηι的Ag膜。
[0063]在此,反射膜9為了不影響到傳感器元件的高度,是通過濺鍍法或真空蒸鍍法等Wlym以下的厚度所形成的。反射膜9的熱容量相較于傳感器元件I的熱容量相當(dāng)?shù)匦。虼藢鞲衅髟斐傻挠绊憳O小。形成該反射膜的步驟,可在紅外線透射濾光器7的制造步驟中所包含的真空蒸鍍步驟中與形成紅外線透射膜同時進行。
[0064]另外,反射膜9也可由印刷法、或涂布法、轉(zhuǎn)印法、浸潰法的任一者所形成。作為另一方法,也可將在表面形成有反射膜的薄板裁切成既定形狀,貼附在屏蔽殼或前述紅外線透射濾光器上。根據(jù)此等方法,無須使用濺鍍裝置或真空蒸鍍裝置等制造設(shè)備便可形成反射膜,因此可低價地制造熱釋電型紅外線傳感器。
[0065]可偵測紅外線的視角是根據(jù)該反射膜9、屏蔽殼8的開口部10、正面電極2a以及2b的位置關(guān)系而確定的。反射膜9也可配置于屏蔽殼的外側(cè)(即,紅外線透射濾光器7的頂面)??墒?,將反射膜9配置于屏蔽殼8的內(nèi)側(cè)(也即,紅外線透射濾光器7的底面),由此令正面電極2a (溫度補償電極)的視角狹小,另一方面,可擴大正面電極2b (受光電極)的視角。因此即使視角重疊時,也可將傳感器輸出相抵消的區(qū)域減至極少。其結(jié)果,可得到只要在數(shù)米的范圍內(nèi)便具有充分的偵測能力的熱釋電型紅外線傳感器。
[0066](第2實施方式)
[0067]參照圖6至圖9,本發(fā)明第2實施方式的紅外線傳感器包含與第I實施方式相同的傳感器元件I??墒?,與第I實施方式相異的點在于:正面電極2a以及2b均作為受光電極使用;以及如圖6、圖7以及圖9所示,反射膜9以覆蓋存在于正面電極2a、2b中間的連接圖案的方式所形成。
[0068]根據(jù)本實施方式的構(gòu)成,呈現(xiàn)極化方向不同的熱釋電體2個串聯(lián)連接的狀態(tài)。假設(shè)因外部溫度的變化或外來光線等使兩熱釋電元件中產(chǎn)生電荷,由于存在于正面電極2a以及2b上的電荷的總量固定,所以各自的輸出會相抵消。其結(jié)果,紅外線以外的影響受到補償。[0069]用圖6來說明本實施方式的熱釋電型紅外線傳感器的動作。如圖6所示,當(dāng)測量對象物從圖的左側(cè)進入視角Ilb時,正面電極2a附近的電中性狀態(tài)崩解,而以Vout的電壓為基準(zhǔn)在負極側(cè)檢測到電位。進而持續(xù)移動而進入視角Ila時,正面電極2b附近的電中性狀態(tài)崩解,而以Vout的電壓為基準(zhǔn)在正極側(cè)檢測到電位,因此,可作為測量對象物出入時的方向偵測來加以利用。另外,改變反射膜的寬度,由此容易形成在各視角未偵測到的中間區(qū)域(死區(qū)區(qū)域)。偵測在該死區(qū)區(qū)域與視角之間的出入,因此測量對象物在更狹小的范圍動作時也可使傳感器產(chǎn)生反應(yīng)。
[0070]在本實施方式中,宜隔出一定的間隔來安裝傳感器元件I與電路基板6。由此,可減少傳感器元件正面電極所吸收的熱的釋放。
[0071]另外,為預(yù)防噪聲,宜將紅外線透射濾光器7緊貼在屏蔽殼8的開口部,優(yōu)選將屏蔽殼8與電路基板6的接地電連接。
[0072]可偵測紅外線的視角是根據(jù)該反射膜9、屏蔽殼8的開口部10、正面電極2a以及2b的位置關(guān)系而確定的。以覆蓋接地圖案的方式形成反射膜9,從而正面電極2a的視角與正面電極2b的視角不會重疊,因此傳感器輸出不會相抵消。
[0073](第3實施方式)
[0074]用圖10來說明第3實施方式的熱釋電型紅外線傳感器的動作。如圖10的上部所示,本實施方式的熱釋電型紅外線傳感器,當(dāng)測量對象物從圖的左側(cè)進入左側(cè)的視角Ilb時,正面電極2a附近的電中性狀態(tài)崩解,而以Vout的電壓為基準(zhǔn)在負極側(cè)檢測到電位。進而持續(xù)移動而進入視角Ila時,檢測到正極側(cè)的電位。進而往右持續(xù)移動而進入右側(cè)的視角Ilb時,正面電極2b附近的電中性狀態(tài)崩解,從Vout檢測到負極的電位。另外,在視角Ila與Ilb之間,建立不屬于任何視野范圍的死區(qū)區(qū)域,由此可將偵測區(qū)域細分化。不僅在穿越各區(qū)域時,在進行細微的動作時也可獲得傳感器輸出。
[0075]如圖11所示,傳感器元件I包含:配置于熱釋電體基板中央的正面電極2a、以及配置于正面電極2a兩側(cè)的正面電極2b。正面電極2a與2個正面電極2b以連接圖案相連接。正面電極2a與正面電極2b高度相等。正面電極2b的寬度約為正面電極2a的一半。進而,如圖12所示,以夾持熱釋電體基板且與正面電極2a以及2b對置的方式,配置有背面電極3a以及3b。
[0076]如圖13所示,反射膜9與上述第2實施方式相同,以覆蓋對正面電極2a以及2b進行連接的連接圖案的方式形成。可偵測紅外線的視角是根據(jù)該反射膜9、屏蔽殼8的開口部10、正面電極2a以及2b的位置關(guān)系而決定的。以覆蓋連接圖案的方式形成反射膜9,因此正面電極2a的視角與正面電極2b的視角不會重疊,傳感器輸出不會相抵消。
[0077](第4實施方式)
[0078]如圖14所示,本發(fā)明第4實施方式的紅外線傳感器的傳感器元件I包含:4個正面電極2a、2b、2c以及2d。正面電極2a、2b、2c以及2d的面積彼此相等。正面電極2a與正面電極2b互相連接。正面電極2c與正面電極2d互相連接。如圖15所示,在傳感器元件I的背面,形成有分別與該正面電極對置所形成的背面電極3a、3b、3c以及3d。正面電極2a、2b是由輸出電極所互相連接,正面電極2c、2d也由輸出電極所互相連接。如圖16所示,反射膜9,在將紅外線透射濾光器以十字切割為4等分的4個區(qū)域之中,設(shè)于正面電極2b上方的區(qū)域、以及正面電極2c上方的區(qū)域。通過采用此種構(gòu)成,相較于電極為2個的情形,能進行更細微的位置偵測。即使在將需要更細微的偵測的電極排列多個的數(shù)組型元件中,其也同樣易于對應(yīng)。
[0079]此外,并不限于這些實施例,還可在權(quán)利要求的范圍內(nèi)加上各種手法,也可根據(jù)各種需求來加以變形。
[0080]本發(fā)明依據(jù)2012年I月27日向日本專利局提出的日本特許出愿第2012-014984號,參考該內(nèi)容而構(gòu)成本說明書的一部分。
[0081]雖就本發(fā)明的最佳實施方式進行了說明,但如本領(lǐng)域技術(shù)人員明確可知,不脫離本發(fā)明精神的范圍內(nèi)可將實施方式變形,如此的實施方式仍屬于本發(fā)明的范圍。
[0082]符號說明
[0083]I傳感器元件
[0084]2a、2b、2c、2d 正面電極
[0085]3a、3b、3c、3d 背面電極
[0086]4接合型電場效應(yīng)晶體管
[0087]5導(dǎo)電粘接劑
[0088]6電路基板
[0089]7紅外線透射濾光器
[0090]8屏蔽殼
[0091]9反射膜
[0092]10 開口部
[0093]IlaUlb 視角
【權(quán)利要求】
1.一種熱釋電型紅外線傳感器,包含:傳感器元件;屏蔽殼,覆蓋所述傳感器元件;紅外線透射濾光器;輸出電路,對所述傳感器元件的輸出信號進行阻抗變換后加以輸出;以及至少I個反射膜, 所述傳感器元件具有至少I個熱釋電元件, 所述熱釋電元件包含:熱釋電體基板,具有成為受光面的正面以及所述正面的相反面即背面;正面電極,設(shè)置于所述正面;以及背面電極,設(shè)置于所述背面之中對應(yīng)于所述正面電極的位置, 所述屏蔽殼具有開口部, 所述開口部形成為位于所述正面電極的上方, 所述紅外線透射濾光器設(shè)置于所述開口部, 所述反射膜對從外部入射的紅外線進行反射, 所述反射膜的至少一部分位于所述紅外線透射濾光器與所述正面電極之間的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的熱釋電型紅外線傳感器,其中, 所述正面電極具有:至少2個區(qū)域、以及連接所述2個區(qū)域的連接部, 所述反射膜設(shè)置成與所述連接部對置。
3.如權(quán)利要求1或2所述的熱釋電型紅外線傳感器,其中, 所述反射膜由濺鍍法或真空蒸鍍法所形成。
4.如權(quán)利要求1或2所述的熱釋電型紅外線傳感器,其中, 所述反射膜由印刷法、涂布法、轉(zhuǎn)印法或浸潰法所形成。
5.如權(quán)利要求1或2所述的熱釋電型紅外線傳感器,其中, 所述反射膜形成于薄板的表面, 所述薄板貼合在所述屏蔽殼或所述紅外線透射濾光器上。
【文檔編號】G01J1/02GK104011517SQ201280064254
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2012年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月27日
【發(fā)明者】齋藤正博 申請人:Nec東金株式會社
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